POLARIZACIÓN TRANSISTOR BJT

* Laboratorio Semiconductores

1st Samuel Marroquı́n Isaza 3rd Adriana Michelle Dı́az Suárez

Facultad de ingenierı́a Facultad de ingenierı́a
Universidad de Ibagué Universidad de Ibagué
Rovira, Tolima Ibagué, Tolima
[email protected] [email protected]
2nd Cesar Alejandro González Bazzani
Facultad de ingenierı́a
Universidad de Ibagué
Ibagué, Tolima
[email protected]

Abstract—Bipolar Junction Transistors (BJTs) are essential Objetivos especı́ficos

components in electronic circuits, especially for amplification and Determinar teóricamente y mediante simulación en Pro-
switching applications, where their performance highly depends
on the biasing method and thermal stability. This study analyzed teus el punto de operación Q de circuitos BJT polarizados
three biasing configurations: fixed bias, emitter feedback, and por base, realimentación de emisor y divisor de voltaje.
voltage divider. Theoretical calculations were used to determine Evaluar la estabilidad térmica de cada configuración de
the operating point (Q) for each case, which were then validated polarización al utilizar transistores con diferentes valores
through simulations in Proteus. Subsequently, the circuits were de ganancia (hF E ), y confrontar los resultados simulados
implemented on a breadboard using transistors with different
current gains (hF E ), allowing the observation of how this varia- con los obtenidos experimentalmente.
tion affects Q-point stability. Results showed that configurations Comparar el desempeño de las distintas configuraciones
with feedback provide greater thermal stability against changes de polarización en términos de estabilidad y respuesta
in hF E , making them more suitable for robust circuit design. This ante variaciones en las caracterı́sticas del transistor, con
experience reinforced a critical understanding of BJT behavior base en los resultados del montaje práctico.
and the importance of proper biasing to ensure reliable operation.
I. I NTRODUCCI ÓN
Resumen—Los transistores bipolares de unión (BJT) son com-
ponentes clave en circuitos electrónicos, especialmente en apli- Los transistores bipolares de unión (BJTs) surgieron a
caciones de amplificación y conmutación, donde su desempeño finales de la década de 1940 en los Laboratorios Bell, cuando
depende del método de polarización y su estabilidad térmica. En William Shockley, John Bardeen y Walter Brattain desarro-
este estudio se analizaron tres configuraciones de polarización: llaron el primer dispositivo práctico, dando inicio a la era de
base fija, realimentación por emisor y divisor de voltaje. Se
determinaron teóricamente los puntos de operación (Q) y se la electrónica de estado sólido. Desde entonces, los BJTs se
validaron mediante simulaciones en Proteus. Posteriormente, se convirtieron en los pilares de la amplificación analógica y la
implementaron los circuitos en protoboard utilizando transistores conmutación de señales hasta la aparición de los MOSFET,
con diferentes valores de ganancia de corriente (hF E ), lo que y aún hoy se emplean en aplicaciones de alta linealidad y
permitió observar cómo influye esta variación en la estabilidad ganancia [3].
del punto Q. Los resultados evidenciaron que las configuraciones
con realimentación ofrecen mayor estabilidad térmica frente a El principio de funcionamiento radica en la modulación de
cambios en hF E , lo cual las hace más adecuadas para el diseño la corriente de colector mediante la inyección de portadores
de circuitos robustos. Esta experiencia fortaleció la comprensión desde la base, controlando ası́ la corriente global del circuito.
crı́tica del comportamiento de los BJT y resaltó la importancia Sin embargo, caracterı́sticas intrı́nsecas del material semicon-
de una polarización adecuada para asegurar un funcionamiento ductor, como la variación del factor de ganancia de corriente
confiable.
(β) y el aumento de temperatura, provocan desplazamientos
Objetivo general del punto de operación (Q), lo que afecta la fidelidad de la
Comprobar el funcionamiento y analizar el desempeño de señal amplificada y la estabilidad de conmutación [1].
diferentes métodos de polarización en transistores BJT (base, Para contrarrestar estos efectos, se han desarrollado diversas
emisor y divisor de voltaje), evaluando su punto de operación técnicas de polarización. La polarización fija por base es la
y estabilidad térmica mediante simulación y montaje práctico. más sencilla de implementar pero presenta baja estabilidad
térmica. La polarización con realimentación de emisor incor-
Identify applicable funding agency here. If none, delete this. pora una resistencia que introduce retroalimentación negativa,
mejorando la invariancia del punto Q ante variaciones térmicas Después se utiliza la Ley de voltaje de Kirchhoff en la malla
[2]. Por su parte, el divisor de voltaje ofrece un compromiso interna expresando la corriente la base en términos la corriente
entre precisión y complejidad, siendo ampliamente utilizado del colector.
en diseños comerciales por su robustez y fácil ajuste. 470KΩ
Este trabajo profundiza en el análisis teórico, la simulación 16V = · ICQ + 0,7V (3)
90
en Proteus y la implementación práctica de estas tres con- 16V − 0,7V
ICQ = ≈ 2,93mA (4)
figuraciones. La evaluación comparativa de su desempeño y 470KΩ
90
estabilidad térmica, al variar el parámetro hF E , proporciona
una visión exhaustiva de las ventajas y limitaciones de cada Como se puede observar ICQ es dependiente de β razón por la
método, contribuyendo al diseño óptimo de circuitos con BJT cual no se consideró necesario calcular la estabilidad térmica
en entornos reales. del diseño. ya que este tipo de polarización se considera
inestable.
II-A3. Encontrar la ecuación de la recta de carga:: para
II. P ROCEDIMIENTO ello se utiliza la ley de voltaje de Kirchhoff en la malla externa
del transistor.
Antes de realizar la implementación de los circuitos se reali-
zo el análisis determinando el estado en el cual se encontrara 16V = 2,7KΩ · IC + VBE (5)
el transistor, la corriente que pasa por el colector (IC ) y el 16V − VBE
IC = (6)
voltaje entre colector y emisor (VCE ). 2,7KΩ
Usando la ecuación (6) se evalúa cuanto es la corriente cuando
II-A. Circuito #1 VCE = 0 para obtener la corriente del transistor cuando esta
en saturación (IMAX ), y se evalúa cuanto es el voltaje del
Se pidió un circuito polarizado por base o polarización transistor cuando IC = 0 para obtener el voltaje cuando esta en
fija con un transistor NPN, β=90, Rb=470KΩ, Rc=2.7KΩ y corte (VCEM AX ), Ademas de encontrar el Voltaje del transistor
V cc=16V. de ICQ .
16V − 0V
IM AX = ≈ 5,92mA (7)
2,7KΩ
VCEM AX = 16V (8)
VCEQ = 16V − 2,93mA · 2,7KΩ ≈ 8,09V (9)
Graficando los datos obtenidos se puede determinar el estado
en el que se encuentra el transistor:

Figura 1. circuito #1 polarización por base

II-A1. Comprobación de funcionamiento:: Para ello se

analiza que en el diseño mostrado el transistor se encuentre
en condiciones de funcionamiento
Juntura BC: Inversa.
Juntura BE: Directa.
II-A2. Determinar ICQ : Se usa la relación entre la co-
rriente del colector y la corriente de la base.

ICQ
β= (1)
IB
ICQ
IB = (2)
β Figura 2. Ecuación de la recta de cargar circuito # 2
 De lo cual se puede deducir que el transistor se encuentra Ya que la variación es mas de un 10 % el diseño se considera
en región activa. térmicamente inestable por lo que cualquier variación en el β
implicara una variación en ICQ .
II-B. Circuito #2 II-B4. Encontrar la ecuación de la recta de carga:: para
Se pidió un circuito polarizado por realimentación de Emi- ello se utiliza la ley de voltaje de Kirchhoff en la malla externa
sor con un transistor NPN, β=150, Rb = 510KΩ, Rc = del transistor.
2,4KΩ, Re = 1,5KΩ y Vcc = 12V .
12V = 2,4KΩ · IC + VCE + 1,5KΩ · IC (16)
16V − VCE
IC = (17)
3,9KΩ
Usando la ecuación (30) se evalúa cuanto es la corriente
cuando VCE = 0 para obtener la corriente del transistor
cuando esta en saturación (IMAX ), y se evalúa cuanto es el
voltaje del transistor cuando IC = 0 para obtener el voltaje
cuando esta en corte (VCEM AX ), Ademas de encontrar el
Voltaje del transistor de ICQ .
12V − 0V
IM AX = ≈ 3,08mA (18)
3,9KΩ
VCEM AX = 12V (19)
VCEQ = 12V − 2,31mA · 3,9KΩ ≈ 2,99V (20)
Graficando los datos obtenidos se puede determinar el estado
en el que se encuentra el transistor:

Figura 3. circuito #2 polarización por retroalimentación de Emisor

II-B1. Comprobación de funcionamiento:: Para ello se

analiza que en el diseño mostrado el transistor se encuentre
en condiciones de funcionamiento
Juntura BC: Inversa.
Juntura BE: Directa.
II-B2. Determinar ICQ : Se usa la relación entre la co-
rriente del colector y la corriente de la base.
ICQ
β= (10)
IB
ICQ
IB = (11)
β
Después se utiliza la Ley de voltaje de Kirchhoff en la malla
interna expresando la corriente la base en términos la corriente
del colector.
510KΩ
12V = · ICQ + 0,7V + 1,5KΩ · ICQ (12)
150
12V − 0,7V
ICQ = 510KΩ ≈ 2,31mA (13)
150 + 1,5KΩ

II-B3. Comprobación de estabilidad térmica:: Para deter-

minar si un circuito es estable térmicamente se calcula cuanto
varia ICQ cuando se duplica el β del transistor.
12V − 0,7V
510KΩ
≈ 3,53mA (14) Figura 4. Ecuación de la recta de cargar circuito # 2
+ 1,5KΩ
300
3,53mA − 2,31mA De lo cual se puede deducir que el transistor se encuentra
· 100 ≈ 52,81 % (15)
2,31mA en región activa.
II-C. Circuito #3
Se pidió un circuito polarizado por divisor de voltaje con
un transistor PNP, β = 220, Rc = 2,2KΩ, Re = 750Ω,
R1(B-Vcc) = 82KΩ, R2(B-Gnd) = 15kΩ y Vcc = −15V .

Figura 6. circuito equivalente del circuito #3

II-C4. Comprobación de estabilidad térmica:: Para deter-

minar si un circuito es estable térmicamente se calcula cuanto
varia ICQ cuando se duplica el β del transistor.

2,32V − 0,7V
12,68KΩ
≈ 2,08mA (27)
440+ 750Ω
2,08mA − 2mA
Figura 5. Circuito #3 polarización por divisor de voltaje · 100 ≈ 4 % (28)
2mA
II-C1. Comprobación de funcionamiento:: Para ello se
analiza que en el diseño mostrado el transistor se encuentre Ya que la variación es menor de un 10 % el diseño se considera
en condiciones de funcionamiento térmicamente estable.
Juntura BC: Inversa. II-C5. Encontrar la ecuación de la recta de carga:: para
Juntura BE: Directa. ello se utiliza la ley de voltaje de Kirchhoff en la malla externa
II-C2. Creación de un circuito equivalente:: Se busca un del transistor.
circuito equivalente con el fin de poder analizar el funciona-
miento del mismo de forma sencilla, para lo cual se usa el
Teorema de Thévenin para la fuente y resistencia equivalente 15V = 750Ω · IC + VCE + 2,2KΩ · IC (29)
del divisor de voltaje. 15V − VCE
IC = (30)
15KΩ 2,95KΩ
VT h = −15V · ≈ −2,32 (21)
15KΩ + 82KΩ
−1 −1 −1
RT h = ((15kΩ) + (82KΩ) ) ≈ 12,68KΩ (22)
Usando la ecuación (30) se evalúa cuanto es la corriente
Obteniendo el siguiente circuito: cuando VCE = 0 para obtener la corriente del transistor
II-C3. Determinar ICQ : Se usa la relación entre la co- cuando esta en saturación (IMAX ), y se evalúa cuanto es el
rriente del colector y la corriente de la base. voltaje del transistor cuando IC = 0 para obtener el voltaje
ICQ cuando esta en corte (VCEM AX ), Ademas de encontrar el
β= (23) Voltaje del transistor de ICQ .
IB
ICQ
IB = (24)
β 15V − 0V
IM AX = ≈ 5,08mA (31)
Después se utiliza la Ley de voltaje de Kirchhoff en la malla 2,95KΩ
interna expresando la corriente la base en términos la corriente VCEM AX = 15V (32)
del colector. VCEQ = 15V − 2mA · 2,95KΩ = 9,1V (33)
12,68KΩ
2,32V = · ICQ + 0,7V + 750Ω · ICQ (25)
220
2,32V − 0,7V Graficando los datos obtenidos se puede determinar el estado
ICQ = 12,68KΩ ≈ 2mA (26)
+ 750Ω en el que se encuentra el transistor:
220
 III-2. Circuito de polarización por realimentación de emi-
sor: Proteus dio los siguientes datos:
Icq = 2.28 mA Vbe= 0,8 V

