Universidad Autónoma de Nuevo León

Facultad de Ingeniería Mecánica y Eléctrica

Materia: Electrónica Analógica 1

Práctica 1
Curva Característica Del diodo

ING. RICARDO ALONSO FLORES TORRES

Matricula Nombre Carrera

1994359 Emiliano Alejandro Carrillo Arriaga IEA
Objetivo.
Obtener la curva de respuesta del diodo a través de un circuito formado por
una resistencia y un diodo, medir las caídas de voltaje y flujo de corriente.
Hacer uso adecuado del multímetro.
Usar escalas adecuadas.

Lista de Material
1 Protoboard.
1 Resistencia de 1KW (La potencia la puedes calcular en base al voltaje que se va
aplicar).
1 Diodo 1N4148 (Busca la página web del fabricante y descargar hoja de
especificaciones del diodo).

Equipo
(Proporcionado en el Laboratorio).
1 Multímetro.
1 Fuente de voltaje variable de 0 a 10 volts.

Teoría preliminar

El circuito (Figura 6) consta de una resistencia en serie con un diodo, la fuente a

utilizar es una fuente de voltaje variable entre 0 y 10 volts. Al variar la fuente de
voltaje cambiará la corriente y el voltaje a través del diodo, tomar dichos valores
para graficar la curva real del diodo, que será aproximadamente la que
observamos en libros de texto

La característica general de un diodo semiconductor se puede definir mediante

la ecuación de Shockley, para las regiones de polarización en directa y en inversa
(Boylestad, 2009):
Desarrollo (simulador)
Reporte:
Investigar:

¿Qué es un LED?

Es un Diodo Emisor de Luz.

¿Qué sucede si se conecta un diodo o un LED directamente a la fuente?

Se quema o para de funcionar.

¿Qué función tiene la resistencia en un circuito con Diodos?

En cierta forma es para proteger el diodo.

¿Cuál es la corriente máxima de operación, del diodo que utilizaste?

200mA

¿Cuál es el voltaje pico inverso máximo del diodo que utilizaste?

75 volts

Si el diodo lo fueras utilizar para crear un rectificador de onda completa, ¿funcionaría?,

¿Por qué?

Depende, si solo usamos uno solo sería de media onda, sin embargo si usamos 4 si sería
posible ya que cada diodo permite el paso del voltaje en todo el periodo de la onda
senoidal del voltaje.
Resultados
Grafica usando Excel

Evidencia (Act en laboratorio):

Conclusión:

Aprendimos la utilidad del diodo y sus aplicaciones en los circuitos electrónicos,

también vimos sus limitaciones y la curva característica del diodo.
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Materia: Electrónica Analógica 1

Práctica 2
Curva característica del diodo en el osciloscopio

ING. RICARDO ALONSO FLORES TORRES

Matricula Nombre Carrera

1994359 Emiliano Alejandro Carrillo Arriaga IEA

Objetivo

Obtener la curva de respuesta del diodo en el osciloscopio utilizando un circuito formado por una
resistencia, un diodo, un puente de diodos y un transformador.
Aprender a utiliza el osciloscopio, en el modo XY.

Utilizar las escalas adecuadas en el osciloscopio.

Lista de Material

1 Puente rectificador de 1 Amp. a 50 V.

1 Diodo 1N4148 (Usar el mismo del experimento anterior).

1 Transformador de 120/12 VCA de 1 Amp.

1 Resistencia de 1KW.

1 Resistencia de 3.3K.

Equipo

1 Osciloscopio. (Verifica la marca y modelo en el laboratorio y descarga el manual de la página del

fabricante).

Procedimiento
1.- Implementar el circuito de la Figura 8

Figura 8 Diagrama del circuito para observar la curva del diodo en el osciloscopio

2.-Ajustar las escalas en el osciloscopio, de acuerdo a las magnitudes que se van a

medir. 3.- Conectar un osciloscopio a los puntos (X, Y, G) que se marcan en el
diagrama.
4.- Ajustar los controles del osciloscopio para operar en el modo XY; ajustar la escala vertical
a 2 V/div, y la escala horizontal a 0.5 V/div.
5.- Observar la curva característica del diodo; hacer uso de los controles de
posición vertical y horizontal para colocar la curva en el origen de la pantalla
del osciloscopio (Debe iniciar en el origen de los ejes X, Y).

