ELEL 176 - Sistemas Electrónicos: Polarización y Estabilidad.
Teoría y ejercicios de
Diodos Semiconductores
___
Clase 2
REPASO:
DIODO IDEAL
El diodo es un componente electrónico que consiste simplemente en la unión de dos cristales
semiconductores extrínsecos (Ver Figura 1), uno tipo N y otro tipo P. Al unirlos, parte del exceso
de electrones del tipo N pasa al cristal de tipo P, y parte de los huecos del tipo P pasan al cristal
de tipo P. Creándose en la unión un franja denominada zona de agotamiento (deplexión) que
tiene un campo eléctrico que se comporta como una barrera que se opone al paso de más
electrones desde la zona N hacia la zona P y de huecos desde la zona P a la zona N.
Figura 1.- Diodo de unión PN.
¿Qué pasaría si se conecta un diodo a una fuente de energía externa (por ejemplo batería de
9V)?
Pueden ocurrir dos casos:
Polarización directa: En este caso se conecta el polo positivo al cristal P y el polo negativo al
cristal N. Esto hace que la zona de transición se haga mucho más estrecha, rompiendo la barrera
2
lo que permite el libre paso de la corriente (flujo de electrones). En este caso, el diodo conduce
como se muestra en la Figura 2 y 5.
a) b)
Figura 2.- a) Diodo en polarización directa, b) Circuito con diodo en polarización directa.
Polarización inversa: En este caso el polo positivo se conecta al cristal N y el polo negativo al
cristal P. Esto hace que la zona de agotamiento se haga mucho más ancha, reforzando la barrera
que impide el paso de la corriente. En este caso el diodo no conduce, como se muestra en la
Figura 3 y 5.
a) b)
Figura 3.- a) Diodo en polarización directa, b) Circuito con diodo en polarización directa.
En resumen: un diodo es tal que permite el paso de la corriente en un sentido (cuando tiene
polarización directa) y no lo permite en el otro sentido (polarización inversa).
El contacto que se corresponde con el cristal semiconductor tipo P se llama ánodo (terminal
positivo) y se simboliza con un pequeño triángulo y el cristal semiconductor tipo N se llama
cátodo (terminal negativo) y se simboliza con una pequeña línea vertical.
3
Figura 4.- Diodo real.
Los diodos vienen cubiertos de una cápsula de plástico (normalmente negra) y un anillo de color
blanco o plateado que indica el cátodo (Ver Figura 4).
a) b)
Figura 5.- a) Polarización directa de un diodo - a) Polarización inversa de un diodo.
FIN DEL REPASO.
4
DIODO REAL
En los diodos reales, la corriente y la tensión están relacionadas por medio de la ecuación 1:
(1)
Donde,
● vD: voltaje a través del diodo.
● Io: corriente de fuga.
● q: carga del electrón.
● k: constante de Boltzmann.
● T: temperatura absoluta (ºK)
● n: constante empirica (entre 1 y 2)
Característica de operación de un diodo real (del libro guía):
La curva característica real difiere bastante de la ideal, dado que aunque la tensión en directo
aumenta más allá de cero, la corriente no fluye de inmediato. Es necesaria una tensión mínima,
denotada𝑉γ, para obtener una corriente significativa. Conforme la tensión tiende a exceder 𝑉γ,
la corriente aumenta con rapidez. La pendiente de la curva característica es grande pero no
infinita,𝑉γ, es aproximadamente 0,7 V para semiconductores de silicio (a temperatura ambiente)
y 0,2 V para semiconductores de germanio. La diferencia de tensión para el silicio y el germanio
radica en la estructura atómica de los materiales (clase anterior). Para diodos de arseniuro de
galio , 𝑉γ es más o menos de 1,2V.
Cuando un diodo está polarizado en inverso, existe una pequeña corriente de fuga (Io). Esta
corriente se produce siempre que la tensión sea inferior a la requerida para romper la unión. La
corriente de fuga es mucho mayor para los diodos de germanio que para los diodos de silicio o
arseniuro de galio. Si la tensión negativa es lo suficientemente grande como para estar en la
región de ruptura, podría destruir un diodo normal. Esta tensión de ruptura se define como
tensión inversa pico (PIV, peak inverse voltage) en las hojas de las especificaciones del fabricante
del dispositivo. En la Figura 6, la curva no está a escala en la región inversa, ya que la ruptura
5
por avalancha suele tener valores negativos de tensión elevados (generalmente 50V o más). El
daño del diodo normal en ruptura se debe a la avalancha de electrones, que fluyen a través de la
unión con poco incremento en la tensión. Una corriente muy grande puede destruir el diodo si
se genera excesivo calor, esta ruptura se conoce como la tensión de ruptura del diodo (𝑉𝐵𝑅).
Figura 6.- Características de operación de un diodo.
