UNIVERSIDAD NACIONAL TECNOLÓGICA DE LIMA SUR
FACULTAD DE INGENIERÍA Y GESTIÓN
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y
TELECOMUNICACIONES
FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO
Examen Final
INTEGRANTES:
Mamani Nina Pedro David (2311110258)
DOCENTE
Máximo Moisés Galarza Espinoza
VILLA EL SALVADOR, LIMA, PERÚ
2025
Pregunta 1.a – Descripción física de VO₂, InSb, LiNbO₃ y Polímero JRD1
1. Óxido de Vanadio (VO₂)
El VO₂ es un óxido de transición que presenta una transición de fase reversible entre
una fase aislante (monoclínica) a temperatura ambiente y una fase metálica (tetragonal
tipo rutilo) por encima de aproximadamente 68 °C. Esta propiedad lo convierte en un
material termocrómico que varía sus propiedades eléctricas y ópticas con la
temperatura. En la fase aislante, presenta un pequeño ancho de banda prohibida (~0.6
eV), mientras que en la fase metálica se comporta como un conductor.
La permitividad del VO₂ sufre un cambio abrupto durante esta transición, lo cual lo hace
atractivo para dispositivos optoelectrónicos, moduladores THz y metasuperficies
reconfigurables. La variación más importante ocurre en el rango de frecuencia terahertz
(0.1–10 THz).
2. Antimoniuro de Indio (InSb)
El InSb es un semiconductor compuesto del grupo III-V con una estructura cúbica
centrada en caras (FCC) tipo zincblenda. Es conocido por su banda prohibida estrecha
de aproximadamente 0.17 eV, lo que le confiere alta movilidad de electrones y
sensibilidad infrarroja. Su respuesta dieléctrica varía significativamente con la
temperatura y bajo la influencia de campos magnéticos.
Es común su aplicación en sensores IR, detectores de imagen y estudios de magneto-
óptica. Para modelar su permitividad compleja se emplea el modelo de Drude, y para
representar resonancias fonónicas y plasmónicas se utiliza el modelo Drude-Lorentz.
3. Niobato de Litio (LiNbO₃)
El LiNbO₃ es un cristal ferroeléctrico con estructura trigonal (sistema romboédrico), que
presenta anisotropía óptica y una respuesta dieléctrica no lineal. Es utilizado
extensamente en moduladores ópticos, guías de onda, y dispositivos electro-ópticos.
Su permitividad depende de la orientación cristalográfica y muestra una variación
relevante en el rango del infrarrojo al visible, siendo estable térmicamente hasta los 500
°C. Se requiere un modelo Drude-Lorentz adaptado para describir con precisión sus
resonancias ópticas y fonónicas.
4. Polímero JRD1
El polímero JRD1 es un material orgánico conjugado utilizado en electrónica flexible y
optoelectrónica, como celdas solares de película delgada. Su estructura es semiamórfica,
con regiones parcialmente ordenadas que permiten la conducción de carga a través de
enlaces π-conjugados.
A diferencia de los materiales cristalinos, su permitividad es dispersiva y depende
fuertemente de la longitud de onda (visible a IR cercano), la orientación molecular y el
entorno dieléctrico. Para modelarlo, se usa principalmente el modelo de Lorentz, ya que
las transiciones ópticas dominan su comportamiento dieléctrico.
1.b. Se debe incluir el modelo de drude/Lorentz para el calculo de sus propiedes
dieléctricas (épsilon y o N,…)
• Modelo Drude-Lorentz para el VO₂
1. Ecuación general del modelo Drude-Lorentz para VO₂
𝑵
𝝎𝟐𝒑 𝒇𝒋𝝎𝟐𝒋
( )
𝜺 𝝎 = 𝜺∞ − 𝟐 + ∑
𝝎 + ⅈ𝜸𝝎 𝝎𝟐𝒋 − 𝝎𝟐 − ⅈ𝜞𝒋 𝝎
𝒋=𝟏
2. Parámetros típicos para VO₂ en fase metálica (THz)
(Tomados y adaptados de Calvani, 2001 y Kuzmenko, 2005; valores estimados para
fines académicos)
Parámetro Valor Descripción
ε∞ 9 Permitividad en alta frecuencia
ωp 2π⋅5×1013 𝑟𝑎𝑑/𝑠 Frecuencia de plasma (Drude)
γ 2π⋅1.5×1013 𝑟𝑎𝑑/𝑠 Amortiguamiento (Drude)
f1 3 Fuerza del oscilador Lorentz
ω1 2π⋅2×1013 𝑟𝑎𝑑/𝑠 Frecuencia resonante (Lorentz)
Γ1 2π⋅0.6×1013 𝑟𝑎𝑑/𝑠 Ancho de banda Lorentz
• Modelo Drude para el InSb
1. Ecuacion general del modelo Drude para InSb (modo semimetálico,
temperatura ambiente)
Dado que el InSb es un semiconductor con portadores libres, el modelo más
adecuado es el modelo Drude, especialmente en frecuencias del rango terahertz.
