Scribd
Cargar
29 vistas10 páginas

Print

El documento presenta una serie de afirmaciones sobre componentes electrónicos, clasificándolas como ciertas o falsas. Se abordan temas como diodos, transistores BJT, MOSFET e IGBT, así como su eficiencia y aplicación en diferentes frecuencias y condiciones. La información es relevante para entender las características y limitaciones de estos dispositivos en circuitos electrónicos.

Cargado por

MalgüerYës
Derechos de autor
© © All Rights Reserved
Nos tomamos en serio los derechos de los contenidos. Si sospechas que se trata de tu contenido, reclámalo aquí.
Formatos disponibles
Descarga como PDF, TXT o lee en línea desde Scribd
29 vistas10 páginas

Print

El documento presenta una serie de afirmaciones sobre componentes electrónicos, clasificándolas como ciertas o falsas. Se abordan temas como diodos, transistores BJT, MOSFET e IGBT, así como su eficiencia y aplicación en diferentes frecuencias y condiciones. La información es relevante para entender las características y limitaciones de estos dispositivos en circuitos electrónicos.

Cargado por

MalgüerYës
Derechos de autor
© © All Rights Reserved
Nos tomamos en serio los derechos de los contenidos. Si sospechas que se trata de tu contenido, reclámalo aquí.
Formatos disponibles
Descarga como PDF, TXT o lee en línea desde Scribd

Resolviendo forms de Cierto y Falso, presentado en clases

1. Los diodos de recuperacion rápida son ideales para aplicaciones de alta frecuencia debido
a su corto tiempo de recuperación.
Cierto

[Link] transistores BJT de potencia son adecuados para operaciones a altas frecuencias, superiores
a 5 kHz.
Falso

3. Los MOSFET de potencia no poseen diodo intrínseco dentro de su estructura


Falso

[Link] IGBT combinan características de los BJT de potencia y los MOSFET de potencia operando
como interruptores a altas tensiones y corrientes.
Cierto

5. Los MOSFET de potencia son adecuados para aplicaciones que manejan altos voltajes y
corrientes debido a su baja resistencia de encendido.
Falso
[Link] diodo Schottky es adecuado para sistemas autónomos que requieren eficiencia energética
debido a sus bajas pérdidas en conducción.
Cierto

[Link] tiempo de recuperación reversa de un diodo no afecta su capacidad para funcionar en


aplicaciones de alta frecuencia.
Falso

[Link] MOSFET de potencia no requieren un circuito de manejo de compuerta complejo para su


operación.
Falso

[Link] IGBT son preferidos sobre los MOSFET para aplicaciones de baja frecuencia, alto voltaje y
alta corriente.
Cierto

[Link] diodo de potencia necesita alcanzar el voltaje de ruptura inverso durante su operación
normal.
Falso

[Link] transistores Darlington pueden ser utilizados eficientemente en aplicaciones que requieren
conmutación rápida debido a su alta ganancia de corriente.
Falso

[Link] un MOSFET de potencia, la resistencia de encendido disminuye a medida que la


temperatura de juntura aumenta.
Falso

[Link] uso de MOSFET de potencia es ideal en aplicaciones de muy alto voltaje (por ejemplo >1000
V) debido a su baja resistencia de encendido.
Falso

[Link] transistores IGBT son menos eficientes que los MOSFET de potencia en aplicaciones que
requieren alta frecuencia de conmutación debido a su mayor tiempo de apagado.
Cierto

[Link] vida útil de un dispositivo electrónico disminuye a la mitad por cada incremento de 10°C en
su temperatura de funcionamiento, según la regla de los 10°C.
Cierto

[Link] resistencia térmica en los circuitos de disipación de calor no tiene un impacto significativo
en la eficiencia global de la transferencia de calor.
Falso

[Link] falla catastrófica de un transistor a causa de temperatura extremas puede incluir el


derretimiento del silicio y la ruptura de estructuras internas.
Cierto
18. La difusión de dopantes en el silicio no altera las características eléctricas de la juntura PN de
un transistor.
Falso

[Link] obtener el disipador de calor más pequeño o de mayor resistencia térmica utilizamos la
temperatura de juntura máxima.
Cierto

[Link] un cámara termografica es posible medir la temperatura del encapsulado en transistores


de cubierta plástica.
Cierto

También podría gustarte