CIRCUITOS CON TRANSISTORES BJT

Número de Equipo: 5

Fecha de entrega: 05 de septiembre de 2025

Integrantes de equipo:

Mireles Chavez Juan Carlos – 202264032

Moreno Rosas Alberto Alejandro – 202131752
Nicolás Zavaleta Diego Giovanni - 202234690
Vázquez Sánchez Jorge - 202279744
Xochitl Geronimo Uriel – 202256813

1.- Analiza teóricamente, simula e implemente el siguiente circuito de manera

que se obtenga un VCE de 6 volts (realice las modificaciones necesarias si se
requiere).

Emplee el transistor que considere

adecuado (en las conclusiones
justifique su elección).

2N2222A
A).- Mida IB, IC e IE.
Modificamos RB=160K y RC=1.8K
para poder obtener los 6V en VCE ya
que si usamos RC=2K tenemos
5.99V en VCE
En una tabla realice la concentración de los valores obtenidos anteriormente:
IB IC IE
Teórico β =53 70.62 uA 3.81 mA 3.352 mA
Simulación β =53 70.9 uA 3.31 mA 3.38 mA
Experimental β =53 70 uA 3251 uA=3.25 mA 3324 uA= 3.324 mA

Agregue una breve conclusión de los resultados obtenidos en la tabla (justifique

sus resultados).
En la tabla se presentan los valores de I_B,I_C,I_E en tres escenarios: teórico,
simulación y experimental. El valor de la corriente de base calculado teóricamente
(≈70,62 μA) coincide casi exactamente con los resultados de la simulación y del
laboratorio, ya que depende directamente de la resistencia de base R_B y de la caída
típica V_BE, que se aproxima a 0,7 V. Esto explica que las diferencias sean mínimas.
Las variaciones aparecen principalmente en las corrientes de colector y emisor.
Teóricamente, se calculan suponiendo un β constante de 53, pero en la práctica este
parámetro no es fijo, ya que depende de la corriente, la temperatura y la dispersión
entre transistores. En la simulación se emplea un modelo más realista que considera
estas variaciones, mientras que en el experimento influyen tolerancias de
resistencias, exactitud de los instrumentos de medición y la dependencia real de
V_BE. Aun así, los tres resultados se mantienen en el mismo orden de magnitud y con
diferencias pequeñas, lo que confirma que el análisis es correcto. Por lo tanto, la
tabla demuestra que el diseño cumple con lo esperado y que las diferencias
encontradas son atribuibles a las limitaciones de los modelos y a las condiciones
reales de los componentes.

B) Cuál es el valor de β más adecuado para lograr lo que se indica en el inciso A

(justifique su respuesta).

B=IC/IB
3.81 mA/70.62 uA
Beta=53.95

Para lograr que el circuito cumpla la condición de tener 𝑉𝐶𝐸 =6 el valor de β juega un
papel fundamental, ya que determina la corriente de colector a partir de la corriente
de base. El valor requerido de β se obtiene aplicando la relación:
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸
𝐼𝐶 𝑅𝐶
β𝑟𝑒𝑞 = =
𝐼𝐵 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐵𝐸
𝑅𝐵
Al sustituir los valores 𝑉𝐶𝐶 = 12, V 𝑉𝐶𝐸 = 6V, 𝑉𝐵𝐸 ≈ 0.7V, 𝑅𝐵 =160 kΩ y un 𝑅𝑐 ajustado a
≈1,6 kΩ, se obtiene un β cercano a 53. Este valor es consistente con el proporcionado
en la hoja de datos del transistor 2N2222A en la región de operación usada y con lo
que se observa experimentalmente.
En conclusión, el valor de β más adecuado es alrededor de 53, ya que con este se
cumple la condición de diseño del inciso A. Un β menor reduciría la corriente de
colector y elevaría 𝑉𝐶𝐸 , mientras que un β mayor aumentaría la corriente de colector
y disminuiría 𝑉𝐶𝐸 . El valor encontrado representa el equilibrio necesario para
obtener los 6 V deseados en la práctica.
 C).- Realice la gráfica de salida e identifique el punto Q de operación del
circuito (hasta este momento, recuerde que el VCE es 6.0V).
Teórico VCE= 6.078V, IC=3.31
mA
Recta de
Carga
VCE (V) IC (mA)
12 0
0 6.66 ←Vcc/Rc