**𝑉γ = 0, 7 𝑉 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑆𝑖 − 𝑉γ = 0, 2 𝑉 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝐺𝑒
Los diodos se pueden construir para utilizar la tensión de ruptura a fin de simular un dispositivo
de control de tensión. Este diodo se denomina Zener y lo veremos más adelante.
6
Especificaciones comerciales:
A la hora de elegir un diodo (así como para cualquier otro dispositivo) para una aplicación
concreta, se debe cuidar que presente características apropiadas para dicha aplicación. Las
características de funcionamiento más importantes de los diodos que aparecen en cualquier
hoja de especificaciones son:
● Corriente máxima en directa, IFM (DC forward current): Es la corriente continua
máxima que puede atravesar el diodo en directa sin que éste sufra ningún daño.
● Tensión de ruptura (Breakdown Voltage, BV; Peak Inverse Voltage, PIV): Es la tensión
a la que se produce el fenómeno de ruptura por avalancha.
● Tensión máxima de trabajo en inversa (Maximum Working Inverse Voltage): Es la
tensión que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operación en inversa
segura.
● Corriente inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes
valores de la tensión inversa .
Característica lineal aproximada del diodo:
El diodo se comporta como circuito abierto para tensiones menores a Vy (tensión umbral).
Figura 7.- Equivalente lineal de la característica V-I de un diodo P-N.
7
Resistencia del diodo:
La resistencia estática Rf de un diodo se define como la relación entre la tensión y la corriente.
Donde, la resistencia es igual a la inversa de la pendiente de la característica V-I.
Esta resistencia no es constante, sino que depende de la tensión de trabajo. Así, en una
polarización directa, viene dado por:
** Solo para señales pequeñas.
Dependencia de la característica V-I respecto de la temperatura.
La ecuación característica del diodo contiene los símbolos Vt y Io, ambos dependientes de la
temperatura. Experimentalmente, se ha observado que la corriente inversa de saturación se
duplica aproximadamente por cada 10ºC de aumento de temperatura. Es decir, si Io = Io1 a
T=T2, Io viene dado por:
Por otra parte, la tensión umbral también es afectada por la temperatura y su variación está
expresada por:
8
EJEMPLO 1:
● Un diodo de silicio tiene Vy = 0,7 V a temperatura ambiente (25ºC). Determine la barrera
de potencial a 70ºC.
El nuevo valor para la barrera de potencial se determina por:
Luego:
𝑉γ(𝑇2) = 0, 61 𝑉
EJEMPLO 2:
● ¿Cual es la barrera de potencial de un diodo de silicio a 65ºC?, ¿ y a -25ºC?.
La barrera de potencial de un diodo de silicio es de 0,7 Vy a 25ºC. (Temp. ambiente). Cuando la
temperatura sube a 65ºC, la barrera de potencial disminuye. La magnitud de disminución es:
Por lo tanto, la barrera de potencial a 65ºC, es:
b. De forma similar, la barrera de potencial a -25ºC es:
9
Ejemplo 3:
● Un diodo de silicio tiene una corriente de saturación inversa de 2 nA a 25ºC. ¿Cuál es su
valor a 75ºC?.
Considerando que la corriente de saturación inversa se duplica aproximadamente cada vez que
la temperatura aumenta 10ºC.
EJEMPLO 4:
Un diodo tiene una corriente de saturación inversa de 0,3 𝞵A, 𝞰 = 1,8 y Vt= 25mV. Determine la
corriente del diodo cuando la tensión a través de éste es 0,5 V. Determine, ademas, la
resistencia dinámica del diodo en este punto de operación.
La corriente se calcula por medio de:
Así:
10
Si se considera la corriente inversa:
CONSIDERAR:
Si n= 1, el valor de kT/q es 26 mV a 25ºC, y si n=2, kT/q cambia a 52 mV.
No obstante: En los diodos de germanio, n=1 (Aprox.);
En los diodos de silicio, n= 1,3 y 1,6.
** Se puede simplificar definiendo VT (Voltaje térmico), en la práctica es aprox. de 25 mV.
Se puede eliminar el -1 de la ecuación, si se opera a 25ºc con una polarización directa (VD>0)
debido a que la función potencial es mucho mayor que 1.
Con una corriente de :
Por otro lado la resistencia:
11
Da como resultado:
EJEMPLO 4:
Calcular id, Suponiendo que los diodos son idénticos y tienen características vi dadas por la
expresión:
Calcular la caída de tensión en cada diodo.
Desarrollo:
En este circuito los diodos están en oposición. Debido a la polaridad de la batería, el diodo D2
12
está bloqueado. Por esta razón, la corriente circulante por el circuito es igual a la corriente de
saturación inversa del diodo. Estableciendo que: iD = IS
O también:
Despreciando la caída de tensión en la resistencia de 1,5 K𝞨 (≃ 1,5 𝞵V), la caída de tensión en el
diodo D2 es:
