TEMA 2

ESTRUCTURA DEL ESTADO SÓLIDO

CIENCIA Y TECNOLOGÍA DE LOS MATERIALES

 ÍNDICE

1. INTRODUCCION

2. ORDENAMIENTO DE CORTO Y DE LARGO ALCANCE

3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA. CELDAS UNITARIAS. PUNTOS, DIRECCIONES Y PLANOS EN LA CELDA

UNITARIA

4. DEFECTOS CRISTALINOS: VACANTES, DISLOCACIONES Y LÍMITES DE GRANO

5. INFLUENCIA DE LOS DEFECTOS CRISTALINOS SOBRE LAS PROPIEDADES DE LOS MATERIALES

 1. INTRODUCCIÓN

 Propiedades del sólido → dependen de la disposición de átomos y fuerzas de enlace entre ellos

 Según el ordenamiento atómico:

Metales → ductilidad, resistencia
Cerámicos → transductores (captan vibraciones y generan señal eléctrica)
Polímeros → comportamiento heterogéneo
 1. INTRODUCCIÓN
• Tipo de enlace ⇒ PROPIEDADES DEL MATERIAL
• Enlace primario o químico
• Enlace secundario o físico Ne Ne
Cl −
K+ K+
1. Enlaces primarios ⇒ átomos comparten o intercambian electrones de sus capas
externas para conseguir una estructura electrónica estable. Ne Ne
Cl −
K+
Cl −
• Iónico
• Covalente
• Metálico Enlace molecular Enlace iónico
• Molecular*
2. Enlaces secundarios ⇒ la disposición física de los átomos en la molécula da como
resultado una carga eléctrica no equilibrada. Las moléculas se unen mediante
fuerzas electroestáticas. Ge Ge
• Fuerzas de Van der Waals (interacciones tipo dipolo) Al3+ Al3+ Al3+
• Puentes de hidrógeno
Ge Ge Al3+ Al3+ Al3+

Enlace covalente Enlace metálico

 1. INTRODUCCIÓN
ENLACE IÓNICO

• Transferencia de electrones de un átomo a otro  Molécula de NaCl

Na + Cl Na Cl

átomo de Na átomo de Cl catión Na anión Cl

carga positiva Na+ carga negativa Cl-

Características

 Electronegatividades de los átomos muy  Energía de enlace: 600-1500 kJ/mol ⇨ ⇧ T de

diferentes fusión
 Estructuras compactas  Materiales iónicos: duros, frágiles, eléctrica y
 Enlace no direccional térmicamente aislantes
 La resistencia del enlace aumenta con la  Típico de materiales cerámicos
carga
 1. INTRODUCCIÓN
ENLACE COVALENTE

• Compartición de electrones entre

átomos
• La resistencia del enlace depende del
número de electrones de valencia

CH4
Características
 Electronegatividades similares (próximos tabla periódica)
 Estructuras no compactas
 Enlace direccional
 Compuestos con resistencia y temperaturas de fusión altas
 A menudo poseen expansión térmica baja
 Típico: polímeros, enlaces C-C, C-H, C-N; ceramicos covalentes

Enlaces interatómicos ⇒ parcialmente iónicos y covalentes

 1. INTRODUCCIÓN
ENLACE METÁLICO
• Compartición en masa de electrones entre varios átomos
• Electrones deslocalizados (no pertenecen a ningún átomo en concreto)  forman una nube electrónica
(electronegativa) que cohesiona a los átomos cargados positivamente
• Átomos unidos por una nube electrónica  fácil movimiento de electrones  Alta conductividad térmica
y eléctrica
• Enlace no direccional
• Agrupación en estructuras simples de alta densidad

+ Cationes metálicos
- - -
+ -+ + - + +
- -
+ - + - + - + +-
-
+ + -+ + - +
- -
+ + -+ + +
- Electrones libres
No hay una correspondencia exacta entre tipo de enlaces y
los materiales previamente descritos
 1. INTRODUCCIÓN
Energías de enlace y temperatura de fusión para diferentes sustancias

