1. ¿Qué es la corriente de fuga de los diodos?
La constante I0 es la corriente de fuga, y suele ser
muy pequeña. Al ver esta relación v-i, la no
linealidad se vuelve obvia. Cuando el voltaje es
positivo, la corriente fluye fácilmente a través del
diodo. Esta situación se conoce como sesgo hacia
adelante. Cuando aplicamos un voltaje negativo, la
corriente es bastante pequeña, e igual a I0, conocida
como la corriente de fuga o polarización inversa.
2. ¿Qué es la corriente de recuperación inversa de los diodos?
La corriente, en un diodo de unión con polarización directa, se debe al efecto neto de los
portadores de mayoría y de minoría. Una vez que un diodo está en modo de conducción
directa, y a continuación su corriente en sentido directo se reduce a cero (por el
comportamiento natural del circuito del diodo, o por la aplicación de un voltaje en sentido
inverso), el diodo continúa conduciendo, por los portadores de minoría que quedan
almacenados en la unión PN y en la masa del material semiconductor. Los portadores de
minoría requieren determinado tiempo para recombinarse con cargas opuestas y quedar
neutralizados. A este tiempo se le llama tiempo de recuperación en sentido inverso, o
tiempo de recuperación inversa del diodo.
El tiempo de recuperación inversa trr, se puede definir como el intervalo de tiempo entre el
instante en que la corriente pasa por cero durante el cambio de conducción directa a la
condición de bloqueo inverso, y el momento en que la corriente en sentido inverso ha
bajado hasta el 25% de su valor pico IRR. La variable trr, depende de la temperatura de la
unión, de la velocidad de caída de la corriente en sentido directo, así como la corriente en
sentido directo antes de la conmutación, IF.
3. ¿Qué es el factor de suavidad de los diodos?
La relación de estos dos factores temporales (a saber, tp y ta) se conoce como el factor de
suavidad. En el caso de un diodo normal, el tiempo que tarda la corriente en decaer (ta) será
menor en comparación con el tiempo que tarda la corriente en alcanzar su pico negativo
(tp). Por otro lado, para un diodo de recuperación suave, la situación será la inversa. Es
decir, aquí, será mayor en comparación con tp. Podemos ver que el factor de suavidad da
una medida de semiconductor pérdidas incurridas durante la conmutación. Mayor es esta
proporción; mayor será la pérdida de conmutación. De esto se puede concluir que cuando
usamos diodos de recuperación suave, las pérdidas experimentadas por la conmutación de
semiconductores son mayores que las encontradas cuando usamos diodos onrmales.
Relacion tb/ta.
4. ¿Cuáles son las diferencias entre los diodos de unión PN y los diodos shottky?
El diodo Schottky utiliza la interfaz semiconductora de metal como barrera Schottky para
producir un efecto de rectificación, que es diferente de la interfaz pn generada por la
interfaz semiconductora de semiconductores en los diodos generales. Las características de
la barrera Schottky hacen que la caída de tensión del diodo Schottky sea baja y puede
mejorar la velocidad de conmutación. Los diodos Schottky no tienen tiempo de
recuperación inverso, por lo que el tiempo de conmutación de los diodos Schottky de señal
pequeña es de aproximadamente decenas de PS, y el tiempo de conmutación de los diodos
Schottky especiales de gran capacidad es de solo decenas de PS. El diodo rectificador
general causará ruido EMI debido a la corriente inversa dentro del tiempo de recuperación
inversa. Los diodos Schottky se pueden cambiar inmediatamente sin tiempo de
recuperación inverso ni corriente inversa.
5. ¿Cuál es el tiempo de recuperación inversa típico de los diodos de recuperación
rápida?