6.- Tomar una fotografía de la curva característica del diodo mostrada en la

pantalla del osciloscopio, asegurarse que las perillas y escalas de los canales
del osciloscopio sean visibles, inserta la fotografía en tu reporte e indica los
valores de las escalas utilizados en los ejes de voltaje (X) y corriente (Y) del
diodo. En caso de estar usando un osciloscopio digital, guardar la imagen y los
datos en una memoria USB (Consulta el manual del modelo correspondiente,
BKprecision® o Tektronik®).

Practica (simulador).
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Materia: Electrónica Analógica 1

Práctica 3:
CIRCUITO RECORTADOR

ING. RICARDO ALONSO FLORES TORRES

Matricula Nombre Carrera

1994359 Emiliano Alejandro Carrillo Arriaga IEA
Objetivo

• Comprobar el funcionamiento de un circuito recortador.

• Aprender a utilizar el generador de funciones.

• Conocer con los botones y perillas del generador de funciones.

• Medir frecuencia, voltaje máximo y voltaje pico-pico en el

osciloscopio.

• Afianzar los conocimientos del uso adecuado del osciloscopio.

Material

1 Potenciómetro lineal de 1KΩ

1 Resistencia de 100 KΩ

1 Diodo 1N4148 (Descargar la hoja de especificaciones)

Equipo

1 Osciloscopio (Revisar marca y modelo; descargar y leer el manual de

operación)

1 Fuente de alimentación

1 Generador de funciones (Revisar marca y modelo; descargar y leer el

manual de operación)
Teoría Preliminar

En el circuito recortador serie (Figura 9) el diodo únicamente conduce

cuando la señal de entrada (Vi) excede (es mayor) al voltaje de
referencia (VC). De tal manera que el comportamiento del circuito se
puede resumir de la siguiente manera:

𝑽𝑽𝑽𝑽 = 𝑽𝑽𝑽𝑽 para 𝑽𝑽𝑽𝑽 < 𝑽𝑽𝑽𝑽

𝑽𝑽𝑽𝑽 = 𝑽𝑽𝑽𝑽 para 𝑽𝑽𝑽𝑽 > 𝑽𝑽𝑽𝑽
lo anterior considerando que el diodo es ideal (recuerda que el voltaje
de operación para un diodo ideal es cero y para el diodo práctico es
0.7V).

Procedimiento

1.- Implementar el circuito recortador.

2.-Configurar el Generador de Funciones a una frecuencia de 1 KHz y

una Amplitud de 10 vp-p con una Forma de Onda Seno, asegurarse
que las perillas que no se utilicen estén completamente a la izquierda.

3.- Usar el multímetro digital (En modo Voltímetro C.D.) para

cerciorarse que la señal no tiene componente de C.D. Si la tiene
cancelarla con el control de offset del generador de funciones.
(Recuerda haber leído el manual de operaciones del generador de
funciones).

4.- Usar el multímetro digital para ajustar el potenciómetro, hasta que

el voltaje de C.D. en VB sea de 3 Volts.

Se recomienda dejar conectado el multímetro en las terminales del

potenciómetro, para estar monitoreando el valor del voltaje.

5.- Elegir escalas adecuadas en el osciloscopio.

6.-Configurar el osciloscopio en modo de C.D. (acoplamiento), conecta

las señales de entrada (CH1) y de salida respectivamente (CH2). Usa la
misma escala de voltaje en ambos canales.
Desarrollo (simulador):

Reporte:

1.- Explicar el funcionamiento del circuito recortador serie

El circuito rectificador o recortador nos permite aceptar las señales

positivas de la onda senoidal protegiendo ciertos componentes que no
pueden aguantar las señales negativas o solo nos permite recortar
partes de los límites de la onda.

2.- Explicar el comportamiento del circuito recortador serie, si el

procedimiento se ajusta para VB=0

La Onda senoidal se mantiene igual, aunque el diodo solo sigue

aceptando las ondas positivas.

3.- Explique el funcionamiento del circuito recortador serie, cuando la

fuente VBB es igual a -12V
Funciona igual pero el periodo esta cambiado de una forma distinta,
sin embargo, el funcionamiento es el mismo.

4.- En un Circuito recortador serie (Figura 9), porqué se asignaron los

valores en la resistencia del potenciómetro (Rp), RP1=0.25KΩ RP2 =
0.75KΩ.

Para ver como se recorta la señal senoidal

Evidencia (Actividad en laboratorio):
Conclusión:

Vimos los usos y la utilidad de un circuito recortador de voltaje, vimos

como el potenciómetro controla la señal del voltaje.
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Facultad de Ingeniería Mecánica y Eléctrica

Materia: Electrónica Analógica 1

Práctica 4:
CIRCUITO SUJETADOR

ING. RICARDO ALONSO FLORES TORRES

Matricula Nombre Carrera

1994359 Emiliano Alejandro Carrillo Arriaga IEA
Objetivo

Experimento 4 Circuito Sujetador

• Observar el comportamiento de un circuito sujetador.

• Aplicar los conocimientos adquiridos en el uso del generador de

funciones.

• Aplicar los conocimientos adquiridos en el uso del osciloscopio.

Lista de Material

1 Potenciómetro de 1K Ω

1 Resistencia 100K Ω, ½ W

1 Diodo 1N914

1 Capacitor 0.1 μf, 100V

Equipo

1 Osciloscopio

1 Generador de señales

1 Multímetro digital

1 Fuente de alimentación
Teoría Preliminar.

Existen dos formas de agregar una componente de C.D. a una señal de

entrada de C.A.

• Agregando una fuente de voltaje de C.D. en serie.

• Agregando un circuito sujetador (Capacitor, Resistencia y Diodo).

En el circuito Sujetador (Figura 11), durante el semiciclo negativo de la

señal de entrada, el capacitor se carga hasta un voltaje igual a 𝑽𝑽𝑽𝑽á𝒙𝒙–
𝑽𝑽𝑽𝑽, el tiempo que le lleva cargarse es conocido como la constante de
tiempo de carga y descarga de un capacitor ( = 𝑅𝑅𝑅𝑅).

Durante el semiciclo positivo la constante de tiempo  es mucho

mayor que la mitad del 𝑇𝑇 periodo.

y esto no permite que el capacitor se descargue, por lo tanto, el diodo

no.2 conduce, analizando la malla con LVK (Leyes de Voltajes de
Kirchhoff) obtenemos:

Ecuación 3

𝑉𝑉𝑉𝑉(𝑡𝑡) = 𝑉𝑉𝑉𝑉(𝑡𝑡) + 𝑉𝑉𝑉𝑉á𝑥𝑥– 𝑉𝑉𝑉𝑉

Esta última ecuación (3) es la expresión del voltaje de salida en función

del tiempo.

Procedimiento

1.- Implementar el circuito sujetador.

2.-Configurar el Generador de Funciones a una frecuencia de 1 KHz y

una Amplitud de 10 vp-p con una Forma de Onda Seno, asegurarse
que las perillas que no se utilicen estén completamente a la izquierda.

3.- Usar el multímetro digital (Como voltímetro C.D.) para cerciorarse

que la señal de entrada Vi no tiene componente de C.D. Si la tiene,
cancelarla con control de offset del generador de funciones.
4.- Usar el multímetro digital como voltímetro para ajustar el
potenciómetro, hasta que el voltaje de C.D. en VB sea de 3 volts.

5.-Seleccionar las escalas adecuadas en el Osciloscopio

Desarrollo (simulador):

Reporte:

7.-Explicar el funcionamiento del circuito sujetador

Llega a agregar un nivel de corriente continua al circuito dado a como

se llega a cargar el capacitor y cómo reacciona el diodo.
Evidencia (Actividad en laboratorio):
Conclusión:

Vimos los usos y la utilidad de un circuito sujetador de voltaje, vimos

como el potenciómetro controla el voltaje del sujetador.
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Facultad de Ingeniería Mecánica y Eléctrica

Materia: Electrónica Analógica 1

Práctica 6:
REGULADOR ZENER

ING. RICARDO ALONSO FLORES TORRES

Matricula Nombre Carrera

1994359 Emiliano Alejandro Carrillo Arriaga IEA
Objetivo.

• Comprobar el principio de funcionamiento del regulador Zener.

• Calcular el porcentaje de regulación.

Lista de Material.

1 Diodo Zener de 12V de 1 W o más. (Descargar hoja de

especificaciones de Internet).

1 Resistencia de 58 de 1 W o más.

2 Resistencias de 1.2K, de 1 W.
Equipo

1 Multímetro digital.

1 Fuente de alimentación

Teoría Preliminar.

Se diseñó el circuito regulador Zener (Figura 15) bajo las siguientes

condiciones.

a) La corriente en la carga varía de 10 a 20 mA.

b) El voltaje de la fuente varia de 10 a 20 V.

