Apunte complementario TRANSISTORES

Un Transistor bipolar está compuesto por dos junturas P-N, y tiene 3 electrodos, el
EMISOR, la BASE y el COLECTOR, por lo tanto una juntura es la juntura Base- Emisor
(también conocido como Diodo de Emisor) y una juntura Base-Colector (ó Diodo de
Colector), tendremos entonces 3 “bloques” de material semiconductor que pueden ser
NPN (es el caso de la Fig. 1) ó PNP.

Fig. 1 Antes de la Difusión Fig. 2 Después de la Difusión

Entonces, para el caso de la Fig. 1antes la difusión tenemos 3 bloques: un Emisor tipo N,
una Base tipo P y un Colector tipo N.

Como vimos cuando estudiamos la unión p-n los electrones libres de la zona N se
difunden a través de la unión y se recombinan con los huecos del lado P, por lo tanto en
nuestro caso, después de la difusión (ver Fig. 2) se forman 2 zonas de Deplexión, en cada
una la barrera de potencial es de 0,7 V a 25°C para el caso del Silicio.

El Transistor Polarizado

Sin polarización un transistor se parece a dos diodos contrapuestos, cada uno con una
barrera de potencial de 0,7 V aproximadamente, si ahora conectamos Fuentes de
Alimentación para “polarizar” al transistor, se obtienen ahora nuevos e “inesperados”
resultados.

Electrones del Emisor

En la Fig.3 se ve un transistor polarizado, los (-) simbolizan electrones libres. El EMISOR

está fuertemente dopado (ó impurificado) y su función o misión es inyectar o “emitir”
electrones libres en la BASE .La BASE es estrecha y está poco dopada por lo cual deja
pasar hacia el COLECTOR la mayoría de los electrones inyectados por el EMISOR.

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Por otro lado el dopado del COLECTOR es un valor intermedio entre el dopado fuerte del
EMISOR y el débil de la BASE, el COLECTOR recibe este nombre porque tiene por
función la del “colectar” los electrones provenientes de la BASE.

Fig. 3

Si se presta atención se verá en el gráfico de la Fig. 3 , que el Diodo de Emisor tiene

polarización Directa mientras que el Diodo de Colector posee polarización Inversa, esta
es la forma Correcta de polarizar a un transistor para que funcione correctamente.

Electrones de la Base

Si la tensión de polarización de Base VBB es mayor que la barrera de potencial fluirá una
gran corriente de electrones desde el emisor hacia la Base. Estos electrones pueden
circular en dos direcciones :

Fig. 4

a.- hacia la izquierda saliendo de la Base pasando por la RB hacia la fuente ó

b.- Circular hacia el Colector

La mayoría de los electrones siguen el camino b.- por dos razones:

1.- La Base está poco dopada por lo tanto los electrones tienen mucha vida, y tienen
suficiente tiempo para alcanzar el Colector.

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2.- La Base es muy estrecha por lo que permite a los electrones llegar con facilidad al
colector.

Debemos recordar que los electrones son “minoritarios” en la Base y con la unión Base-
Colector polarizada en inversa pueden atravesarla fácilmente. Si bien el camino a.- es
posible, los electrones debe recombinarse y convertirse en electrones de Valencia , pero
como la Base es poco dopada y muy estrecha, pocos pueden escapar hacia la fuente a
través del terminal de Base.

Electrones del Colector

Fig. 4

Casi todos los electrones libres van hacia el colector, estando ya en el colector son
atraídos por la fuente de colector VCC, los electrones fluyen a través del colector, y a
través de RC hacia la fuente.

En general, más del 95% de los electrones del emisor van al colector y menos del 5%
fluye por la conexión de Base.

Corrientes en un transistor

Fig. 5

Los sentidos de circulación de corrientes en un transistor NPN, considerando el sentido

“convencional” de las corrientes se muestra en la Fig. 5. Por lo tanto considerando “que

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la suma de las corrientes entrantes debe ser igual a la suma de las corrientes
salientes” tenemos que

Hay un factor muy importante denominado GANANCIA DE CORRIENTE de un transistor

[ ]

En general la IB es menor al 1 o 2 % de la IC por lo tanto el factor βCC suele ser un

número grande.

