FACULTAD DE INGENIERÍA INDUSTRIAL

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA INDUSTRIAL

LABORATORIO DE ELECTRICIDAD Y ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

INFORME DE LABORATORIO N° 8

TEMA: TRANSISTOR
Grupo N° 4
Horario: Martes de 8:00 - 9:40 A.M

INTEGRANTES:

Allasi Alfaro, Joaquin Paul Jaime (23170129)

Espejo Lorenzo, Anthony (23170163)

Salcedo Ramos, Cesar Vidal (23170064)

Tarazona Valverde, Carlos Enrique (23170070)

DOCENTE:

Paz Retuerto, Percy Arturo

C.U. SAN MARCOS – PERÚ

2024
 ÍNDICE

Resumen..................................................................................................................................... 3
Introducción............................................................................................................................... 4
Objetivos.................................................................................................................................... 5
Marco Teórico............................................................................................................................ 6
Procedimiento.............................................................................................................................8
Resultados................................................................................................................................ 12
Análisis de los Resultados........................................................................................................13
Conclusiones............................................................................................................................ 14
Referencias............................................................................................................................... 15
 Resumen

En este informe de laboratorio se estudió el comportamiento de la corriente de base y la

corriente de colector de un transistor, así como su variación en función de un potenciómetro y
la integración de diferentes sensores en el circuito. El objetivo principal fue analizar cómo los
cambios en la resistencia del potenciómetro afectan las corrientes internas del transistor,
determinando la relación entre estas corrientes y su impacto en el funcionamiento del
transistor como amplificador.

Se observó que al modificar la resistencia del potenciómetro, la corriente de base variaba de

manera proporcional, lo que causaba un cambio en la corriente de colector, confirmando que
el transistor actúa como un amplificador eficiente. Las gráficas obtenidas a partir de los datos
experimentales mostraron la relación clara entre las corrientes y la resistencia ajustada, lo que
permitió entender mejor el desempeño del transistor en el circuito.

Además, se probaron cinco tipos de sensores: sensor de luz, fotodiodo, sensor de flexión,
sensor de fuerza e inclinación. Cada sensor afectó la corriente base de forma diferente, lo que
a su vez modificó la corriente de colector, demostrando cómo el circuito puede adaptarse y
amplificar señales generadas por distintas condiciones físicas, como la luz, la presión, la
flexión y la inclinación. Este comportamiento subraya la versatilidad del transistor y su
capacidad para integrarse en sistemas de monitoreo y control.

En conclusión, los resultados experimentales confirmaron la relación entre las corrientes de

base y colector en un transistor, la efectividad del transistor como amplificador y su
capacidad para amplificar señales provenientes de diversos sensores, lo que resalta su
aplicabilidad en circuitos electrónicos y sistemas de monitoreo.
 Introducción

El transistor es un componente esencial en la electrónica, utilizado principalmente para

amplificar y conmutar señales. Su funcionamiento se basa en el control del flujo de corriente
a través de sus terminales, lo que permite manipular señales eléctricas en aplicaciones que
abarcan desde la amplificación de audio hasta el control de sistemas industriales. Este
informe tiene como objetivo estudiar el comportamiento de las corrientes fundamentales del
transistor: la corriente de base y la corriente de colector , y analizar su relación en diferentes
condiciones de operación.

Comprender cómo la corriente de base afecta a la corriente de colector es crucial, ya que esta
interacción determina la ganancia de corriente (β) del transistor y, en consecuencia, su
efectividad en la amplificación y conmutación. Durante el estudio, se realizaron mediciones
en distintas configuraciones para observar la respuesta del transistor en las regiones de corte,
saturación y activa.

A través de este análisis se busca no solo entender las propiedades intrínsecas del transistor,
sino también explorar cómo estos parámetros se pueden ajustar para diseñar circuitos
eficientes y confiables. Los resultados ayudarán a interpretar la interacción entre 𝐼𝐵​e 𝐼𝐶,

proporcionando una base sólida para aplicaciones prácticas en circuitos electrónicos.

 Objetivos

Objetivo General
Analizar el comportamiento de la corriente de base y la corriente de colector en un transistor
en función de variaciones introducidas mediante un potenciómetro, así como observar el
efecto de distintos tipos de sensores en el circuito para comprender su impacto en la respuesta
y amplificación de la señal en cada caso.

