Sputtering
(Pulverización catódica )
• Técnica utilizada para el depósito de películas delgadas de un material sobre la superficie de un
sustrato.
• La composición de las películas depositadas puede ser controlada por la selección del target del
material.
• Se pueden formar diferentes compuestos o aleaciones utilizando procesos reactivos o de
co-deposición.
• Ya que el deposito se realiza a alto vacío, la contaminación en las películas es baja
Targets o blancos
DC Sputtering
Cámara de vacío
El plasma es creado * Solo se pueden depositar
Ánodo
al aplicar un materiales metálicos, ya que el
potencial entre el Sustrato uso de materiales dieléctricos o
cátodo y el ánodo aislantes origina la acumulación
para ionizar el gas de carga sobre el blanco,
Gas inerte
inerte. Target después de un tiempo las especies
Cátodo acumuladas sobre el blanco van a
impedir que choquen mas iones
sobre la superficie.
Alto voltaje
RF Sputtering
• Es la técnica que alterna el potencial eléctrico de la corriente en Cámara de vacío
el vacío a frecuencias de radio para evitar la acumulación de
carga sobre ciertos tipos de materiales
Ánodo
• La oscilación de los electrones a altas frecuencias incrementa Sustrato
las colisiones de los electrones aumentando los procesos de
ionización.
Gas inerte
Target
• Al alternar el potencial eléctrico en cada “erosión”, la Cátodo
superficie del material se puede "limpiar" de las acumulaciones
de de carga con cada ciclo.
• Se pueden depositar metales y semiconductores.
Fuente RF
• Se utilizan frecuencias entre 5 y 30 MHz
Estos electrones acelerados se
acercarán a los electrones de los
átomos de gas neutro (Ar) en su
trayectoria, expulsando a los
electrones de los átomos de gas.
Los "electrones libres"
se acelerarán Finalmente, el Ar ya no es un
inmediatamente lejos átomo de gas neutro, sino un
del electrodo cargado "ion" cargado positivamente.
negativamente (cátodo)
En este punto los iones cargados
positivamente se aceleran en el
cátodo, golpeando la superficie y
erosionando el material.
Los electrones libres adicionales alimentan la formación de iones y la continuación del plasma.
Cuando estos electrones
vuelven a un estado
fundamental (átomo de
argón), los átomos del gas
neutro ganan energía, y deben
liberar esa energía en la forma
de un fotón.
La emisión de estos fotones, es la razón por la que el plasma parece brillar.
Magnetrón Sputtering
Cámara de vacío
Ánodo
Sustrato
Cuando los electrones están atrapados en el
Gas inerte campo magnético, aumenta la probabilidad de
Target ionizar una molécula de gas neutro.
Cátodo
* El incremento en los iones disponibles, aumenta
significativamente la velocidad a la que el material se
Se colocan imanes detrás del cátodo para erosiona y se deposita sobre el sustrato.
atrapar a los electrones libres en un
campo magnético
Presión de trabajo
• La presión de trabajo influye en las
propiedades estructurales de los
materiales
• Los depósitos pueden realizarse a
bajas presiones (10-2-10-1 mTorr) o
altas presiones de trabajo (10-3-10-5
mTorr) dependiendo de la capacidad
de los equipos.
Altas presiones La posibilidad de que las Las partículas dentro de la
partículas choquen entre cámara viajan hasta el
ellas y entre las partículas del sustrato con una mayor
gas es mayor. energía. Por lo que, durante
su trayecto, las partículas
colisionan muy poco con
Al tener un mayor número las partículas del gas y entre
Bajas presiones
de colisiones en el trayecto, ellas mismas, permitiendo
la energía con la que las que la energía con la que
partículas llegan al sustrato chocan con la superficie del
disminuye. sustrato sea mayor.
(002)
a) ZnO ZnO-5SnO2-4
(101)
SnO2- ortorrombico
-2 mTorr
6.3 x 10SnO - tetragonal
2
Bajas presiones ZnO-5SnO2-3
(111)
(100)
8.0 x 10-2 mTorr
ZnO-5SnO2-2
ZnO –SnO2
thin films
1.0 x 10-3 mTorr
Altas presiones
ZnO-5SnO2-1
1.6 x 10-3 mTorr
26 28 30 32 34 36 38 40 42
A. Saldaña-Ramírez, et al., Optical Materials 110 (2020) 110501
2
1.6 x 10-3 mTorr 1.0 x 10-3 mTorr
Altas presiones
Altas presiones
6.3 x 10-2 mTorr 8.0 x 10-2 mTorr
Bajas presiones
Bajas presiones
A. Saldaña-Ramírez, et al., Optical Materials 110 (2020) 110501
1.6 x 10-3 mTorr
a)
100
La presión disminuye
90
1.0 x 10-3 mTorr
80
8.0 x 10-2 mTorr
70 4545
6.3 x 10-2 mTorr a) a) ZnO-5SnO2-1 -3
1.6 x 10 mTorr
ZnO-5SnO -1 La presión disminuye 42
Transmitancia (%)
2
ZnO-5SnO2-2
1.0 x 10 -3
-3 mTorr
60 40 ZnO-5SnO
ZnO-5SnO -2 38
2
40 2
-2 38
35
8.0 x 10 mTorr
ZnO-5SnO -4
ZnO-5SnO
2
2
-3
50
6.3 x 10-2 mTorr
ZnO-5SnO -4
Producción de H2 (mol)
2
31
3530
40
Producción de H2 (mol)
25 31
30 22
30
20
20 ZnO-5SnO2-1 / 3.27 eV
2515 13
ZnO-5SnO2-2 / 3.28 eV 22
10 ZnO-5SnO2-3 / 3.27 eV 10 8
7 7 7 7
ZnO-5SnO2-4 / 3.27 eV 20 6
5 4
0 3 3
2 2 2 2
0.7 0.7 1 1 1 1
400 450 500 550 600 650 700 750 800
15 0 13
Longitud de onda (nm) 30 60 90 120 150 180
Tiempo (minutos)
10
7 7 7 7
A. Saldaña-Ramírez, et al., Optical Materials 110 (2020) 110501 6
4
ZrN thin films
• Target cerámico de ZrN
• Aleación de Zr
• Potencia 100 W
• Tiempo: 30 minutos
Lin Shaochen, et al., Materials Research Bulletin 105 (2018) 231-236
Densidad de potencia
La densidad de potencia o potencia de depósito, se refiere a la corriente (W)
aplicada en el cátodo para desprender el material.
Si la densidad de potencia es muy grande, la taza de erosión del material
aumenta, lo cual nos daría como resultado películas muy gruesas.
Zn/Sn – 60/5 W Zn/Sn – 60/10 W Zn/Sn – 60/15 W
Mo thin films
• Target metálico de Mo
• Sustratos de vidrio
Cao H, et al. Sci China Tech Sci May (2014) Vol.57 No.5
Otras variables
Gases
Temperatura
Tiempo de
depósito
W thin films
• Target metálico de W
• Sustratos de Si (100)
• Espesores de 50 a 1000 nm (4.0 x 10-3 mbar)
Asma Chargui, et al., Nanomaterials 2020
TiN thin films
Peng Gu, et al., Applied Physics A (2018) 124:550
Actividad 1
• Buscar un articulo científico que trate del depósito de películas delgadas por la
técnica de Sputtering.
• Analizar y discutir como las condiciones de depósito afectan las propiedades
fisicoquímicas del material.
• Presentación para la discusión del artículo.