Punto Q
VCE (V) IC (mA)
6.078 3.31

D).- Tomando en cuenta la gráfica del inciso C, realice los cambios necesarios tal
que se obtengan 2 puntos de operación Q adicionales sobre la misma recta de carga
anterior (inciso C), próximos a la región de corte y saturación (VCE2 = 3 volts, VCE2=
9 volts y VCE3= 6 volts). Justifique los cambios realizados.
Punto Q1
VCE = 6V IB RB =160K IC RC =1.8K IE VCE
Teórico β =53 70.62 uA 3.31 mA 3.352 mA 6.078
Simulación β =53 70.9 uA 3.31 mA 3.38 mA 6.048
Experimental β =53 70 uA 3251 uA=3.25 mA 3324 uA= 3.324 mA 6.124 V

Punto Q2
VCE = 3V IB RB = IC RC =1.8K IE VCE
560K
Teórico β =249 20.17 uA 5 mA 5.02 mA 3V
Simulación β =249 20.2 uA 4.96 mA 4.98 mA 3.077 V
Experimental β = 249 16.6 uA 5.083 mA 4.109 mA 2.992 V

Punto Q3
VCE = 9V IB RB IC RC =1.8K IE VCE
=1.7MΩ
Teórico β =164 6.64 uA 1.6 mA 1.6 mA 9.12 V
Simulación β =164 6.69 uA 1.66 mA 1.66 mA 9.018 V
Experimental β =164 6.6 uA 1.668 mA 1.690 mA 9.010 V
Recta de Carga
VCE (V) IC (mA)
12 0
v0 6.66 ←Vcc/Rc

vPunto Q
VCE (V) IC (mA)
3 5
6.078 3.31
9.12 1.66

E). - Cálculos teóricos

 A) Cálculos teóricos del punto A) Q1

  Simulación del punto A) Q1

 Experimental del punto A) Q1

VCE, IB, IC e IE

VCE IE IC

IB
 ❖ D) Cálculos teóricos del punto D cambiando resistencias
VCE= 3V Usando RB= 560 K y RC=1.8 K
Teórico

Simulación
 Experimental

VCE
IC

IE

IC

VCE= 9V Usando RB= 1.7MΩ y RC= 1.8 K

Teórico

Simulación
 Experimental

IC
VCE

IE IB

2.- Analiza teóricamente, simula e implementa el siguiente circuito

 Considere el transistor que le parezca más adecuado para esta práctica.
2N3904
A).- Mida las corrientes IB, Ic, VCE, VB, VE y VC.
B).- Compare sus resultados experimentales con sus cálculos teóricos y los
resultados obtenidos por simulación (en este caso deberán de mostrar una
tablita como en el problema 1).

IB = IRTH Ic VCE VB = VTH VE VC

Teórico 8.38 uA 0.838 mA 12.36 V 2V 1.269 V 13.62 V
Simulación 11.5 uA 856 uA 12.142 V 1.959 V 1.301 V 13.4 V
Experiment 10 uA 0.87 mA 11.91 V 1.969 V 1.333 V 13. 20 V
al

C).- Identifique el punto de operación en la recta de carga del transistor,

considere los cambios adecuados para que este punto de operación se ubique en
VCE = 12 y adicionalmente realice los cambios para agregar un punto adicional
sobre la recta de carga en VCE= 18V.

VCE = 12V IB RB =39K IC RC = 10K IE RE =1.6 K VCE

Teórico β =1 8.38 uA 0.838 mA 846.38 uA 12.346 V
Simulación β= 11.5 uA 856 uA 867 uA 12.142 V
Experimental β = 10 uA 0.87 mA 870 uA 11.91

VCE = 18V IB RB =39K IC RC =2.7 K IE RE =1.5 K VCE

Teórico β= 8.384 uA 0.838 mA 846.38 uA 18.2148 V
Simulación β= 10.8 uA 859 uA 870 uA 18.118 V
Experimental β = 10 uA 0.9 mA 0.9 mA 18.09 V
Recta de carga

Recta de
Carga
VCE (V) IC (mA) RC
22 0

0 1.913 ←Vcc/Rc+Re

Punto Q
VCE (V) IC (mA)
12.346 0.838
18.2148 0.33

D).- Su reporte debe incluir cálculos teóricos, simulación y resultados

experimentales. Además, agregue una conclusión de sus resultados obtenidos.
Justifique la diferencia que encuentre entre sus resultados obtenidos.

