UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE NUEVO LEÓN
FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA Y
ELÉCTRICA
Ingeniería electrónica
Semestre: Enero - Junio 2024
ACTIVIDAD FUNDAMENTAL 5
Fase II: Amplificador BJT y amplificador JFET.
Problemas propuestos
Resumen
Catedrático: Ing. Carlos Alberto Martínez García
MATRÍCULA NOMBRE CARRERA
Jennifer Geraldine Flores
1957129 IMF
Sánchez
Describir los siguientes términos:
1.- Describir la estructura básica del BJT (por sus siglas en inglés, bipolar junction
transistor):
La unión pn que une la región de la base y la región del emisor se llama unión base-
emisor. La unión pn que une la región de la base y la región del colector se llama
unión base-colector, un conductor conecta a cada una de estas tres regiones.
Estos conductores se designan E, B y C por emisor, base y colector,
respectivamente. La región de la base está ligeramente dopada y es muy delgada
en comparación con las regiones del emisor, excesivamente dopada, y la del
colector, moderadamente dopada (la siguiente sección explica la razón de esto).
2.- Explicar cómo se polariza un BJT y analizar las corrientes del transistor y sus
relaciones
En ambos casos la unión base-emisor (BE) está polarizada en directa y la unión
base-colector (BC) polarizada en inversa. Esta condición se llama polarización en
directa-inversa.
En un transistor de unión bipolar (BJT), la región del emisor tipo N está altamente
dopada, lo que proporciona una gran cantidad de electrones libres. Estos
electrones se difunden a través de la unión base-emisor (BE) polarizada en directa
hacia la base tipo P, que es muy delgada y ligeramente dopada, con baja
densidad de huecos.
Solo un pequeño porcentaje de los electrones se recombina con huecos en la
base, generando una corriente de base externa. La mayoría de los electrones
atraviesa la base y llega a la unión base-colector (BC) polarizada en inversa. Allí,
son atraídos hacia el colector debido al voltaje positivo aplicado, creando la
corriente de colector. Esta corriente de colector, junto con la pequeña corriente
de base, retorna al emisor, haciendo que la corriente de emisor sea ligeramente
mayor que la de colector.
3.- Analizar los parámetros y características de un BJT y utilizarlas para analizar un
circuito con transistores
La ganancia de corriente de cd de un transistor es el cociente de la corriente de
cd del colector (IC) entre la corriente de cd de la base (IB) y se expresa como beta
de cd (bCD).
El cociente de la corriente de cd del colector (IC) entre la corriente de cd del emisor
(IE) es el alfa de cd (aCD). La alfa es un parámetro menos utilizado que la beta en
circuitos con transistores.
Corte: La corriente de fuga en el colector (ICEO) es extremadamente pequeña y
normalmente se desprecia. Uniones base-emisor y base-colector se polarizan en
inversa.
Saturación: Conforme IB se incrementa a medida que VBB lo hace, IC también se
incrementa y VCE se reduce a causa de la caída de voltaje incrementada a través
de RC. Cuando el transistor se va a saturación, IC ya no se incrementa más pese al
incremento adicional de IB. Las uniones base-emisor y base-colector se polarizan
en directa.
El bCD no es verdaderamente constante: varía tanto con la corriente de colector
como con la temperatura. Si se mantiene constante la temperatura de la unión y
se incrementa IC, bCD se incrementa a un máximo. Un incremento más de IC más
allá de este punto máximo hace que bCD se reduzca. Si IC se mantiene constante
y la temperatura varía, bCD cambia directamente con la temperatura. Si se eleva
la temperatura, bCD se eleva y viceversa
4.- Analizar cómo se utiliza un BJT como amplificador de voltaje
El BJT puede amplificar voltajes en configuración emisor común:
• Configuración Emisor Común: El emisor está conectado a tierra.
• Entrada: Aplicada entre base y emisor.
• Salida: Tomada entre colector y emisor.
El BJT en emisor común tiene alta ganancia de voltaje porque una pequeña
variación en la corriente de base causa una variación significativa en la corriente
de colector, produciendo así una gran variación de voltaje en la resistencia de
carga del colector.
5.- Analizar cómo se utiliza un BJT como interruptor electrónico
El BJT puede usarse como un interruptor en las configuraciones de corte y
saturación:
• Modo de Corte: Cuando el BJT está apagado (V_BE < 0.7V para NPN), no
hay corriente de colector y el transistor actúa como un interruptor abierto.
• Modo de Saturación: Cuando el BJT está totalmente encendido (V_BE > 0.7V
para NPN y V_CE ≈ 0.2V), el transistor actúa como un interruptor cerrado
permitiendo el paso de la corriente máxima.
Suponga que el transistor del circuito de la figura 4-53 es reemplazado con uno que tiene una
βCD de 200. Determine IB, IC, IE y VCE dado que VCC =10 V y VBB =3 V
