ELECTRÓNICA 1.
TEORÍA
Componentes activos y pasivos
Componentes pasivos:
Componentes que no requieren una fuente externa para funcionar.
Ejemplo Una resistencia comienza a funcionar y responde
instantáneamente en el circuito sin usar voltaje específico adicional y
condicional como en el caso de los diodos, etc. Lo mismo ocurre con
los inductores y condensadores, etc.
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Componentes activos y pasivos
Componentes activos:
Estos componentes requieren una fuente externa para funcionar.
Ejemplo Un diodo no conectado a un voltaje de alimentación, no
conducirá la corriente (ya sea en polarización directa o inversa) hasta que el
nivel de voltaje alcance 0.3 V (germanio) o 0.7 V (silicio).
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Intrinsic Semiconductors
Semiconductor: Un material cuya conductividad se encuentra entre la de los
conductores (cobre) y la de los aislantes (vidrio).
• Ejemplos – germanio, silicio y arseniuro de galio (compuesto).
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Intrinsic Semiconductors
Términos importantes:
Electrón de valencia: El electrón en la capa externa asociado con un átomo,
puede participar en la formación de un enlace químico.
Enlace covalente: Compartir un par de electrones entre dos átomos
Cargando…
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Intrinsic Semiconductors
In electronics, all that matters is the outer orbit.
Entendamos qué hace que un material sea un conductor o un aislante.
Conductor Insulator Semiconductor
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Semiconductores intrínsecos (átomo de silicio)
Equivalente
• Cuatro electrones de valencia.
Requiere cuatro más para completar
el caparazón más externo
Cada par de compartidos forma un
enlace covalente
Los átomos forman una estructura
reticular
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Semiconductores intrínsecos (átomo de silicio)
Silicio a bajas temperaturas
Todos los enlaces covalentes están intactos
• Sin electrones: están disponibles para la
conducción
conductividad: es cero
Silicio a temperatura ambiente
Existe suficiente energía térmica para romper algunos
enlaces covalentes, liberando un electrón y creando un
agujero
• algunos electrones: se alejarán de sus átomos
padres, quedando disponibles para la
conducción
• conductividad: es mayor que cero
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Figure 3.2: A temperatura ambiente, algunos de los enlaces
covalentes se rompen por la generación térmica. Cada enlace roto da
lugar a un electrón libre y un hueco, los cuales están disponibles para
la conducción de corriente.
• silicon at low temps: • silicon at room temp:
• all covalent bonds are intact • sufficient thermal energy exists to
• no electrons are available for break some covalent bonds, freeing
conduction an electron and creating hole
• conducitivity is zero • a free electron may wander from its
parent atom
• a hole will attract neighboring
the process of freeing electrons, creating holes,
electrons
and filling them facilitates current flow
Intrinsic Semiconductors
Conectemos una batería a través de un cristal de silicio puro. Supongamos que la energía
térmica ha producido un electrón libre y un hueco.
Los electrones libres y los huecos a menudo se denominan portadores porque transportan
una carga de un lugar a otro.
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Semiconductores dopados
• La estructura cristalina de silicio descrita anteriormente no es
suficientemente conductora a temperatura ambiente.
• Además, la dependencia de la temperatura no es deseable.
• ¿Cómo se puede solucionar este "problema"?- Doping
Doping – es la introducción intencionada de impurezas en un
semiconductor extremadamente puro (intrínseco) con el fin de cambiar las
concentraciones de portadores.
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Doped Semiconductors
Semiconductor tipo P Semiconductor de tipo N
• El silicio está dopado con un • El silicio está dopado con un
elemento que tiene una elemento que tiene una
valencia de 3. valencia de 5.
• Para aumentar la • Aumentar la concentración
concentración de huecos de electrones libres (n).
(p). • Un ejemplo es el fósforo, que
• Un ejemplo es el boro, que es un donante.
es un aceptor.
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Semiconductores dopados
Semiconductor tipo P Semiconductor de tipo N
El dopaje consiste en introducir átomos de impurezas en el cristal de silicio en cantidades
suficientes para aumentar sustancialmente la concentración de electrones libres o huecos, pero con
poco o ningún cambio en las propiedades cristalinas del silicio.
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Flujo de corriente en semiconductores
Corriente de deriva:
Cuando se establece un campo eléctrico E en un cristal semiconductor, los
huecos se aceleran en la dirección de E y los electrones libres se aceleran en la
dirección opuesta.
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Flujo de corriente en semiconductores
Corriente de difusión:
La difusión de portadores sucede cuando la carga en un semiconductor no está
uniformemente distribuida.
Por ejemplo, si hay más huecos en una parte del silicio, se moverán de la
región con alta concentración a la de baja concentración.
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Juntura PN
Estructura de unión PN
• Semiconductor tipo P Semiconductor de tipo N Contacto
metálico para la conexión
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Depletion Region
• La región de agotamiento del portador
existirá a ambos lados de la unión
En el lado n de esta región cargado
positivamente y en el lado p cargado
negativamente.
Las cargas a ambos lados de la región de
agotamiento causan un campo eléctrico E.
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Condiciones de voltaje
• El voltaje directo es la cantidad de voltaje necesario para
que la corriente fluya a través de un diodo.
El voltaje de ruptura es el voltaje inverso máximo que se
puede aplicar sin causar un aumento exponencial en la
corriente del diodo.
Cargando…
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Martes 19 de agosto de 2025
Juntura PN 2
Diodo
P N
5V t -
~ D CSN CSP -> semi ciclo positivo
CSN -> semi ciclo negativo
-
5V
CSP
VBR
Jueves 21 de agosto de 2025
Diodo ideal Un diodo ideal no consumen nada es decir OV
Ánodo Cátodo
+ >
P N ·
El diodo puede ser de dos maneras
↑
.
Circuito cerrado ⑧ ↑ V = 0 is0
↑
1
#
-
Circuito abierto v(0 - i = 0
*
i
Reverse bias For ward bias
# A
Región reverso Región directa
Aislante Conductor
* v
Aplicación del diodo
Rectificador de onda
OVI X no pasa
VP
t
VI
Vout voltaje después del diodo
-
L
Vout
⑧
-
Vp
-
Siempre que se uso un diodo o transistor, se debe colocar una resistencia
VIN
VIN =
Vp sen (wt
s
VIN > O
P
VIN
OV
VIN < 0
s
P
VP
Si 1I = >
-
VP
Grafique la onda Vo para
~
X
Vo
VIN t
t
Vout
s * t
=
1 =
Vo
or
o 38 minut
Voltaje de barrera
Vo = 11 + In NA .
ND
2
Ni
Vi = kT = 0 . 086T[mV]
#
T = temperatura
K = constante de Boltzmann
q = card del electrón
Región directa
t -
*
IS. &
-----
D I
Exponencial
Voltaje VI
6
= DC
*/T
i = Is(e =
1) VI = Alterno
⑧ 6
Corriente de Voltaje térmico
saturación
Temperatura ambiente 300K Vi = 26 mV
Cuándo quiero calcular el voltaje térmico, tengo que pasar de grados centígrados a grados kelvin
i
= Is
i = Is eMVT-Is Aproximadamente 0
i = Is eT Ecuación del diodo
ELECTRÓNICA 1. DEBERES