 A) Cálculos teóricos del punto A) 12 V

 Simulación del punto A

  Experimental del punto A) 12 V

VCE VB

VE

IC IB

VC

IE
❖ C) Cálculos teóricos para obtener un VCE= 12 V y un VCE= 18 V

VCE= 12V R1=

Teórico
Simulación
Experimental
Fotos previas, en la pagina anterior

VCE= 18V R1=

Teórico
Simulación
Experimental

IC IE VCE
IB
 3.- Analiza teóricamente, simula e implementa el siguiente circuito.

Considera el transistor que le parezca adecuado para esta práctica.

A).- Mida las corrientes IB, Ic, VCE, VB, VE y VC.
IB IC VCE VB VE VC
Teórico β =50 39.5 uA 1.975 mA 4.53 V 3.81 V 2.41 V 6.94 V
Simulación β =42
Experimental β= 6.54 V 3.4 V 2.8 V

Experimental

VCE
VB
 VC
VB

IB
IC
B). - Compare sus resultados con sus cálculos teóricos y simulación.
C).- Identifique el punto de operación en la recta de carga del transistor, considere
los cambios necesarios para tener 2 puntos de operación adicionales sobre la
 misma recta de carga.

VCE = 12 V IB RB = IC RC = IE VCE
Teórico β =50
Simulación β=
Experimental β =

VCE = 18 V IB RB = IC RC = IE VCE
Teórico β =50
Simulación β=
Experimental β =
D).- Su reporte debe incluir cálculos teóricos, simulación y resultados
experimentales. Además, agregue una conclusión de sus resultados obtenidos.
Justifique la diferencia que encuentre entre sus resultados obtenidos.
Agregue una tabla comparativa de los resultados obtenidos para cada caso.

 A) Cálculos teóricos del punto A

 Simulación del punto A

 Experimental del punto A

VCE VE
VB

IB

VC IC
❖ C) Cálculos teóricos para obtener un VCE= 12 V y un VCE= 18 V
VCE= 12V R1=
Teórico
Simulación
Experimental

VCE= 18V R1=

Teórico
Simulación
Experimental
 4.- Analice teóricamente y simule el siguiente circuito.

Vi = 1mV con una frecuencia de 10 kHz.

Análisis en CD.
A).- Mida las corrientes IB, IC Y VCE.

IB IC VCE
Teórico β =90 14.7 uA 1.32 mA 11.04 V
Simulación β =90 12.61 uA 1.36 mA 10.67 V

B).- Grafique el punto de operación del transistor.

Recta de
Carga
VCE (V) IC (mA) RC
Análisis en CA.
22 0
0 2.6506 ←Vcc/(Rc+Re) C).- Investigue y determine la
ganancia en voltaje del circuito y
v
la impedancia de entrada.
Punto Q
VCE (V) IC (mA) D).- Qué sucede si
11.04 1.32 Vi = 10 mV, cuanto
se obtiene en Vo? Justifique su resultado
¿Cuál es la forma de la señal? ¿Están en fase? Justifique su respuesta.
E).- cuando Vi = 150 mV ¿Qué sucede con la señal de salida? Justifique su
resultado.
F).- agregue sus conclusiones.
Como se esta trabajando con una señal de entrada Vi=10mV a 10kHz, la salida
también sera amplificada. No esta en fase ya que el amplificador es de emisor
común, lo que implica una inversion de fase de 180°
El transistor entra en saturación o corte, por lo tanto la señal de salida se
distorciona y por lo tanto no hay amplificación lineal ya que nuestra
alimentación es de 22V

5.- Investigue la configuración de un circuito amplificador diferencial con

transistores BJT, agregue el análisis del circuito (CD y CA) e investigue la
importancia de esta configuración.