Laboratorio número 2 de Electrónica II:

Funcionamiento JFET.
Domínguez, Arturo. Estudiante (Sincelejo, [Link]@[Link])
Méndez, Jesús. Estudiante (Sincelejo, jesus.mendez95@[Link])
Hernández, Taner. Estudiante (Sincelejo, [Link]@[Link])

exclusión se extienden hasta tal punto que el paso de electrones
Resumen— Este laboratorio se basó en el estudio del ID entre fuente y drenador queda completamente cortado. A ese
funcionamiento del transistor JFET (Junction Field-Effect valor de VGS se le denomina Vp. Para un JFET "canal N" las
Transistor) y sus características. Para ello, se realizaron montajes de zonas p y n se invierten, y las VGS y Vp son negativas,
circuitos utilizando JFET, resistencias y fuentes de alimentación cortándose la corriente para tensiones menores que Vp.
regulables, y se midieron las tensiones y corrientes en los terminales
correspondientes. Los resultados obtenidos permitieron observar las
diferentes zonas de operación del JFET (óhmica, corte y saturación) Así, según el valor de VGS se definen dos primeras zonas; una
y cómo estas varían según las tensiones aplicadas. Este estudio activa para tensiones negativas mayores que Vp (puesto que Vp
demostró la capacidad del JFET para controlar el flujo de corriente, es también negativa) y una zona de corte para tensiones menores
lo que mejora la comprensión de su uso en aplicaciones prácticas. que Vp. Los distintos valores de la ID en función de la VGS
vienen dados por una gráfica o ecuación denominada ecuación de
Palabras claves: Surtidor, Drenador, Gate, Saturación, Tensión. entrada.
abstract- This laboratory was based on the study of JFET (Junction En la zona activa, al permitirse el paso de corriente, el
Field-Effect Transistor) transistor operation and its characteristics.
transistor dará una salida en el circuito que viene definida por la
For this purpose, circuit assemblies were made using JFETs,
resistors and adjustable power supplies, and the voltages and propia ID y la tensión entre el drenador y la fuente VDS. A la
currents at the corresponding terminals were measured. The results gráfica o ecuación que relaciona estás dos variables se le
obtained allowed observing the different JFET operation zones denomina ecuación de salida, y en ella es donde se distinguen las
(ohmic, cutoff and saturation) and how these vary according to the dos zonas de funcionamiento de activa: óhmica y saturación [1].
applied voltages. This study demonstrated the ability of the JFET to
control current flow, which improves the understanding of its use in II. METODOLOGÍA
practical applications.

Keywords: Dispenser, Drainer, Gate, Saturation, Tension. Para llevar a cabo el procedimiento fueron necesarios los
siguientes materiales: JFET 2N5457 o cualquier referencia
I. INTRODUCCIÓN disponible, fuente de alimentación regulable, multímetro,
resistencias 270 Ω, 470 Ω, 1.8 KΩ, y 1MΩ, protoboard y cables
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español de conexión.
transistor de efecto de campo de juntura o unión) es un
dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, según unos III. PROCEDIMIENTO
valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de
salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de Se hizo un reconocimiento de los dispositivos a utilizar,
campo eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones verificando su buen funcionamiento, asimismo se revisó la hoja
eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y de características del JFET K30 a utilizar.
G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor
presentará una curva característica que se simplifica definiendo En primer lugar, se hizo el montaje del circuito de la Figura 1.
en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y
saturación.