Objetivos Específicos

● Estudiar cómo las variaciones de resistencia en el potenciómetro afectan la corriente

de base y, por ende, la corriente de colector en un transistor, con el fin de determinar
la relación entre ambas corrientes y su importancia en el funcionamiento del transistor
como amplificador.
● Estudiar la gráfica obtenida de los datos recopilados en el experimento
● Interpretar la respuesta del circuito al integrar cinco tipos diferentes de sensores
(sensor de luz, fotodiodo, sensor de flexión, sensor de fuerza y sensor de inclinación)
 Marco Teórico

Los transistores son dispositivos semiconductores que desempeñan un papel crucial en la

electrónica moderna debido a su capacidad para amplificar y conmutar señales eléctricas.
Inventado en 1947, el transistor revolucionó la industria de la electrónica y permitió el
desarrollo de dispositivos más pequeños y eficientes en comparación con los tubos de vacío
(Millman & Halkias, 1972). Los transistores funcionan controlando el flujo de corriente entre
sus terminales de colector, emisor y base, y se pueden clasificar en dos tipos principales: el
transistor de unión bipolar (BJT, por sus siglas en inglés) y el transistor de efecto de campo
(FET).

El BJT es un dispositivo controlado por corriente, en el cual la corriente de base ( 𝐼𝐵​​) modula

la corriente de colector ( 𝐼𝐶​). Este tipo de transistor se caracteriza por su capacidad de

amplificación de corriente, gracias a su ganancia (β\betaβ), que define la relación entre 𝐼𝐵​e

𝐼𝐶 (Sedra & Smith, 2004). Los BJTs se utilizan ampliamente en aplicaciones de audio y en

circuitos de conmutación debido a su alta fiabilidad y respuesta rápida.

Por otro lado, el FET es un dispositivo controlado por voltaje, donde una pequeña variación
en el voltaje de la compuerta puede controlar el flujo de corriente entre el drenaje y la fuente.
Existen varias configuraciones de FET, incluyendo el JFET (transistor de efecto de campo de
unión) y el MOSFET (transistor de efecto de campo de óxido metálico-semiconductor), que
se distingue por su eficiencia energética y uso en circuitos de potencia y alta frecuencia
(Horowitz & Hill, 2015). En particular, los MOSFETs son fundamentales en circuitos
integrados y tecnología digital debido a su capacidad para manejar altos niveles de corriente y
su baja disipación de energía.

La operación de los transistores puede dividirse en tres regiones: la región de corte, donde el
transistor actúa como un interruptor abierto; la región de saturación, donde funciona como un
interruptor cerrado, y la región activa, donde permite la amplificación de señales (Boylestad
& Nashelsky, 2005). La elección de una configuración adecuada y el diseño de polarización
son factores críticos que determinan el rendimiento del transistor en aplicaciones específicas,
como amplificadores y osciladores, esenciales en sistemas de comunicación y procesamiento
de señales (Streetman & Banerjee, 2015).
Los sensores son dispositivos que convierten variaciones físicas en señales eléctricas,
permitiendo al circuito responder a estímulos externos. En circuitos electrónicos, los sensores
cumplen la función de traducir parámetros ambientales o mecánicos en variables eléctricas
medibles (Fraden, 2010). Dependiendo de la magnitud que miden, existen diferentes tipos de
sensores, como sensores de luz, sensores de presión, sensores de temperatura y sensores de
movimiento.

Por ejemplo, el sensor de luz (fotocélula o fotodiodo) varía su resistencia o genera corriente
al exponerse a la luz, y se utiliza comúnmente en sistemas de control de iluminación
automática. Este tipo de sensor puede integrarse con transistores para amplificar la señal y así
activar o desactivar circuitos en función de la intensidad luminosa (Ristic, 1994).

Otro ejemplo es el sensor de fuerza (FSR), que varía su resistencia según la presión aplicada.
En circuitos con transistores, estos sensores permiten activar dispositivos de respuesta táctil o
sistemas de seguridad cuando detectan cambios en la presión (Beeby & White, 2006).

La combinación de sensores y transistores permite desarrollar sistemas automáticos, donde el

transistor actúa como amplificador o interruptor de las señales generadas por el sensor. Esta
interacción es clave en el diseño de dispositivos electrónicos que requieren respuesta a
condiciones ambientales en tiempo real (Sze, 1985).
 Procedimiento

1) Calculando la pendiente formado por el potenciómetro

Se grafica el siguiente circuito.
Figura 1
Circuito en tinkercad

Nota. Resistencia de 10 kΩ Fuente: Elaboración propia.

Posteriormente se realiza una tabla con la corriente base y colector. con esos datos se obtiene
una gráfica y se halla la pendiente.
2) Sensores
2.1) Sensor de luz
Se grafica el siguiente circuito.
Figura 2
Circuito con sensor de luz en tinkercad
Fuente: Elaboración propia.

2.2) Sensor de fotodiodo

Se grafica el siguiente circuito.
Figura 2
Circuito con fotodiodo en tinkercad

Fuente: Elaboración propia.