Energía de enlace Temperatura

Tipo de enlace Sustancia KJ/mol eV/átomo, de fusión
ión, molécula (°C)

NaCl 640 3.3 801

IÓNICO
MgO 1000 5.2 2800

Si 450 4.7 1410

COVALENTE
C(diamante) 713 7.4 >3550

Hg 68 0.7 -39
Al 324 3.4 660
METÁLICO
Fe 406 4.2 1538
W 849 8.8 3410

VAN DER Ar 7.7 0.08 -189

WAALS Cl2 31 0.32 -101

PUENTES
NH3 35 0.36 -78
DE
H2 O 51 0.52 0
HIDRÓGENO
2. ORDENAMIENTO DE CORTO Y DE LARGO ALCANCE
Niveles de organización de los átomos
DESORDEN:
Átomos y moléculas carecen de estado ordenado. Gases y líquidos. Ej: Ar (átomos distribuidos aleatoriamente
en el espacio que ocupa el gas)

ORDENAMIENTO DE CORTO ALCANCE:

Distribución regular de los átomos restringida a los circunvecinos.
Ej: molécula de H2O (ordenamiento limitado por enlaces covalentes entre átomos de H y O con ángulos de
enlace de 104°). En estado vapor distribución aleatoria.

11
2. ORDENAMIENTO DE CORTO Y DE LARGO ALCANCE
Niveles de organización de los átomos

Ej. Sílice (SiO2): estructura tetraédrica, unión covalente de cuatro átomos de O con uno de Si con ángulos de enlace
de 109°). Unidades tetraédricas se unen de forma aleatoria → vidrios amorfos

Ej. Polietileno: ordenamiento de corto alcance. Distribución de cadenas al azar en el espacio.

2. ORDENAMIENTO DE CORTO Y DE LARGO ALCANCE
Niveles de organización de los átomos

−ORDENAMIENTO DE LARGO ALCANCE:

Átomos muestran ordenamiento general o de largo alcance que se distribuye por todo el material →
metales, muchos cerámicos y algunos polímeros.

SiO2 Cristobalita
PE cristalino
 3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA
Red o Retícula: conjunto de puntos (puntos reticulares) que siguen
patrón regular.
Tiene ordenamiento de largo alcance → la red se distribuye regular
y uniformemente en todo el material

Estructura cristalina: tamaño, forma y ordenamiento atómico

dentro de la red.
Diferente configuración reticular del material en forma y
dimensiones → según tamaño de átomos y tipo de enlace

Tipos sólidos: monocristalinos (ordenación de largo alcance, único

cristal sin cambios de orientación),
policristalinos (ordenación de largo alcance, asociación de cristales
con diferente orientación),
vítreo (ordenamiento de corto alcance) y
amorfo (desorden)
 3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA
Celdilla unidad: menor subdivisión de la red que tiene las características generales de toda la retícula.
Apilando celdas siguiendo la misma orientación en las tres direcciones del espacio colocación de átomos en sus
posiciones correctas en el cristal.

• Existen 14 tipos de celdillas unitarias → Redes de Bravais

• 7 sistemas cristalinos
 3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA
14 Redes de Bravais
7 Sistemas cristalinos
 3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA
Parámetros de red: parámetros reticulares que describen el sistema cristalino, el
tamaño y la forma de la celdilla unidad → Lados de las celdas unidad (a, b, c) y
ángulos que forman sus ejes (α, β, γ)
 3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA
Ej: Fe-α (estable baja Tª),
• Materiales metálicos Cr, Mo, K, V, W, aleaciones
– Cúbica centrada en el cuerpo (BCC)
– Cúbica centrada en las caras (FCC)
– Hexagonal compacta (HCP)
BCC

Ej: Fe-γ, Al, Cu, Ni, Pt, Ag, Pt y Au

FCC

Ej: Be, Cd, Mg, Co, Ti-α, Zn

HCP
 3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA
Número de átomos por celdilla unidad: producto de átomos por punto reticular multiplicado por el número
de puntos de red por celda unidad.

Sistema cúbico:
Número de puntos reticulares por celda unidad: vértices 1/8, caras 1/2, posición centrada 1

CS=1 BCC=2 FCC=4 HCP=6

Ej. Número de átomos en la celda unitaria FCC.

 3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA
"primeros vecinos"
Numero de coordinación: nº de átomos en contacto con un átomo en particular
números de átomos que te rodean

BCC= 8 FCC= 12 CPH= 12

Factor de empaquetamiento: fracción del espacio ocupada por átomos

[(nº de átomos/celda) (volumen de cada átomo)]

F=
(volumen de celda)

FBCC = 0,68; FFCC = 0,74; FCS = 0,52; FHCP = 0,74

cúbica simple (CS)
 3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA
(número de átomos/celda)(masa atómica)
Densidad =
(volumen celda) NA

Densidad planar: nº de átomos que existen en un plano por unidad de superficie

Densidad lineal: nº de diámetros de átomo localizados en una dirección para una determinada longitud

Densidad planar Densidad lineal

 3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA

 Tipos de apilamiento de planos:

La FCC y la hexagonal son muy parecidas, solo cambia el apilamiento

 3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA
 Tipos de apilamiento de planos:

BCC: Planos tipo II, Apilamiento A-B-A-B…

 3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA
 Tipos de apilamiento de planos: Planos tipo III
HCP FCC

[Link]
 3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA
Redes metálicas. Estructuras compactas

Apilamientos compactos, empaquetamiento cerrado:

A-B-A-B (CPH) A-B-C-A-B-C (FCC)

CPH FCC
3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA
 3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA
Redes cerámicas: cristales iónicos y covalentes

Estructura cristalina → función del tipo de enlace y tamaño de los átomos

Cristales iónicos → cerámicos oxídicos (alúmina, magnesia, circona...)
Cristales covalentes → cerámicos no oxídicos (carburos, nitruros...)

CRISTALES IÓNICOS
Presentan enlace iónico
Neutralidad eléctrica
• La no direccionalidad del enlace iónico favorece la obtención de empaquetamientos lo más cerrados posibles
en función de las consideraciones geométricas.
• La relación de radios r+/r- determina el tipo de estructura cristalina (forma de empaquetamiento y el número
de coordinación).
• Si anión y catión no se tocan, la red que se obtiene no es estable (las fuerzas de atracción y repulsión entre los
iones no están compensadas).
 3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA
Posiciones intersticiales → huecos entre átomos de la red donde se pueden colocar átomos más pequeños

Átomo intersticial con radio ligeramente mayor al radio de la posición intersticial se introduce desplazando átomos

Átomos con radio inferior al radio del hueco no se acomodan situación no estable

Si el átomo intersticial es demasiado grande se introduce en un sitio con un nº de coordinación mayor

un metal tiene el mismo tipo de átomos, y los cerámicos tienen varios tipos de átomos (átomos metálicos y no metálicos)

los cerámicos tienen huecos, que pueden ser octaédricos, tetraédricos. Red FCC

Hueco octaédrico Hueco tetraédrico

BCC ⇒ h.o.= 6; h.t = 12 FCC ⇒ h.o.= 4; h.t = 8 HCP ⇒ h.o.= 6; h.t = 12

 3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA
Estructura del cloruro de cesio (CsCl)
Estructura cúbica simple con dos iones asociados a cada punto de red → Cs+ y Cl-
r+/r-=0.92
NC=8
La BCC tiene un átomo en el centro
como le rodean 8 se dice que tiene coordinación 8

Estructura del cloruro sódico (NaCl)

Estructura FCC con Cl- en posiciones reticulares y Na+ en posiciones octaédricas.
Dos redes FCC interpenetradas, una de aniones
y otra de cationes, desplazadas una respecto
El cloro es una FCC (centrada en las caras)
a otra la mitad de la arista del cubo.
r+/r-=0.536
NC=6
Cerámicos típicos: MgO, CaO,
FeO, NiO
 3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA
Estructura de la blenda (ZnS)
Estructura FCC con S2- en posiciones
reticulares normales y Zn2+ en la mitad
de huecos tetraédricos.
r+/r-=0.40
NC=4

Ejemplos de cerámicos típicos:

MgO → estructura tipo NaCl. Red FCC de O2- con un catión de magnesio en cada
intersticio octaédrico.
ZrO2 → empaquetamiento FCC de Zr4+ con aniones O2- ocupando los huecos tetraédricos.
Al2O3 → empaquetamiento CPH con Al3+ en intersticios octaédricos (2/3 ocupados)
 3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA
CRISTALES COVALENTES
Estructuras deben satisfacer las restricciones direccionales impuestas por el tipo de enlace

Estructura cúbica del diamante (CD)

Átomos unidos por enlaces covalentes formando un tetraedro. NC=4
Grupos tetraédricos combinados formando un cubo que contiene 8 cubos más pequeños, pero solo 4
contienen tetraedros.
Átomos de los vértices de los cubos tetraédricos proporcionan átomos en los puntos de red FCC normales +
átomos adicionales en el centro de cubos tetraédricos.

Estructura típica del C, Ge, Si

 3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA
SiC
Átomos de C en posiciones normales de la red FCC y Si ocupando la mitad de los huecos
tetraédricos.

Transformaciones alotrópicas
Materiales que poseen más de una estructura cristalina
912 oC
Fe: Feα BCC (↓ Tª) Feγ FCC (↑ Tª)

Ti: Tiα CPH(↓ Tª) 885 oC Tiγ BCC (↑ Tª)

 4. DEFECTOS CRISTALINOS
Defecto cristalino
Irregularidad en la red en la cual una o más de sus dimensiones son del orden de un diámetro atómico.

Clasificación según la geometría o dimensiones del defecto:

• Defectos de punto: impurezas, vacantes.
• Defectos de línea: dislocaciones.
• Defectos de superficie: límites de grano y macla.

Aleaciones → se añaden átomos extraños para conseguir unas determinadas propiedades

Añadiendo átomos de impurezas a un metal se forma una solución sólida y/o una nueva fase dependiendo del tipo de
impureza, concentración y temperatura de la aleación.

no existe un material perfecto debido a que como hay temperatura los

átomos se mueven y generan defectos... hay más razones
para que no se muevan los átomos debemos estar a 0 Kelvin y
físicamente es imposible
 4. DEFECTOS CRISTALINOS
Defectos de punto
Pueden aparecer defectos puntuales debido a impurezas de dos tipos:

Sustitucionales → átomos de soluto sustituyen a los átomos de disolvente. Existen

leyes que determinan el grado de solubilidad.

Intersticiales → átomos de impurezas llenan los intersticios atómicos del disolvente

Impureza
Auto-intersticial

Impureza
intersticial
Impureza Vacante
sustitucional
 4. DEFECTOS CRISTALINOS
VACANTES (cuando no hay temperatura y un átomo coge y dice "me piro")
Lugar o posición vacía que debería estar ocupada por átomos.

Existencia de vacantes → explicar fenómeno de difusión en estado sólido

Se producen durante la solidificación y como consecuencia de vibraciones que desplazan los átomos de sus
posiciones reticulares

Probabilidad de que un átomo abandone una posición reticular dejando un lugar vacante:

P = A exp (-Ev/KT)
 4. DEFECTOS CRISTALINOS
Dos posibilidades:
Átomo desplazado pase a ocupar una posición intersticial → átomo auto-intersticial
Átomo se mueve hacia una posición superficial en la red

Defecto Frenkel: átomo pasa a ocupar posición intersticial dejando una vacante (autointersticial).

Defecto Schottky: átomo se mueve a posición superficial de la red dejando una vacante simple.

Schottky Frenkel
átomo que se pira y deja una vacante átomo que se pira y deja un intersticio
4. DEFECTOS CRISTALINOS: VACANTES
Experimentalmente → para una T existe una concentración de equilibrio de defectos
Frenkel y Schottky.

