REYES BARQUERA JESUS EDUARDO
ELECTRONICA
TRANSISTORES
JFET
1. Diferencias principales entre un BJT y un JFET
Un BJT (Transistor Bipolar de Unión) y un JFET (Transistor de Efecto de Campo de
Unión) son dispositivos semiconductores que se utilizan para la amplificación y el
conmutado, pero funcionan de maneras fundamentalmente diferentes. El BJT es un
dispositivo controlado por corriente, lo que significa que la corriente que pasa a
través de la base del transistor controla la corriente que fluye entre el colector y el
emisor. En contraste, un JFET es un dispositivo controlado por voltaje, donde el
voltaje aplicado a la puerta regula la corriente que fluye entre el drenaje y la fuente.
En términos de características de entrada, un BJT tiene una baja impedancia de
entrada debido a la corriente base necesaria para su operación, lo cual puede
resultar en una mayor disipación de energía y ruido. Por otro lado, el JFET tiene una
alta impedancia de entrada, ya que la puerta está aislada del canal por una unión
PN, lo que resulta en un menor consumo de energía y menor ruido. Esta diferencia
hace que los JFETs sean preferidos en aplicaciones de baja señal y alta impedancia.
Además, los BJTs utilizan tanto portadores mayoritarios como minoritarios para la
conducción, lo que puede introducir más ruido en la señal. Los JFETs, sin embargo,
solo utilizan portadores mayoritarios, lo que contribuye a un funcionamiento más
silencioso. En términos de robustez, los BJTs son más susceptibles a daños por
sobrecorrientes debido a su baja impedancia de entrada, mientras que los JFETs,
con su alta impedancia de entrada, son generalmente más resistentes a
sobrecargas.
2. Tipos de transistores de efecto de campo
Los transistores de efecto de campo se dividen principalmente en dos categorías:
JFETs y MOSFETs. Cada una de estas categorías se subdivide en diferentes tipos
según la polaridad del canal y el modo de operación. Los JFETs se dividen en JFET
de canal N y JFET de canal P. En los JFETs de canal N, los portadores mayoritarios
son electrones, mientras que en los de canal P son huecos.
Por su parte, los MOSFETs (Transistores de Efecto de Campo de Semiconductores
Óxidos Metálicos) se dividen en cuatro tipos principales: MOSFET de canal N de
enriquecimiento, MOSFET de canal P de enriquecimiento, MOSFET de canal N de
agotamiento y MOSFET de canal P de agotamiento. Los MOSFETs de
enriquecimiento requieren un voltaje positivo para activar el canal, mientras que los
de agotamiento ya tienen un canal formado y pueden operar sin voltaje en la puerta.
Cada uno de estos tipos tiene sus aplicaciones específicas. Los JFETs se usan
comúnmente en aplicaciones de alta impedancia y baja señal, como amplificadores
de instrumentación. Los MOSFETs, debido a su capacidad de manejar altas
corrientes y voltajes, se utilizan ampliamente en aplicaciones de potencia,
conmutación y amplificación de señal.
3. Construcción de un JFET
La construcción de un JFET implica la formación de un canal semiconductor entre
dos terminales, conocido como la fuente (S) y el drenaje (D). En un JFET de canal
N, el canal está compuesto de material semiconductor tipo N. A los lados de este
canal, se difunden regiones de material semiconductor tipo P, formando las uniones
PN que actúan como puertas (G).
Cuando no se aplica ningún voltaje a la puerta, el canal está completamente abierto
y permite el flujo de corriente entre la fuente y el drenaje. Al aplicar un voltaje
negativo a la puerta en un JFET de canal N, se crea una región de agotamiento
alrededor de la unión PN, restringiendo el flujo de electrones a través del canal. Si
el voltaje negativo en la puerta es suficientemente grande, la región de agotamiento
se expande hasta cerrar completamente el canal, deteniendo la corriente.
En el caso de un JFET de canal P, la construcción es similar pero con los tipos de
materiales semiconductores invertidos. Los portadores mayoritarios en este caso
son huecos y la operación del dispositivo se basa en aplicar un voltaje positivo a la
puerta para restringir el flujo de corriente a través del canal.
4. Voltaje de estrangulamiento (Vp)
El voltaje de estrangulamiento, denotado como Vp, es un parámetro crítico en el
funcionamiento de un JFET. Es el voltaje aplicado a la puerta con respecto a la
fuente (V_GS) que es necesario para cerrar completamente el canal, reduciendo la
corriente de drenaje (I_D) a cero. En un JFET de canal N, esto se logra aplicando
un voltaje negativo a la puerta.
