Preguntas de Privado Pakito
Preguntas de Privado Pakito
➢ Donde:
𝛽𝑉𝑇 25𝑚𝑉
𝑟𝜋 𝑜 ℎ𝑖𝑒 = = 𝛽( ) [𝛺]
𝐼𝐸 𝐼𝐸
𝐼𝐸 𝐼𝐸
𝑔𝑚 = = [𝑆]
𝑉𝑇 25𝑚𝑉
𝑖𝑐 = 𝑔𝑚𝑉𝑇 = 𝛽𝑖𝑏 = (ℎ𝑓𝑒)𝑖𝑏 = 𝐼𝐸 [𝐴]
• Modelo Completo
➢ Donde:
𝑟𝑏 , 𝑟𝑐 , 𝑟𝑒𝑥 → 𝑅𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎𝑠 𝑝𝑎𝑟á𝑠𝑖𝑡𝑎𝑠 𝑑𝑒 𝑏𝑎𝑠𝑒, 𝑐𝑜𝑙𝑒𝑐𝑡𝑜𝑟 𝑦 𝑒𝑚𝑖𝑠𝑜𝑟 𝑟𝑒𝑠𝑝𝑒𝑐𝑡𝑖𝑣𝑎𝑚𝑒𝑛𝑡𝑒
CS → 𝐶𝑎𝑝𝑎𝑐𝑖𝑡𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑠𝑢𝑠𝑡𝑟𝑎𝑡𝑜 𝑑𝑒 𝑓𝑎𝑏𝑟𝑖𝑐𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒𝑙 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟
𝐶𝜋 𝑦 𝐶𝜇 → 𝐶𝑎𝑝𝑎𝑐𝑖𝑡𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎𝑠 𝑑𝑒 𝑗𝑢𝑛𝑡𝑢𝑟𝑎 𝑏𝑎𝑠𝑒 − 𝑒𝑚𝑖𝑠𝑜𝑟 𝑦 𝑏𝑎𝑠𝑒 − 𝑐𝑜𝑙𝑒𝑐𝑡𝑜𝑟
• Tierra Virtual
Una de las características de un amplificador operacional es el tener una ganancia
muy alta, que tiende al infinito. Debido a esto, se puede interpretar que el voltaje
de entrada producto de la diferencia entre sus entradas tienda a ser despreciable,
llegando a ser 0. la corriente presente en cada una de las entradas se considera 0.
Al ser ambas entradas 0, se considera que ambas entradas poseen el mismo valor
debido a que estas se encuentran puenteadas entre sí.
• Circuitos con Amplificadores Operacionales
o Amplificador Comparador: La salida de
voltaje está definida por cuál de las dos
entradas posee el mayor voltaje.
• Filtros Activos
Un filtro activo es un circuito compuesto por amplificadores operacionales los
cuales atenúan la amplitud de una señal de entrada en función de una frecuencia
establecida.
o Filtro Pasa-Bajos: Atenúa la amplitud de señales que poseen una
frecuencia mayor a la establecida en una frecuencia de corte.
1
𝑓𝑐 =
2𝜋𝑅2 𝐶
o Filtro Pasa-Altos: Atenúa la amplitud de señales que poseen una
frecuencia menor a la establecida en una frecuencia de corte.
1
𝑓𝑐 =
2𝜋𝑅1 𝐶
o Filtro Pasa-Banda: Atenúa la amplitud de señales que poseen
una frecuencia que no se encuentran entre un ancho de banda
establecido.
1
𝑓𝑐 =
2𝜋𝐶√𝑅1 𝑅2
o Filtro Pasa-Banda: Atenúa la amplitud de señales que poseen
una presente en un ancho de banda establecido.
1
𝑓𝑐 =
2𝜋𝑅𝐶
3. Instrumentos de Medición: Amperímetro, Voltímetro y Ohmímetro
El diseño de un instrumento de medición de condiciones electrónicas requiere el
uso de un instrumento conocido como galvanómetro de d’Arsonval, el cual consta
de una bobina con centro de hierro montada sobre cojinetes entre un imán
permanente. Los resortes helicoidales limitan el movimiento de giro de la bobina y
proporcionan una trayectoria para que la corriente llegue a la bobina. Cuando se
haga pasar una corriente a través de la bobina móvil, los flujos de la bobina y del
imán permanente interactuarán para desarrollar
un torque sobre la bobina que ocasionará que
ésta rote sobre sus cojinetes. El movimiento se
ajusta para indicar un giro de cero sobre una
escala de medidor cuando la corriente a través
de la bobina es cero. Las especificaciones de un
galvanómetro suelen ser: 50 Ω de resistencia
interna (Rg) y 1 mA de sensibilidad de corriente
(Ig).
• Amperímetro
El amperímetro es un dispositivo de medición
que nos permite determinar la corriente que atraviesa sobre un componente
presente en un circuito al ser conectado en serie al mismo. Con un galvanómetro
sólo se puede medir corriente equivalente a su sensibilidad de corriente. Para
medir corrientes más altas es necesario realizar una escala con una resistencia en
paralelo.
𝐼𝑔 𝑅𝑔
𝑅𝑝𝑎𝑟𝑎𝑙𝑒𝑙𝑜 =
𝐼𝑀𝑎𝑥 − 𝐼𝑔
(1 𝑚𝐴)(50 𝛺)
=
𝐼𝑀𝑎𝑥 − 1 𝑚𝐴
• Voltímetro
El voltímetro es un instrumento de medición que nos permite determinar el
potencial de voltaje que posee un componente presente en un circuito al ser
conectado en paralelo al mismo. Con un galvanómetro sólo se puede medir un
voltaje de 50 mV (1 mA * 50 Ω), conocida como su sensibilidad de voltaje (Vg).
Para la medición de voltajes más altos es necesaria la implementación de una
resistencia de escala en serie al galvanómetro.
𝑉𝑀𝑎𝑥 − 𝑉𝑔 𝑉𝑀𝑎𝑥 − 50 𝑚𝑉
𝑅𝑠𝑒𝑟𝑖𝑒 = =
𝐼𝑔 1 𝑚𝐴
• Ohmímetro
Instrumento de medición que nos permite determina el valor de resistencia de
elementos individuales o combinados cuando se conecta en paralelo a las
terminales de estos elementos. En el circuito de un ohmímetro, cuando no se
encuentra conectada una resistencia, el galvanómetro va a presentar una escala
completa al no colocarse una caída adicional de tensión. En el caso se conecte
una resistencia muy alta, el circuito presentará estar en como un circuito abierto, y
el galvanómetro se permanece en cero. Es necesario implementar una resistencia
en serie y un ajuste a cero, para
permitir una estabilidad en la
medición.
𝐸 𝑅𝑎𝑗𝑢𝑠𝑡𝑒
𝑅𝑠 = − 𝑅𝑔 −
𝐼𝑔 2
• Voltaje Offset
El voltaje de offset es un voltaje presente en la salida de un amplificador
operacional cuando se presentan voltajes iguales en ambas entradas inversora y
no inversora del amplificador. Es el resultado de un circuito real y es producido
debido a las características presentes de los transistores utilizados en la
fabricación de cada entrada del amplificador. El voltaje de offset se representa
como la diferencia entre el voltaje de entrada y de salida de un amplificador
seguidor, debido a que, en su configuración ideal, ambos valores deberían ser los
mismos.
• Circuito Equivalente
El circuito está conformado por dos transistores
con dos terminales en común, una conexión
positiva +VCC en el colector, y una conexión
negativa en el emisor -VEE. Cuando el voltaje Va
es mayor al voltaje Vb, la corriente I1 incrementa,
provocando que la corriente I2 disminuya debido
a que ambas corrientes provienen del mismo
nodo. La disminución de la corriente I2, produce
una menor caída de voltaje colector en el
colector del transistor, provocando un voltaje de
salida cercano a +VCC. En el caso contrario,
donde Vb sea mayor a Va, la corriente I2,
incrementa al igual que la caída de voltaje
presente en el voltaje de colector, produciendo una salida de voltaje menor a -VEE.
• Relación de Rechazo de Modo Común (CMRR)
El CMRR es un parámetro que mide la cantidad de ruido que es capaz de eliminar
un amplificador operacional. Con el fin de amplificar limpiamente las diferencias de
voltaje, el amplificador operacional tiene que ser capaz de ignorar los cambios de
voltaje que son comunes a ambas de sus entradas de energía. Cuando se
amplifican estos cambios de voltaje se le conoce como ganancia en modo común.
El CMRR se basa en la relación entre la ganancia diferencial y la ganancia en
modo común del amplificador, mientras más alta sea la ganancia diferencial con
respecto a la ganancia en modo común, mejor será el desempeño del amplificador
diferencial en función del rechazo de señales en modo común.
𝐴𝑑𝑖𝑓𝑒𝑟𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎𝑙 𝐴𝑑𝑖𝑓𝑒𝑟𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎𝑙
𝐶𝑀𝑅𝑅 = 𝑜 𝐶𝑀𝑅𝑅 = 20 ∗ 𝑙𝑜𝑔 ( ) [𝑑𝐵]
𝐴𝑐𝑜𝑚ú𝑛 𝐴𝑐𝑜𝑚ú𝑛
𝑅2 𝑅2
𝑉𝑈𝑇𝑃 = 𝑉𝑠𝑎𝑙 ( ) 𝑉𝐿𝑇𝑃 = −𝑉𝑠𝑎𝑙 ( )
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2
𝑉𝐻𝑌𝑆 = 𝑉𝑈𝑇𝑃 − 𝑉𝐿𝑇𝑃
7. Amplificadores BJT: Emisor Común, Colector Común y Base Común
• Emisor Común
Es la configuración más común de los amplificadores BJT. Consiste en un
amplificador cuya tierra se encuentra conectada al emisor. La señal de entrada se
encuentra conectada en la base del transistor y con su salida se encuentra
conectada en el colector. Se caracteriza por tener una alta ganancia de corriente y
voltaje, además de producir un cambio de fase de la señal de entrada en la salida.
Sin embargo, las desventajas más comunes de estos amplificadores suelen ser su
ancho de banda reducido y su relación entre las impedancias de entrada y de
salida no es la deseada comúnmente. Estos amplificadores son utilizados a la
hora de realizar una amplificación de pequeñas frecuencias.
• Base Común
Consiste en un amplificador cuya tierra se encuentra conectada a la base del
transistor. La señal de entrada se encuentra conectada en el emisor del transistor
y con su salida se encuentra conectada en el colector. Se caracteriza por tener
una alta ganancia voltaje y un ancho de banda alto. Sin embargo, las desventajas
más comunes de estos amplificadores suelen ser su ganancia de corriente, la cual
puede ser igual o menor a uno y su alta impedancia de salida. Estos
amplificadores son utilizados a la hora de realizar una amplificación de altas
frecuencias, como lo son las etapas de pre-amplificación.
• Colector Común
Consiste en un amplificador cuya tierra se encuentra conectada al colector del
transistor. La señal de entrada se encuentra conectada en la base del transistor y
con su salida se encuentra conectada en el emisor. Se caracteriza por tener una
alta ganancia corriente y una impedancia baja de salida, en relación con su
impedancia alta de entrada. Sin embargo, las desventajas más comunes de estos
amplificadores suelen ser su ganancia de voltaje, la cual puede ser igual o menor
a uno y su alta impedancia de salida. Estos amplificadores son utilizados para
realizar un acople de impedancias, debido a que permite mantener el voltaje a la
hora de implementar varias etapas de amplificación.
