Manual de Prácticas
Dispositivos Electrónicos
Práctica 8
Transistor de efecto de campo MOS
(MOSFET)
Caracterización
Nombre completo del alumno Firma
Antonio Salgado Octavio Gael
Ortega Guerrero Moisés
Velasco García Santiago
N° de brigada: Protoboards Fecha de elaboración: 16/10/24 Grupo: 13
OBJETIVOS
Caracterizar un MOSFET, para identificar cada una de sus regiones de operación.
INTRODUCCIÓN
El Transistor de Efecto de Campo Metal-Óxido-Semiconductor (MOSFET) es uno de
los dispositivos electrónicos más importantes y ampliamente utilizados en la
industria. Es un tipo de transistor que permite controlar el flujo de corriente mediante
la aplicación de un voltaje en su terminal de compuerta (gate), lo que lo convierte en
un componente esencial para el diseño de circuitos digitales y analógicos. A
diferencia de los transistores bipolares, los MOSFET tienen una impedancia de
entrada alta, lo que reduce significativamente el consumo de energía.
Existen dos tipos principales de MOSFET: de canal N y de canal P, ambos usados para
diversas aplicaciones en circuitos integrados, amplificadores, interruptores y
controladores de potencia. Esta práctica se enfoca en la **caracterización del
MOSFET**, lo que implica determinar las curvas características que describen su
comportamiento en diferentes condiciones de operación. Estas curvas permiten
entender cómo el dispositivo responde al variar parámetros como la tensión de
compuerta-fuente Vgsy la tensión de drenaje-fuente Vds
La caracterización del MOSFET implica medir sus principales curvas de operación:
1. Curva Id vs Vds para diferentes Vgs: Esta curva muestra cómo la corriente de
drenaje Id varía con la tensión Vds, manteniendo distintos valores fijos de Vgs. Ayuda
a identificar las regiones de operación del transistor: corte, lineal y saturación.
2. Curva Id vs Vgs: Esta curva se obtiene al variar Vgs con Vds constante. Permite
determinar el punto de umbral Vth, que es el voltaje mínimo necesario para que el
transistor comience a conducir.
Procedimiento Experimental:
1. Conexión del circuito: El MOSFET se conectará con una fuente de voltaje ajustable
para aplicar las tensiones Vds y Vgs. Además, un multímetro medirá la corriente de
drenaje Id.
2. Ajuste de valores de Vgs: Se fija un valor de Vgs y se incrementa gradualmente Vds
desde 0 V hasta un máximo permitido por el dispositivo.
3. Registro de datos: Se mide Id para cada valor de Vds y se repite el proceso con
diferentes valores de Vgs.
4. Curva Id vs Vgs: Posteriormente, se fija Vds en un valor constante (preferiblemente
en la región de saturación) y se registra Id mientras se incrementa Vgs.
Análisis y Resultados Esperados
- Región de Corte: Ocurre cuando Vgs < Vth; el transistor no conduce.
- Región Lineal o Triodo: El MOSFET conduce y Id crece linealmente con Vds, con Vgs
suficientemente alto para activar el canal.
- Región de Saturación: Al aumentar Vds más allá de cierto punto, la corriente de
drenaje se estabiliza, y el transistor actúa como una fuente de corriente controlada
por Vgs
Este análisis permitirá comprender cómo controlar el comportamiento del MOSFET y
verificar los valores nominales del dispositivo con los datos experimentales
obtenidos. Además, se podrán identificar los parámetros fundamentales como el
voltaje umbral Vth y la transconductancia gm, útiles para aplicaciones en circuitos
amplificadores.
DESARROLLO
CONCLUSIÓN
En esta práctica se logró caracterizar el comportamiento del MOSFET, identificando
las tres principales regiones de operación: corte, triode (o región resistiva) y
saturación. A través de la medición de corriente de drenaje y voltajes de compuerta y
drenaje, se pudo observar cómo la variación de estos parámetros permite controlar el
flujo de corriente en el dispositivo. Esto demostró su capacidad como interruptor y
amplificador, validando los modelos teóricos de su funcionamiento. Además, la
correcta identificación de las regiones operativas es esencial para su aplicación en
circuitos electrónicos, asegurando un diseño eficiente y estable en diversas
configuraciones.