Cuando el voltaje de puerta-fuente alcanza el valor de Vp, la región de agotamiento
alrededor de la puerta se extiende lo suficiente como para cortar el flujo de corriente
a través del canal. Este punto es esencial para el funcionamiento del JFET, ya que
define el límite entre la región óhmica y la región de saturación. Conocer Vp es
crucial para diseñar circuitos con JFETs, ya que permite prever el comportamiento
del transistor bajo diferentes condiciones de polarización.
5. JFETs como fuentes de alimentación
Los JFETs son conocidos por sus características de fuente de corriente debido a su
capacidad para mantener una corriente de drenaje constante (I_D) en la región de
saturación. Esta región se caracteriza por un plateau en la curva I_D vs V_DS,
donde la corriente I_D es independiente del voltaje V_DS aplicado, siempre y
cuando el voltaje de puerta-fuente (V_GS) se mantenga constante y por debajo del
voltaje de estrangulamiento Vp.
Esta propiedad es similar a la de una fuente de corriente ideal, que entrega una
corriente constante independientemente de la carga conectada a ella. Por lo tanto,
los JFETs se utilizan frecuentemente en aplicaciones donde se necesita una
corriente constante, como en fuentes de corriente, reguladores de corriente y
circuitos de polarización de amplificadores.
6. Definición de IDSS
IDSS es la corriente máxima de drenaje que fluye a través del JFET cuando el
voltaje de puerta-fuente (V_GS) es cero. Es decir, cuando la puerta está conectada
directamente a la fuente, eliminando cualquier voltaje de control negativo en un
JFET de canal N. Este parámetro es una característica inherente del JFET y
depende del proceso de fabricación y del tamaño del canal.
IDSS es importante porque representa la corriente de saturación máxima que el
dispositivo puede manejar sin la influencia de un voltaje de puerta. En aplicaciones
prácticas, conocer IDSS permite diseñar circuitos que aprovechen esta corriente
máxima de manera eficiente. Además, IDSS sirve como referencia para calcular
otras corrientes operativas del JFET utilizando la ecuación de Shockley.
7. Región de corriente constante en la curva ID vs VDS
La región de corriente constante en la curva I_D vs V_DS de un JFET se refiere a
la región de saturación, también conocida como región activa. En esta región, para
un valor constante de V_GS, la corriente I_D se mantiene constante a pesar de los
aumentos en V_DS. Este comportamiento es resultado del estrangulamiento del
canal, donde el voltaje V_DS es suficientemente alto para que la región de
agotamiento se extienda a lo largo de todo el canal, estabilizando la corriente.
Esta característica hace que el JFET sea útil en aplicaciones de amplificación,
donde es deseable que la corriente a través del dispositivo no dependa del voltaje
aplicado, proporcionando así una amplificación lineal y predecible. En la región de
saturación, el JFET actúa como una fuente de corriente controlada por voltaje, una
propiedad valiosa en muchos diseños de circuitos.
8. Región óhmica y su uso
La región óhmica de un JFET, también llamada región lineal, es donde el dispositivo
actúa como una resistencia variable controlada por el voltaje de puerta-fuente
(V_GS). En esta región, la corriente de drenaje I_D es directamente proporcional al
voltaje de drenaje-fuente V_DS, similar al comportamiento de una resistencia.
La región óhmica es útil en aplicaciones como resistores controlados
electrónicamente, donde se necesita ajustar la resistencia en función de una señal
de control. Por ejemplo, en circuitos de ajuste de ganancia automática o
mezcladores de audio, los JFETs pueden proporcionar una manera eficaz y precisa
de controlar la resistencia y, por ende, la señal de salida, mediante la modulación
del voltaje de puerta.
9. Ecuación de Shockley para un JFET
La ecuación de Shockley para un JFET describe la relación entre la corriente de
drenaje (I_D), el voltaje de puerta-fuente (V_GS) y la corriente de saturación (IDSS)
en la región de saturación. La ecuación es:
𝐼𝐷=𝐼𝐷𝑆𝑆(1−𝑉𝐺𝑆𝑉𝑃)2ID=IDSS(1−VPVGS)2
Donde:
• ID es la corriente de drenaje.
• IDSS es la corriente de drenaje con la puerta en cortocircuito con la fuente (V_GS =
0V).
• VGS es el voltaje entre la puerta y la fuente.
• VP es el voltaje de estrangulamiento.
Esta ecuación indica que la corriente de drenaje ID varía cuadráticamente con el
voltaje VGS. A medida que VGS se hace más negativo en un JFET de canal N, ID
disminuye hasta que VGS alcanza VP y la corriente se reduce a cero. La ecuación
de Shockley es fundamental para diseñar y analizar circuitos con JFETs,
proporcionando una base matemática para predecir su comportamiento en
diversas condiciones de operación.
BIBLIOGRAFIA
Boylestad, Electronica teoría de circuitos y dispositivos electrónicos
