Universidad de las fuerzas armadas ESPE
Departamento de eléctrica y electrónica
LABORATORIO 6
Integrantes: Lenin Sanguña, Daniel Moreno, Joao Zambrano
A. Tema: Curva de salida del transistor BJT.
B. Objetivos:
1. Determinar la familia de curvas correspondientes a IC vs VCE, correspondiente a la
configuración emisor común.
C. Materiales:
1. Dos transistores NPN (2N3904 o 2N2222), con hoja de datos.
2. Protoboard.
3. Dos fuentes de voltaje CC.
4. Dos multímetros para configurarlos como amperímetros. (revise el fusible)
5. Resistencias de 470 y 4.7 k, 0.5 W.
6. Un potenciómetro de hasta 2.5 k.
7. Un interruptor.
D. Procedimiento:
1. Arme el siguiente circuito:
2. Revise que los dispositivos estén correctamente conectados.
3. Para esta configuración considere el 100 < < 170, según hoja de datos.
4. Fije los amperímetros en escala de miliamperios.
5. Fije VBB=1.4V y VCC=0V.
6. Con S1 abierto, fije R1 para que VE=0V
7. Cierre S1 y ajuste R1 para que A1 registre IB=10 µA. (IB deberá variar según los
valores dados en la tabla 1).
8. El Voltímetro V3 debe medir 0 V. VCE =0V.
9. Lea IC en A2 y anote en la tabla 1.
10. Ajuste VCC para fijar el VCE anotado en la tabla 1, lea y anote el valor de IC
correspondiente.
11. Repita los pasos anteriores con el propósito de llenar la tabla 1.
12. Obtenga las curvas para cada IB, y cada VCE.
IB VCE [V]
[µA] 0 2,5 5 7,5 10 12,5 15 17.5 20
IC [mA]
10 8.6 µA 153.6 mA 300.05 mA 297.5 mA 552.3 mA 552.8 mA 553.2 mA 553.5 mA 553.5 mA
20 - 4.6 µA 0.816 mA 0.835 mA 0.844 mA 0.866 mA 0.896 mA 0.912 mA 0.928 mA 0.965 mA
30 - 5.5 µA 1.837 mA 1.902 mA 2.037 mA 2.127 mA 2.172 mA 2.251 mA 2.487 mA 2.495 mA
40 - 40.1 µA 3.395 mA 7.66 mA 11.58 mA 15.29 mA 19.22 mA 23.34 mA 27.35 mA 31.55 mA
50 - 50.8 µA 3.009 mA 7.17 mA 10.91 mA 14.94 mA 17.90 mA 21.91 mA 25.45 mA 29.79 mA
60 -58.9 µA 3.31 mA 6.81 mA 10.43 mA 13.94 mA 17.42 mA 21.31 mA 24.58 mA 29.99 mA
Tabla 1.
E. Análisis:
1. Realice un gráfico de 𝐼𝐶 vs VCE, para cada valor de 𝐼𝐵. Explique el mismo
en función de la teoría vista en clases.
La gráfica de corriente de colector frente al voltaje colector-emisor muestra un comportamiento típico de
un transistor bipolar en configuración de emisor común. Para cada valor de corriente de base, la corriente
de colector inicialmente aumenta a medida que lo hace el voltaje colector-emisor. Sin embargo, a partir de
cierto punto, la corriente de colector se mantiene prácticamente constante, incluso si el voltaje sigue
aumentando. Este fenómeno sí concuerda con lo estudiado teóricamente ya que el transistor tiene una
región activa, donde actúa como amplificador, y en esa zona la corriente de colector depende
principalmente de la corriente de base, no del voltaje colector-emisor. Es decir, una vez que el transistor
entra en la región activa, pequeñas variaciones en la corriente de base provocan grandes variaciones en la
corriente de colector.
Se observa que para valores bajos de corriente de base, la corriente de colector también es baja, lo que
valida la relación de control entre ambas. En la parte inicial de cada curva, cuando el voltaje colector-emisor
es muy pequeño, se nota un rápido aumento de corriente, lo que corresponde a la región de saturación del
transistor.
Podemos concluir que las curvas experimentales reflejan claramente las tres regiones de operación del
transistor: corte (corriente casi nula), saturación (corriente limitada por el circuito) y activa (corriente
controlada por la base). Esto confirma el modelo teórico y valida el comportamiento típico del transistor en
un circuito de polarización.
2. Obtenga las ecuaciones respectivas para la corriente de base y el voltaje
colector emisor.
Tenemos las siguientes formulas:
𝑅2
𝑉𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 𝑋
𝑅1 + 𝑅2
𝑉𝐵𝐸 = 0.7 𝑣
𝑉𝐸 = 0𝑣
𝑅2
(𝑉𝐶𝐶 𝑋 𝑅1 + 𝑅2) − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑋 𝑅𝐶
𝑉𝐶𝑅 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐵𝐼𝐵 𝑋 𝑅𝐶
3. Ubique el punto de operación que consideré más adecuado y escriba
sus coordenadas (VCEQ, ICQ, IBQ)
Trabajamos con IB = 50 microA y con VCE = 15 V tenemos que la corriente IC será 21.91
mA y la corriente IB será 50 microA
Concluya y comente su trabajo.
A través del análisis del transistor en configuración emisor común, se ha podido verificar cómo el
comportamiento experimental concuerda con lo esperado teóricamente. Las curvas características
obtenidas muestran claramente las tres regiones de operación del BJT: corte, saturación y activa. Al variar
la corriente de base, se observa cómo cambia la corriente de colector, validando que el transistor actúa
como un dispositivo controlado por corriente.
La elección del punto de operación fue fundamental para asegurar que el transistor trabaje en condiciones
óptimas. Se seleccionó un punto dentro de la región activa, permitiendo una respuesta lineal adecuada para
aplicaciones de amplificación. Este punto garantiza que el transistor pueda responder a señales sin entrar
en distorsión ni en zonas de operación no deseadas.
En resumen, este estudio demuestra la importancia de un diseño correcto del circuito de polarización para
garantizar un funcionamiento estable y eficiente del transistor. La comparación entre los datos medidos y
los conceptos teóricos refuerza el entendimiento del comportamiento dinámico del BJT y su aplicación en
circuitos electrónicos reales.