8. Amplificador BJT: ¿Cuál es la mejor configuración?, ¿EC, CC, BC?
Cada configuración destaca en su función en especial, en mi opinión me gustaría
decir que la configuración más completa son los amplificadores emisor común,
debido a su alta ganancia de corriente y voltaje, y la facilidad de implementar
varias etapas de amplificación para obtener resultados aún mayores, con el uso de
acoples de impedancia para impedir pérdidas de voltaje durante la amplificación.
9. Amplificador BJT: Capacitores de acople y desacople
• Capacitor de acople
Son capacitores implementados en un amplificador los cuales bloquean la
corriente directa y evitan que la resistencia interna de la fuente y de la carga
alteren los voltajes de polarización de las entradas y salidas del amplificador.
• Capacitor de desacople
Son capacitores que aíslan las señales de corriente alterna, provocando un corto
circuito a tierra, provocando una mayor ganancia en la señal de salida del
amplificador.
𝑋𝐶 > 0.1 ∗ 𝑅
𝑊𝑏
𝜇𝑚𝑎𝑡𝑒𝑟𝑖𝑎𝑙 > 𝜇𝑣𝑎𝑐í𝑜 → 𝜇𝑣𝑎𝑐í𝑜 = 4𝜋 ∗ 10−7 [ ∙ 𝑚]
𝐴
o Reluctancia: Se le conoce como la “resistencia” u oposición del
material al establecimiento de líneas de flujo en él.
𝑙
𝑅=
𝜇𝐴
➢ Donde:
𝑙 = 𝐿𝑜𝑛𝑔𝑖𝑡𝑢𝑑 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑡𝑟𝑎𝑦𝑒𝑐𝑡𝑜𝑟𝑖𝑎 𝑚𝑎𝑔𝑛é𝑡𝑖𝑐𝑎
𝜇 = 𝑃𝑒𝑟𝑚𝑒𝑎𝑏𝑖𝑙𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒𝑙 𝑚𝑎𝑡𝑒𝑟𝑖𝑎𝑙
𝐴 = Á𝑟𝑒𝑎 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑣𝑒𝑟𝑠𝑎𝑙 𝑑𝑒𝑙 𝑚𝑎𝑡𝑒𝑟𝑖𝑎𝑙
• Histéresis
En los materiales ferromagnéticos el ciclo de histéresis es una característica que
permite medir como cambia la magnetización del material en función de un campo
externo aplicado, además de conocer cómo llego hasta ahí en relación con la
historia del proceso.
En el caso de un bloque de hierro, un material ferromagnético tiene sus átomos
orientados en dominios, que son pequeños bloques de unos cuantos miles de
átomos contiguos cuyos dipolos tienen la misma orientación. Dado que, en general
habrá tantos dominios apuntando en un sentido como en el opuesto, la
magnetización, que es el promedio entre todos los dipolos de un elemento de
volumen, será nula.
Cuando se aplica el campo externo, dipolos se alinean con el resultado de que
crece el dominio cuya orientación es la misma del campo aplicado y se reduce el
dominio opuesto. Esto produce que la magnetización vaya aumentando a medida
que más dipolos se alineen con el campo externo, hasta que estos alcancen su
límite y el material comience a magnetizarse, conocido como una imanación
remanente.
Los ferroeléctricos con campo coercitivo pequeño se les conoce como materiales
blandos, empleados en la fabricación de memorias magnéticas, debido a su fácil
imanación y desimanación. Los ferroeléctricos con un campo coercitivo grande
son empleados en la fabricación de imanes.
11. Amplificador Operacional: Características
1) Impedancia de entrada alta, que tiende al infinito.
𝑍𝑖𝑛 → ∞
2) Impedancia de salida baja, que tiende a cero.
𝑍𝑜𝑢𝑡 → 0
3) Ganancia de voltaje infinita.
𝑉𝑜𝑢𝑡
𝐴𝑣 = →∞
𝑉𝑖𝑛
4) Corto circuito virtual
𝑉𝑜𝑢𝑡 𝑉𝑜𝑢𝑡
𝐴𝑣 = → 𝑉𝑖𝑛 = → 𝑉𝑖𝑛 = 0 → 𝑉+ − 𝑉− = 0
𝑉𝑖𝑛 𝐴𝑣
Corrientes de entradas inversora y no inversora tienden a cero 𝑉+ = 𝐼+ 𝑍𝑖𝑛 → 𝐼+ =
𝑉+
→ 𝐼+ , 𝐼_ = 0
𝑍
𝑖𝑛
• Carga de Capacitor
Cuando se conecta la fuente el capacitor se comporta como un corto circuito
debido a que este no posee un valor de voltaje y la corriente en este se encuentra
limitada directamente por la resistencia. Después de un período de tiempo, el
capacitor se carga totalmente y adquiere un potencial del mismo valor de la fuente,
lo cual produce que ya no circule corriente sobre él.
∑ 𝐼 = 𝑖𝐶 + 𝑖 𝑅 + 𝑖𝑉 = 0
𝑣 𝑑𝑣 𝑉𝑆
𝑖𝑅 = ; 𝑖𝐶 = 𝐶 ; 𝑖𝑉 =
𝑅 𝑑𝑡 𝑅
𝑑𝑣
• 𝑅𝐶 𝑑𝑡 − 𝑣 + 𝑉𝑆 = 0
𝑑𝑣
𝑅𝐶 + 𝑣 = 𝑉𝑆 (𝐸𝐷𝑂 𝑛𝑜 ℎ𝑜𝑚𝑜𝑔é𝑛𝑒𝑎)
𝑑𝑡
𝑑𝑣 −𝑣+𝑉𝑆 𝑣(𝑡) 𝑑𝑣 𝑡 𝑑𝑡
Solución de la ecuación diferencial = → ∫𝑣(0) 𝑣−𝑉 = − ∫0 𝑅𝐶 ln(𝑣 −
𝑑𝑡 𝑅𝐶 𝑆
𝑣(𝑡) 1 𝑡 𝑡 𝑣(𝑡)−𝑉 𝑡 𝑣(𝑡)−𝑉
𝑉𝑆 ) = − 𝑅𝐶 (𝑡) → ln(𝑣(𝑡) − 𝑉𝑆 ) − ln(−𝑉𝑆 ) = − 𝑅𝐶 ln ( −𝑉 𝑆 ) = − 𝑅𝐶 → −𝑉 𝑠 =
𝑣(0) 0 𝑠 𝑆
𝑡 𝑡
𝑒 −𝑅𝐶 𝑣(𝑡) = 𝑉𝑠 (1 − 𝑒 −𝑅𝐶 )
➢ Sí 𝑞 = 𝐶𝑉
𝑡
𝑞(𝑡) = 𝐶𝑉𝑠 (1 − 𝑒 −𝑅𝐶 )
𝑑𝑞(𝑡) 𝑉𝑠 − 𝑡
𝑖(𝑡) = = 𝑒 𝑅𝐶
𝑑𝑡 𝑅
• Descarga de Capacitor
Una vez cargado se desconecta la fuente de alimentación lo cual produce que la
carga almacenada en el capacitor se libere formando una corriente hacia la
resistencia en serie, hasta que el potencial presente en el capacitor sea 0.
∑ 𝐼 = 𝑖𝐶 + 𝑖𝑅 = 0
𝑣 𝑑𝑣
𝑖𝑅 = ; 𝑖𝐶 = 𝐶
𝑅 𝑑𝑡
𝑑𝑣 𝑣
+ = 0 → (𝐸𝐷𝑂 ℎ𝑜𝑚𝑜𝑔é𝑛𝑒𝑎)
𝑑𝑡 𝑅𝐶
➢ Solución de la ecuación diferencial
𝑣(𝑡) 𝑡
𝑑𝑣 𝑣 𝑑𝑣 𝑑𝑡
= → ∫ = −∫
𝑑𝑡 𝑅𝐶 𝑣(0) 𝑣 0 𝑅𝐶
𝑣(𝑡) 1 𝑡 𝑡
ln(𝑣) =− (𝑡) → ln(𝑣(𝑡)) − ln(𝑣(0)) = −
𝑣(0) 𝑅𝐶 0 𝑅𝐶
𝑣(𝑡) 𝑡 𝑣(𝑡) 𝑡
ln ( )=− → = 𝑒 −𝑅𝐶
𝑉𝑆 𝑅𝐶 𝑉𝑆
𝑡
𝑣(𝑡) = 𝑉𝑠 (𝑒 −𝑅𝐶 )
➢ Sí q=CV
𝑡
𝑞(𝑡) = 𝐶𝑉𝑠 (𝑒 −𝑅𝐶 )
𝑑𝑞(𝑡) 𝑉𝑠 − 𝑡
𝑖(𝑡) = = 𝑒 𝑅𝐶
𝑑𝑡 𝑅
13. Circuito RC
Circuito comúnmente conformado por una resistencia y un capacitor utilizado en la
fabricación de filtros de señales de corriente AC y en la carga y descarga de un
capacitor en corriente CD.
• Respuesta Natural
La respuesta natural representa el circuito en sus condiciones iniciales en
ausencia de fuentes.
∑ 𝐼 = 𝑖𝐶 + 𝑖𝑅 = 0
𝑣 𝑑𝑣
𝑖𝑅 = ; 𝑖𝐶 = 𝐶
𝑅 𝑑𝑡
𝑑𝑣 𝑣
+ = 0 → (𝐸𝐷𝑂 ℎ𝑜𝑚𝑜𝑔é𝑛𝑒𝑎)
𝑑𝑡 𝑅𝐶
➢ Aplicando la solución
particular de ecuación diferencial
𝑑𝑣(𝑡)
𝑣(𝑡) = 𝑘𝑒 𝑠𝑡 ; = 𝑠𝑘𝑒 𝑠𝑡
𝑑𝑡
𝑘𝑒 𝑠𝑡 1
𝑠𝑘𝑒 𝑠𝑡 + = 0 → 𝑘𝑒 𝑠𝑡 (𝑠 + )=0
𝑅𝐶 𝑅𝐶
➔ 𝑆í 𝑘 = 0, 𝑒𝑙 𝑐𝑖𝑟𝑐𝑢𝑖𝑡𝑜 𝑛𝑜 𝑝𝑜𝑠𝑒𝑒 𝑒𝑛𝑒𝑟𝑔í𝑎
➔ 𝑆í 𝑒 𝑠𝑡 = 0; 𝑡 → ∞
1
𝑠=−
𝑅𝐶
1
𝑣(𝑡) = 𝑘𝑒 −𝑅𝐶𝑡
➔ 𝐶𝑢𝑎𝑛𝑑𝑜 𝑡 = 0
1
𝑣(0) = 𝑘𝑒 −𝑅𝐶(0) → 𝑣(0) = 𝑘
1 1
𝑣(𝑡) = 𝑣(0)𝑒 −𝑅𝐶𝑡 → 𝑉0 𝑒 −𝑅𝐶𝑡
• Respuesta Forzada
Representa la respuesta del circuito al presentarse una fuente conectada al
circuito y las condiciones iniciales son iguales a 0.