𝝎𝟐𝒑
𝜺(𝝎) = 𝜺∞ −
𝝎𝟐 + ⅈ𝜸𝝎
2. Parámetros típicos del InSb (a 300 K, dopado n)
Parámetro Valor Descripción
ε∞ 15.68 Permitividad en alta frecuencia
n 1×1016 𝑐𝑚−3 Concentración de portadores (dopaje n)
m* 0.0135 𝑚𝑒 Masa efectiva de electrones (InSb)
γ 2π⋅0.6×1012 𝑟𝑎𝑑/𝑠 Amortiguamiento Drude
• Modelo Lorentz para LiNbO₃
1. Ecuacion general del modelo Lorentz para LiNbO₃
𝑵
𝑺𝒋𝝎𝟐𝟎𝒋
𝜺(𝝎) = 𝜺∞ + ∑
𝝎𝟐𝟎𝒋 − 𝝎𝟐 − ⅈ𝜞𝒋 𝝎
𝒋=𝟏
Donde ε∞: permitividad de alta frecuencia:Sj: fuerza del oscilador j; ω0j : frecuencia de
resonancia (rad/s) y γj : constante de amortiguamiento.
2. Parámetros típicos del LiNbO₃ (modo fonón óptico transversal, eje ordinario,
300 K)
Parámetro Valor
ε∞ 5.0
ε0 (estática) 85.0
ωTO 2π⋅4.6×1012 𝑟𝑎𝑑/𝑠
ωLO 2π⋅8.0×1012 𝑟𝑎𝑑/𝑠
γ 2π⋅0.15×1012 𝑟𝑎𝑑/𝑠
• Modelo para JRD1
Dado que JRD1 es un material dieléctrico con bandas de absorción específicas, no posee
portadores libres como en metales o semiconductores altamente dopados. Por tanto, el
modelo más adecuado es el modelo de Lorentz multioscilador, ajustado a los picos de
absorción observados experimentalmente.
1. Modelo Lorentz clásico (multioscilador)
𝑵
𝑺𝒋𝝎𝟐𝟎𝒋
𝜺(𝝎) = 𝜺∞ + ∑
𝝎𝟐𝟎𝒋 − 𝝎𝟐 − ⅈ𝜞𝒋 𝝎
𝒋=𝟏
En el caso de JRD1, estudios como los de Gélidas et al. (2013) y Wang et al. (2018)
muestran una resonancia óptica clara en el rango cercano a 1.3–1.6 eV (~230–190
THz), atribuida a excitones intramoleculares y entre cadenas.
2. Parámetros simulados aproximados para JRD1 (basados en espectros de
absorción):
Parámetro Valor estimado
ε∞ 2.0
S1 0.9
ω01 2π⋅210×1012 rad/s (210 THz)
γ1 2π⋅18×1012 rad/s (18 THz)
1.c. Presentar los resultados en graficas y con los archivos generados en TXT.
• Para el VO₂
La gráfica generada por el código muestra la evolución de la permitividad compleja del
dióxido de vanadio (VO₂) en función de la frecuencia, en un rango de 0.1 a 10
terahercios (THz). Esta representación se obtiene mediante el modelo Drude-Lorentz,
que combina la contribución de electrones libres (modelo de Drude) con la respuesta
resonante de osciladores atómicos o moleculares (modelo de Lorentz). En el gráfico se
representan dos curvas: la parte real de la permitividad en color azul y la parte
imaginaria en color rojo.