Si consideramos constante el valor de la resistencia de carga es factible

medir el porciento de regulación de la siguiente forma:

En donde Vo nominal es igual a 12 Volts.

Procedimiento.

1.- Implementar el circuito Regulador Zener (Figura 15). Ajuste la

fuente a 10V y la carga a 0.6 K (2 resistencias de 1.2K en paralelo).

2.- Tomar lectura del voltaje de salida mínimo Vomin, utilizando el

multímetro digital en volts de C.D.

Vomin=8.53V

3.- Ajustar para obtener un voltaje de la fuente de 20V y una carga de

0.6 K.

4.- Tomar lectura del voltaje de salida máximo Vomax, usando el

multímetro digital como voltímetro en la escala de volts de C.D.

Vomax=13.15V

5.- Repetir los pasos del 1 al 4 con un valor de carga igual a 1.2 K.

Vomin=9.17V Vomax=13.06V
Desarrollo (simulador):

Reporte:

1.- Calcular el valor de la resistencia 𝑅𝑅𝑅𝑅 (58Ω) del circuito regulador

Zener (Considerar el circuito de diseño visto en el libro de texto.

Datos:

Vmax= 20V

Vmin= 10V

Ilmax= 20mA

Ilmin= 10mA

Vz= 12V
2.- Determinar el % de regulación del circuito con la carga a 0.6 K.
Utiliza los resultados de los pasos del 2 al 4 del procedimiento de
diseño.

3.- Determinar el % de regulación del circuito con la carga a 1.2 K.

Utiliza los resultados de los pasos del # 5 del procedimiento de diseño.

Evidencia (Actividad en laboratorio):

Conclusión: Vimos el uso del diodo de Zener y como tiene diversas

aplicaciones en circuitos.
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Facultad de Ingeniería Mecánica y Eléctrica

Materia: Electrónica Analógica 1

Práctica 7:
CURVAS CARACTERÍSTICAS DEL
TRANSISTOR BIPOLAR

ING. RICARDO ALONSO FLORES TORRES

Matricula Nombre Carrera

1994359 Emiliano Alejandro Carrillo Arriaga IEA
Objetivo

• Obtener las curvas características de un transistor bipolar usando el

osciloscopio como un trazador de curvas.

• Determinar la ganancia de corriente directa del transistor.

• Determinar la ganancia de corriente alterna del transistor.

• Medir el  = hfe

Lista de Material

1 Puente rectificador de 1 Amp. de 50 V.

1 Transistor 2N3904 ó equivalente. (Descargar hoja de especificaciones

de Internet)

1 Resistencia 100 K, ½ W

1 Resistencia 100 , ½ W

1 Resistencia 3.3 K, ½ W

1 Transformador 120/12 VCA, a 1 Amp. Equipo

1 Osciloscopio

1 Multímetro digital

1 Fuente de alimentación variable de 0 a 25 V.

Teoria Preliminar

Las curvas características del transistor, es un conjunto de curvas, que

representa la variación de corriente de colector (IC) con respecto al
voltaje entre colector y emisor VCE, para un valor constante de la
corriente de base (IB).
El circuito de la Figura 16, permite por el lado del circuito base-emisor,
ajustar el valor de la corriente de base. Por ejemplo, si la fuente se
ajusta de tal modo que la caída en RB sea de 2 volts, entonces la
corriente de base es de 20 A.

Por el lado del circuito colector-emisor, se aplica una señal rectificada

de onda completa. La caída de voltaje en la resistencia del colector RC,
es proporcional a la corriente del colector IC, por lo que se usara para
la deflexión vertical del haz de electrones en el osciloscopio. El voltaje
entre colector y emisor VCE con signo negativo se aplicará en la
entrada horizontal del osciloscopio operando en modo X-Y. De la
forma anterior es posible obtener una curva característica del transistor
y solo es cuestión de ajustar de nuevo la corriente de base para
observar un nuevo trazo.

Procedimiento

1.- Implementar el circuito de la Figura 16 para obtener las curvas del

transistor en un osciloscopio en modo XY.
2.- Medir la caída en RB con el multímetro digital y ajusta la fuente de
alimentación para obtener una caída de voltaje igual a 2 volts.

3.-Ajustar escalas adecuadas en el Osciloscopio.

4.- Ajustar los controles del osciloscopio de la siguiente forma:

Acoplamiento de CD. 500 mV/div.

Modo XY.