Cristal imperfecto debe tener energía libre menor que un cristal perfecto
∆G= ∆H-T∆S

∆H se identifica con Ev [energía para desplazar un átomo desde su posición reticular

hasta un intersticio (d. Frenkel) o hasta su posición reticular (d. Schottky) ]→
aumento de energía libre
Presencia de defectos aumenta el grado de desorden (aumenta ∆S) → favorece
descenso de energía libre

Contribución de ∆H y ∆S
 4. DEFECTOS CRISTALINOS: VACANTES
ne/N = Ce = Aexp(-ED/KT)
ne = nº de defectos en equilibrio
N = nº de átomos del cristal
Ce = concentración de defectos en equilibrio
ED = energía de formación de defectos

Concentración de defectos en equilibrio en función de la temperatura

(A = 1, ED = 1 eV/atom)
Temperatura (K) Ce

0 10-∞
200 6,5 x 10-26
400 2,5 x 10-13
600 4,2 x 10-9
800 5,2 x 10-7
1000 9,2 x 10-6
1200 6,1 x 10-5
 4. DEFECTOS CRISTALINOS: VACANTES
Ev a una temperatura dada depende del tipo de material

En metales la proporción de defectos de estos dos tipos es muy pequeña

Defectos Frenkel → importantes en cristales que poseen redes abiertas, pueden acomodar átomos intersticiales sin
mucha distorsión. Estructuras con bajos índices de coordinación → ZnS

Defectos Schottky → mayor proporción en cristales con alto índice de coordinación → NaCl

• Procesos importantes en materiales sólidos → recristalización, precipitación, tienen lugar por movimiento de
átomos en el cristal

• Conocimiento de vacantes en equilibrio es importante → la difusión de átomos sustitucionales se produce por

mecanismo de vacantes
4. DEFECTOS CRISTALINOS: DEFECTOS DE LÍNEA
DEFECTOS DE LINEA. DISLOCACIONES
Dislocaciones → permiten explicar discrepancias entre tensión teórica y experimental
para deformar plásticamente un cristal perfecto

Cristal → introducimos medio plano de átomos

Se genera defecto de línea (distorsión en el borde del plano extra) → dislocación de
vértice o borde
 4. DEFECTOS CRISTALINOS: DISLOCACIONES
Movimiento de la dislocación a través del cristal:
Átomos marcados como 1, 2, 3, 4 y 5 → desplazados de sus posiciones de equilibrio
Cristal sin tensionar: 1-2 y 2-3 → más juntos; 1-5 y 3-4 → distancia de separación superior a la de equilibrio
Aplicación de tensión de cizalladura → 2 se acerca a 3 y se aleja de 1; distancia 1-5 se reduce y 3-4 aumenta → aumento
de energía de enlace de 1-2 y 3-4 y disminución de energía de enlace 2-3 y 1-5
Si aumenta la tensión → 2 se une con 4 → dislocación se desplaza un espaciado interatómico hacia la izquierda
Repetición de proceso hasta que dislocación abandona el cristal → se forma escalón de anchura b
4. DEFECTOS CRISTALINOS: DISLOCACIONES
Movimiento de mayor nº de dislocaciones a lo largo de un mismo plano→ aumenta la
anchura del escalón

Notación:

localización plano extra → Encima plano de deslizamiento Debajo plano de deslizamiento

Magnitud y dirección del deslizamiento originado por el movimiento de una única

dislocación → b → vector de Burgers

Dislocaciones ↑Esistema Ed≈G·b2

4. DEFECTOS CRISTALINOS: DISLOCACIONES
Dislocación helicoidal → planos reticulares forman una espiral alrededor de la línea de
dislocación. Es paralela a su vector de Burgers.
Se mueve en dirección perpendicular al vector de Burgers
 4. DEFECTOS CRISTALINOS: DISLOCACIONES
El encuentro entre varias dislocaciones produce interacciones → se requiere mayor esfuerzo → metal más
resistente

Al aumentar el nº de dislocaciones → aumenta la resistencia del metal → endurecimiento por deformación

RESUMEN
1. Dislocación de borde
- Es perpendicular a su vector de Burgers
- Se mueve (en su plano de deslizamiento) en la dirección del vector de Burgers (dirección de deslizamiento)

2. Dislocaciones helicoidales
- Es paralela a su vector de Burgers
- Se mueve (en el plano de deslizamiento) en una dirección perpendicular al vector de Burgers (dirección de
deslizamiento)

3. Dislocaciones mixtas
 4. DEFECTOS CRISTALINOS: DISLOCACIONES
Esfuerzo Peierls-Nabarro

Esfuerzo requerido para mover una dislocación de una posición de equilibrio a otra.

