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Tema 2

El documento aborda los enlaces covalentes y metálicos, centrándose en los portadores intrínsecos en semiconductores y su relación con la ley de acción de masas. Se discuten las densidades de portadores mayoritarios y minoritarios en semiconductores tipo N y P, así como la conductividad en semiconductores. Además, se menciona un experimento para medir el efecto Hall en semiconductores.

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El documento aborda los enlaces covalentes y metálicos, centrándose en los portadores intrínsecos en semiconductores y su relación con la ley de acción de masas. Se discuten las densidades de portadores mayoritarios y minoritarios en semiconductores tipo N y P, así como la conductividad en semiconductores. Además, se menciona un experimento para medir el efecto Hall en semiconductores.

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TEMA 2

Enlaces covalentes y metálico

Portadores: Huecos y Electrones


Portadores intrínsecos en un semiconductor:
𝐸𝑔
( )
𝑛𝑖 = 𝑁0 𝑒 2𝐾𝑇
Ley de acción de masas:
𝑛𝑝 = 𝑛𝑖 2

Donadores y aceptores Densidades de portadores mayoritarios y minoritaros


Tipo N

Tipo P

Estas aproximaciones nos dan un error de cerca del 1%


si |ND – NA|>10ni
Dependencia de la temperatura de portadores n y p en Si con ND=1013cm-3 y NA=0.
EJEMPLO: completa el cuadro:

Conductividad en Semiconductores
𝝈 = 𝒏𝒒𝝁𝒆 + 𝒑𝒒𝝁𝒉 se puede aproximar:
Si el semiconductor es intrínseco n=p=ni
𝜎 = 𝑞𝑛𝑖 (𝜇𝑒 + 𝜇ℎ )

1
Tiempo de relajación dieléctrica

Experimento de las puntas de prueba caliente y fria en


semiconductores tipo P y N

Esquema experimental para la medicion de Efecto Hall

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