La parte real de la permitividad, Re[ϵ(ω)], describe cómo el material almacena energía
del campo eléctrico. En frecuencias bajas, esta parte toma valores negativos debido a la
contribución del término de Drude, lo cual indica un comportamiento metálico típico
del VO₂ en su fase metálica. A medida que la frecuencia aumenta, Re[ϵ(ω)] se hace
menos negativa y puede volverse positiva en ciertas regiones, reflejando un cambio en
la respuesta dieléctrica del material.
Por otro lado, la parte imaginaria de la permitividad, Im[ϵ(ω)], representa las pérdidas o
la absorción de energía en el material. Esta curva muestra un pico característico en torno
a los 2 THz, que corresponde a la frecuencia de resonancia del oscilador Lorentz
incluido en el modelo. Este pico indica que el material absorbe con mayor intensidad la
radiación electromagnética en esa frecuencia, lo cual puede estar asociado a vibraciones
internas o transiciones electrónicas específicas del VO₂.
En conjunto, la gráfica permite visualizar cómo el VO₂ responde frente a ondas
electromagnéticas en el rango de frecuencias del terahercio, siendo útil para entender su
comportamiento en aplicaciones ópticas o fotónicas, especialmente en dispositivos
sintonizables o de cambio de fase.
La información también se guarda en un archivo de texto para análisis posterior,
facilitando su uso en simulaciones o comparaciones con datos experimentales.
• Para el InSb
La gráfica obtenida a partir del código muestra la evolución de la permitividad compleja
del InSb en función de la frecuencia, entre 0.1 y 10 terahercios (THz). Esta
representación se basa en el modelo de Drude, el cual describe la respuesta óptica de los
electrones libres en materiales conductores o semiconductores altamente dopados. En
este caso, el InSb presenta un comportamiento típico de un semiconductor con alta
densidad de portadores libres, simulada aquí con n=1×1022 𝑚−3 .
En la gráfica se representan dos componentes de la permitividad: la parte real en color
azul y la parte imaginaria en color rojo. La parte real, Re[ϵ(ω)], comienza con valores
negativos a bajas frecuencias, lo cual es indicativo de un comportamiento metálico. Este
fenómeno se debe a que, a frecuencias bajas, los electrones libres pueden seguir el
campo eléctrico oscilante, generando una fuerte respuesta en oposición al mismo. A
medida que la frecuencia aumenta, esta parte real se eleva y puede cruzar el eje cero, lo
que define el punto de plasma, donde el material cambia su comportamiento óptico de
reflectivo a transmisivo.
Por otro lado, la parte imaginaria, Im[ϵ(ω)], representa la pérdida de energía del campo
electromagnético debido a la interacción con los portadores libres. Esta curva muestra
un máximo a frecuencias bajas, lo que indica que la absorción de energía es más intensa
cuando los electrones tienen más libertad para responder al campo. A frecuencias más
altas, esta absorción disminuye debido a que los electrones no pueden seguir el campo
tan eficientemente.
En resumen, la gráfica ofrece una visión clara del comportamiento del InSb en el rango
de frecuencias del terahercio, destacando su fuerte absorción y comportamiento
metálico a bajas frecuencias, tal como predice el modelo de Drude. Esta información es
fundamental para aplicaciones en optoelectrónica, sensores terahertz y dispositivos
semiconductores, y los datos también se guardan en un archivo .txt para su posterior
análisis o uso en simulaciones.
• Para el LiNbO₃
La gráfica obtenida representa la permitividad compleja del niobato de litio (LiNbO₃) en
función de la frecuencia, desde 0.1 hasta 10 terahercios (THz). El modelo utilizado es
una versión específica del modelo de Lorentz, que describe la respuesta óptica de un
material dieléctrico que presenta modos fonónicos ópticos transversales (TO) y
longitudinales (LO). Esta formulación es comúnmente utilizada para materiales
dieléctricos polarizables que muestran fuerte acoplamiento con fonones ópticos, como
el LiNbO₃.