∑ 𝐼 = 𝑖𝐶 + 𝑖𝑅 + 𝑖𝑉 = 0
𝑣 𝑑𝑣 𝑉𝑆
𝑖𝑅 = ; 𝑖𝐶 = 𝐶 ; 𝑖𝑉 =
𝑅 𝑑𝑡 𝑅
𝑑𝑣
• 𝑅𝐶 𝑑𝑡 − 𝑣 + 𝑉𝑆 = 0
𝑑𝑣
𝑅𝐶 + 𝑣 = 𝑉𝑆 (𝐸𝐷𝑂 𝑛𝑜 ℎ𝑜𝑚𝑜𝑔é𝑛𝑒𝑎)
𝑑𝑡
𝑑𝑣 −𝑣+𝑉𝑆 𝑣(𝑡) 𝑑𝑣 𝑡 𝑑𝑡
Solución de la ecuación diferencial = → ∫𝑣(0) 𝑣−𝑉 = − ∫0 𝑅𝐶 ln(𝑣 −
𝑑𝑡 𝑅𝐶 𝑆
𝑣(𝑡) 1 𝑡 𝑡 𝑣(𝑡)−𝑉 𝑡 𝑣(𝑡)−𝑉
𝑉𝑆 ) = − 𝑅𝐶 (𝑡) → ln(𝑣(𝑡) − 𝑉𝑆 ) − ln(−𝑉𝑆 ) = − 𝑅𝐶 ln ( −𝑉 𝑆 ) = − 𝑅𝐶 → −𝑉 𝑠 =
𝑣(0) 0 𝑠 𝑆
𝑡 𝑡
𝑒 −𝑅𝐶 𝑣(𝑡) = 𝑉𝑠 (1 − 𝑒 −𝑅𝐶 )
• Respuesta Total
Representa la salida del circuito considerando todas las condiciones que este
puede presentar.
𝑉𝑇𝑂𝑇𝐴𝐿 = 𝑉𝑁𝐴𝑇𝑈𝑅𝐴𝐿 + 𝑉𝐹𝑂𝑅𝑍𝐴𝐷𝑂
1 𝑡
𝑉𝑇𝑂𝑇𝐴𝐿 = 𝑉0 𝑒 −𝑅𝐶𝑡 + 𝑉𝑠 (1 − 𝑒 −𝑅𝐶 )
1
𝑉𝑇𝑂𝑇𝐴𝐿 = 𝑉𝑆 + (𝑉0 − 𝑉𝑆 )𝑒 −𝑅𝐶𝑡
• Semisumador
Circuito que admite dos dígitos binarios de entrada y genera dos dígitos binarios
de salida: un bit de suma y un bit de acarreo.
• Sumador
Circuito que admite tres dígitos binarios de entrada: dos sumandos y un acarreo, y
dos dígitos binarios de salida: un bit de suma y un bit de acarreo.
• Comparadores
Comparan la magnitud de dos cantidades binarias para determinar la relación que
existe entre ellas.
• Decodificadores
Detectan la presencia de una determinada combinación de bits en sus entradas y
señalan la presencia de este código en su nivel de salida.
• Codificadores
Circuito en el cual se introducen en sus entradas un nivel activo correspondiente a
un dígito de un sistema de numeración, y lo convierte a una salida en código BCD
o Gray.
• Multiplexores
Circuitos que permiten dirigir la información digital procedente de diversas fuentes
a una única línea hacia un destino en común. Estos poseen entradas de selección
de datos, que permiten conmutar los datos digitales provenientes de cualquier
entrada hacia la línea de salida.
• Demultiplexores
Circuito que toma datos de una línea y los distribuye a un determinado número de
líneas de salida. También es conocido como distribuidor de datos.
• Latches
Circuito de almacenamiento temporal de dos estados, que pueden permanecer en
cualquiera de sus dos estados: SET y RESET, gracias a su capacidad de
realimentación. La decisión del estado puede ser por el estado inicial del latch, o
por una entrada de habilitación.
• Flip Flop
Dispositivos síncronos de dos estados, conocidos como multivibradores
biestables, en el cual el estado está determinado por la entrada de disparo
denominada reloj (CLK).
15. Circuito LC en serie
También conocido como oscilador LC, es un circuito conformado por un inductor
conectado en serie con un capacitor cargado. Al cerrar el circuito, el capacitor se
descarga a través del inductor y se forma un potencial producido por la variación
de corriente a través de él. Una vez descargado el capacitor, se forma una fuerza
electromotriz (FEM) en el inductor lo cual produce una corriente opuesta la cuál
produce que el capacitor se cargue nuevamente. Esto provoca una oscilación en
la corriente del circuito.
• Circuito LC sin fuente
∑ 𝑉 = 𝑣𝐿 + 𝑣𝐶 = 0
𝑑𝑖 𝑞
𝑣𝐿 = 𝐿 ; 𝑣𝑐 =
𝑑𝑡 𝐶
𝑑𝑖 𝑞
=−
𝑑𝑡 𝐿𝐶
∑ 𝑉 = 𝑣𝐿 + 𝑣𝐶 + 𝐸 = 0
𝑑𝑖 1
𝑣𝐿 = 𝐿
; 𝑣𝑐 = ∫ 𝑖𝑑𝑡 ; 𝐸
𝑑𝑡 𝐶
𝑑𝑖 1 𝑑 𝑑𝑖 1
𝐸 − 𝐿 − ∫ 𝑖𝑑𝑡 = 0 → (𝐸 − 𝐿 − ∫ 𝑖𝑑𝑡)
𝑑𝑡 𝐶 𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝐶
=0
𝑑2𝑖 1 𝑑𝐸
𝐿 2 + 𝑖(𝑡) =
𝑑𝑡 𝐶 𝑑𝑡
➢ Aplicando teorema de Laplace se obtiene:
1 𝐸 1 𝐸
𝑠𝐿𝐼(𝑠) + (𝐼(𝑠)) = → 𝐼(𝑠) [𝑠𝐿 + ] =
𝑠𝐶 𝑠 𝐶𝑠 𝑠
𝑠 2 𝐿𝐶 + 1 𝐸 𝐸 𝐸
𝐼(𝑠) [ ] = → 𝐼(𝑠) = 𝑠 =
𝑠𝐶 𝑠 1
𝑠 2 𝐿𝐶 + 1 𝑠2𝐿 + 𝐶
[ 𝑠𝐶 ]
𝐸 𝐸
𝐼 (𝑠 ) = =
1 𝐿(𝑠 2 + 𝜔2)
𝐿 (𝑠 2 + 𝐿𝐶 )
1 𝐸
Reduciendo la expresión se obtiene: 𝐿 = 𝜔2𝐶 𝐼(𝑠) = (𝜔2 𝐶) (𝑠2 +𝜔2) =
𝜔 𝐶 𝜔
𝐸𝜔𝐶 ((𝑠2 +𝜔2)) = 𝐸√𝐿 ((𝑠2+𝜔2))
𝐶
Aplicando la transformada de Laplace inversa se obtiene: 𝑖(𝑡) = 𝐸√𝐿 𝑠𝑒𝑛(𝜔𝑡); 𝜔 =
1
√
𝐿𝐶
𝑍𝑇𝑜𝑡𝑎𝑙 = 𝑍𝑅 + 𝑍𝐶 + 𝑍𝐿
1
𝑍𝑅 = 𝑅; 𝑍𝐶 = −𝑗 ; 𝑍 = 𝑗𝜔𝐿
𝜔𝐶 𝐿
1
𝑍𝑇𝑜𝑡𝑎𝑙 = 𝑅 + 𝑗𝜔𝐿 − 𝑗
𝜔𝐶
1 2
|𝑍𝑇𝑜𝑡𝑎𝑙 | = √𝑅 2 + (𝜔𝐿 − )
𝜔𝐶
1
∗ 𝑆í 𝜔𝐿 =
𝜔𝐶
|𝑍𝑇𝑜𝑡𝑎𝑙 | = √𝑅 2 = 𝑅
1 1
𝜔𝐿 = → 𝜔2 𝐿𝐶 = 1 → 𝜔𝑜 = √
𝜔𝐶 𝐿𝐶
1
𝜔𝑜 = 2𝜋𝑓𝑜 → √ = 2𝜋𝑓𝑜
𝐿𝐶
1
𝑓𝑜 = (𝐹𝑟𝑒𝑐𝑢𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑅𝑒𝑠𝑜𝑛𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎)
2𝜋√𝐿𝐶
𝑍𝑅 = 𝑅 < 0° [Ω]
1
𝑍𝐶 = < −90° [Ω]
𝜔𝐶
𝑍𝐿 = 𝜔𝐿 < 90° [Ω]
• Margen de fase
Se mide en la frecuencia donde la ganancia se encuentra en 0°, y representa
cuantos grados debe disminuir la fase para alcanzar los -180°.
• Margen de ganancia
Se mide en la frecuencia donde la fase se encuentra en -180°, y representa la
distancia entre la ganancia medida hasta una ganancia de 0 dB.
27. Curva de la Bañera
Gráfica que representa el ciclo de vida de un equipo o componente electrónico,
con la finalidad de averiguar si probabilidad de fallo y planificar periodos de
mantenimiento y de reemplazo en su momento adecuado, lo cual nos permite
extender la vida útil del equipo o dispositivo.
• Etapa 1 – Mortalidad Infantil
Representa el principio de vida del activo y posee una tasa de fallos alta, la cual va
decreciendo conforme pasa el tiempo. Los fallos en esta etapa pueden ser
causados por una falla en el diseño, falta de control de calidad, errores de
fabricación o instalación, entre muchos otros.
• Etapa 2 – Vida Útil
Representa un periodo de mayor madurez, por lo que la probabilidad de fallos
suele mantenerse constante, debido al conocimiento del correcto manejo del
dispositivo. Los fallos que se pueden producir suelen ser aleatorios, ya se por
orígenes humanos o materiales.
• Etapa 3 – Desgaste y Envejecimiento
Luego de un alto periodo de tiempo y de utilización, la probabilidad de fallos
aumenta significativamente. Los fallos pueden ser causados por desgaste
progresivo de los componentes, mantenimiento deficiente o revisiones incorrectas.
Debido a esto se debe considerar la sustitución del dispositivo al tener que realizar
una inversión mayor de mantenimiento y reparaciones.
𝑉𝑖 − 𝑉𝜇 + 𝑉𝑜 = 0 → 𝑉𝜇 = 𝑉𝑖 + 𝑉𝑜
𝑉𝑜
𝐴𝑣 = → 𝑉𝑜 = 𝑉𝑖 𝐴𝑣
𝑉𝑖
𝑉𝜇 = 𝑉𝑖 + 𝑉𝑖 𝐴𝑣 = 𝑉𝑖 (1 + 𝐴𝑣)
𝐶𝑀 = 𝐶𝜇 (1 + 𝐴𝑣)
𝐶𝑇𝑂𝑇𝐴𝐿 = 𝐶𝑀 + 𝐶𝜋
31. Teorema de Máxima Transferencia de Potencia
El teorema establece que una carga debe recibir una potencia máxima de una red
lineal bilateral cuando su valor resistivo total sea exactamente igual a la resistencia
de Thévenin de la red.
