Hojas de Preguntas. Galderen Horriak.
3º I.I. Fundamentos de Electrónica. 4/2/2005.
3. I.I. Elektronikako Oinarriak. 2005ko/2ren/4.
Nombre y apellidos D.N.I.
Izena eta Abizenak N.A.N.
Grupo/Talde
k
Ecuación del MOSFET en la zona óhmica i D = (2(v GS − v t )v DS − v DS
2
)
2
1.- Dado el circuito comparador de la figura y la forma de onda vi, ¿cuál de las
formas de onda de la tensión de salida es la correcta?
10 V
+
2V + vo
-10 V
R2 98 k
R1
2k
+
vi
vi
t
vo
A)
vo
B)
C) vo
t
1
2.- Para este circuito comparador ¿cuál es su diagrama de histéresis correcto?.
2
10 V
+
2V + vo
-10 V
R2 98 k
R1
2k
+
vi
vo
+10 V
A)
0
V
-10 V
+10 V
+10 V vo
vo
C)
0 V 0 V
B
)
-10 V
-10 V
3
3.- (Demostración) Para el circuito de la figura, la corriente iB que circula por la
base del transistor bipolar del circuito de la figura es:
+12 V
12 V
+
β=100
iB
-12 V 0,7
R2 50 k
RL
R1 300
30 k
+
-3 V
4
A) 376 µA B)- 376 µA C) 167 µA.
4.- (Demostración) El circuito amplificador de la figura, aplica sobre la carga de 8 Ω
una tensión senoidal de salida de 2 V de valor pico y 100 Hz. Por las fuentes de
alimentación conectadas a este amplificador circulan dos corrientes i1 e i2 cuyas
formas de onda se corresponden con semiondas senoidales cuyo valor máximo es
de 50 mA. Si la corriente que suministra la fuente cuya tensión se quiere amplificar
es despreciable, ¿con qué rendimiento trabaja este amplificador?
5
+
i1 25 V
50 sen (200 πt) mA
i1 iin=0
t
+ RL
Amplificador 8Ω
i2 vin
t
i2
+
π 50 sen (200 πt- π) mA -25 V
A) 0,1 B) 0,314 C) 0,2
6
5.- (Demostración) Los datos de una amplificador son los siguientes, resistencia de
entrada Ri = 200 Ω, resistencia de salida Ro = 10 Ω y una ganancia de corriente de
1000. El modelo de amplificador de transresistencia de este amplificador de
corriente es el de la figura
7
ii iO
Ri
vi 200 Ω 10 Ω vo
A)
1000 ii
ii iO
+
10 Ω
Ri
vi 200 Ω vo B)
10000 ii
ii iO
+
10 Ω
Ri C)
vi 200 Ω vo
1000 ii
6.- (Demostración) Una amplificador diferencial tiene una ganancia en modo
diferencial Ad =10, y una relación de rechazo al modo común en también de 10
dBs. Cuando las formas de onda en las dos entradas son las que se proporcionan,
¿Cuál es la tensión de salida correspondiente a la parte de tensión en modo común
en la entrada?
via
(V)
100 200 300
t (µs)
vib -1
1
(V)
t (µs)
8
5
voc
(V)
t (µs)
A)
voc +1,58
(V)
t (µs)
B)
3,16
voc
(V) 1,58
t (µs)
100 200 300
C)
9
7.- (Demostración) La impedancia de entrada cuando vi es una onda senoidal de
valor vi = 2 sen(2000t )
A) 12.010∠87,61 Ω
B) 12.010∠ − 2,386 Ω
C) 12 kΩ
10
10 k
12 k
+ vo1
+
vi 20 k
C= 1 µF + vo2
11
8.- (Demostración) Suponiendo que D1 y D2 son ideales con caída de tensión nula
cuando conducen, ¿Cuál es el valor de la corriente que circula por los diodos D1 y
D2?
A) D1 = 0; D2 = 2 mA.