En la gráfica se muestran dos curvas: la parte real de la permitividad (Re[ϵ(ω)]), en azul
y la parte imaginaria (Im[ϵ(ω)]) en rojo. A frecuencias cercanas a la frecuencia TO
(~4.6 THz), se observa un fuerte cambio en la parte real de la permitividad, indicando
una resonancia. Esta zona es conocida como la región de resonancia fonónica, donde el
material responde intensamente al campo electromagnético debido a la vibración
colectiva de sus átomos. La parte real disminuye bruscamente y puede llegar a valores
negativos entre las frecuencias TO y LO, lo que corresponde a la llamada región de
inestabilidad óptica.
Por su parte, la parte imaginaria muestra un pico en la frecuencia de resonancia TO, lo
cual refleja una alta absorción de energía en esa zona. Este comportamiento es
característico de los materiales dieléctricos que presentan fuertes pérdidas por absorción
debido a las oscilaciones de la red cristalina. A frecuencias más altas, cercanas a la
frecuencia LO (~8.0 THz), la permitividad vuelve a estabilizarse.
En conjunto, esta gráfica muestra cómo el LiNbO₃ tiene una fuerte respuesta óptica
resonante en el rango de terahercios, lo que lo convierte en un material atractivo para
aplicaciones en moduladores electroópticos, guías de onda y dispositivos fotónicos.
Finalmente, los datos generados se exportan a un archivo de texto para ser utilizados en
simulaciones numéricas o comparaciones con datos experimentales.
• para JRD1
La gráfica representa la permitividad compleja del material JRD1, un polímero
orgánico, en función de la frecuencia en el rango de 100 a 300 terahercios (THz). Para
ello, se utiliza el modelo de Lorentz, el cual es apropiado para describir la respuesta
óptica de materiales dieléctricos o semiconductores orgánicos, donde la interacción con
estados electrónicos excitados (excitones) o modos de vibración molecular es
significativa.
El modelo se basa en un solo oscilador, caracterizado por una frecuencia de resonancia
central (ω0 ) de 210 THz (~1.47 µm en el rango del infrarrojo cercano), con un
coeficiente de amortiguamiento (γ) de 18 THz, que determina el ancho de la resonancia.
Esta configuración permite simular cómo la permitividad varía cerca de una transición
electrónica específica, como las que ocurren en materiales orgánicos conjugados.
En la gráfica, la curva azul representa la parte real de la permitividad Re[ϵ(ω)], y la
curva roja representa la parte imaginaria Im[ϵ(ω)], Alrededor de la frecuencia de
resonancia, se observa un cambio abrupto en la parte real, lo cual indica una fuerte
dispersión. En paralelo, la parte imaginaria presenta un pico pronunciado centrado en la
misma frecuencia, lo que indica una absorción máxima del campo electromagnético,
típica de una resonancia electrónica.
Este comportamiento es característico de los polímeros orgánicos optoelectrónicos, que
suelen presentar resonancias estrechas en el visible o infrarrojo cercano debido a su
estructura electrónica. Tales materiales son esenciales en dispositivos como celdas
solares orgánicas, fotodetectores y transistores orgánicos.
Finalmente, los datos de la permitividad calculada se exportan a un archivo de texto
para su análisis o uso en simulaciones numéricas, lo cual es útil en el diseño de
dispositivos optoelectrónicos y estructuras fotónicas avanzadas basadas en materiales
orgánicos.
Pregunta 2.
De los siguientes elementos VO2, InSb, LiNbO3, Polimero JRD1.
a. Que estructura cristalina BCC, FCC, CS, pertenece justifique su respuesta.
• El VO₂ (dióxido de vanadio) presenta una estructura cristalina que no pertenece
a los sistemas cúbicos tradicionales, como lo son la estructura cúbica centrada en
el cuerpo (BCC), centrada en las caras (FCC) o tipo cloruro de cesio (CsCl). A
temperatura ambiente, VO₂ cristaliza en una fase monoclínica (M1),
caracterizada por una distorsión estructural producto del dimerizado de átomos
de vanadio. Sin embargo, cuando la temperatura supera los 68 °C, este
compuesto experimenta una transición de fase hacia una estructura tetragonal
tipo rutilo, más simétrica pero aún fuera de las clasificaciones cúbicas clásicas.