𝑃𝐿 𝑀𝐴𝑋 → 𝑅𝑇𝐻 /𝑅𝑁 /𝑅𝑆 = 𝑅𝐿
𝑉𝐿2
𝑃𝐿 = 𝑉𝐿 𝐼 = [𝑊]
𝑅𝐿
𝐸𝑇𝐻 𝑅𝐿
𝑉𝐿 =
𝑅𝐿 + 𝑅𝑇𝐻
𝐸 𝑅𝐿 2
(𝑅 𝑇𝐻 ) 2
𝐸𝑇𝐻 𝑅𝐿
𝐿 + 𝑅𝑇𝐻
𝑃𝐿 = =
𝑅𝐿 (𝑅𝐿 + 𝑅𝑇𝐻 )2
ETH [V] RTH [Ω] RL [Ω] PL [W]
60 9 7 98.44
60 9 8 99.65
60 9 9 100
60 9 10 99.72
60 9 11 99
- Limitadores Polarizados
o Sujetadores con Diodos: Permite trasladar la señal AC y modificar los
valores de voltaje manteniendo la forma de la señal
- Sujetador Positivo
- Sujetador Negativo
𝑅2
𝑉𝑠𝑎𝑙 = 𝑉1 ( ) [𝑉]
𝑅1 + 𝑅2
• Divisor de Corriente
Un divisor de corriente es un circuito en donde se reparte la corriente del circuito
entre una o más impedancias conectadas. Para los elementos en paralelo de
distintos valores la corriente se distribuye según una razón igual a la inversa de
sus valores de resistencia, es decir, que mientras menor sea la resistencia, mayor
será el valor de corriente sobre ella.
𝑅𝑇 𝑅2
𝐼1 = 𝐼𝑇 ( ) → 𝐼1 = 𝐼𝑇 ( )
𝑅1 𝑅1 + 𝑅2
𝑅𝑇 𝑅1
𝐼2 = 𝐼𝑇 ( ) → 𝐼2 = 𝐼𝑇 ( )
𝑅2 𝑅1 + 𝑅2
1 𝑇 2
𝑉𝑅𝑀𝑆 = √ ∫ (𝑣(𝑡)) 𝑑𝑡
𝑇 0
2
1 2𝜋 2 2
𝑉𝑅𝑀𝑆 = ∫ 𝑉𝑚 𝑠𝑒𝑛2 (𝜔𝑡)𝑑𝑡 → 𝑉𝑅𝑀𝑆
2𝜋 0
𝑉𝑚2 2𝜋 1 1
= ∫ [ − cos(𝜔𝑡)] 𝑑𝑡
2𝜋 0 2 2
2
𝑉𝑚2 𝑡 2𝜋 𝜔 𝜋
𝑉𝑅𝑀𝑆 = [( ) | − ( 𝑠𝑒𝑛(𝜔𝑡)) | ]
2𝜋 2 0 2 0
2
𝑉𝑚2 2𝜋 𝜔 𝜔
𝑉𝑅𝑀𝑆 = [ − ( 𝑠𝑒𝑛(2𝜋𝜔) − 𝑠𝑒𝑛(0))]
2𝜋 2 2 2
2
𝑉𝑚2 𝑉𝑚2
𝑉𝑅𝑀𝑆 = [𝜋] → 𝑉𝑅𝑀𝑆 = √
2𝜋 2
𝑉𝑚
𝑉𝑅𝑀𝑆 = = 0.707𝑉𝑚
√2
• Teorema de Thévenin
El teorema establece que cualquier red de corriente directa lineal bilateral de dos
terminales puede ser reemplazada por un circuito equivalente que consta de una
fuente de voltaje, Eth, y una resistencia en serie, Rth.
1) Se debe de retirar la porción de red a través de la cual el circuito
equivalente de Thévenin va a ser encontrado, y se marcan las terminales
de la red restante.
2) Se calcula Rth estableciendo las fuentes en cero y se encuentra la
resistencia resultante entre las terminales marcadas.
3) Se calcula Eth regresando las fuentes a sus posiciones originales y se
encuentra el voltaje de circuito abierto entre terminales.
• Teorema de Norton
El teorema establece que toda red lineal bilateral de dos terminales puede ser
reemplazada por un circuito equivalente que consista en una fuente de corriente,
IN, y un resistor en paralelo, RN.
1) Se debe de retirar la porción de red a través de la cual el circuito
equivalente de Norton va a ser encontrado, y se marcan las terminales de la
red restante.
2) Se calcula RN estableciendo las fuentes en cero y se encuentra la
resistencia resultante entre las terminales marcadas.
3) Se calcula IN regresando las fuentes a sus posiciones originales y se
encuentra la corriente en corto circuito entre las terminales marcadas.
• Teorema de Millman
El teorema establece que cualquier número de fuentes de voltaje en paralelo
puede ser reducido a una única fuente.
1) Convertir todas las fuentes de voltaje a fuentes de corriente con sus
respectivas resistencias.
2) Combinar todas las fuentes de corriente en paralelo.
3) Convertir la fuente de corriente resultante a una fuente de voltaje.
±𝐸1 𝐺1 ± 𝐸2 𝐺2 ± 𝐸3 𝐺3 ± ⋯ ± 𝐸𝑁 𝐺𝑁
𝐸𝑀 =
𝐺1 + 𝐺2 + 𝐺3 + ⋯ + 𝐺𝑁
1 1
𝑅𝑀 = =
𝐺𝑇 𝐺1 + 𝐺2 + 𝐺3 + ⋯ + 𝐺𝑁
• Teorema de Reciprocidad
El teorema establece que la corriente I en cualquier rama de una red con una
única fuente de voltaje E, localizada en cualquier otra parte de la red, esta será
igual a la corriente a través de la rama en la que se encontraba la fuente
originalmente localizada si la fuente es colocada en la rama donde la corriente I se
midió originalmente. Es decir, se pueden de cambiar de posición la medición de
corriente con la fuente de voltaje del circuito.
• Teorema de Sustitución
El teorema establece que, si el voltaje y la corriente a través de cualquier rama de
una red bilateral son conocidos, esta rama puede ser reemplazada por cualquier
combinación de elementos que mantenga el mismo voltaje o corriente.
𝑉𝐿2
𝑃𝐿 = 𝑉𝐿 𝐼 = [𝑊]
𝑅𝐿
𝐸𝑇𝐻 𝑅𝐿
𝑉𝐿 =
𝑅𝐿 + 𝑅𝑇𝐻
𝐸 𝑅𝐿 2
(𝑅 𝑇𝐻
+ 𝑅𝑇𝐻 ) 2
𝐸𝑇𝐻 𝑅𝐿
𝑃𝐿 = 𝐿 =
𝑅𝐿 (𝑅𝐿 + 𝑅𝑇𝐻 )2
45. Semiconductores
Elementos cuya conductividad se encuentra entra la de un material conductor y
uno aislante, capaz de formar enlaces compartiendo electrones de valencia. Los
semiconductores dependen de un potencial mínimo para realizar una transferencia
de electrones a diferencia de un material aislante que posee una brecha de
energía alta o un conductor cuya banda de conducción y banda de valencia se
traslapan.
• Clasificación
o Cristales: Silicio, Germanio.
o Compuestos: Arseniuro de Galio, Sulfuro de Cadmio.
• Tipo de Materiales
o Intrínsecos: Materiales puros, sin estar dopado de otros elementos.
o Extrínsecos: Materiales dopados con otros compuestos e
impurezas.
▪ Materiales Tipo P: Materiales que poseen como portador
mayoritario de huecos, debido a estar dopado con átomos
trivalentes como el boro, galio e indio, conocidos como
átomos receptores.
▪ Materiales Tipo N: Materiales que poseen como portador
mayoritario electrones, debido a estar dopado con átomos
pentavalentes como el fósforo, arsénico y antimonio,
conocidos como átomos donadores.
47. Resistencia
La resistencia se define como el impedimento de la corriente que atraviesa a
través de un material. Este fenómeno se debe a fuerzas opuesta al movimiento de
electrones provocada por colisiones con otros electrones u otros átomos en el
material. Estas fuerzas producen una conversión de energía eléctrica a energía
térmica.
La resistencia de un material se define mediante 4 factores:
1) Tipo de Material: A mayor resistividad (ρ), mayor resistencia presenta el
material.
2) Longitud: A mayor longitud (l), mayor resistencia presenta el material.
3) Área transversal: A mayor área (A), menor resistencia presenta el
material.
4) Temperatura: A mayor temperatura (T), mayor resistencia presenta el
material.
𝜌𝑙
𝑅= [𝛺]
𝐴
Las resistencias fijas utilizadas en un circuito se encuentran fabricadas
comúnmente de carbono y se identifican con un código de colores con la finalidad
de conocer su valor de resistencia y tolerancia.
