1. ¿Cuál es la función principal de la electrónica de potencia?
R/. Adaptar las características de la energía eléctrica a una carga.
2. ¿De dónde proviene normalmente la entrada de potencia a un procesador de
potencia en un sistema de electrónica de potencia?
R/. De la compañía generadora (normalmente).
3. ¿Qué característica distingue principalmente a la electrónica de potencia de la
electrónica analógica o digital?
R/. Su enfoque en el manejo de altos niveles de energía con mínima pérdida.
4. ¿Qué se considera un pilar fundamental de la electrónica de potencia debido a
la necesidad de minimizar la energía desperdiciada?
R/. La eficiencia energética.
5. ¿Qué ventaja principal se menciona de las fuentes de alimentación conmutadas
en comparación con las de regulación lineal?
R/. Menor pérdida de potencia debido a conmutaciones.
6. ¿Qué ocurre con el tamaño del transformador y los componentes de filtrado a
altas frecuencias de conmutación?
R/. Disminuyen en peso y tamaño.
7. ¿Cómo se clasifican los procesadores de potencia para un estudio sistemático
de la electrónica de potencia?
R/. En términos de su forma de entrada y salida o frecuencia.
8. ¿Qué factor ha hecho que los convertidores de electrónica de potencia sean
asequibles en un gran número de aplicaciones?
R/. Las crecientes capacidades de energía, la facilidad de control y los costos
reducidos de los dispositivos de semiconductores modernos de potencia.
9. ¿Cuál es la ventaja de considerar los dispositivos de semiconductores de
potencia como interruptores ideales en el análisis de topologías de convertidores?
R/. Los detalles de la operación de dispositivos no ocultan la operación básica del
circuito.
10. ¿Cómo se clasifican los dispositivos de semiconductores de potencia según su
grado de controlabilidad?
R/. Diodos, tiristores e interruptores controlables.
11. ¿Cuál es la principal característica que define a un diodo en términos de
controlabilidad?
R/. Sus estados de conexión y desconexión son controlados por el circuito de
potencia.
12. ¿Qué tipo de control ofrecen los tiristores?
R/. Activación por señal de control, desactivación por el circuito de potencia o un
circuito de control externo.
13. ¿Qué caracteriza a los interruptores controlables?
R/. Se conectan y desconectan mediante señales de control.
14. ¿Cuál es una característica deseada en los interruptores controlables según el
texto?
R/. Capacidad de soportar altas tensiones y corrientes en forma simultánea
durante la conmutación.
15. ¿A qué se deben principalmente las pérdidas por conducción en un dispositivo
semiconductor?
R/. Al calor generado por la corriente que fluye a través de su resistencia interna.
16. ¿De qué dependen principalmente las pérdidas por conmutación en un
dispositivo semiconductor?
R/. De la frecuencia de conmutación y los tiempos de transición entre estados.
17. ¿Qué componente es esencial en los rectificadores para asegurar que la
corriente fluya en una sola dirección?
R/. Diodo de potencia.
18. ¿Qué tipo de estructura tienen los diodos de potencia para soportar grandes
tensiones de bloqueo?
R/. Estructura de orientación vertical que incluye una región de deriva n-.
19. ¿Cuál es la principal función de la región n- (región de deriva) en la estructura
de un diodo de potencia?
R/. Permitir que el diodo soporte mayores voltajes inversos.
20. ¿Qué factor es crucial para la tensión de ruptura de un diodo de potencia?
R/. El dopaje y el ancho de la región de deriva.
21. ¿Qué contribuye a las pérdidas en estado activo en un diodo de potencia?
R/. La tensión de estado de encendido del diodo.
22. ¿Qué característica de conmutación se refiere al tiempo que tarda el diodo en
dejar de conducir corriente después de que el voltaje a través de él se invierte?
R/. Tiempo de recuperación inversa (trr).
23. ¿Cuál es la principal característica de los diodos de frecuencia de línea o
estándar?
R/. Capacidad para llegar a manejar valores elevados de voltaje y corriente.
24. ¿Para qué tipo de aplicaciones están especialmente diseñados los diodos de
recuperación rápida?
R/. Para circuitos de alta frecuencia en combinación con interruptores controlables.
25. ¿Qué tipo de diodo presenta una caída de voltaje en directa significativamente
menor en comparación con un diodo estándar debido a su unión metal-
semiconductor?
R/. Diodo Schottky.