(En caso de usar osciloscopio digital, solo configurarlo de forma

adecuada)

5.- Observar lo siguiente:

• Se forma una curva característica del transistor. Relacionada con la

corriente de base.

• La deflexión vertical es provocada por la caída en RC.

• Ecuación 1: 𝑰𝑰𝑰𝑰= 𝑽𝑽𝑽𝑽𝑽𝑽/𝑹𝑹𝑹𝑹

• La deflexión horizontal es provocada por el voltaje entre colector y

emisor VCE y es negativa.

• La escala horizontal es de 10V/div. (Esta debe ajustarse de acuerdo a

las características del modelo del transistor utilizado)

• La corriente de base está determinada por la caída de voltaje en RB.

• Ecuación 2: 𝑰𝑰𝑰𝑰= 𝑽𝑽𝑽𝑽𝑽𝑽/𝑹𝑹𝑹𝑹

5.- Ajustar la perilla de escala horizontal hasta tener un desplazamiento

horizontal igual a 4 veces el actual. El resultado de esto es una escala
horizontal de 2.5V/div. En este paso utiliza los controles de posición
vertical y horizontal, para hacer que el origen de la curva esté cerca de
la esquina inferior derecha de la pantalla del osciloscopio.
6.- Dibujar una familia de curvas características para los siguientes
valores de caída de voltaje en RB. (Si cuentas con cámara en tu celular,
tomar una) La curva se observa en el osciloscopio y se debe de tomar
una fotografía.
VRB 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 V
IB 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 µΑ

Desarrollo (simulador):
 Reporte:

1.- Determinar el valor de la ganancia de corriente directa (F) del

transistor para el punto de operación dado por.
IBq= 60µA
V CEq= 10V

Emplear la familia de curvas obtenidas en el paso 6 del procedimiento.

Medir con el multímetro digital el valor del hfe y compáralo con el

calor calculado.

2.- Determinar el valor de la ganancia de corriente alterna (b) del

transistor para el siguiente punto de operación:

IBq= 60mA VCEq= 10V

Para ello determinar de la misma familia de curvas

Para:

IB2=80mA para IB1=40mA

IC2= 14.15mA

IC1= 7.406mA

B1=185.15

B2=176.87
Evidencia (Actividad en laboratorio):

Conclusión: Vimos el uso de los transistores y sus características,

también los usos y beneficios al usarlos.
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Facultad de Ingeniería Mecánica y Eléctrica

Materia: Electrónica Analógica 1

Práctica 8:
DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR EMISOR
COMUN

ING. RICARDO ALONSO FLORES TORRES

Matricula Nombre Carrera

1994359 Emiliano Alejandro Carrillo Arriaga IEA
Objetivo.
Diseñar un amplificador E-C y Medir los parámetros de funcionamiento
del amplificador.

Lista de Material.
1 Transistor 2N3904 (Descargar hoja de especificaciones de Internet)
1 Resistencia 22KW, ½W
1 Resistencia 120KW, ½W
1 Resistencia 10KW, ½W
1 Resistencia 1.2KW, ½W
1 Resistencia 330W, ½W
1 Capacitores de 47mF, 50V
1 Capacitor 100mF, 50V

Equipo.
1 Osciloscopio
1 Fuente de poder
1 Generador de funciones

Teoría Preliminar.
El diseño del amplificador Emisor-Colector (E-C) se efectuará con las
siguientes características:
Av = -20 VCC =12V Ro >= 8KW
BJT = 2N3904
RL = 10KW
b = h fe=100

Diseño para Máxima Oscilación Simétrica.

PASO 1.- Seleccionar el valor de la resistencia del colector RC.
RC>= Ro RC= 10KW

PASO 2.- Establecer ecuaciones de diseño.

Sustituir los valores conocidos en las primeras tres ecuaciones se
obtienen:

PASO 3.- Determinar los valores de Icq, RE y RE1.

Se encuentran resolviendo las últimas tres ecuaciones del paso anterior:
Icq= 0.699mA
RE= 1.72 KW
RE1= 0.363 KW
Seleccionar 330 W
RE2= (1.72-0.363) KΩ= 1.357 KW Seleccionar 1.2 KW
PASO 4.- Calcular RB.

PASO 5.- Calcular el voltaje de Thévenin VBB

PASO 6.- Calcular las resistencias R1 y R2.