∑𝑉 = 0
• Transformación Δ-Y
o Nodo 12
𝑅12 (Δ) = 𝑅12 (𝑌) = 𝑅12
𝑅12 = 𝑅𝑏 ||(𝑅𝑎 + 𝑅𝑐 ) = 𝑅1 + 𝑅3
𝑅𝑏 (𝑅𝑎 + 𝑅𝑐 )
𝑅12 = = 𝑅1 + 𝑅3
𝑅𝑏 + 𝑅𝑎 + 𝑅𝑐
o Nodo 13
𝑅13 (Δ) = 𝑅13 (𝑌) = 𝑅13
𝑅13 = 𝑅𝑐 ||(𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 ) = 𝑅1 + 𝑅2
𝑅𝑐 (𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 )
𝑅13 = = 𝑅1 + 𝑅2
𝑅𝑐 + 𝑅𝑎 + 𝑅𝑏
o Nodo 23
𝑅23 (Δ) = 𝑅23 (𝑌) = 𝑅23
𝑅23 = 𝑅𝑎 ||(𝑅𝑏 + 𝑅𝑐 ) = 𝑅2 + 𝑅3
𝑅𝑎 (𝑅𝑏 + 𝑅𝑐 )
𝑅23 = = 𝑅2 + 𝑅3
𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐
o Nodo 12 – Nodo 23
𝑅12 − 𝑅23 = 𝑅1 + 𝑅3 − 𝑅2 − 𝑅3 = 𝑅1 − 𝑅2
𝑅𝑏 𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 𝑅𝑐 𝑅𝑎 𝑅𝑏 + 𝑅𝑎 𝑅𝑐 𝑅𝑏 𝑅𝑐 − 𝑅𝑎 𝑅𝑐
𝑅1 − 𝑅2 = − =
𝑅𝑏 + 𝑅𝑎 + 𝑅𝑐 𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐 𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐
o (Nodo 12 – Nodo 23) + Nodo 13
𝑅12 − 𝑅23 + 𝑅13 = 𝑅1 − 𝑅2 ∓ 𝑅1 + 𝑅2 = 2𝑅1
𝑅𝑏 𝑅𝑐 − 𝑅𝑎 𝑅𝑐 𝑅𝑐 𝑅𝑎 + 𝑅𝑐 𝑅𝑏 2𝑅𝑏 𝑅𝑐
2𝑅1 = + =
𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐 𝑅𝑐 + 𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 𝑅𝑐 + 𝑅𝑎 + 𝑅𝑏
𝑅𝑏 𝑅𝑐
𝑅1 =
𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐
o Nodo 13 - (Nodo 12 – Nodo 23)
𝑅13 − (𝑅12 − 𝑅23 ) = 𝑅1 + 𝑅2 − 𝑅1 + 𝑅2 = 2𝑅2
𝑅𝑐 𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 𝑅𝑐 𝑅𝑏 𝑅𝑐 − 𝑅𝑎 𝑅𝑐 2𝑅𝑎 𝑅𝑐
2𝑅2 = − =
𝑅𝑐 + 𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐 𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐
𝑅𝑎 𝑅𝑐
𝑅2 =
𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐
o Nodo 12 – R1
𝑅12 − 𝑅1 = 𝑅1 + 𝑅3 − 𝑅1 = 𝑅3
𝑅𝑏 𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 𝑅𝑐 𝑅𝑏 𝑅𝑐
𝑅3 = −
𝑅𝑏 + 𝑅𝑎 + 𝑅𝑐 𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐
𝑅𝑎 𝑅𝑏
𝑅3 =
𝑅𝑏 + 𝑅𝑎 + 𝑅𝑐
𝑅𝑏 𝑅𝑐 𝑅𝑎 𝑅𝑐 𝑅𝑎 𝑅𝑏
𝑅1 = ; 𝑅2 = ; 𝑅3 =
𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐 𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐 𝑅𝑏 + 𝑅𝑎 + 𝑅𝑐
• Transformación Y-Δ
o R1R2
𝑅𝑏 𝑅𝑐 𝑅𝑎 𝑅𝑐 𝑅𝑎 𝑅𝑏 𝑅𝑐2
𝑅1 𝑅2 = ∗ =
𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐 𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐 (𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐 )2
o R1R3
𝑅𝑏 𝑅𝑐 𝑅𝑎 𝑅𝑏 𝑅𝑎 𝑅𝑏2 𝑅𝑐
𝑅1 𝑅3 = ∗ =
𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐 𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐 (𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐 )2
o R2R3
𝑅𝑎 𝑅𝑐 𝑅𝑎 𝑅𝑏 𝑅𝑎2 𝑅𝑏 𝑅𝑐
𝑅2 𝑅3 = ∗ =
𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐 𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐 (𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐 )2
o R1R2+R1R3+R2R3
𝑅𝑎2 𝑅𝑏 𝑅𝑐 + 𝑅𝑎 𝑅𝑏2 𝑅𝑐 + 𝑅𝑎 𝑅𝑏 𝑅𝑐2 𝑅𝑎 𝑅𝑏 𝑅𝑐 (𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐 )
𝑅1 𝑅2 + 𝑅1 𝑅3 + 𝑅2 𝑅3 = =
(𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐 )2 (𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐 )2
𝑅𝑎 𝑅𝑏 𝑅𝑐
𝑅1 𝑅2 + 𝑅1 𝑅3 + 𝑅2 𝑅3 =
𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐
o R1R2+R1R3+R2R3\R1
𝑅𝑎 𝑅𝑏 𝑅𝑐
(𝑅1 𝑅2 + 𝑅1 𝑅3 + 𝑅2 𝑅3 ) 𝑅 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐
= 𝑎 = 𝑅𝑎
𝑅1 𝑅𝑏 𝑅𝑐
𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐
𝑅1 𝑅2 + 𝑅1 𝑅3 + 𝑅2 𝑅3
𝑅𝑎 =
𝑅1
o R1R2+R1R3+R2R3\R2
𝑅𝑎 𝑅𝑏 𝑅𝑐
(𝑅1 𝑅2 + 𝑅1 𝑅3 + 𝑅2 𝑅3 ) 𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐
= = 𝑅𝑐
𝑅2 𝑅𝑎 𝑅𝑐
𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐
𝑅1 𝑅2 + 𝑅1 𝑅3 + 𝑅2 𝑅3
𝑅𝑏 =
𝑅2
o R1R2+R1R3+R2R3\R3
𝑅𝑎 𝑅𝑏 𝑅𝑐
(𝑅1 𝑅2 + 𝑅1 𝑅3 + 𝑅2 𝑅3 ) 𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐
= = 𝑅𝑐
𝑅3 𝑅𝑏 𝑅𝑎
𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 + 𝑅𝑐
𝑅1 𝑅2 + 𝑅1 𝑅3 + 𝑅2 𝑅3
𝑅𝑐 =
𝑅3
𝑅1 𝑅2 + 𝑅1 𝑅3 + 𝑅2 𝑅3 𝑅1 𝑅2 + 𝑅1 𝑅3 + 𝑅2 𝑅3 𝑅1 𝑅2 + 𝑅1 𝑅3 + 𝑅2 𝑅3
𝑅𝑎 = ; 𝑅𝑏 = ; 𝑅𝑐 =
𝑅1 𝑅2 𝑅3
50. MOSFET
Un MOSFET es un transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico
el cual se caracteriza por tener una compuerta aislada del canal mediante una
capa de bióxido de silicio.
• MOSFET de enriquecimiento (E-MOSFET)
MOSFET sin canal estructural. En el caso de un MOSFET con canal n, un voltaje
positivo arriba del umbral induce un canal al crear una delgada capa de cargas
negativas en la región del sustrato adyacente a la capa de bióxido de silicio.
• Termistor
Un termistor es un elemento de detección de temperatura compuesto por material
semiconductor que presenta un gran cambio en la resistencia en proporción a un
cambio en la temperatura. Los termistores se fabrican con una mezcla de metales
y materiales de óxido metálico. Existen 2 tipos de sensores según su coeficiente
de temperatura los NTC (coeficiente de temperatura negativo), en el cual conforme
la temperatura aumenta, la resistencia en el termistor disminuye;
y PTC (coeficiente de temperatura positivo), los cuales presentan una mayor
resistencia cuando aumenta la temperatura.
• Termocupla
Sensor de temperatura simple el cual posee un amplio rango de medición. Está
constituido por dos metales diferentes, unidos en uno de sus extremos, de manera
que al calentar o enfriar dicha unión, se genera una tensión que es proporcional a
la temperatura que se busca mesurar. Esta tensión se genera por el diferencial
de densidades de los dos electrodos (el de metal A y el de metal B), así como por
la diferencia de temperatura en los puntos fríos y calientes del termopar.
• Diferencias
o La termocupla nos permite obtener una medición directa de la
temperatura en la cual se desea realizar la medición, mientras que
un termistor únicamente permite comparar un umbral específico de
temperatura debido a su cambio de resistencia.
o La termocupla permite conocer variaciones pequeñas de
temperatura con mayor facilidad y precisión mientras que un
termistor suele requerir un mayor cambio para registrar un cambio en
su resistencia.
1 𝑡
𝑣𝑖𝑛 (𝑡) = 𝑅𝑖(𝑡) + ∫ 𝑖(𝑇)𝑑𝑇 ; 𝑣𝑜𝑢𝑡 (𝑡) = 𝑅𝑖(𝑡)
𝐶 0
1 𝑡
ℒ{𝑣𝑖𝑛 (𝑡)} = ℒ {𝑅𝑖(𝑡) + ∫ 𝑖(𝑇)𝑑𝑇}
𝐶 0
1
= 𝑅𝐼(𝑠) + 𝐼(𝑠)
𝑠𝐶
ℒ{𝑣𝑜𝑢𝑡 (𝑡)} = ℒ{𝑅𝑖(𝑡)} = 𝑅𝐼(𝑠)
1
𝑉𝑜𝑢𝑡 (𝑠) 𝑅𝐼(𝑠) 𝑅 𝑅 𝑠𝑅𝐶 𝑅𝐶
𝐻(𝑠) = = = = = ∗
𝑉𝑖𝑛 (𝑠) 1 1 𝑠𝑅𝐶 + 1 𝑠𝑅𝐶 + 1 1
𝐼(𝑠) [𝑅 + 𝑠𝐶 ] 𝑅 + 𝑠𝐶 𝑠𝐶 𝑅𝐶
𝑠 𝑠
𝐻(𝑠) = →
1
𝑠 + 𝑅𝐶 𝑠 + 𝜔𝑐
1 𝑡 𝑑𝑖(𝑡) 1
ℒ{𝑣𝑖𝑛 (𝑡)} = ℒ {𝑅𝑖(𝑡) + ∫ 𝑖(𝑇)𝑑𝑇 + 𝐿 } = 𝑅𝐼(𝑠) + 𝐼(𝑠) + 𝑠𝐿𝐼(𝑠)
𝐶 0 𝑑𝑡 𝑠𝐶
1 𝑡 𝑑𝑖(𝑡) 1
ℒ{𝑣𝑜𝑢𝑡 (𝑡)} = ℒ { ∫ 𝑖(𝑇)𝑑𝑇 + 𝐿 }= 𝐼(𝑠) + 𝑠𝐿𝐼(𝑠)
𝐶 0 𝑑𝑡 𝑠𝐶
1 1 1
𝑉𝑜𝑢𝑡 (𝑠) 𝐼(𝑠) [𝑠𝐶 + 𝑠𝐿] + 𝑠𝐿 + 𝑠𝐿
𝐻(𝑠) = = = 𝑠𝐶 = 𝑠𝐶
𝑉𝑖𝑛 (𝑠) 1 1 𝑠𝑅𝐶 + 1 + 𝑠 2 𝐿𝐶
𝐼(𝑠) [𝑅 + 𝑠𝐶 + 𝑠𝐿] 𝑅 + 𝑠𝐶 + 𝑠𝐿
𝑠𝐶
1 1
𝑉𝑜𝑢𝑡 (𝑠) 𝑠 2 𝐿𝐶 + 1 𝑠 2 + 𝐿𝐶
𝐻(𝑠) = = 2 ∗ 𝐿𝐶 =
𝑉𝑖𝑛 (𝑠) 𝑠 𝐿𝐶 + 𝑠𝑅𝐶 + 1 1 2 𝑅 1
𝐿𝐶 𝑠 + 𝑠 𝐿 + 𝐿𝐶
1
𝑠 2 + 𝐿𝐶 𝑠 2 + 𝜔𝑐2
𝐻(𝑠) = → 2
𝑅 1 2
𝑠 2 + 𝑠 𝐿 + 𝐿𝐶 𝑠 + 𝑠(𝐵𝑊) + 𝜔𝑐
𝑞1 𝑞2
𝐹=𝑘 [𝑁] → 𝐿𝑒𝑦 𝑑𝑒 𝐶𝑜𝑢𝑙𝑜𝑚𝑏
𝑟2
➢ Donde:
𝐹 → 𝐹𝑢𝑒𝑟𝑧𝑎 𝑒𝑙é𝑐𝑡𝑟𝑖𝑐𝑎 𝑑𝑒 𝑎𝑡𝑟𝑎𝑐𝑐𝑖ó𝑛 𝑜 𝑟𝑒𝑝𝑢𝑙𝑠𝑖ó𝑛 [𝑁]
𝑚2
𝑘 → 𝐶𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑝𝑟𝑜𝑝𝑜𝑟𝑐𝑖𝑜𝑛𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒𝑙 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑜 (9 ∗ 109 [𝑁 ∙ ] 𝑒𝑛 𝑒𝑙 𝑣𝑎𝑐í𝑜)
𝐶2
𝑞1 & 𝑞2 → 𝐶𝑎𝑟𝑔𝑎𝑠 𝑝𝑢𝑛𝑡𝑢𝑎𝑙𝑒𝑠 [𝐶]
𝑟 → 𝑆𝑒𝑝𝑎𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑒 𝑙𝑎𝑠 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎𝑠 𝑝𝑢𝑛𝑡𝑢𝑎𝑙𝑒𝑠 [𝑚]
58. Ley de Ampere
La ley de Ampere es una de las leyes fundamentales de la electrodinámica clásica
creada por André Marie Ampere en 1826 y se puede resumir en las siguientes
conclusiones:
1) La circulación del campo magnético de corrientes constantes a lo largo de
cualquier circuito cerrado es proporcional a la suma de las fuerzas de las
corrientes que atraviesan la superficie del circuito.