τ = c exp (-kd/b) τ: esfuerzo cortante requerido para mover

una dislocación
d: distancia interplanar entre planos de
deslizamiento adyacentes
b: vector de Burgers
c y K: constantes del material

 τ ↑ cuando b ↑, las direcciones compactas tienen b ↓

 τ ↓ cuando d ↑, más fácil el deslizamiento entre planos alejados

 Materiales con enlaces covalentes (silicio) no deslizan, son frágiles

 Materiales con enlace iónico (MgO) resistentes al deslizamiento
4. DEFECTOS CRISTALINOS: DEFECTOS DE SUPERFICIE
Límites de Grano
Interfase entre cristales que poseen diferente orientación cristalográfica, composición
o dimensiones de la celdilla unidad

La superficie que separa los granos → zona estrecha donde los átomos no se
encuentran espaciados de forma apropiada

La energía del límite de grano varía con la desorientación (θ)

E = Eo θ (A-lnθ) Eo y A constantes
4. DEFECTOS CRISTALINOS: DEFECTOS DE SUPERFICIE
Nucleación de granos
Tema 2. Estructura del estado sólido

1. Crecimiento de grano perfecto

2. Formación de grano a partir de un núcleo
Límites de grano 3. Crecimiento de grano con alineación
perfecta (límite coherente)
Cuando el metal fundido enfría 4. Crecimiento de grano con alineación
los átomos pierden energía y imperfecta (límite coherente deformado)
forman cristales. Desarrollo de
5. Crecimiento de grano con alineación
múltiples núcleos formando imperfecta (límite semicoherente)
granos
6. Crecimiento de grano sin alineación
(límite incoherente)
4. DEFECTOS CRISTALINOS: DEFECTOS DE SUPERFICIE
Límites de Grano
Límite de grano posee elevada energía → defecto de no equilibrio

Cristal rebaja su energía libre → reduciendo el área total ocupada por los límites de grano → crecimiento de
grano, esferoidización o engrosamiento de partículas

Reducción de los límites de grano con la temperatura

a) crecimiento de grano

b) esferoidización

c) engrosamiento
4. DEFECTOS CRISTALINOS: DEFECTOS DE SUPERFICIE
Límites de Grano cuanto mas pequeño sea mi grano, más resistente será mi material

Relación tamaño de grano con límite elástico → ecuación de Hall-Petch

σy: esfuerzo de fluencia o tensión a la cual
no pregunta la ecuación
se deforma un material permanentemente
σy = σo + Kd-1/2 d: diámetro medio de los granos
σo y k: ctes del metal

Control de las propiedades del metal: Reducción del tamaño de grano → ↑ nº de grano
→ ↑ límites de grano → obstaculiza el movimiento de las dislocaciones

Importante conocer
el tamaño de grano
de mi material
4. DEFECTOS CRISTALINOS: DEFECTOS DE SUPERFICIE
Faltas de apilamiento
Error en secuencia de apilamiento de planos compactos. Se produce en metales FCC y HC

Ej: ABCABCABC Red FCC perfecta

ABCABABCABC Existe plano A en vez de C

Falta de apilamiento interfiere en el proceso de deslizamiento

Límite de macla no le importa mucho

Defecto que separa dos partes de un grano que tienen una diferencia en la orientación cristalográfica → una parte
de la red es una imagen especular de la porción vecina → plano que actúa como espejo es el límite de macla
4. DEFECTOS CRISTALINOS: DEFECTOS DE SUPERFICIE
Faltas de apilamiento
Error en secuencia de apilamiento de planos compactos. Se produce en metales FCC y HC