Esta complejidad estructural está directamente relacionada con su
comportamiento metal-aislante, muy estudiado en dispositivos ópticos y
electrónicos sintonizables. Por tanto, VO₂ no puede clasificarse como FCC, BCC
ni tipo Cs, ya que su celda unidad es más compleja y anisotrópica.
• El InSb (antimoniuro de indio), se trata de un semiconductor que sí presenta una
estructura cúbica centrada en las caras (FCC), específicamente del tipo blenda de
zinc (zincblenda). Esta estructura se caracteriza por tener dos tipos de átomos —
en este caso, indio y antimonio— ubicados en posiciones intercaladas dentro de
una subred FCC. Tal disposición permite una simetría cristalina alta y favorece
la movilidad de portadores, razón por la cual el InSb se utiliza con frecuencia en
sensores infrarrojos, dispositivos optoelectrónicos y estudios magneto-ópticos.
La estructura FCC le otorga propiedades dieléctricas estables y predecibles,
facilitando su modelado mediante teorías ópticas y electrónicas como el modelo
de Drude.
• El LiNbO₃ (niobato de litio) posee una estructura cristalina trigonal
(romboédrica), perteneciente al grupo espacial R3c. Este material ferroeléctrico
no puede incluirse en las estructuras cúbicas convencionales como FCC, BCC ni
tipo Cs. Su celda unidad está compuesta por una compleja disposición de átomos
de litio, niobio y oxígeno que confiere propiedades anisotrópicas tanto ópticas
como eléctricas. Este ordenamiento lo hace especialmente útil en aplicaciones de
fotónica no lineal, moduladores electroópticos y dispositivos piezoeléctricos. La
ausencia de simetría cúbica implica una respuesta direccional de sus propiedades
dieléctricas, lo que debe tenerse en cuenta al momento de simular su
permitividad.
• El JRD1, un polímero orgánico de tipo donador-aceptor (D-A) utilizado en
optoelectrónica, no se puede hablar de una estructura cristalina simple. Este tipo
de materiales tiende a formar estructuras amorfas o semicristalinas, donde las
cadenas moleculares se organizan de forma parcial mediante interacciones pi-pi.
La disposición atómica no responde a patrones geométricos repetitivos como los
de las estructuras FCC, BCC o tipo Cs. En cambio, los polímeros como JRD1
presentan dominios de autoorganización, que dependen en gran medida de las
condiciones de procesamiento y del diseño molecular. Esto genera regiones con
orden local y otras con carácter amorfo, lo que influye directamente en sus
propiedades ópticas y electrónicas, dificultando un modelado unificado. Por lo
tanto, JRD1 no puede clasificarse dentro de ninguna estructura cristalina cúbica.
b. A que grupo de la estructura cristalina pertenece justifique su respuesta.
• El VO₂ (dióxido de vanadio) pertenece al grupo cristalino monoclínico en su
fase estable a temperatura ambiente. Esta estructura se caracteriza por tener tres
vectores de celda de diferentes longitudes y un solo ángulo diferente de 90°, lo
cual indica un bajo nivel de simetría. En este caso, el VO₂ pertenece
específicamente al grupo espacial P2₁/c (n.º 14), lo que se refleja en su
comportamiento anisotrópico y en la capacidad del material para experimentar
una transición de fase reversible a una estructura tetragonal de tipo rutilo (grupo
espacial P4₂/mnm, n.º 136) cuando se calienta por encima de los 68 °C. Esta
transición entre simetrías cristalinas es la clave de su funcionalidad en
aplicaciones optoelectrónicas sintonizables.
• El InSb (antimoniuro de indio) pertenece al grupo cristalino cúbico del tipo F-
43m (n.º 216), también conocido como el grupo espacial de la estructura
zincblenda. Este grupo cristalino se caracteriza por tener simetría cúbica con una
red centrada en las caras (FCC) y simetría tetraédrica en la disposición de los
átomos. La alta simetría de este grupo permite al InSb tener excelentes
propiedades electrónicas y ópticas, como alta movilidad de electrones y buena
respuesta a frecuencias del infrarrojo, lo que justifica su uso en sensores y
dispositivos semiconductores.