2) Si se utiliza corriente continua, el campo magnético es continuo.
3) Si se utiliza corriente alterna, el campo magnético es alterno.
⃑ ∙ 𝑑𝑙 = 𝜇 ∙ ∑ 𝐼 → 𝐿𝑒𝑦 𝑑𝑒 𝐴𝑚𝑝𝑒𝑟𝑒
∮𝐵
➢ Donde:
𝐵 → 𝐷𝑒𝑛𝑠𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒 𝑓𝑙𝑢𝑗𝑜 𝑚𝑎𝑔𝑛é𝑡𝑖𝑐𝑜
𝐻
𝜇 → 𝑃𝑒𝑟𝑚𝑒𝑎𝑏𝑖𝑙𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒𝑙 𝑒𝑠𝑝𝑎𝑐𝑖𝑜 (4𝜋 ∗ 10−7 [ ] 𝑒𝑛 𝑒𝑙 𝑣𝑎𝑐í𝑜)
𝑚
𝐼 → 𝐶𝑜𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑎 𝑙𝑜 𝑙𝑎𝑟𝑔𝑜 𝑑𝑒𝑙 𝑐𝑖𝑟𝑐𝑢𝑖𝑡𝑜
𝑑𝑙 → 𝐷𝑖𝑓𝑒𝑟𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎𝑙 𝑑𝑒𝑙 𝑙𝑎𝑟𝑔𝑜 𝑑𝑒𝑙 𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑚𝑎 𝑑𝑜𝑛𝑑𝑒 𝑠𝑒 𝑚𝑜𝑣𝑖𝑙𝑖𝑧𝑎 𝑙𝑎 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒
59. Ley de Gauss
El teorema de Gauss es una ley enunciada por el matemático alemán Karl
Friederich Gauss establece que el flujo de campo eléctrico que atraviesa una
superficie cerrada es igual a la carga neta situada en su interior dividida por la
constante dieléctrica del medio.
𝑄
𝜙𝐸 = ∮ 𝐸⃑ ∙ 𝑑𝑆 = → 𝐿𝑒𝑦 𝑑𝑒 𝐺𝑎𝑢𝑠𝑠
𝑆 𝜀
➢ Donde:
𝜙𝐸 → 𝐹𝑙𝑢𝑗𝑜 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎
𝐸 → 𝐼𝑛𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒𝑙 𝑐𝑎𝑚𝑝𝑜 𝑒𝑙é𝑐𝑡𝑟𝑖𝑐𝑜
𝑑𝑆 → 𝐷𝑖𝑓𝑒𝑟𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎𝑙 𝑑𝑒𝑙 𝑣𝑒𝑐𝑡𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝑠𝑢𝑝𝑒𝑟𝑓𝑖𝑐𝑖𝑒
𝑄 → 𝐶𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑒𝑛𝑐𝑒𝑟𝑟𝑎𝑑𝑎
𝜀 → 𝐶𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑖𝑒𝑙é𝑐𝑡𝑟𝑖𝑐𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑚𝑎𝑡𝑒𝑟𝑖𝑎𝑙
𝜇0 𝐼 𝑑𝑙 × 𝑢
⃑
⃑ =
𝐵 ∫
4𝜋 𝐿 𝑟2
➢ Donde:
𝐵 → 𝐷𝑒𝑛𝑠𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒 𝑓𝑙𝑢𝑗𝑜 𝑚𝑎𝑔𝑛é𝑡𝑖𝑐𝑜
𝐻
𝜇 → 𝑃𝑒𝑟𝑚𝑒𝑎𝑏𝑖𝑙𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒𝑙 𝑒𝑠𝑝𝑎𝑐𝑖𝑜 (4𝜋 ∗ 10−7 [ ] 𝑒𝑛 𝑒𝑙 𝑣𝑎𝑐í𝑜)
𝑚
𝐼 → 𝐼𝑛𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑞𝑢𝑒 𝑐𝑖𝑟𝑐𝑢𝑙𝑎 𝑝𝑜𝑟 𝑒𝑙 ℎ𝑖𝑙𝑜
𝑑𝑙 → 𝑉𝑒𝑐𝑡𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝑑𝑖𝑟𝑒𝑐𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑖𝑛𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒
⃑
𝑢𝑟 → 𝑉𝑒𝑐𝑡𝑜𝑟 𝑢𝑛𝑖𝑡𝑎𝑟𝑖𝑜 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑒 𝑒𝑙 𝑒𝑙𝑒𝑚𝑒𝑛𝑡𝑜 𝐼𝑑𝑙 𝑦 𝑒𝑙 𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜 𝑃 𝑑𝑒 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒𝑙 𝑐𝑎𝑚𝑝𝑜 𝐵
61. Modulación AM: Funcionamiento, Ancho de Banda.
En la modulación en amplitud (AM) se emplean dos señales: la señal que contiene
la información la cual se denomina señal moduladora, y una señal constante
controlada de una frecuencia alta la cual evita la pérdida de información durante la
transmisión en un medio, conocida como señal portadora. En este proceso, la
amplitud de la señal portadora varía en torno a las variaciones en la señal
moduladora, permitiendo envolver la señal portadora entre la señal moduladora.
• Ancho de Banda
El ancho de banda de una modulación AM se encuentra definido por la suma y
diferencia entre la frecuencia portadora y la frecuencia moduladora. La frecuencia
portadora indica la frecuencia central de corte la cual el sintonizador desea captar,
y los límites superior e inferior, resultante de la operación entre la frecuencia
portadora y la frecuencia moduladora, establecen la transmisión de la información
que corresponde entre esos parámetros.
𝐵𝑊 = (𝑓𝑃𝑜𝑟𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟𝑎 + 𝑓𝑀𝑜𝑑𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜𝑟𝑎 ) − (𝑓𝑃𝑜𝑟𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟𝑎 − 𝑓𝑀𝑜𝑑𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜𝑟𝑎 ) = 2𝑓𝑀𝑜𝑑𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜𝑟𝑎
La radio AM ofrece más cobertura que la radio FM, aunque con ancho de
banda más reducido. Considerando que la frecuencia moduladora comúnmente
utilizada en la transmisión de información en AM es de 4.5 KHz, debido a la
transmisión de frecuencias bajas, es posible calcular el ancho de banda:
𝐵𝑊 = 2𝑓𝑀𝑜𝑑𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜𝑟𝑎 = (2)(4.5 𝑘𝐻𝑧) = 9 𝑘𝐻𝑧
en el caso de la radio comercial se implementa un margen de 0.5 kHz en cada
extremo de este ancho de banda con la finalidad de no interferir entre distintas
emisoras lo cual produce un ancho de banda total de 10 KHz.
Las frecuencias portadoras en la radio AM se encuentran en un rango de 540 kHz
a 1600 KHz con un ancho de banda de 10 kHz, produciendo un total de 106
emisoras a sintonizar.
• Índice de Modulación AM
El índice de modulación indica el nivel de manipulación o profundidad de la
amplitud de la señal moduladora, durante la producción de la señal modulada. Se
busca tener una modulación aproximada a 1, evitando que se atenúe con ruido
con un índice de modulación muy bajo y evitando la pérdida de información debido
a una sobre modulación con un índice superior a 1.
𝑉𝑀𝐴𝑋 − 𝑉𝑀𝐼𝑁
Í𝑛𝑑𝑖𝑐𝑒 𝑑𝑒 𝑚𝑜𝑑𝑢𝑙𝑎𝑐𝑖ó𝑛 (𝑚) =
𝑉𝑀𝐴𝑋 + 𝑉𝑀𝐼𝑁
En el caso del dominio de la frecuencia, se analiza a partir del ancho de banda y la
amplitud de la señal modulada, a partir de las propiedades de la se señal
moduladora, mientras mayor amplitud posea esta señal en un espectro de
potencia se distribuye en las bandas laterales, presentando un ancho de banda
determinado y reducido al acercarse a tener un índice igual a 1. En el caso de la
modulación se presenta una densidad de potencia el cual se distribuye a lo largo
del espectro de frecuencia, incrementando el ancho de banda lo cual puede
producir la superposición de la transmisión de señal con otra la cual viaja a una
frecuencia correspondiente.
𝑚2 𝑃𝑝𝑜𝑟𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟𝑎
𝑃𝑚𝑜𝑑𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜𝑟𝑎 = [𝑊]
4
62. Modulación FM: Funcionamiento, Ancho de Banda.
La modulación de frecuencia (FM) consiste en variar la frecuencia de la onda
portadora de acuerdo con la intensidad de la onda de información. La amplitud de
la onda modulada es constante e igual que la de la onda portadora. Debido a que
los ruidos o interferencias alteran la amplitud de la onda, no afecta a la información
transmitida en FM, puesto que la información se extrae de la variación de
frecuencia y no de la amplitud, que es constante. Como consecuencia de estas
características de modulación podemos observar cómo la calidad de sonido o
imagen es mayor cuando modulamos en frecuencia que cuando lo hacemos en
amplitud.
• Desviación de Frecuencia Δf
Es el máximo cambio de frecuencia que puede experimentar la frecuencia de la
señal portadora. Es una medición fundamental utilizada a la hora de conocer el
ancho de banda en una señal modulada en FM.
• Índice de Modulación FM
El índice de modulación indica el nivel de manipulación de la frecuencia de la
señal moduladora, durante la producción de la señal modulada. A diferencia del
índice de modulación AM, este puede presentar valores diferentes a 1.
𝛥𝑓
Í𝑛𝑑𝑖𝑐𝑒 𝑑𝑒 𝑚𝑜𝑑𝑢𝑙𝑎𝑐𝑖ó𝑛 (𝑚) =
𝑓𝑀𝑜𝑑𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜𝑟𝑎
En la radio comercial FM, el índice de modulación es de 5. Considerando que la
frecuencia de modulación comúnmente utilizada en la transmisión de información
en FM es de 15 KHz, es posible calcular la desviación de frecuencia con la fórmula
anterior.
𝛥𝑓 = 𝑚 ∗ 𝑓𝑀𝑜𝑑𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜𝑟𝑎 = (5)(15 𝑘𝐻𝑧) = 75 𝑘𝐻𝑧
• Ancho de Banda
El ancho de banda en una señal FM puede ser determinada con el uso de la regla
de Carson, la cual indica que el ancho de banda de la señal es dos veces el ancho
de banda mínimo para transmitir una señal FM, lo cual se representa con la
ecuación:
𝛥𝐵𝑊 = 2(𝛥𝑓 + 𝑓𝑀𝑜𝑑𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜𝑟𝑎 )
El cálculo de desviación de frecuencia nos permite conocer que cada frecuencia
que se puede sintonizar en una radio FM posee un ancho de banda establecida
por la suma de 75 kHz y 15 kHz.
𝛥𝐵𝑊 = 2(75 𝑘𝐻𝑧 + 15 𝑘𝐻𝑧) = 180 𝑘𝐻𝑧
Además, en el caso de la radio comercial se implementa un margen de 10 kHz en
cada extremo de este ancho de banda con la finalidad de no interferir entre
distintas emisoras lo cual produce un ancho de banda total de 200 kHz.
Las frecuencias portadoras en la radio FM se encuentran en un rango de 88.1
MHz a 108.1 MHz con un ancho de banda de 200 kHz, produciendo un total de
100 emisoras a sintonizar.
