UNIVERSIDAD NACIONAL DE MAR DEL PLATA - 2017

FACULTAD DE INGENIERÍA - DEPARTAMENTO DE FÍSICA

CÁTEDRA: Física de los Semiconductores

SERIE 5: Dinámica de Portadores de Carga – Generación y Recombinación

1.- Encontrar la relación entre la cantidad de movimiento cristalina P y la velocidad de un

electrón en:

a) La base de la banda de conducción de un semiconductor.

b) El tope de la banda de valencia de un semiconductor.
c) La base de la banda de valencia de un semiconductor, si la masa efectiva es m*.

2.- Demostrar que la densidad de corriente en una banda llena es cero.

3.- Encontrar la relación entre la aceleración de un hueco y el campo eléctrico externo aplicado.

4.- Hallar la conductividad del Ge y del Si intrínsecos a T=300 K. Comparar con la

conductividad del Si dopado con Boro, si Na = 1018 átomos/cm3.
Datos:

ni(Ge) = 2.4 x 1013 cm-3 ni(Si) = 1.0 x 1010 cm-3

e (Ge) = 3900 cm2 /V.s e (Si) = 1350 cm2 / V.s
h (Ge) = 1900 cm2 /V.s h (Si) = 480 cm2 / V.s

h (Si) [dopado con Boro] = 180 cm2 /V.s

5.- Hallar la resistividad del cobre a temperatura ambiente. El número de electrones en la

banda de conducción es n(Cu) = 0.85 x 1023 átomos/cm3 y la movilidad de los electrones en el
Cu es Cu = 43cm2/V.s . Comparar el valor obtenido con el del Ge y el Si intrínsecos y obtener
conclusiones.

6.- Estimar el tiempo libre medio y el recorrido libre medio para el Cu cuando se aplica un
campo eléctrico E. Suponer m*me. Datos: Cu = 1.7x10-8 m, n(Cu) = 0.85 x 1023 átomos/cm3.

7.- Mediante la ecuación de continuidad de la carga, hallar la densidad de carga en función del
tiempo si se conoce (r,t=0). Utilizar la conductividad del cobre hallada anteriormente y la
constante dieléctrica del vacío. Recordar que para un metal son válidas las siguientes
relaciones: J=σ∙E, E=D/ε.

8.- Hallar la densidad de corriente y la velocidad de desplazamiento para una corriente de 1A

en un conductor de Cu de 0.163 cm de diámetro.

9.- Si la velocidad de desplazamiento en un conductor de cobre es de 10-2 cm/s y el área de la

sección recta es de 1 mm2, hallar la densidad de corriente y la corriente total.
10.- Una barra semiconductora intrínseca se encuentra aislada eléctricamente y sometida a un
campo eléctrico externo Ex. Hallar la relación de Einstein entre la movilidad  y el coeficiente de
difusión D.

11.- Demostrar que en un semiconductor en el que no existen gradientes de concentración de

electrones o huecos la conductividad del material puede escribirse como
  e.(ne  ph )
12.-Una barra semiconductora homogénea que se encuentra en equilibrio térmico está
iluminada uniformemente por un foco de forma que se crean gL pares electrón-hueco por metro
cúbico por segundo. Hallar los valores estacionarios de las concentraciones de portadores
minoritarios, para:
a) Un material intrínseco
b) Un material extrínseco tipo P, con NA>>ni , ND=0

13.- En la barra descripta en el ejercicio anterior el foco es apagado en t=0. Hallar cómo
disminuye el número de portadores minoritarios en exceso en función del tiempo, para el caso
del material extrínseco tipo P.

14.- Un material intrínseco con concentraciones a oscuras n=p=ni, recibe iluminación a partir de
t=0, de forma que se crean gL pares electrón-hueco por metro cúbico por segundo. Hallar los
valores de concentración como función del tiempo. Suponer iluminación tenue: n’=p’<<ni.

15.- Un dispositivo fotovoltaico como el que se muestra en la figura recibe luz a través de un
contacto metálico muy fino. La luz es absorbida en la superficie del semiconductor tipo N,
creando un exceso de huecos y electrones en x=0, de forma tal que resulta:

p(x=0)=po+p(0)

n(x=0)=no+n(0) +
h.f V
El contacto metálico
óhmico en x=d fuerza -
que allí sean p=po, n=no.
Se supone estado
estacionario. Los
parámetros Dh, h, son
conocidos. 0 d x
a) Encontrar la
concentración de
huecos p(x) suponiendo que, para los portadores minoritarios, sólo hay corriente de
difusión (¿Por qué?) y que d>>Lh.
b) Idem (a) pero ahora “d” no es mucho mayor que la longitud de difusión de huecos. Sin
embargo, sí está el contacto metálico en x=d.
c) Si la corriente total es J=0 (circuito abierto), y suponiendo que no>>n(0), hallar el
potencial de circuito abierto V, para el caso del inciso (b).