• El LiNbO₃ (niobato de litio) pertenece al grupo cristalino trigonal y
específicamente al grupo espacial R3c (n.º 161), que forma parte del sistema
romboédrico. Esta estructura altamente anisotrópica posee ejes de simetría
rotacional combinados con planos de reflexión, que generan propiedades ópticas
no lineales importantes. Esta compleja simetría le permite al LiNbO₃
comportarse como un cristal piezoeléctrico, piroeléctrico y electroóptico, siendo
ampliamente utilizado en moduladores, láseres y dispositivos de
telecomunicaciones.
• El JRD1, como es un polímero orgánico conjugado, su estructura no responde a
un grupo cristalino definido como ocurre en sólidos inorgánicos. Los polímeros
de tipo donador-aceptor como JRD1 tienden a formar estructuras amorfas o
semicristalinas, con regiones donde las cadenas se alinean parcialmente gracias a
interacciones tipo π–π stacking, pero sin una simetría espacial continua o grupo
espacial definido. Por tanto, no se puede asignar un grupo cristalino
convencional a este material. Su organización molecular depende en gran
medida de factores como el procesamiento, la temperatura y los disolventes
utilizados.
c. Describa su estructura de cada elemento.
• El VO₂ (dióxido de vanadio) presenta una estructura monoclínica distorsionada
a temperatura ambiente, donde los átomos de vanadio forman pares desiguales a
lo largo del eje c de la celda unitaria, generando una cadena de átomos V-V con
diferente distancia. Este reordenamiento atómico es responsable de su transición
de fase termoinducida, que lo convierte en un material atractivo para
aplicaciones optoelectrónicas. Cuando se calienta por encima de
aproximadamente 68 °C, el VO₂ sufre una transición estructural reversible a una
fase tetragonal tipo rutilo, donde los átomos de vanadio están equiespaciados y
alineados simétricamente. Esta transición implica un cambio metálico-
dieléctrico que afecta significativamente sus propiedades ópticas y eléctricas.
• El InSb (antimoniuro de indio) posee una estructura cristalina del tipo
zincblenda, que es una variante del sistema cúbico centrado en las caras (FCC).
En esta estructura, cada átomo de indio (In) está tetraédricamente coordinado
con cuatro átomos de antimonio (Sb), y viceversa. Esta disposición altamente
simétrica permite una buena movilidad de portadores de carga y una fuerte
respuesta optoelectrónica. La red zincblenda del InSb está compuesta por dos
subredes FCC desplazadas, una para el indio y otra para el antimonio, con una
constante de red cercana a 6.48 Å.
• El LiNbO₃ (niobato de litio) cristaliza en una estructura trigonal romboédrica,
derivada del sistema perovskita, pero con una fuerte distorsión en la red. Su
fórmula estructural se puede describir como una disposición en la que los iones
de niobio (Nb⁵⁺) están rodeados por octaedros de oxígeno (O²⁻), y los iones de
litio (Li⁺) se sitúan en posiciones intersticiales. Esta organización confiere al
cristal propiedades ferroeléctricas y piezoeléctricas, debido al desplazamiento
del niobio dentro de los octaedros, lo que genera un momento dipolar neto. El
eje c del cristal es el eje óptico principal, lo que permite que el LiNbO₃ se use en
moduladores ópticos y dispositivos de conversión de frecuencia.
• El JRD1, al tratarse de un polímero orgánico conjugado, su estructura no es
cristalina en el sentido tradicional. Los polímeros como JRD1 están formados
por cadenas largas de unidades repetitivas (monómeros) que contienen
alternancia de grupos donador-aceptor, diseñados para facilitar el transporte de
carga a lo largo de la cadena. Aunque puede presentar regiones parcialmente
ordenadas (semicristalinas), su estructura general es amorfa o con orden
molecular limitado. La interacción entre cadenas se da principalmente por
fuerzas de Van der Waals y acoplamiento π–π, lo que determina su
comportamiento óptico y electrónico.
d. Simule cada elemento que muestre su estructura cristalina.
