Tarea N°1
Jonathan Martínez E-8-210999
Cuestionario
9. Explique la formación de las bandas de energía en: a) Conductores, b) Aislantes y
c) Semiconductores.
En los conductores, la banda de conducción se superpone con la banda de valencia.
Esto causa que se puedan encontrar electrones libres muy fácilmente. Además, la
electricidad se conduce de una manera muy fácil.
En los aislantes, la formación de bandas de energía causa una brecha entre la banda
de valencia y la de conducción de 4eV. Esto nos lleva a la definición de aislantes.
Esa brecha causa que no pueda haber conducción de electricidad entre los
electrones. Estos tampoco pueden saltar a la banda de conducción en condiciones
normales.
Los semiconductores tienen una brecha pequeña, que varía entre 0.6 a 2eV. Tal
como lo dice su nombre, es un semi-conductor. Un conductor como tal no tiene
brecha, sin embargo, este sí, porque no es uno como tal. En condiciones normales o
en el proceso de dopado, algunos electrones pueden saltar a la banda de conducción
dejando pares electrón-hueco. Al igual que los conductores, estos pueden conducir
electricidad, pero de una manera controlada.
10. Explique que es un enlace covalente.
Un enlace covalente es un tipo de unión química que ocurre cuando dos átomos comparten
uno o dos pares de electrones más para completar sus capas externas y tener una estabilidad
mayor. En un semiconductor, hay 4 electrones de valencia por cada átomo de silicio. Para
completar su capa de valencia, el silicio necesita 4 electrones más, por lo que cada átomo
produce un enlace covalente con otro y tener sus 8 electrones de valencia.
11. ¿A que llamamos a) ¿Material intrínseco, b) Material extrínseco?
Un material intrínseco es el puro, o no ha sido dopado. Este material no conduce
electricidad bien y los portadores de carga se generan sólo por energía térmica.
El material extrínseco es el cual ya fue dopado, y tiene mayor conductividad.
12. Explique el proceso de dopado.
El proceso de dopado es el que introduce átomos de diferente valencia, denominados
impurezas para aumentar el número de portadores libres de carga. En otras palabras, este
proceso permite cambiar las propiedades eléctricas del semiconductor. Este proceso es
sumamente útil porque un semiconductor puro no conduce bien por sí solo. Este cambio de
propiedades se puede lograr por varios métodos, sin embargo, los más comunes son:
difusión térmica, implantación iónica y dopado durante crecimiento.
13. Cuáles son los elementos semiconductores más utilizados y por qué?
Los dos elementos más utilizados en semiconductores son el silicio y el galio. El silicio es
un recurso muy común y económico. Además, química y térmicamente son muy estables.
Su estructura cristalina es muy buena. Este material se aplica en chips, paneles solares,
transistores y sensores. El germanio en cambio es más costoso y tiene menos estabilidad
térmica que el silicio. Sin embargo, se utiliza con frecuencia porque su movilidad de
electrones es muy alta y es muy bueno para mezclas con otros semiconductores. Además de
estos dos elementos, hay compuestos que también se utilizan en semiconductores
comúnmente. El arseniuro de galio (GaAs) es un semiconductor compuesto que posee
mayor velocidad que el silicio. Aparte, es muy eficiente con la luz y tiene buena
funcionalidad a altas frecuencias y temperaturas.
14. Que es un material tipo P y tipo N?
Un material tipo P es aquel que se genera por medio de impurezas trivalentes, conteniendo
en el mismo un exceso de huecos. El material tipo N es el que se consigue con impurezas
pentavalentes, y contiene exceso de electrones.
15. Que es un par electrón-hueco?
Un par electrón hueco en un semiconductor ocurre cuando existe un electrón en la banda de
conducción y un hueco en la banda de valencia. Esto se logra cuando el electrón absorbe
energía y salta a la banda de conducción. Al ocurrir esto, el mismo deja un hueco en la
banda de valencia. Ese hueco se comporta como una carga positiva.
Bibliografía
Serway, R. A., & Jewett, J. W. (2018). Física para ciencias e ingeniería (9.ª ed.).
Cengage Learning.
Boylestad, R. L., & Nashelsky, L. (2014). Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos (11.ª ed.). Pearson Educación.
Malvino, A. P., & Bates, D. J. (2016). Electrónica: Principios y aplicaciones (8.ª ed.).
McGraw-Hill Education.
Streetman, B. G., & Banerjee, S. (2016). Solid State Electronic Devices (7th ed.).
Pearson.
Sze, S. M., & Ng, K. K. (2006). Physics of Semiconductor Devices (3rd ed.). Wiley-
Interscience.
Tipler, P. A., & Mosca, G. (2005). Física para la ciencia y la tecnología (6.ª ed.).
Editorial Reverté.
Kittel, C. (2005). Introduction to Solid State Physics (8th ed.). Wiley.