PASO 7.-Determinar la resistencia de entrada:

Procedimiento

1.- Implementar el circuito del amplificador E-C. Observar que los

valores corresponden al diseño planteado en la teoría preliminar.

b = hfe=
Mediciones de voltaje en directa (CD) con Multímetro

2.- Medir el punto de operación, tomando lectura de los siguientes

voltajes de CD con el multímetro digital:
VCC=12V VC=4.849
VB=1.758V VE=1.102V

3.- Observar que se cumplan las siguientes condiciones:

𝑽𝑽𝑩𝑩@ 𝑽𝑽𝑬𝑬 + 𝟎𝟎. 𝟔𝟔

𝑽𝑽𝒄𝒄 > 𝑽𝑽𝑩𝑩
𝑽𝑽𝑪𝑪 > 𝑽𝑽𝑬𝑬
𝑽𝑽𝑪𝑪 < 𝑽𝑽𝑪𝑪𝑪𝑪
Si no se cumplen estas condiciones, revisar las conexiones, revisar
que el transistor este bien conectado y que el voltaje entre Base-
Emisor (B-E) sea aproximadamente 0.7 V.
(Las terminales del transistor deben estar bien identificadas, consulta la
hoja de especificaciones) y analiza los pasos del 1 al 3 nuevamente.

Mediciones de CA (Corriente Alterna)

4.-Ajustar escalas adecuadas en el Osciloscopio.

5.- Aplicar en la entrada del amplificador una señal senoidal de 5KHz y

200 mVp-p aproximadamente. Observar en el osciloscopio las señales
de entrada (CH1) y de salida (CH2) simultáneamente.

6.- Tomar lectura de las amplitudes de los voltajes pico a pico de

entrada (Vi)y de salida (Vo).

Vo=1.3V Vi=-100mV

*Observar que la señal de salida, esta invertida con respecto a la señal

de entrada. (desfase de señal de salida con respecto a la de entrada en
180°)

7.-Calcular la Ganancia de Voltaje

8.- Medir el valor de la resistencia de entrada del amplificador, insertar
una resistencia de 10 KΩ entre los puntos A y B.

Tomar lectura con el osciloscopio de los siguientes voltajes, es decir

cambiar los canales 1 y 2 a los puntos A y B (alternativamente puedes
utilizar el multímetro digital en voltaje de CA)

VA=70.711mV VB=41.014mV

El valor de Ri se puede determinar sabiendo que:

Al terminar de medir los voltajes (VA y VB) retirar del circuito la

resistencia de 10 KΩ.

9.- Medir la resistencia de salida del amplificador, tomando nota de los

siguientes voltajes de CA. Con la carga RL= 10KΩ conectada.

Vo=950.668 mV

Con la carga de RL´=5 KΩ (usa dos de 10 K en paralelo)

Vo´= 634.764 mV

La resistencia de salida se puede determinar con la siguiente relación:

Reporte

1.- Realizar el análisis del diseño del amplificador E-C utilizando las
leyes de Kirchhoff (nodos o mallas) planteado en la sección de teoría
preliminar.
2.- Utilizar las curvas de operación del transistor para encontrar el valor
de Icq (corriente de operación del colector), con los resultados
obtenidos en el paso 2 del procedimiento.

Icq=0.715mA

3.- Determinar el valor de la ganancia de voltaje del amplificador,

haciendo uso de los resultados obtenidos en el paso 6 del
procedimiento.

Av=13

4.- Determinar el valor de la resistencia de entrada del amplificador,

con los resultados del paso 8 del procedimiento. Demostrar la relación
planteada. Calcular la resistencia de entrada teórica y efectuar una
comparación.

Ri=13.81KOhm

5.- Determinar el valor de la resistencia de salida, con los resultados

obtenidos en el paso 9 del procedimiento. Demostrar la relación
planteada.

Ro=9.9KOhm
Desarrollo (simulador):
Conclusión
 Universidad Autónoma de Nuevo León

Facultad de Ingeniería Mecánica y Eléctrica

Materia: Electrónica Analógica 1

Práctica 9:
CURVA CARACTERÍSTICA DEL FET

ING. RICARDO ALONSO FLORES TORRES

Matricula Nombre Carrera

1994359 Emiliano Alejandro Carrillo Arriaga IEA
Objetivo
-Obtener las curvas características del transistor de efecto de campo,
usando el osciloscopio como un trazador de curvas.

-Determinar la transconductancia del FET.