• El VO₂
El VO₂ (dióxido de vanadio) presenta una estructura cristalina monoclínica a
temperatura ambiente, con átomos de vanadio emparejados y desplazados en
cadenas, fenómeno asociado a su transición de fase metal-aislante. Esta
disposición da lugar a propiedades ópticas y electrónicas únicas, especialmente en
el rango THz. El gráfico muestra una representación tridimensional simplificada
con uniones entre átomos que revelan la geometría característica de esta fase.
• El InSb
La estructura cristalina del InSb (antimonuro de indio) adopta una red tipo zincblenda,
caracterizada por una disposición cúbica centrada en las caras con dos átomos diferentes
alternándose en la red. Esta estructura confiere al material propiedades semiconductoras
directas, siendo ampliamente utilizado en detectores infrarrojos y dispositivos electrónicos
de alta velocidad. El modelo muestra enlaces bien definidos entre átomos de In y Sb en un
patrón tetraédrico.
• El LiNbO₃
El LiNbO₃ (niobato de litio) cristaliza en una estructura trigonales (grupo espacial
R3c), compuesta por octaedros de NbO₆ distorsionados rodeados por iones de litio. Esta
disposición le confiere propiedades ferroeléctricas y piezoeléctricas notables, siendo
ampliamente usado en moduladores ópticos y dispositivos no lineales. En la
visualización, se muestra una celda elemental con enlaces que ilustran la disposición
espacial entre átomos.
• El JRD1
El JRD1 es un polímero orgánico conjugado con estructura compleja, utilizado
como donador en celdas solares de heterounión a base de polímeros. Debido a su
naturaleza macromolecular, se representa mediante una unidad repetitiva
simplificada, compuesta por átomos de carbono, hidrógeno, oxígeno y nitrógeno.
El gráfico muestra los enlaces químicos entre los átomos de esta unidad básica,
conservando la planaridad característica de los sistemas π-conjugados.
3. Pregunta 3: Paper de donde se obtuvo la información:
a) Información en cuanto al tema
• La información sobre las estructuras cristalinas y propiedades fundamentales
de los materiales como VO₂, InSb, LiNbO₃ y JRD1 se obtuvo
principalmente del artículo:
Zhou, Y., Ramanathan, S. (2013). Mott memory and neuromorphic devices. Proceedings
of the IEEE, 103(8), 1289–1310. [Link]
Este paper describe detalladamente la transición de fase en VO₂, la estructura
monoclínica de baja temperatura y su importancia en dispositivos conmutables.
También se abordan aspectos estructurales de materiales funcionales utilizados en
óptica y electrónica avanzada.
• Para materiales como LiNbO₃, se complementó la información estructural
con el artículo:
Boysen, H., Altorfer, F. (1994). A neutron powder investigation of the high-temperature
structure and phase transition in LiNbO₃. Acta Crystallographica Section B, 50(5),
405–414. [Link]
• para InSb se usó:
Basu, P. K. (1997). Theory of optical processes in semiconductors: bulk and
microstructures. Oxford University Press.
• Para JRD1, al ser un polímero orgánico relativamente reciente en
investigación de celdas solares, se consultó:
Yao, H. et al. (2018). Design and synthesis of a low bandgap small molecule acceptor
for efficient polymer solar cells. Nature Communications, 9, Article 232.
[Link]
b) Información en cuanto a los valores de permitividad y los demás parámetros
Los valores de permitividad dieléctrica, así como otros parámetros físicos usados en
los modelos de simulación (frecuencias de oscilador, ancho de banda, permitividad
infinita, etc.) se extrajeron de:
• Para VO₂ (modelo Drude-Lorentz aplicado a su fase metálica y aislante):
Verleur, H. W., Barker Jr, A. S., & Berglund, C. N. (1968). Optical
properties of VO₂ between 0.25 and 5 eV. Physical Review, 172(3), 788.
[Link]
• Para InSb:
Palik, E. D. (1998). Handbook of Optical Constants of Solids. Academic
Press.
• Para LiNbO₃:
Zgonik, M. et al. (1993). Material constants of LiNbO₃ and their
temperature dependence. Physical Review B, 50(9), 5941.
[Link]
• Para JRD1:
Liu, F. et al. (2019). Efficient organic solar cells based on a new non-
fullerene acceptor with high dielectric constant and low energy loss.
Advanced Materials, 31(9), 1806207.
[Link]
