FISI 3144: Laboratorio de Electrnica II Departamento de Fsica y Electrnica Universidad de Puerto Rico en Humacao 2011-2012
Prctica 1: Transistores JFET Objetivo: Estudiar propiedades y curvas caractersticas de transistor JFET. Referencias: 1. Notas y enlaces en pgina del curso (http://mate.uprh.edu/~iramos/fisi3144.html). 2. Boylestad and Nashelsky, Electronic Devices and Circuit Theory, Prentice Hall, 7th Ed., Cap. 5.1-5.3. 1. Transistor de Efecto de Campo (FET) El principio de utilizar un campo elctrico para controlar el flujo de corriente se introdujo mucho antes del desarrollo del transistor BJT pero no fue hasta mediados de los aos 60 que se desarrollaron componentes comerciales utilizando este principio. Los transistores de Efecto de Campo o Field Effect Transistors (FETs) son artefactos unipolares, o sea que en el proceso de conduccin utilizan electrones o huecos y no ambos como los BJT. Los FETs se dividen en dos categoras principales: Junction-Field-Effect-Transistors (JFETs) y Metal- Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistors (MOSFETs). El FET consiste de un semiconductor dopado (canal) con dos terminales en los extremos llamados Source y Drain. La corriente en el canal (entre Drain y Source) es controlada por el voltaje en un tercer terminal llamado Gate. Los FETs operan como amplificadores. La figura 1 muestra la construccin y smbolos de los JFET (canal n y canal p). Bajo condiciones normales de operacin, no hay flujo de corriente en el Gate. Por lo tanto, ID=IS.
. Esto puede quemar el componente.
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La figura 2 muestra las curvas caractersticas de un JFET (I D vs VDS). En el JFET, se debe aplicar un voltaje de polarizacin en reverse al Gate para cerrar el canal y reducir la corriente IDS. En la primera regin (lneas entrecortadas) la corriente aumenta
Figura 2. Curvas caractersticas de JFETs
linealmente con el voltaje. La regin se conoce como hmica o triodo. En la regin de saturacin la corriente vara muy poco con el voltaje. Cuando V GS=0 se obtiene la corriente mxima o IDSS (Drain-Souce current with Gate shorted). Cuando VGS se hace ms negativo, la corriente en el Drain se hace menor hasta que alcanza la regin cut-off (VG(off)) donde llega a cero. La transconductancia(gm) es un parmetro que nos permite estimar la ganancia de los FETs y puede obtenerse de la pendiente de la curva caracterstica (ID vs VGS) en el punto de operacin:
g m=
ID . V GS
Si calculamos la derivada de ID con respecto a VGS en el punto Q y utilizamos la ecuacin de Schockley para representar ID, obtenemos:
d ID V GS 2 V V d d g m= = [ I DSS (1 ) ]=2I DSS [1 GS ] (1 GS ) d V GS dV GS V GS V GS dV GS V GS
off off off
g m =2I DSS [1
V GS 2I V 1 ]( )= DSS [1 GS ]. V GS V GS V GS V GS
off off off off
Se utiliza del valor absoluto de VGSoff para garantizar que gm sea positiva. El valor de la transconductancia cundo VGS=0 es:
g m0=
2I DSS , V GS
off
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y por lo tanto:
g m =g m0 [1
V GS ]. V GS
off
Prctica 1: Curvas Caractersticas JFET
1. Construya el circuito en la figura 3 utizando uno de los JFETs disponibles en el
laboratorio (2N5451 o MPF-102 o equivalentes) y los siguientes resistores: RG=10k y RD=100. Asegrese que las polaridades son las correctas antes de encender las fuentes de voltaje. 2. Ajuste VGG de manera que VGS sea igual de 0V. Ajuste el voltaje VDS de 1 a 8 V en pasos de 1V. Para cada valor de VDS mida la corriente en el Drain (ID) (directamente o mida voltaje y utilice la ley de Ohm). 3. Repita el paso 2 para VGS=-0.5V, -1V y -1.5V. 4. Trace las curvas caractersticas de su JFET. Identifique cada curva con el valor de VGS y calcule el valor de la transconductancia gm0. Guarde este resultado y su FET ya que los necesitar en el prximo laboratorio. 5. Informe: Muestre las curvas caractersticas del JFET y calcule la transconductancia. Compare sus resultados con los de la hoja de datos de su componente.
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