16.- Un material extrínseco con NA>>ni, ND=0, de longitud L es iluminado superficialmente en

ambas caras laterales y en estado estacionario, de modo que las concentraciones de
exceso de portadores minoritarios son n’(x=0)=n1, n’(x=L)=n2.
 a) Encontrar el exceso de portadores minoritarios como función de x
b) Hallar la densidad de corriente de electrones en x=0 y en x=L

Ctes. Fundamentales:
Masas efectivas, para cálculo de densidad de estados, en algunos semiconductores:
* *
Germanio: me =0.55·me, mh =0.37·me
* *
Silicio a T=300K: me =1.08·me, mh =0.81·me
* *
GaAs: me =0.067·me, mh =0.45·me
-31
Masa del electrón me = 9.11 x 10 Kg
-27
Masa del Protón mp = 1.67 x 10 Kg
8
Velocidad de la luz c = 2.99 x 10 m/s
-34
Cte de Planck h = 6.62 x 10 J.s
-19
Carga del electrón e = 1.60 x 10 C
-23
Cte de Boltzmann k = 1.38 x 10 J/K
RESPUESTAS DE LA SERIE 5

1) Llamando P al ímpetu cristalino, y vG a la velocidad de grupo del electrón, resulta:

a) P=me*∙vG , b) P= - mh*∙vG , c) P=m*∙vG , d) P=m*∙vG.
Sugerencia: el P cristalino es siempre P=ħk. Por otro lado, k está relacionada con vG a través
de:
d  1 dE
vG   
dk dk

Y en cada caso hay una relación distinta entre E y k.

2) Resuelto en la clase teórica

3) a = e E / mh*. Es decir, responde de la misma manera que una partícula libre, positiva, y de
carga Q=e y masa m=mh*.
Sugerencia: se considera que los huecos siempre ocupan los estados de sus respectivos
electrones faltantes. Al aplicar un campo eléctrico E, el electrón faltante recibiría una fuerza
F=(-e)∙E, y entonces su ímpetu cristalino variaría dP=F∙dt en un intervalo temporal dt. Con lo
cual se puede deducir el valor de dk/dt. Ahora, exprese la aceleración como la derivada de vG:

dvG dvG dk
a  
dt dk dt

Pero reemplazando vG como proporcional a dE/dk, la aceleración resulta proporcional a

d2E/dk2, es decir inversamente proporcional a (-mh*). Entonces, la masa efectiva para los
electrones en la banda de valencia es (-mh*), de modo que:
1
a  e  E 
 mh*  
Pero si se trata de un hueco, se prefiere considerarlo de carga positiva, y escribir la ecuación
anterior como a = (+e) E / (+mh*).

4) Germanio intrínseco: σ = 2.23 (Ωm)-1. Silicio intrínseco: σ = 2.93∙10-4 (Ωm)-1. Silicio dopado
con Boro: σ = 2880 (Ωm)-1. En este último caso no importa demasiado el valor de µe (¿Por
qué?).

5) ρ=1.7∙10-8 Ωm. Germanio intrínseco: ρ=0.45 Ωm. Silicio intrínseco: ρ=3400 Ωm.

6) El tiempo libre medio entre colisiones resulta: <>=m*/( ρ n e2)=2.46∙10-14 s. El camino libre
medio es: <Δx>= E m*/( ρ2 n2 e3)=1.1∙10-16∙E [m].
Sugerencia: el módulo de la velocidad media de arrastre, si se aplica un E (en el mismo eje) es:
e E  
v 
m*
Pero dicha velocidad es proporcional a la movilidad, la cual puede a su vez relacionarse con la
resistividad
En cuanto al camino libre medio, resulta de multiplicar la velocidad media de arrastre por el
tiempo libre medio entre colisiones.
7) La densidad de carga volumétrica resulta:

    r ,0  et /( / )

Sugerencia: la ecuación de continuidad de la carga es:


    dVol 
t Vol  J  dA


la cual se puede expresar en formato diferencial:


  divJ
t
de donde, usando la Ley de Gauss, se llega a:

  r , t    r , t 
 0
t  /  
cuya solución es el resultado de este ejercicio, luego de reemplazar las condiciones iniciales.

