UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTÍN

FACULTAD DE INGENIERÍA DE PRODUCCIÓN Y SERVICIOS

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

CURSO: Laboratorio de Circuitos Electrónicos

TEMA: TRANSISTOR BJT

INTEGRANTES:

• Berrios Martiarena César

• Condori Huillca Nelson
• Quispe Pinto Edward
• Rojas Quispe Jean Carlos

Arequipa-Perú
2024
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LAB N° 03 Lab. CE
TRANSISTOR BJT
JP: Ing. Christiam G. Collado Oporto

En el segundo gráfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que a más corriente la curva es más alta

Regiones operativas del transistor

Región de corte:
Un transistor esta en corte cuando:
Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito. (como no hay
corriente circulando, no hay caída de voltaje, Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de
base = 0 (Ib =0)

Región de saturación:
Un transistor está saturado cuando:
Corriente de colector = corriente de emisor = corriente máxima, (Ic = Ie = I máxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias conectadas
en el colector o el emisor o en ambos, ley de Ohm.
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una
corriente de colector β veces más grande. (recordar que Ic = β * Ib)
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Región activa:
Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte entonces está en una región
intermedia, la región activa. En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base
(Ib), de β (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de las resistencias que hayan
conectadas en el colector y emisor). Esta región es la mas importante si lo que se desea es utilizar el transistor como
un amplificador.

EQUIPO Y MATERIALES:

✓ Protoboard
✓ Resistencias 330KΩ, 1KΩ, 4.7KΩ, 100Ω
✓ Potenciometro 1MΩ, 5KΩ, 5MΩ, 10KΩ
✓ Transistor BC548 (equivalente)
2N3904 (equivalente)
✓ Miliamperímetro DC
✓ Voltímetro DC
✓ Fuente DC

PROCEDIMIENTO
PARTE 1: (No simulado)

Identificación del transistor

Identifique los terminales del transistor BJT

Seleccione la escala de prueba de Diodos en el DMM

Conectar los terminales del DMM con el transistor de acuerdo a la tabla 1. Registrar la lectura del DMM.

Terminal Rojo (+) Terminal Negro (-) Lectura del DMM

1 2 0.727
2 1 SIN LECTURA
1 3 SIN LECTURA
3 1 SIN LECTURA
2 3 0.716
3 2 SIN LECTURA

Tabla 1.
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Identificar las características del Transistor en la siguiente tabla

Terminal Base 3
Terminal Colector 2
Terminal Emisor 1
Tipo de Transistor NPN
Material del Transistor SILICIO
Tabla 2.

PARTE 2:

Esquema

Vref
+V

T1= BC548B
Rc1 Vref= 15V
Rb1= 4.7K
Rb1
Rb2 = 5M
Rc2
Rc1= 100
Rc2 = 10K.
T1
Rb2

1.En el circuito, se requiere ajustar Rb2 de tal manera que IB alcance los 25uA. A continuación se varía Rc2
de forma de VCE sea 0V, 0.5V, 1V y 1.5 V midiendo en los distintos casos la corriente IC.
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2. Grafique Vce vs Ic.

3.Obtener las lecturas de VCE, IB, e IC empleando el multímetro, repitiendo el proceso para IB igual a 50uA,
75uA y 125uA. Grafique Vce vs Ic para cada caso.

Vce=0V Vce=0.5V Vce=1V Vce=1.5V

Ic=(mA) 1.48 7.58 7.64 7.71
Ib=25ua
Ic=(mA) 1.48 16 16.2 16.4
Ib=50uA
Ic=(mA) 1.48 19 19.9 20.1
Ib=75uA
Ic=(mA) 1.48 35.8 36 36.5
Ib=125uA

Tabla 3.
PARTE 3:

Características del Colector

1. Construya el circuito de la fig 2.

2. Fijar el voltaje VRB a 3.3V variando el potenciómetro de 1M. Esto fijará IB = VRB/RB a 10A como se indica en la Tabla 4.
3. Luego fijar VCE a 2V variando el potenciómetro de 5K como se indica en la primera línea de la Tabla 4.
4. Registre el voltaje VRC y VBE en la Tabla 4.
5. Variar el potenciómetro de 5K parta incrementar VCE de 2 V hasta los valores que aparecen en la Tabla 3. Notar que IB es
mantenida a 10A en los diferentes niveles de VCE.
6. Para cada valor de VCE mida y registre VRC y VBE. Use la escala de mV para VBE.
7. Repita los pasos B hasta F para todos los valores indicados en la Tabla 3. Cada valor de VRB establecerá un nivel diferente
de IB para la secuencia de valores de VCE.
8. Después de haber obtenido todos los datos, calcule el valor de IC = VRC / VC y el valor de IE = Ic + IB. Use los valores
medidos de Rc.
9. Usando los datos de la Tabla 3, dibuje la curva característica del transistor en la fig. 3 La curva es IC vs. VCE para los
diferentes valores de IB Seleccionar una escala adecuada para Ic e indique cada valor de IB.
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GRAFICA IC VS VCE

TABLA 4.

Variación de  y 
Para cada línea
Calcule los niveles correspondientes de  y  usando las siguientes ecuaciones:

 = Ic / IE
 = Ic / IB
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Cuestionario final
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