26. ¿Qué diferencia estructural clave permite a los transistores bipolares de
potencia (BJT) soportar mayores voltajes en comparación con los transistores de
señal?
R/. Una capa semiconductora n- (región de deriva).
27. ¿Cuál es una limitación principal del transistor bipolar de potencia (BJT) que
restringe su uso en aplicaciones de media potencia?
R/. Su baja ganancia de corriente y baja velocidad de conmutación.
28. ¿Qué configuración de transistores bipolares se utiliza para lograr ganancias
de corriente muy elevadas y reducir la demanda del circuito de control de la base?
R/. Configuración Darlington.
29. ¿Cuál es el terminal de control en un MOSFET?
R/. Compuerta.
30. ¿Cómo se controla la corriente entre el drenaje y la fuente en un MOSFET?
R/. Mediante el voltaje aplicado a la compuerta.
31. ¿Qué tipo de portadores de carga son los principales responsables de la
conducción en un MOSFET de canal n?
R/. Electrones.
32. ¿Qué característica principal del MOSFET de potencia influye en las pérdidas
y la velocidad de los circuitos?
R/. Su resistencia en estado activo (RDS(on)) y capacitancia.
33. ¿Qué factor contribuye significativamente a la resistencia en estado activo
(rDS(on)) en MOSFET de baja tensión de ruptura?
R/. La resistencia del canal y la capa de acumulación.
34. ¿Qué componente está intrínsecamente presente en la estructura del
MOSFET de potencia y es útil para el control de cargas inductivas?
R/. Un diodo.
35. ¿Por qué es necesario utilizar un circuito de comando específico (como un
arreglo push-pull) para controlar la compuerta de un MOSFET de potencia en
lugar de conectarlo directamente a un circuito integrado?
R/. Debido a la capacitancia de entrada que debe ser cargada y descargada.
36. ¿Cuál es una desventaja de los MOSFET de potencia en aplicaciones de alto
voltaje?
R/. El aumento significativo de su resistencia en estado activo (RDS(on)).
37. ¿Cuál es la estructura básica de un IGBT?
R/. Combina las características de control de un MOSFET con la capacidad de
manejo de corriente de un BJT.
38. ¿Cómo se controla la corriente de colector a emisor en un IGBT?
R/. Mediante el voltaje compuerta-emisor.
39. ¿Qué fenómeno puede ocurrir en los IGBT bajo ciertas condiciones y que
implica una pérdida de control de la compuerta?
R/. Latchup.
40. ¿En qué se diferencia la característica de conmutación de apagado de un
IGBT en comparación con un MOSFET?
R/. El IGBT exhibe una cola de corriente debido a la recombinación de portadores
minoritarios.
41. ¿Qué factor clave del IGBT influye en su aplicación en inversores y motores
industriales?
R/. Su temperatura y tiempos de conmutación.
42. ¿Qué ventajas ofrece generalmente un IGBT en comparación con un BJT para
aplicaciones de potencia?
R/. Mayor impedancia de entrada y control por voltaje.
43. ¿Qué ventajas ofrece generalmente un IGBT en comparación con un MOSFET
para aplicaciones de potencia de alto voltaje y alta corriente?
R/. Menor caída de voltaje en estado de conducción.
44. ¿Qué tipo de dispositivo semiconductor de potencia es ideal para controlar
grandes potencias en aplicaciones de corriente alterna, como reguladores de luz?
R/. Tiristor (SCR, TRIAC).
45. ¿Qué tipo de tiristor puede controlar la corriente en ambas direcciones y es
utilizado en reguladores de luz AC?
R/. TRIAC.
46. ¿Qué tipo de tiristor se caracteriza por poder ser apagado mediante una señal
de compuerta, además de ser encendido por ella?
R/. GTO (Transistor de Bloqueo por Compuerta).
47. ¿Qué tipo de convertidor DC-DC se utiliza para disminuir la tensión de entrada
DC?
R/. Convertidor Buck.
48. ¿Qué tipo de convertidor DC-DC se utiliza para aumentar la tensión de entrada
DC?
R/. Convertidor Boost.
49. ¿Qué dispositivo convierte energía DC a AC y es crucial en sistemas de
energía renovable?
R/. Inversor.
50. ¿Qué término se refiere a la configuración específica de los componentes en
los convertidores de electrónica de potencia?
R/. Topología.