8) J=480000Am-2 , <v>=3.5∙10-5 m/s.

9) J=1.36∙106 Am-2 , I=1.36A

10) Hay que demostrar que:

De Dh kT
 
e h e

Sugerencia: dado que el material está aislado Je+Jh=0. Pero además no hay iluminación
asimétrica (de hecho, no hay iluminación alguna), entonces Je=Jh=0. Igualando por ejemplo
Je=0, se llega a:
x
e
 
 Ex dx
n  x   n  x  0  e
De
0

Por otra parte, escriba la ecuación de “n” como función de (EF-EC). Y tenga en cuenta que EC
varía con x de la siguiente forma:
 x 
EC  x   EC  x  0    e    Ex  dx 
 0 
Y compare ambas ecuaciones para “n”. Así demuestra De/µe=kT/e.
Ahora, aplicando un razonamiento similar para “p” y “Jh”, llega a Dh/µh=kT/e.

11) Sugerencia: se llega inmediatamente, planteando J=Je+Jh, y luego por ejemplo las
definiciones: Je=e∙n∙<ve>, µe=<ve>/E.

gL
12) a) n  p  ni2 
r
b) gL n2
n  n0   i  g L  e
r  p0 N A

siendo e=(r po)-1

Sugerencia: siempre se plantea la ecuación de continuidad para los portadores minoritarios, así
la ecuación resultante queda en una sola variable. En el caso (a) es indistinto, ya que el
material es intrínseco, de modo que no=po=ni, n’=p’. En el caso (b) resulta poNA, noni2/NA,
po>>no; se considera además po>>p’.

13)
ni2
n  g L  e  et / e
NA
Sugerencia: ahora la derivada parcial de “n” respecto del tiempo no es cero, así que la
ecuación diferencial queda:
n n n0
 
t  e  e
cuya solución es la suma de una homogénea y una particular:

n  A  B  et / e
Reemplazando la solución particular (o bien la total) en la ecuación, resulta A=no. Luego B se
despeja aplicando la condición inicial (el resultado del ejercicio 12).

14)
 gL  gL
n   ni     e2r ni t
 2  r  ni  2  r  ni
Sugerencia: ahora la ecuación diferencial queda:

n
 2  r  ni  n  g L  2  r  ni2
t

Y se aplica la misma forma de solución que en el ejercicio (13), pero con la condición inicial
n(t=0)=ni.

15) a) p  pO  p(0)  e  x / Lh
sinh  d  x  / Lh 
b) p  pO  p(0) 
sinh  d / Lh 
1
c) V  D  n(0)  Dh  p(0)
 E  nO e

Sugerencia: en la ecuación de continuidad, al ser estado estacionario, la derivada temporal es

cero. También es cero “g” ya que no hay generación volumétrica de pares electrón-hueco. La
ecuación diferencial queda:

2 p p p
  0
x 2
Dh h Dh h
2 p p p
 2  2   20
x Lh Lh

Cuya solución es la suma de una homogénea más una particular:

p  A  B  e x / Lh  C  e x / Lh
Al ser L>>Lh, resulta B=0 (inciso a). En el inciso (b) debe usar p(x=L)=po, a causa de la
presencia del contacto metálico.
En el inciso (c), comience con Je+Jh=0. Individualmente estas corrientes no son cero (¿Por
qué?). Aproxime que la corriente de minoritarios es sólo por difusión. Despeje el campo E e
integre entre 0 y x, teniendo en cuenta la definición del signo de V en la figura

16) a)  x  Lx
n2  sinh    n1  sinh  

n   Le   Le 
L
sinh  
 Le 
e  De   L 
b) Je   n2  n1  cosh   
x 0
L  Le  
Le  sinh   
 Le 
c) e  De  L 
Je   n2  cosh    n1 
xL
L  Le 
Le  sinh    
 e
L
Observe que si L>>Le, entonces Je(0)<0 y Je(L)>0. ¿Es eso lógico?
Sugerencia: la ecuación diferencial queda de la misma forma que en el ejercicio (15). Sólo son
distintas las condiciones espaciales de contorno. Finalmente, para hallar las densidades de
corriente, tenga en cuenta que la única componente importante para los portadores minoritarios
es la corriente de difusión.