Figura 9. Circuito simulado ”Polarización por realimentación de emisor”

Proteus.

con el (β) = 300

Icq = 3.03 mA Vbe= 0,8 V

Figura 7. Ecuación de la recta del circuito #3

De lo cual se puede deducir que el transistor se encuentra

en región activa.

III. S IMULACI ÓN Figura 10. Circuito simulado ”Polarización por realimentación de emisor”
Proteus. (β * 2)
La simulación de proteus nos arrojo los siguientes datos:
III-1. Circuito de polarización fija: Icq = 2.91 mA Vbe=
0,8 V III-3. Circuito de polarización por divisor voltaje: Proteus
dio los siguientes datos: Icq= 1.89mA

Figura 8. Circuito simulado ”Polarización fija” Proteus. Figura 11. Circuito simulado ”Polarización por divisor de voltaje” Proteus.
 IV. I MPLEMENTACI ÓN
V. A NALISIS DE DATOS
VI. C ONCLUSIONES
1. En el transcurso del laboratorio aplicamos los conceptos
de transistores BJT y sus polarizaciones, analizamos tres
métodos de polarización (fija, retroalimentación de emi-
sor y divisor de voltaje), comprendimos su importancia
en los circuitos electrónicos.
2. En la implementación en protoboard, se vio como el
punto de operación Q varia según que polarización se
use. El divisor de voltaje es el mas estable frente a (β),
eficiente para circuitos mas complejos.
3. Proteus nos ayudo mucho para ver los comportamientos
del transistor en sus 3 polarizaciones antes de hacerlo
en protoboard, fue satisfactorio encontrar que los datos
teóricos y de simulaciones, coinciden con los reales.
4. La mayor dificultad fue el (β), ya que este varia entre
cada transistor.
5. Este laboratorio permitió afianzar conceptos de la clase
que son importantes como la recta de carga y la estabili-
dad que varia según la temperatura, que son importantes
para aplicaciones posteriores en otros circuitos.
6. La importancia de los transistores y de sus aplicaciones
en la vida real y en la ingenierı́a electrónica,
R EFERENCIAS
[1] S. M. Sze and M.-K. Lee, Semiconductor Devices: Physics and Techno-
logy, 3rd ed. Hoboken, NJ, USA: Wiley, 2012.
[2] R. Boylestad and L. Nashelsky, Electronic Devices and Circuit Theory,
11th ed. Upper Saddle River, NJ, USA: Pearson, 2012.
[3] A. Sedra and K. C. Smith, Microelectronic Circuits, 7th ed. New York,
NY, USA: Oxford Univ. Press, 2014.
[4] J. W. Nilsson and S. A. Riedel, Electric Circuits, 10th ed. Upper Saddle
River, NJ, USA: Pearson, 2014.
[5] P. Horowitz and W. Hill, The Art of Electronics, 3rd ed. Cambridge,
UK: Cambridge Univ. Press, 2015.