Físicamente, un JFET de los denominados "canal P" está

formado por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos
extremos se sitúan dos patillas de salida (drenador y fuente)
flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se
conectan dos terminales conectados entre sí (puerta). Al aplicar
una tensión positiva VGS entre puerta y fuente, las zonas N crean
a su alrededor sendas zonas en las que el paso de electrones
(corriente ID) queda cortado, llamadas zonas de exclusión.
Cuando esta VGS sobrepasa un valor determinado, las zonas de

Fig. 1.
 2

El VDD proporcionado inicialmente fueron 15V, se conectó una 10 V 6.8 mA

resistencia de 470Ω entre la fuente de alimentación y el drenador, 12 V 8.8 mA
para limitar la corriente. La corriente de drenador I D obtenida fue 14 V 10 mA
de 20mA. Con los datos de la Tabla 2, se realizó la curva de
transconductancia.
Posteriormente se siguieron realizando mediciones de la
corriente de drenaje ID proporcionando diferentes tensiones VDS,
y se aseguró que el voltaje de puerta fuera cercano a cero, los En tercer lugar, se implementó el circuito de la Figura 3, y se
valores de VDS e ID se consolidaron en la Tabla 1. registraron los valores que se piden en la Tabla 3.

Tabla 1. ID para valores de VDS

VG VDS ID
0V 2V 4 mA
0V 4V 8 mA
0V 6V 11.7 mA
0V 8V 15.1 mA
0V 10 V 18.1 mA
0V 12 V 20 mA
0V 14 V 20.2 mA

En segundo lugar, se realizó el montaje del circuito de la

figura 2,
Fig. 3.

Tabla 3.
Magnitud Valor Valor
medido calculado
VDS 3.61 V 3,61 V
VGSQ -0.82 V -0.83 V
IS 3.1 mA 3.1 mA
IDQ 3.12 mA 3.1 mA
IG 0A 0A

( )
2
V GS
Fig. 2. I D =I DSS 1−
Se aseguró que en el circuito I D fuera cercana a cero, luego se
V GSOFF

( )
2
aumentó gradualmente la tensión de puerta VG desde cero hasta 6.5 V GS
que comenzó a fluir una corriente de drenaje observable. La I D= 1−
tensión VGS a la cual se produjo la corriente fue de
1000 2.7

( )
2
aproximadamente 2.0 V. En la Tabla 2 se puede ver el 6.5 I D RS
comportamiento de la corriente ID para los diferentes valores VGS. I D= 1−
1000 2.7

( )
2
Tabla 2. ID para valores de VGS 6.5 270 I D
I D= 1−
VDS ID 1000 2.7
2V 1.2 mA

( )
2
4V 2.6 mA 6.5 2 (270 I D ) (270 I D )
I D= 1− +
6V 4 mA 1000 2.7 7.29
8V 5.4 mA
 3

( )
2
6.5 6.5 540 I D (72400 I D )
I D= − +
1000 1000 2.7 7.29 REFERENCIAS
2 6.5
I D =65 I D −2.3 I D +
1000 [1]Thomas L. Floyd; Dispositivos Electrónicos; Editorial
Pearson; 2008; Octava edición.

−1 VG
V GS +
270 RS
−1
V =3.097 mA
270 GS
V GS=3.097 mA (−270 )
V GS=−0.83

IV. ANÁLISIS DE RESULTADOS

En esta práctica, se corroboró el funcionamiento del JFET en

diferentes zonas de operación (óhmica, corte y saturación). Fue
fundamental observar cómo la tensión entre la puerta (VG) y la
fuente (VGS) influye directamente en la corriente de drenaje
(ID), permitiendo identificar la relación entre las distintas zonas
de trabajo del transistor.

Se evidenció que, al aplicar una tensión positiva en la puerta,

el JFET pudo controlar eficazmente el flujo de corriente entre el
drenador y la fuente. Especialmente en la zona de saturación, la
corriente se estabilizó a niveles altos, mientras que, en la zona de
corte, la corriente fue mínima. Este comportamiento es clave para
utilizar el JFET como un regulador de corriente en aplicaciones
prácticas.

Además, se observó la capacidad del JFET para operar como

un conmutador en el que, al variar las tensiones, se puede
controlar la corriente de manera precisa sin un consumo
significativo de energía. Esto resulta útil en aplicaciones que
requieren un control eficiente de potencia con baja disipación de
calor, como en amplificadores y reguladores de voltaje.

El análisis de las curvas características del JFET, obtenidas a

partir de las mediciones, reforzó la comprensión teórica del
dispositivo y su versatilidad en circuitos electrónicos.