2.3) Sensor de flexión

Se grafica el siguiente circuito.
Figura 3
Circuito sensor de flexión en tinkercad
Fuente: Elaboración propia.
2.4) Sensor de Fuerza
Se grafica el siguiente circuito.
Figura 4
Circuito sensor de fuerza en tinkercad

Fuente: Elaboración propia.

2.5) Sensor de inclinación
Se grafica el siguiente circuito.
Figura 5
Circuito sensor de fuerza en tinkercad

Fuente: Elaboración propia.

 Resultados

Figura 6
Tabla de datos del 1er procedimiento.

Fuente: Elaboración propia.

Figura 7
Gráfica de los datos

Fuente: Elaboración propia

 Análisis de los Resultados

Del primer procedimiento se obtuvo una como resultado una pendiente -0,2934 y un
intercepto de -0,0244. Donde el primer valor significa beta β que vendría a ser el factor de
amplificación y el segundo valor describe la orientación de la recta que tiende a 0, es decir,
mientras que la variable dependiente se aproxima a cero, la variable independiente también lo
hace.

Con respecto a los sensores se puede concluir lo siguiente:

- Sensor de luz (LDR): La resistencia del LDR cambia según la luz, afectando la
corriente base del transistor. Con más luz, la corriente base aumenta, lo que
incrementa la corriente colectora. Esto permite al circuito amplificar los cambios de
luz.
- Sensor de fotodiodo: Genera una corriente proporcional a la luz que recibe. Esta
corriente puede aplicarse a la base del transistor, donde pequeñas variaciones en la luz
provocan cambios significativos en la corriente colectora, útil para detectar
fluctuaciones rápidas de iluminación.
- Sensor de flexión: La resistencia cambia al flexionarse, afectando la corriente base. A
mayor flexión, la corriente base varía, lo que modifica la corriente colectora del
transistor. Esto permite traducir la flexión en una señal amplificada, útil para
aplicaciones de detección de movimiento.
- Sensor de fuerza (FSR): Disminuye su resistencia con mayor presión, incrementando
la corriente base. En el transistor, esto aumenta la corriente colectora, lo que permite
amplificar los cambios de fuerza o presión, ideal para mediciones de tacto o presión
en superficies.
- Sensor de inclinación: Al cambiar de posición, puede activar o desactivar la corriente
base. Esto provoca un cambio brusco en la corriente colectora del transistor,
permitiendo al circuito detectar de forma clara un cambio de inclinación.
 Conclusiones

Las variaciones de resistencia en el potenciómetro modifican directamente la corriente de

base, lo que a su vez altera la corriente de colector en el transistor. Este comportamiento
confirma la relación proporcional entre ambas corrientes, destacando la importancia del
transistor como amplificador, ya que pequeños cambios en la base pueden generar
variaciones significativas en la corriente colectora.

El análisis de la gráfica obtenida a partir de los datos recopilados durante el experimento

muestra una relación clara entre la resistencia ajustada en el potenciómetro y las corrientes de
base y colector. La gráfica permite visualizar de manera efectiva cómo el transistor amplifica
las señales, evidenciando su comportamiento en distintas condiciones de operación, lo que
facilita la comprensión de su rendimiento en circuitos amplificadores.

La integración de los cinco tipos de sensores en el circuito mostró cómo cada uno influye de
manera única en la corriente base y, en consecuencia, en la corriente de colector. Los sensores
de luz, fotodiodo, flexión, fuerza e inclinación generan respuestas específicas que permiten al
circuito adaptarse a distintos estímulos físicos, demostrando la versatilidad y la capacidad del
transistor para amplificar señales provenientes de diversas fuentes ambientales.
 Referencias

Beeby, S. P., & White, N. M. (2006). Smart sensors and MEMS: Commercial applications
and markets. CRC Press.

Boylestad, R. L., & Nashelsky, L. (2005). Electronic devices and circuit theory (9th ed.).
Prentice Hall.

Fraden, J. (2010). Handbook of modern sensors: Physics, designs, and applications (4th ed.).
Springer.

Horowitz, P., & Hill, W. (2015). The art of electronics (3rd ed.). Cambridge University Press.

Millman, J., & Halkias, C. C. (1972). Electronic devices and circuits. McGraw-Hill.

Ristic, L. (1994). Sensor technology and devices. Artech House.

Sedra, A. S., & Smith, K. C. (2004). Microelectronic circuits (5th ed.). Oxford University
Press.

Streetman, B. G., & Banerjee, S. K. (2015). Solid state electronic devices (7th ed.). Pearson.

Sze, S. M. (1985). Semiconductor sensors. John Wiley & Sons.