Lista de Material

1 Puente rectificador de 1 Amp.

1 Transistor 2N5951 o equivalente. (Descargar hoja de

especificaciones de Internet)
1 Resistencia 100W, ½W

1 Resistencia 10KW, ½W

1 Resistencias 3.3KW, ½W

1 Transformador 120/12 VCA Equipo

1 Osciloscopio.

1 Multímetro digital.

1 Fuente de alimentación.

Teoría Preliminar

Las curvas características del FET, son un conjunto de curvas que

describen el comportamiento de la corriente de salida Id, con
respecto al voltaje de salida VDS, para distintos valores de voltaje de
entrada VGS. Ilustración 1 Diagrama del circuito para obtener las
curvas del FET utilizando al osciloscopio como trazador de curvas.

El circuito de la Figura 18, permite por el lado de la (G) compuerta-(S)

surtidor, ajustar el valor del voltaje VGS. Por ejemplo, VGS=0 si la
fuente esta desconectada, o bien VGS puede tomar un valor negativo
de: –0.5V si el valor de la fuente se ajusta.

Por el otro lado del circuito (D)drenador (S) surtidor, se aplica una
señal rectificada de onda completa. La caída de voltaje en la
resistencia del drenador RD, es proporcional a la corriente en el
drenador ID, por lo que se usará para el eje vertical (Y) en el
osciloscopio. El voltaje entre (D) drenador y (S) surtidor VDS con signo
negativo se aplicará a la entrada horizontal (X) del osciloscopio,
operando en el modo X-Y. De la forma anterior es posible obtener
una sola curva característica del FET y solo es cuestión de ejecutar de
nuevo el voltaje VGS, para observar un nuevo trazo.

Procedimiento

1.- Implementar el circuito

2.- Con el multímetro digital medir el voltaje entre compuerta-surtidor

VGS. Iniciar con VGS = 0 volts desconectando o apagando la fuente de
alimentación.
3. Ajustar los controles del osciloscopio de la siguiente forma:
Acoplamiento de CD
200 mV/div, inicialmente (Este debe ajustarse para visualizar mejor la
curva)
Modo XY
4.- Observar lo siguiente :
Se forma una curva característica del FET.
La deflexión vertical (Y) es provocada por la caída en RD por lo que la
escala queda 2mA/div. La deflexión horizontal es provocada por el
voltaje entre el (D) drenador y (S) surtidor y es negativa.

5.- Ajustar la perilla de escala horizontal (X) hasta tener un

desplazamiento horizontal (X) igual a 2 V/div.
En este paso utiliza los controles de posición vertical (Y) y horizontal (X),
para hacer que el origen de la curva este cerca de la esquina inferior
derecha de la pantalla de osciloscopio.

6.- Dibujar la familia de curvas características para los siguientes valores

de VGS. (En la tabla). Dibujar la curva que sé que observa en el
osciloscopio en la cuadricula. (Si utilizas un transistor equivalente,
verificar los voltajes para VGS en las curvas proporcionadas por el
fabricante en la hoja de especificaciones).

VGS 0V -5 V -1 V -1.5 V -2 V -2.5 V -3 V

ID 1.30mA 2.10mA 1.6mA 1.75mA 1.92mA 2.01mA 2.05mA

Reporte

1.- Determinar el valor de la transconductancia gm del FET para el

punto de operación dado por:

VGSq =-1.5
VDSq =10V

Emplear la familia de curvas obtenidas en el paso 6 del procedimiento.

Para lograr lo anterior

utilizar VDS=10V.

Id2= para VGS = -1V

Id1= para VGS = -2V

2.- Graficar la curva de transferencia del FET.

La curva de transferencia de la gráfica de ID contra VGS:

3.- De la curva de transferencia determinar los siguientes valores

característicos:

IDss = 1.20mA

Corriente de saturación del drenador.

Vp = 2.3V

Voltaje de estrangulamiento de la compuerta.

Vc= 1.6V

Desarrollo (simulador):

Conclusión
 Universidad Autónoma de Nuevo León

Facultad de Ingeniería Mecánica y Eléctrica

Materia: Electrónica Analógica 1

Práctica 10:
DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR SURTIDOR
COMÚN

ING. RICARDO ALONSO FLORES TORRES

Matricula Nombre Carrera

1994359 Emiliano Alejandro Carrillo Arriaga IEA
Objetivo
• Diseñar un amplificador Surtidor Común.

• Medir los parámetros de funcionamiento del amplificador.

Lista de material.