Se suele definir otro factor importante que relaciona la IC con la IE

Por lo tanto podemos decir que

Configuración en Emisor Común

Emisor Común es la forma más común de Configurar un transistor

Fig. 6

Aquí definiremos como VC , VB y VE las tensiones de cada terminal (colector, base y

emisor) a masa.

Las tensiones entre terminales se definirán como VBE, VCE y VCB por lo tanto

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En la Fig. 6, VBB y VCC son las fuentes de Base y colector respectivamente y RB y RC son
las resistencias del circuito de Base y de Colector.

En esta configuración, el circuito de entrada es el Base- Emisor que si vemos

corresponde a un diodo polarizado con polarización directa, por lo tanto la curva de
entrada será

Fig. 7

El circuito de Salida será el Colector-Emisor. Como el diodo de Colector está polarizado

inversamente, por lo tanto la curva de salida será similar a la del tercer cuadrante de la
curva de un diodo y para un determinado valor de IB será

Fig. 8

Y en general suelen presentarse como una familia de curvas (ver Fig. 9) para los distintos
valores de IB que implicarán diferentes curvas y diferentes valores de IC ya que por [1]

En el circuito Base-Emisor

→
Ejemplo: Si VBB= 10 V y RB= 100 KΩ cuál es el valor de la corriente de base?

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 Fig. 9

En el Circuito de Colector tenemos que

Y la potencia disipada será

Ejemplo

Cuánto valen VCE y la potencia disipada, si IC= 1 mA, RC= 3,6 KΩ y VCC= 10 V?

Uso del Transistor

El transistor puede trabajar como amplificador o como llave o interruptor, en el primer

caso se debe procurar que el mismo trabaje en la zona lineal de las curvas de salida
(zona central Fig. 9), en el caso de usarlo como interruptor tendría que operar en dos
estados posibles interruptor abierto: debe trabajar en la región denominada de corte es
decir IC= 0 , (eje x) .

Interruptor cerrado: debe trabajar en la región denominada de saturación es decir con

VCE≈0 (eje y).

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Recta de Carga

Los puntos de Corte y Saturación , son los puntos extremos de una recta trazada sobre la
curvas de salida que es la denominada Recta de Carga sobre la cual el transistor está
“obligado” a operar, y para una dada configuración circuital de polarización se establece
un Punto de Trabajo denominado punto Q, si el transistor trabajará como amplificador
este punto Q debería estar lo más cercano posible al centro de la recta de carga.

Fig. 10

Para el circuito de la Fig. 10

Punto de Corte

Punto de Saturación

Punto de Trabajo “Q”

Fig. 11

Para calcular el Punto de Trabajo, debemos calcular IB, luego IC y finalmente VCE

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De estas ecuaciones se deduce que para una misma configuración circuital como la de la
Fig. 11 el punto de trabajo será altamente dependiente del valor de , que puede varia
ampliamente de un transistor a otro incluso aunque sea de la misma partida de
fabricación.

Ejemplo: Vamos a calcular el punto de trabajo para el circuito de la Fig. 11 con un valor
de RB=500 KΩ, y tres valores de , 100, 50 y 150

Supongamos

Supongamos

Supongamos

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Polarización de Emisor

Fig. 12

Si queremos que el punto de trabajo sea prácticamente independiente del valor del
podemos modificar el circuito cambiando la ubicación de la resistencia de base RB al
circuito de emisor, con lo cual la malla no cambia pero si su comportamiento.

Calculemos el punto de trabajo del circuito ubicado a la derecha de la Fig. 12

Teniendo en cuenta que hagamos

Y por lo tanto

Como vemos no hubo necesidad de usar el para el cálculo del punto de trabajo.