B) D1 = 1 mA; D2 = 1 mA. D1 R
C) D1 =1,32 mA; D2 = 1,32 mA. R
2 mA
D2
R
12
13
9.- (Demostración) Haciendo un análisis de β infinita, la tensión colector-emisor del
transistor Q2 del circuito de la figura, en el que VEB = VBE = 0,7 V es
A) 2 V 12 V
B) 4 V
C) 6 V
1k
10 k
0,5 mA Q2
30 k
Q1
30 k
2k 1k
10 k
10.- Sabiendo que el MOSFET de este circuito trabaja en la zona activa, la ganancia de
po vo io
potencia en pequeña señal de este circuito definida como = es:
pi vi ii
A) 39 B) 92,3 C) 78,8
14
7V
6 mA
C= ∞
35,8 k
1k K= 7,1 mA/V2
C= ∞
Vt= -1,5 V
M
ii io
14,2 k 100
vi
C= ∞ vo
60
15
16
11.- La tensión de salida del circuito de la figura tiene un valor de:
1 mA
K= 0,51 mA/V2
Vt=0,75
4k
A) 6,73 V B) 7,24 V C) 4 V
12.- La corriente de drenador en el circuito de la figura es la siguiente:
17
-10 V
17600
K= 346 µA/V2
Vt= 1 V
0,7 V
+
A) 500 µA.
B) 487 µA.
C) 654 µA.
18
13.- (Demostración) En el caso del circuito de la figura, haciendo un análisis de β
infinita, qué valor tiene que tomar la resistencia R para que la tensión de salida Vo
sea independiente de la tensión VBE de los transistores, suponiendo que en todos,
esta última tensión toma el mismo valor.
A) R=2 RB B) R = RB+RC C) R = RB
19
-Vcc
R RC
Q3
RB
Q1
RE
vo
Q2
20
14.- Para el caso del circuito de la figura, con tres diodos zener, la función que
relaciona la tensión de entrada con la de salida es la dada por la figura
R
+ Z1
vi
Z3
Z2
I I
Z1 YZ3 Z2
-8 -10
V V
(v) VO (v) VO
vo
-8 (v) -10 (v)
VI VI
A) B)
-8 -10
VO
(v) 8
-10 (v) C)
8 VI
-10
21
15.- Respecto a algunos de los aspectos básicos sobre semiconductores, ¿cuál de las
siguientes afirmaciones es FALSA?
A) Un Si semiconductor dopado con Ga es un material tipo p.
B) La movilidad de huecos y electrones decrece cuando la intensidad de campo
eléctrico supera un determinado valor.
C) Cuanto mayor es el tiempo de vida medio de un semiconductor mayor es su
concentración intrínseca.
16.- (Demostración)En un diodo, a 27 ºC VT= 25 mV, la corriente inversa de
saturación es IS= 5 µA, cuando la tensión entre los terminales del diodo es de -0.1
V, la corriente del mismo será:
A) 0.09 µA
B) -4.9 µA
C) -5 µA
17.- (Demostración) La fuente de corriente I se utiliza para polarizar el transistor.
Incluyendo la resistencia Early ro, del transistor de la figura, la ecuación que
22
relaciona en pequeña señal la tensión de salida vo con la de entrada vbe, tiene por
expresión:
I C ro
A) − VCC
VA
v
B) − A
VT IC
VT
C) RB
VA iB
Circuito
eléctrico vo
vBE
23
18.- (Demostración) Para el circuito de la figura, suponiendo el diodo ideal, ¿cuál es
la forma de onda correcta?
15 µF
I
+ vo
30 mA
I
t (ms)
-60 mA
vo
t (ms) A)
vo B)
t (ms)
vo C)
t (ms)
10 20 30
24
25
19.- (Demostración) Un semiconductor tiene una concentración de donadores ND =
1018 cm-3. Si la concentración intrínseca a la temperatura del problema es ni =11
1011, la concentración de electrones de este material es:
A) n=1,21 106 cm-3. B) n = 1018 cm-3. C) n = 11 1011 cm-3.
20.- (Demostración) Se quiere obtener el modelo en parámetros híbridos del
cuadripolo de la figura que viene definido por las siguientes ecuaciones:
vi = h11 ii + h12 vo
io = h21 ii + h22 vo
El valor del parámetro h21 de este modelo es:
A) -34,07 B) +34,07 C) 98,06
100 k
850
ii io
1 2
+ 100 ii
vi 2k 2k vo
vs
1’ 2’
26
27