51. ¿Cuál es el principio clave utilizado en la electrónica de potencia para regular
la energía transferida a una carga sin pérdidas significativas?
R/. La Modulación por Ancho de Pulso (PWM).
52. ¿Qué parámetro en una señal PWM se varía para regular la energía
transferida a la carga?
R/. El ciclo de trabajo.
53. ¿Qué parámetro mide la distorsión presente en una señal eléctrica debido a la
presencia de armónicos?
R/. La Distorsión Armónica Total (%THD).
54. ¿Qué tipo de circuito se utiliza para reducir los picos de voltaje y proteger los
semiconductores?
R/. Snubber.
55. ¿Qué función principal tiene un circuito snubber de bloqueo en un transistor de
potencia?
R/. Disminuir la velocidad con la que aumenta el voltaje entre los terminales del
transistor durante el apagado.
56. ¿Qué componente principal se utiliza en un snubber de bloqueo para limitar la
velocidad de cambio del voltaje?
R/. Un capacitor en paralelo con el transistor.
57. ¿Cuál es el propósito principal de un circuito snubber de disparo en un
transistor de potencia?
R/. Reducir la velocidad de aumento de la corriente durante el encendido.
58. ¿Qué componente principal se utiliza en un snubber de disparo para limitar la
velocidad de cambio de la corriente?
R/. Un inductor en serie con el transistor.
59. ¿Cuál es un desafío significativo en la electrónica de potencia relacionado con
la energía disipada por los dispositivos de alta potencia?
R/. La gestión térmica.
60. ¿Qué factor clave influye en la capacidad de un disipador de calor para
transferir calor desde un dispositivo semiconductor al ambiente?
R/. La resistencia térmica.
61. ¿Qué parámetro térmico define la facilidad con la que un dispositivo
semiconductor puede disipar el calor generado en su interior hacia el
encapsulado?
R/. La resistencia térmica entre la juntura y el encapsulado (RθJC).
62. Al seleccionar un disipador de calor para un dispositivo semiconductor, ¿qué
valor de resistencia térmica del disipador (RθSA) se debe buscar en relación con
el valor calculado?
R/. Un valor menor que el calculado para asegurar que la temperatura de la
juntura no exceda el máximo permitido.
63. ¿Qué tipo de materiales prometen permitir dispositivos de electrónica de
potencia más eficientes y compactos?
R/. Materiales de banda prohibida ancha (SiC, GaN).
64. ¿Qué material semiconductor de última generación se destaca por operar
eficientemente a altas temperaturas y frecuencias, con baja resistencia en estado
activo?
R/. Carburo de Silicio (SiC).
65. ¿Qué ventaja principal ofrece el Nitruro de Galio (GaN) en comparación con
los MOSFETs de silicio?
R/. Conmutación ultrarrápida y eficiencia superior.
66. ¿Qué característica del Óxido de Galio (Ga₂O₃) lo hace prometedor para
aplicaciones en redes de distribución de energía de alto voltaje?
R/. Su tensión de bloqueo ultra alta.
67. ¿Qué sistema proporciona energía eléctrica de respaldo en caso de fallo de la
red principal?
R/. UPS (Sistema de Alimentación Ininterrumpida).
68. ¿Qué técnica permite medir la temperatura de un objeto basándose en la
radiación infrarroja que emite?
R/. Termografía infrarroja.
69. ¿Qué factor es crucial para obtener mediciones precisas de temperatura con
una cámara termográfica?
R/. La emisividad del objeto medido.
70. ¿Qué representa un 'punto caliente' detectado con termografía en un
componente electrónico de potencia?
R/. Un posible fallo, sobrecarga o conexión defectuosa.
71. ¿Por qué es importante conocer la emisividad de un material al realizar
termografía?
R/. Afecta la cantidad de radiación infrarroja emitida y, por tanto, la precisión de la
temperatura medida.
72. En termografía, ¿qué significa el término 'delta T' (ΔT)?
R/. La diferencia de temperatura entre un punto de interés y un punto de referencia
o el ambiente.
73. ¿Qué tipo de fallo NO es fácilmente detectable con termografía infrarroja en
electrónica de potencia?
R/. Fallo intermitente que no genera calor significativo en el momento de la
medición.
74. ¿Cuál es una limitación de la termografía infrarroja al inspeccionar gabinetes
eléctricos cerrados?
R/. El metal del gabinete bloquea la radiación infrarroja directa de los
componentes internos.