1 FET 2N5951 o equivalente. (Descargar hoja de especificaciones de

Internet)

2 Resistencias de 100K, ½W

1 Resistencia de 10K, ¼W

2 Resistencias de 2.2K, ½W

1 Resistencia de 68, ½W

1 Resistencia de 470, ½W

2 Capacitores de 10F, 50V

1 Capacitor de 100F, 50V Equipo

1 Osciloscopio

1 Generador de señales

1 Fuente de alimentación
Teoría preliminar.

Para diseñar un amplificador surtidor-común (Figura 19) con las

siguientes especificaciones:

Av=-5 RL=10KΩ

Rin=100KΩ

Se usará el transistor JFET 2N5951 que tiene los siguientes parámetros

(Si el transistor es otro modelo, anotar aquí los valores que aparecen
en la hoja de especificaciones):
Vp=-2.5V

Vp=

IDss=10mA

IDss=

La fuente de alimentación disponible es de 12V, y se recomienda el

siguiente punto de operación:

IDq= 2.5mA

VDSq=6V

Se procederá al diseño de acuerdo con el siguiente procedimiento:

PASO3.- Seleccionar RG
𝑹𝑹𝑮𝑮≥𝑅𝑅𝑖𝑖𝑖𝑖
RG=100KΩ
Procedimiento

1.- Implementar el circuito del amplificador S-C. Observar que los

valores corresponden al diseño planteado en la teoría preliminar.

2.- Medir el punto de operación, tomando lectura de los siguientes

voltajes de C.D. con el multímetro digital. (El generador de funciones
debe estar desconectado)

VDD = 12V

VD = 4.96V

VG = 9.08V

VS = 645.8mV

3.- Observar que se cumpla las siguientes condiciones:

𝑽𝑽𝑽𝑽 ≈ 𝟎𝟎
 𝑽𝑽𝑽𝑽 > 0

𝑽𝑽𝑽𝑽 > 𝑽𝑽𝑽𝑽

𝑽𝑽𝑽𝑽 < 𝑽𝑽𝑽𝑽𝑽𝑽

Si no se cumplen estas condiciones, revisar las conexiones, revisar el

transistor y analizar los pasos del 1 al 3 nuevamente.

4.- Aplicar en la entrada del amplificador una señal senoidal de 5 KHz y

200mVp-p aproximadamente. Observar en el osciloscopio las señales
de entrada y de salida simultáneamente. (Realiza el ajuste necesario en
las escalas de voltaje para cada canal)

5.- Tomar la lectura de las amplitudes de los voltajes de entrada y de

salida.

Vo= 24.99uV

Vi= 7.37uV

Observar que la señal de salida, esta invertida con respecto a la señal

de entrada (Desfase de 180°).
Investigar cómo medir el corrimiento de fase en el osciloscopio.

6.-Medir el valor de la resistencia de entrada del amplificador, insertar

una resistencia de 100K Ω entre los puntos A y B. (A la entrada del
circuito, antes del capacitor de acoplamiento de entrada)

Tomar la lectura con el osciloscopio de los siguientes voltajes

(alternativamente puedes utilizar el multímetro digital en voltaje de
C.A.):

VA= 70.71mV

VB= 80.11mV

7.- Medir la resistencia de salida del amplificador, tomar nota de los

siguientes voltajes de C.A. Con la carga RL=10KΩ conectada.

Vo= 253.27mV

Con una carga RL´=2.2KΩ (use un nuevo valor)

Vo´= 253.27mV

La resistencia de salida se puede determinar de la siguiente relación:

Reporte

1.- Repetir con mayor detalle el diseño del amplificador surtidor común
planteado en la sección de teoría preliminar. (Anotar paso a paso el
análisis teórico, incluir las gráficas del fabricante).
2.- Determinar indirectamente el valor de IDq, con los resultados
obtenidos en el paso 2 del procedimiento.

1.61mA

3.- Determinar el valor de la ganancia de voltaje del amplificador,

haciendo uso de los resultados obtenidos en el paso 5 del
procedimiento.

3.39V

4.- Determinar el valor de la resistencia de entrada del amplificador,

con los resultados del paso 6 del procedimiento. Comparar con el valor
teórico.

100.27kOhm

5.- Determinar el valor de la resistencia de salida con los resultados

obtenidos en el paso 7 del procedimiento.

9kOhm
Desarrollo (simulador):
Conclusión

Aprendimos como los transistores Fet cambian las señales del

generador de funciones.