• Porcentaje de Manipulación FM
El porcentaje de modulación nos permite conocer la relación que existe entre la
desviación de frecuencia que se utiliza para la transmisión de información en
relación con la que se encuentra disponible o permitida a utilizar.
𝛥𝑓𝑈𝑠𝑎𝑑𝑎
% 𝑚𝑜𝑑𝑢𝑙𝑎𝑐𝑖ó𝑛 = ∗ 100%
𝛥𝑓𝑀𝑎𝑥
63. Diferencia entre AM y FM
• Canales
En el caso de la radio AM presenta 106 bandas disponibles a sintonizar entre 540
kHz a 1600 kHz con un ancho de banda entre ellas de 10 kHz, mientras que en la
radio FM se presentan 100 bandas disponibles entre 88 MHz a 108 MHz con un
ancho de banda mayor de 200 kHz entre ellas.
• Cobertura
Considerando utilizar la misma potencia para propagar una señal AM y una señal
FM se puede analizar que la señal AM posee una mayor cobertura que la FM
analizando la longitud de onda que presentan estas señales.
𝑐 3 ∗ 108
𝜆𝐴𝑀 = = = 300 𝑚
𝑓 1 ∗ 106
𝑐 3 ∗ 108
𝜆𝐹𝑀 = = = 3𝑚
𝑓 100 ∗ 106
La longitud de onda nos permite determinar que las señales FM presentan
dificultades a la hora de presentarse obstáculos durante la transmisión de señales,
problema que no ocurre con una señal AM.
• Antena
Al igual que la cobertura, el tamaño de la antena necesaria para la recepción de
señales se analiza a partir de la longitud de onda de estas. En el caso de utilizar
una antena dipolo λ/4 se obtiene:
𝜆𝐴𝑀 300 𝑚
𝐴𝑛𝑡𝑒𝑛𝑎𝐴𝑀 = = = 75 𝑚
4 4
𝜆𝐹𝑀 3 𝑚
𝐴𝑛𝑡𝑒𝑛𝑎𝐹𝑀 = = = 0.75 𝑚
4 4
• Ruido
En el caso de una señal AM el ruido se adiciona a la amplitud de la señal a emitir
produciendo variaciones significativas las cuales generan interferencias a la hora
de ser recibidas e interpretadas. En su lugar, las señales FM emplean como
parámetro de modulación la variación en la frecuencia lo cual permite que las
variaciones de ruido no generen problemas a la hora de ser recibidas.
• Electrónica
La construcción de un transmisor y receptor AM requiere de un menor esfuerzo y
una cantidad reducida de componentes electrónicos a diferencia de un transmisor
y receptor FM debido a la facilidad en la manipulación e interpretación de la
amplitud de la señal en relación con la frecuencia de esta.
En el caso de un receptor AM únicamente es necesario la separación de la
amplitud positiva de la señal, reconocer los valores máximos con el uso de la
carga y descarga de un capacitor y la amplificación de la señal con la finalidad de
interpretar el mensaje de la señal. Este proceso se le conoce como la fabricación
de una radio galena.
𝑛2
𝜃𝐶 = 𝑠𝑒𝑛−1 ( )
𝑛1
Existen dos tipos principales de fibra óptica:
• Fibra Monomodo: Estas fibras sólo transmiten una única señal lumínica y
pueden transmitir información a distancia desde 100 km hasta 200 km,
luego de esto es necesario el uso de un amplificador debido a la atenuación
que se puede presentar debido a impurezas en el vidrio o cambios en los
índices de refracción debido a daños o empalmes realizados.
• Fibra Multimodo: Estas fibras transmiten varias señales a través de
diferentes frecuencias a lo largo de unos 16 km hasta que sea necesario el
uso de un amplificador. Poseen un mayor grosor y presentan un mayor
costo al compararlo con una fibra monomodo.
𝜕𝑎 𝜕𝑎 𝜕𝑎
𝛻𝑎(𝑥, 𝑦, 𝑧) = 𝑖⃗ + 𝑗⃗ + ⃑⃗
𝑘
𝜕𝑥 𝜕𝑦 𝜕𝑧
• Divergencia: El gradiente marca la variación de la densidad de vectores de
campo y se representa como un escalar. Indica una tendencia de
propagación del campo a analizar y se obtiene mediante una multiplicación
punto con el operador nabla ∇. La dirección de las líneas de divergencia
establece si esta es negativa (sumidero), positiva (fuente) o nula.
𝜕𝑎 𝜕𝑎 𝜕𝑎
𝛻 ∙ 𝐴⃗(𝑥, 𝑦, 𝑧) = + +
𝜕𝑥 𝜕𝑦 𝜕𝑧
• Rotacional: El rotacional muestra la tendencia de un campo vectorial a
inducir una rotación o giro alrededor de un punto y se obtiene mediante una
multiplicación cruz con el operador nabla ∇ lo cual nos permite obtener
como resultado otro vector.
𝑖⃗ ⃑⃗
−𝑗⃗ 𝑘
𝜕 𝜕 𝜕|
𝛻 × 𝐴⃗ = || |
𝜕𝑥 𝜕𝑦 𝜕𝑧
𝐴𝑥 𝐴𝑦 𝐴𝑧
69. Ecuaciones de Maxwell: Forma Integral y Diferencial
Las leyes de Maxwell establecen los parámetros en los cuales una señal
electromagnética se puede considerar estable.
• Ley de Gauss para el Campo Eléctrico: Esta ley define que las fuentes
del campo eléctrico son las cargas eléctricas y que el campo eléctrico
diverge en las cargas positivas y converge en las cargas negativas. El flujo
de campo eléctrico que atraviesa una superficie cerrada es igual a la carga
neta situada en su interior dividida por la constante dieléctrica del medio.
𝜌
⃑⃑⃑⃗
∇ ∙ 𝐸⃑⃗ = (𝐹𝑜𝑟𝑚𝑎 𝐷𝑖𝑓𝑒𝑟𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎𝑙)
𝜖0
𝑄
∮ 𝐸⃑⃗ 𝑑𝐴⃗ = (𝐹𝑜𝑟𝑚𝑎 𝐼𝑛𝑡𝑒𝑔𝑟𝑎𝑙)
𝜖0
• Ley de Gauss para el Campo Magnético: Esta ley establece que la
divergencia del campo magnético en cualquier punto en el vacío es igual a
0, debido a que las líneas del campo magnético se cierran sobre sí mismas.
En un cuerpo magnético no existe fuentes o sumideros, las líneas de
campo magnético mantienen una trayectoria cerrada.
⃑⃑⃑⃗
∇ ∙ 𝐵⃑⃗ = 0 (𝐹𝑜𝑟𝑚𝑎 𝐷𝑖𝑓𝑒𝑟𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎𝑙)
• Ley de Faraday: Esta ley plantea la relación del rotacional del campo
eléctrico, que marca la tendencia del campo a inducir líneas de este
alrededor de la variación del campo magnético a través del tiempo. Esto
produce un campo eléctrico a partir de un campo magnético variable con
una divergencia nula.
⃑⃗
𝜕𝐵
⃑⃑⃑⃗
∇ × 𝐸⃑⃗ = (𝐹𝑜𝑟𝑚𝑎 𝐷𝑖𝑓𝑒𝑟𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎𝑙)
𝜕𝑡
𝑑
∮ 𝐸⃑⃗ 𝑑𝑙⃗ = − ⃑⃗ 𝑑𝑆⃗ (𝐹𝑜𝑟𝑚𝑎 𝐼𝑛𝑡𝑒𝑔𝑟𝑎𝑙)
∫𝐵
𝑑𝑡
• Ley de Ampere-Maxwell: Esta ley plantea que el rotacional del campo
magnético en cada punto del espacio depende de la densidad de corriente
eléctrica y la variación temporal del campo eléctrico. Es decir, es posible
encontrar un campo magnético donde se encuentre presente una corriente
o un campo eléctrico variable.
𝜕𝐸⃑⃗
⃑⃑⃑⃗
∇ × 𝐵⃑⃗ = 𝜇0 𝑗⃗ + 𝜇0 𝜖0 (𝐹𝑜𝑟𝑚𝑎 𝐷𝑖𝑓𝑒𝑟𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎𝑙)
𝜕𝑡
𝑑
⃑⃗ 𝑑𝑙⃗ = 𝜇0 ∫ 𝐽⃗ 𝑑𝑆 + 𝜇0 𝜖0
∮𝐵 ∫ 𝐸⃑⃗ 𝑑𝑆⃗ (𝐹𝑜𝑟𝑚𝑎 𝐼𝑛𝑡𝑒𝑔𝑟𝑎𝑙)
𝑑𝑡
𝑄 = ∫ 𝜌𝑑𝑉
𝑄
↑𝐶=
𝑉↓
• Capacitor con Dieléctrico: Con Fuente de Alimentación Constante
En un capacitor con fuente de alimentación constante, el dieléctrico comienza a
polarizarse y ser atraído por las placas del capacitor. Sin embargo, este no puede
perder voltaje al estar cargándose constantemente, entonces las cargas
involucradas en la cancelación parcial son reemplazadas por nuevas cargas
producidas por la fuente. El aumento de cargas también produce un aumento en la
capacitancia.
𝑄↑
↑𝐶=
𝑉
75. Modelo TCP/IP
El modelo TCP/IP es un modelo de comunicación cliente-servidor, en el cual el
cliente solicita el servicio proporcionado por el servidor. Fue desarrollado por el
Departamento de Defensa de Estados Unidos con la finalidad de proveer una
comunicación de extremo a extremo en tiempos de guerra durante los años 70s.
Este consta de 4 capas las cuales son:
1) Capa de Acceso: Incorpora todos los servicios necesarios para la
comunicación dentro de una red. Es el responsable de aceptar paquetes IP
y realizar su transmisión sobre una red específica. Está directamente
relacionado con la conexión física.
• Ethernet: Comúnmente utilizado debido a su distribución LAN.
• FDDI: Utilizado en fibra óptica.
• Token Ring: Distribuido por IBM, sin embargo, no es rentable
económicamente.
2) Capa de Internet: Permite una conexión global mediante un protocolo. Se
encarga de direccionamiento lógico, enrutamiento, fragmentación, reenvío,
etc. Se define un formato de paquete y protocolo. IP (Protocolo de Internet)
es definido como el protocolo de mejor esfuerzo.
• ICMP: La interconectividad se realiza mediante pruebas (pings).
• ARP: La interconectividad se realiza a partir de una dirección IP en busca
de una dirección MAC.
• RARP: La interconectividad se realiza a partir de una dirección MAC en
busca de una dirección IP.
• IP: Comúnmente utilizado, la comunicación busca la mejor ruta para
encontrar una dirección IP a partir de otra dirección IP.
3) Capa de Transporte: Permite la comunicación orientada conexiones.
Proporciona servicios de comunicación confiable de extremo a extremo o
servicios de comunicación sin garantía. Define como una pareja de
entidades de aplicación realiza una conversación sobre el protocolo IP.
Realiza detección y corrección de errores y control de flujo. Identifica la
aplicación específica de origen y destino. Se define dos protocolos: TCP
(Protocolo de Control de Transmisión) y UDP (Protocolo de Datagramas de
Usuario).
• TCP: Protocolo de conectividad confiable de extremo a extremo.