Ej: ABCABCABC Red FCC perfecta

ABCABABCABC Existe plano A en vez de C

Falta de apilamiento interfiere en el proceso de deslizamiento

Límite de macla
Defecto que separa dos partes de un grano que tienen una diferencia en la orientación cristalográfica → una parte de la
red es una imagen especular de la porción vecina → plano que actua como espejo es el límite de macla

- Maclas de recocido → durante la recristalización

- Maclas de deformación → durante el movimiento de las dislocaciones

• Importancia → se pone en juego nuevos sistemas de deslizamiento por el cambio de orientación producido
4. DEFECTOS CRISTALINOS: DEFECTOS DE SUPERFICIE
 5. INFLUENCIA DE LA ESTRUCTURA CRISTALINA EN LAS PROPIEDADES

Plano de deslizamiento → mayor densidad de empaquetamiento que contenga dicha

dirección
si es un material con mucho deslizanmiento será dúctil o fragil

Dirección de deslizamiento → máximo empaquetamiento cúbica

simple BCC
5. INFLUENCIA DE LA ESTRUCTURA CRISTALINA EN LAS PROPIEDADES

FCC: direcciones <110>, planos {111} → 4 planos x 3 direcciones → 12 sistemas

de deslizamiento

HC: direcciones <1120>, planos (0001) → 1 planos x 3 direcciones → 3 sistemas

de deslizamiento

FCC HC
 5. INFLUENCIA DE LA ESTRUCTURA CRISTALINA EN LAS PROPIEDADES

BCC: planos {110} direcciones <111>, 6 planos y 2 direcciones.

12 sistemas de deslizamiento. Baja calidad. No posee planos compactos. Otro planos {110}{100}{112} → 48
sistemas de deslizamiento. Poco eficientes.

PREGUNTA TIPO TEST

La BCC es la más resistente de todas, más que FC y HC.

BCC
Mecanismo de deslizamiento entre bloques para explicar deformación plástica de un cristal → bloques de cristal
se deslizan unos sobre otros bajo la acción de una tensión de cizalladura a través de planos y direcciones
compactas

Mecanismo de deformación plástica se produce por movimiento de dislocaciones

para que haya un buen deslizamineto tiene que haber planos muy compactos, no hace falta que haya muchos planos
5. INFLUENCIA DE LA ESTRUCTURA CRISTALINA EN LAS PROPIEDADES
τrc → tensión de cizalladura crítica. Esfuerzo cortante mínimo para romper los
suficientes enlaces metálicos para que tenga lugar el deslizamiento
Metal se deforma cuando la tensión aplicada produce una tensión de cizalladura
resultante que es igual a la tensión de cizalladura crítica (τr= τrc)

si es fácil mover los planos el material se dice

que es dúctil

muy resistente,
porque necesito
mucho esfuerzo
crítico

Si τrc es ↑ el material presenta elevada resistencia mecánica

Metales FCC y CPH (tienen planos compactos) → τrc ↓
Metales BCC (no tiene planos compactos) → τrc ↑
5. INFLUENCIA DE LA ESTRUCTURA CRISTALINA EN LAS PROPIEDADES

Nº de sistemas de deslizamiento

Cuando al menos un sistema de deslizamiento está orientado de manera que presente ángulos φ y λ a 45° → τr= τrc
al aplicar esfuerzos reducidos
CPH → 3 sistemas de deslizamiento→ ↓ probabilidad de que planos y direcciones compactos estén orientados a
45°→ falla de forma frágil sin mucho deslizamiento
FCC → 12 → baja resistencia y elevada ductilidad
BCC → 48 → muchos sistemas de deslizamiento → interferencia de dislocaciones proporciona elevada resistencia,
permitiendo cierta ductilidad
5. INFLUENCIA DE LA ESTRUCTURA CRISTALINA EN LAS PROPIEDADES

Deslizamiento cruzado no importa mucho

Dislocación helicoidal que se mueve en plano de deslizamiento encuentra obstáculo → puede cambiar a un segundo
sistema de deslizamiento que la cruce → deslizamiento cruzado

Es posible en BCC y FCC

Metales CPH no ocurre → planos compactos paralelos → metales frágiles

⇓
Aleados o calentados mejoran su ductilidad