Unidad N° 4: Transistor de unión bipolar (BJT)
Estructura de un BJT
El BJT (transistor de unión bipolar) se construye con tres regiones semiconductoras
separadas por dos uniones pn, como lo muestra la estructura plana epitaxial de la figura
siguiente parte(a). Las tres regiones se llaman emisor, base y colector. En las figuras (b) y
(c) se muestran representaciones físicas de los dos tipos de BJT. Un tipo se compone de
dos regiones n separadas por una región p (npn) y el otro tipo consta de dos regiones p
separadas por una región n (pnp). El término bipolar se refiere al uso tanto de huecos
como de electrones como portadores de corriente en la estructura de transistor.
La unión pn que une la región de la base y la región del emisor se llama unión base-
emisor. La unión pn que une la región de la base y la región del colector se llama unión
base-colector, como la figura (b) lo muestra: un conductor conecta a cada una de estas
tres regiones. Estos conductores se designan E, B y C por emisor, base y colector,
respectivamente. La región de la base está ligeramente dopada y es muy delgada en
comparación con las regiones del emisor, excesivamente dopada, y la del colector,
moderadamente dopada. La figura siguiente muestra los símbolos esquemáticos para los
transistores npn y pnp.
Operación básica de un BJT
Para que un BJT opere adecuadamente como amplificador, las dos uniones pn deben
estar correctamente polarizadas con voltajes de cd externos. En este apunte se utiliza
principalmente el transistor npn como ilustración. La operación del pnp es la misma que
para el npn excepto en que los roles de los electrones y huecos, las polaridades del
voltaje de polarización y las direcciones de la corriente se invierten.
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Para entender cómo opera un transistor, veamos lo que sucede en el interior de la
estructura npn.
La región del emisor de tipo n excesivamente dopada tiene una densidad muy alta de los
electrones de banda de conducción (libres). Estos electrones libres se difunden con
facilidad a través de la unión BE polarizada en directa hacia la región de la base de tipo p
muy delgada y levemente dopada (flecha ancha). La base tiene una baja densidad de
huecos, los cuales son los portadores mayoritarios, representados por los puntos blancos.
Un pequeño porcentaje del número total de electrones libres se va hacia la base, donde
se recombinan con huecos y se desplazan como electrones de valencia a través de la
base hacia el emisor como corriente de huecos, como lo indican las flechas negras.
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Cuando los electrones que se recombinaron con huecos como electrones de valencia
abandonan las estructura cristalina de la base, se transforman en electrones libres en el
conductor de la base metálica y producen la corriente de base externa. La mayoría de
los electrones libres que entraron a la base no se recombinan con huecos porque es muy
delgada. A medida que los electrones libres se desplazan hacia la unión BC polarizada en
inversa, son arrastrados a través del colector por la atracción del voltaje de alimentación
positivo del colector. Los electrones libres se desplazan a través del colector hacia el
circuito externo y luego regresan al emisor junto con la corriente de base, como se indica.
La corriente de emisor es un poco más grande que la corriente de colector debido a la
pequeña corriente de base que se desprende de la corriente total inyectada a la base
proveniente del emisor.
Corrientes del transistor
Las direcciones de las corrientes en un transistor npn y su símbolo esquemático se
muestran en la figura siguiente parte (a); las correspondientes a un transistor pnp se
muestran en la figura (b). Observemos que la flecha en el emisor en el interior de los
símbolos de transistor apunta en la dirección de la corriente convencional. Estos
diagramas muestran que la corriente de emisor (IE) es la suma de la corriente de colector
(IC) y la corriente de base (IB), expresada de la siguiente manera:
IE = IC + IB
Características y parámetros del BJT
Beta de cd (βCD)
La ganancia de corriente de cd de un transistor es el cociente de la corriente de cd del
colector (IC) y entre la corriente de cd de la base (IB) y se expresa como beta de cd (βCD).
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Los valores típicos de βCD van desde 20 hasta 200 o más, βCD normalmente se expresa
como un parámetro híbrido (h) equivalente, hFE en hojas de datos de los transistores.
hFE = βCD
Análisis del circuito de un BJT
Identificación de corrientes y voltajes:
La fuente de voltaje, VBB, polariza en directa la unión base-emisor y la fuente de voltaje,
VCC polariza en inversa la unión base-colector. Cuando la unión base-emisor se polariza en
directa, opera como un diodo polarizado en directa y la caída de voltaje con
polarización en directa nominal es:
VBE ≈ 0,7V
Como el emisor está conectado a tierra (0 V), de acuerdo con la ley del voltaje de
Kirchhoff, el voltaje a través de RB es
VRB = VBB - VBE
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Ejemplo:
Determinar IB, IC, IE, VBE, VCE y VCB del siguiente circuito. El transistor tiene una βCD = 150
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Práctica:
Determinar IB, IC, IE, VBE, VCE y VCB del circuito anterior con los siguientes valores:
βCD = 90, RB = 22K, RC = 220Ω, VBB = 6V y VCC = 9V
Nota: Los transistores tienen 3 zonas de trabajo, corte, saturación y zona activa o lineal. En
este apunte sólo lo veremos en las zonas de corte y saturación, es decir, como llave
electrónica. La zona lineal o activa (como amplificador) se tratará en cursos superiores.
Corte
Cuando IB = 0, el transistor se encuentra en la región de corte de su operación. Esto se
muestra en la figura siguiente con la terminal de la base abierta, lo que produce una
corriente de cero en la base.
En esta condición, existe una cantidad muy pequeña de corriente de fuga en el colector,
ICEO, debido principalmente a portadores producidos térmicamente. Como ICEO es
extremadamente pequeña, normalmente se omite en el análisis de circuitos, de tal forma
que VCE = VCC. En la región de corte, ni la unión base-emisor ni la unión base-colector
están polarizadas en directa. El subíndice CEO representa colector con respecto a emisor
con la base abierto.
Saturación
Cuando la unión base-emisor se polariza en directa y la corriente en la base se
incrementa, la corriente en el colector también lo hace (IC = βCD x IB) y VCE se reduce a
consecuencia de más caída a través del resistor del colector (VCE = VCC - ICRC).
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Cuando VCE llega a su valor de saturación, VCE(sat), la unión base-colector se polariza en
directa e IC ya no puede incrementarse más, incluso con un incremento continuo de IB. En
el punto de saturación, la relación IC = βCD x IB ya no es válida. VCE(sat) para un transistor
ocurre en alguna parte debajo de la inflexión de las curvas de colector y normalmente es
de sólo unos cuantos décimos de un volt.
El BJT como interruptor
La figura siguiente ilustra la operación básica de un BJT como dispositivo de conmutación.
En la parte (a), el transistor está en la región de corte porque la unión base-emisor no está
polarizada en directa. En esta condición, existe, idealmente, una abertura entre el
colector y el emisor, como lo indica el equivalente de interruptor.
En la parte (b), el transistor está en la región de saturación porque la unión base-emisor y
la unión base-colector están polarizadas en directa y la corriente en la base llega a ser
suficientemente grande para provocar que la corriente en el colector alcance su valor de
saturación. En esta condición, existe, idealmente, un corto entre el colector y el emisor,
como lo indica el equivalente de interruptor. En realidad, normalmente ocurre una
pequeña caída de voltaje a través del transistor de unos cuantos décimos de volt, la cual
es el voltaje de saturación, VCE(sat).
Condiciones en corte
Como se mencionó, un transistor está en la región de corte cuando la unión base-emisor
no está polarizada en directa. Si se ignora la corriente de fuga, todas las corrientes son
cero y VCE es igual a VCC.
VCE(corte) = VCC
Condiciones en saturación
Como ya vimos, cuando la unión base-emisor está polarizada en directa y existe suficiente
corriente en la base para producir una corriente máxima en el colector, el transistor está
en saturación. La fórmula para la corriente de saturación de colector es:
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Puesto que VCE(sat) es muy pequeño comparado con VCC, casi siempre puede ser
despreciado.
El valor mínimo de la corriente en base requerida para producir saturación es:
Normalmente, IB debe ser significativamente más grande que IB(mín) para garantizar que el
transistor esté en saturación.
Ejemplo:
(a) Para el circuito con transistor de la figura anterior, ¿cuál es VCE cuando VENT = 0V?
(b) ¿Qué valor mínimo de IB se requiere para llevar a saturación este transistor si βCD es de
200? Desprecie VCE(sat)
(c) Calcule el valor máximo de RB cuando VENT = 5V.
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Práctica:
Determinar el valor mínimo de I B requerido para llevar a saturación el transistor del ejemplo
anterior si βCD = 125 y VCE(sat) = 0,2V.
Una aplicación simple de un interruptor con un transistor
El transistor de la figura siguiente se utiliza como interruptor para encender y apagar un
LED.
Por ejemplo, se aplica un voltaje de entrada de onda cuadrada con un periodo de 2
segundos a la entrada. Cuando la onda cuadrada es de 0 V, el transistor está en corte; y
en vista de que no hay corriente en el colector, el LED no emite luz. Cuando la onda
cuadrada alcanza un nivel alto, el transistor se va a saturación. Esto polariza en directa el
LED, y la corriente resultante en el colector que pasa a través del LED hace que emita luz.
De este modo, el LED prende durante 1 segundo y se apaga durante 1 segundo.
Ejemplo:
El LED en el circuito anterior necesita 30mA para emitir un nivel de luz suficiente. Por
consiguiente, la corriente de colector I C debe ser aproximadamente de ese valor. Con los
siguientes valores para el circuito, determinar la amplitud del voltaje de entrada de onda
cuadrada necesaria para asegurarse de que el transistor entre en zona de saturación.
Usar el doble del valor mínimo de la corriente de base IB(min) como margen de seguridad
para asegurar la saturación.
VCC = 9V, VCE(sat) = 0,3V, RC = 220Ω, RB = 3K3, βCD = 50 y VLED = 1,6V
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Categorías y encapsulados de transistores
Los fabricantes en general clasifican los transistores de unión bipolar en tres categorías:
dispositivos para propósito general/pequeña señal, dispositivos de potencia y dispositivos
de radiofrecuencia (radiofrecuencia/microondas). Aun cuando cada una de estas
categorías, en gran medida, tiene sus propios tipos de encapsulados únicos, se
encontrarán ciertos tipos de encapsulados utilizados en más de una categoría de
dispositivo. A continuación veremos encapsulados de transistores de cada una de las tres
categorías de modo que se pueda reconocer un transistor cuando se lo vea en una
tarjeta de circuito o, por lo menos, tener una buena idea de a qué categoría general
pertenece.
Transistores para propósito general/señal pequeña
Los transistores para propósitos generales/señal pequeña en general se utilizan en
amplificadores de baja o mediana potencia o en circuitos de conmutación. Los
encapsulados son cajas de plástico o metálicos. Ciertos tipos de encapsulados contienen
varios transistores. La figura siguiente ilustra dos cajas de plástico comunes y un
encapsulado en forma de lata de metal.
Transistores de potencia
Se utilizan transistores de potencia para manejar grandes corrientes (por lo general de más
de 1A) y/o grandes voltajes. Por ejemplo, la etapa final de audio en un sistema estéreo
utiliza un amplificador de transistor de potencia para manejar los parlantes. La figura
siguiente muestra algunas configuraciones de encapsulados comunes.
La pestaña metálica o la caja de metal es común al colector y está conectada
térmicamente a un disipador de calor para la eliminación del calor. Observe en la parte
e) cómo se monta el pequeño chip de transistor en el interior de un encapsulado mucho
más grande.
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Transistores de radiofrecuencia
Los transistores de radiofrecuencia están diseñados para operar a frecuencias
extremadamente altas y se utilizan comúnmente para varios propósitos en sistemas de
comunicación y otras aplicaciones de alta frecuencia. Sus formas inusuales y
configuraciones de terminales de conexión están diseñadas para optimizar ciertos
parámetros de alta frecuencia. La figura siguiente muestra algunos ejemplos.
Prueba de un transistor con un multímetro digital
Se puede utilizar un multímetro digital para comprobar fácil y rápidamente si las uniones
de un transistor están abiertas o en cortocircuito. Para esta prueba se puede considerar el
transistor como dos diodos conectados, como lo muestra la figura siguiente, tanto en el
caso de transistores npn como pnp. La unión base-colector es un diodo y la unión base-
emisor es el otro.
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Práctica:
Comprobar el estado de los transistores dados con el multímetro digital.
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