• UDP: Protocolo que no requiere una conversación previa para realizar la
conexión con otro usuario. El responsable de los paquetes y la información
enviados es el usuario, corrigiendo errores y determinando si este llegó a su
destino.
4) Capa de Aplicación: Representa los servicios de red a aplicaciones y los
datos a entregar al usuario. Maneja las funciones que interactúan con el
usuario mediante diversos protocolos.
• TELNET: Permite acceder a un dispositivo de forma remota, con la finalidad
de poder realizar modificaciones en ordenadores a distancia y solucionar
posibles problemas. Este requiere de un usuario y una contraseña, lo cual
puede ser interceptado, volviéndose inseguro.
• FTP: Envío de archivos en diferentes formatos, ya sea música, videos,
imágenes, etc. Utiliza el puerto 21.
• SSH: Permite acceder a un dispositivo de forma remota de forma
encriptada, lo cual lo vuelve más seguro. Cuando se envía un mensaje
únicamente los usuarios permitidos tienen la capacidad de desencriptar ese
mensaje.
• HTTP: Utilizado para el despliegue de hipertexto y páginas de internet.
Utilizado por el puerto 80. La forma más segura de este protocolo es el
HTTPS, el cual se encapsula en un SSL a través del puerto 443.
• SMTP (Puerto 25): Utilizado para el envío de correo electrónicos
únicamente, para la recepción de estos se emplea el protocolo POP3
(puerto 110), mientras que IMAP (puerto 143) nos permite la visualización
del correo en tiempo real.
• SNMP: Administra los equipos en la web. Utiliza el puerto (169).
76. Modelo OSI
El modelo OSI (Open System Interconnect) es un modelo basado en el concepto
de estratificación o superposición de una red. Fue introducido por la Organización
Estándar Internacional (ISO) en los años 80s y se utiliza como referencia para
comprender y diseñar la arquitectura de un sistema de comunicación. Este consta
de 7 capas las cuales son:
1) Capa Física: Está relaciona con las características de la red, las
interconexiones de la red y como estas están colocadas correctamente,
como el tipo de cable a utilizar, etc.
2) Capa de Enlace de Datos: Definen la transferencia de datos entre dos
sistemas directamente ya sea de forma alámbrica mediante un switch (IEEE
802.3) o inalámbrica mediante Wifi (IEEE 802.11).
3) Capa de Red: Determinan el direccionamiento y la mejor ruta para el
traslado de información.
4) Capa de Transporte: En esta capa se segmenta los datos a enviar en
paquete para que este pueda ser recibido por el usuario. Dependiendo del
protocolo, ya sea TCP y UDP, esta puede ser realizada en su totalidad de
extremo a extremo o bien de forma rápida, con la posibilidad de paquetes
perdidos o repetidos, respectivamente.
5) Capa de Sesión: Maneja la comunicación entre los dispositivos. A la hora
de solicitar un archivo en otro equipo, este se encarga de identificar al
cliente y permitir la conexión al otro ordenador.
6) Capa de Presentación: Es el formato del dato, ya sea una representación
o codificación, se puede ver comúnmente en las extensiones de archivo a la
hora de descargar un documento, un video, visualizar una página HTML,
etc.
7) Capa de Aplicación: Hace referencia a la interfaz del usuario, lo que esta
persona termina viendo a la hora de transmitir la información. Esta se
puede representar como una página web.
77. Microcontrolador vs Microprocesador
Un microcontrolador es un circuito integrado programable, el cual contiene todos
los componentes necesarios para controlar el funcionamiento de una tarea
determinada, la cual debe ser programada por el usuario a través de un lenguaje
de programación. Este incluye tres unidades funcionales de una computadora:
unidad central de procesamiento (CPU), memoria y periféricos de entrada y salida.
• Características
o Retardos de Propagación: Tiempo requerido para que se produzca
una salida cuando se encuentre presente una entrada.
o Tiempo de Establecimiento: Tiempo mínimo en el que los niveles
lógicos deben mantenerse constantes en las entradas antes de que
llegue el flanco de disparo del reloj.
o Tiempo de Mantenimiento: Tiempo mínimo que los niveles lógicos
deben mantenerse constantes en las entradas después de que haya
pasado el flanco de disparo del reloj.
o Frecuencia Máxima del Reloj: Mayor velocidad a la que se puede
dispara el flip-flop de manera fiable.
o Anchura de Impulsos: Anchura mínima recomendada por el
fabricante para funcionamiento adecuado de las entradas de reloj.
o Disipación de Potencia: Potencia total consumida por el flip-flop.
• Aplicaciones
o Almacenamiento de Datos en Paralelo: Es un sistema digital
capaz de almacenar de forma simultánea una serie de bits de datos
con el uso de flip-flops D.
𝐼 = ∫ 𝐽𝑑𝑆 = 𝐽𝑆
𝑆
Y el potencial eléctrico entre los dos puntos del segmento está definido por:
𝑏
𝑉𝑎𝑏 = − ∫ 𝐸 ∙ 𝑑𝐿 = 𝐸𝐿𝑎𝑏
𝑎
88. Electroestática
Es conocide como electricidad estática o sin movimiento la cual es causada por la
fuerza de atracción entre dos cargas contrarias. Estas pueden manifestarse como
chispas o rayos, las cuales pueden dañar a un dispositivo directamente o a largo
plazo.
• Causas:
o Por contacto o fricción: El contacto de dos objetos, en los cuales
ambos se encuentran cargados con cargas contrarias.
o Por presión: Algunos materiales generan electricidad al presentar
una presión, lo cual se conoce como piezoelectricidad.
o Por temperatura: Algunos materiales al ser sometidos a cambios de
temperatura generan una diferencia de potencial entres sus placas.
• Equipo de protección:
o Correa de muñeca antiestática
o Bolsas antiestáticas
o Mantas antiestáticas
o Calzado antiestático
• Tipos de Antena
o Isotrópica: Antena ideal, la cual propaga la radiación a todas
direcciones sin excepción.
Router 2
(Configurar la comunicación con los Gateway con el otro router)
Router>enable
Router#conf terminal
Router(config)#interface g0/1 (Interfaz donde se encuentra conectada a otro
router)
Router(config-if)#ip address [Link] [Link] (Gateway y Máscara)
Router(config-if)#no shut
Router(config-if)#exit
Router 2
(Enrutar el router a la red que no conce mediante el gateway del router que lo
comunica)
Router(config)#ip route [Link] [Link] [Link] (Red, Máscara y
Gateway de enlace)
Router 2
(Configurar la comunicación con los Gateway con el otro router)
Router>enable
Router#conf terminal
Router(config)#interface g0/1 (Interfaz donde se encuentra conectada a otro
router)
Router(config-if)#ip address [Link] [Link] (Gateway y Máscara)
Router(config-if)#no shut
Router(config-if)#exit
• Enrutamiento RIP
Router 1
Router(config)#router rip
Router(config-router)#version 2
Router(config-router)#network [Link]
Router(config-router)#network [Link] (Redes que se encuentran conectadas
al router)
Router(config-router)#no auto-summary
Router 2
Router(config)#router rip
Router(config-router)#version 2
Router(config-router)#network [Link]
Router(config-router)#network [Link] (Redes que se encuentran conectadas
al router)
Router(config-router)#no auto-summary
Router 2
(Configurar la comunicación con los Gateway con el otro router)
Router>enable
Router#conf terminal
Router(config)#interface g0/1 (Interfaz donde se encuentra conectada a otro
router)
Router(config-if)#ip address [Link] [Link] (Gateway y Máscara)
Router(config-if)#no shut
Router(config-if)#exit
• Enrutamiento EIGRP
Router 1
Router(config)#router eigrp 100
Router(config-router)#network [Link] [Link]
Router(config-router)#network [Link] [Link] (Redes y mascara wildcard
que se encuentran conectadas al router)
Router(config-router)#no auto-summary
Router 2
Router(config)#router eigrp 100
Router(config-router)#network [Link] [Link]
Router(config-router)#network [Link] [Link] (Redes y mascara wildcard
que se encuentran conectadas al router)
Router(config-router)#no auto-summary
Router 2
(Configurar la comunicación con los Gateway con el otro router)
Router>enable
Router#conf terminal
Router(config)#interface g0/1 (Interfaz donde se encuentra conectada a otro
router)
Router(config-if)#ip address [Link] [Link] (Gateway y Máscara)
Router(config-if)#no shut
Router(config-if)#exit
• Enrutamiento OSPF
Router 1
Router(config)#router ospf 1 (Se define el ID del proceso OSPF)
Router(config-router)#router-id [Link] se configura el ID del router (opcional)
Router(config-router)#network [Link] [Link] area 0
Router(config-router)#network [Link] [Link] area 0 (Redes y mascara
wildcard y en que área se encuentran conectadas al router)
Router 2
Router(config)#router ospf 1 (Se define el ID del proceso OSPF)
Router(config-router)#router-id [Link] se configura el ID del router (opcional)
Router(config-router)#network [Link] [Link] area 0
Router(config-router)#network [Link] [Link] area 0 (Redes y mascara
wildcard y en que área se encuentran conectadas al router)
𝑟1 (𝑘𝑚)𝑟2 (𝑘𝑚)
𝐹𝑅1 = 17.32√ [𝑚]
𝑟(𝑘𝑚)𝑓(𝐺𝐻𝑧)
Donde:
𝑟1 𝑦 𝑟2 → 𝐷𝑖𝑠𝑡𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑙𝑎𝑠 𝑎𝑛𝑡𝑒𝑛𝑎𝑠 𝑎 𝑙𝑜𝑠 𝑜𝑏𝑠𝑡á𝑐𝑢𝑙𝑜𝑠 [𝑘𝑚]
𝑟 → 𝐷𝑖𝑠𝑡𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑒 𝑙𝑎𝑠 𝑑𝑜𝑠 𝑎𝑛𝑡𝑒𝑛𝑎𝑠 [𝑘𝑚]
𝑓 → 𝐹𝑟𝑒𝑐𝑢𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑜𝑝𝑒𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒𝑙 𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑚𝑎 [𝐺𝐻𝑧]
𝑉𝑐𝑐
𝑉𝐶𝐸 (𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) = 𝑉𝑐𝑐 ; 𝐼𝑐(𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛) =
𝑅𝑐
𝑁2
𝑈2 = 𝑈
𝑁1 1
𝑁2
𝑈2 = ( )𝑈
𝑁2 + 𝑁1 1
100. Tangente de Pérdidas
𝜖𝑑𝐸⃑⃗
𝐽⃗ = ⃑⃑⃗
𝐽𝑐 + ⃑⃑⃑⃗
𝐽𝑑 = 𝜎𝐸⃑⃗ + → 𝜎𝐸⃑⃗ + 𝑗𝜔𝜖𝜎𝐸⃑⃗ [𝐷𝑜𝑚𝑖𝑛𝑖𝑜 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝐹𝑟𝑒𝑐𝑢𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎]
𝑑𝑡
|𝐽⃑⃑⃗𝑐 | |𝜎𝐸⃑⃗ | 𝜎
𝑡𝑎𝑛𝜃 = = =
|𝐽⃑⃑⃑⃗
𝑑| |𝑗𝜔𝜖𝜎𝐸⃑⃗ | 𝜔𝜖
∞
𝑋(𝑓) = ∫ 𝑥(𝑡)𝑒 −𝑗2𝜋𝑓𝑡 𝑑𝑡
−∞