CAPÍTULO 2

MEZCLADORES

DE

MICROONDAS
Capítulo 2. Mezcladores de microondas Introducción

Capítulo 2

MEZCLADORES DE MICROONDAS

2.1 Introducción

El mezclador es uno de los subsistemas básicos en radiocomunicaciones. Su función es

esencial en el receptor heterodino y superheterodino para convertir la frecuencia de RF
a FI (“down converter”), pero además puede servir para elevar la frecuencia en un
transmisor sin recurrir a multiplicadores de frecuencia (“up converter”). De esta forma
podemos procesar la señal (modularla en el transmisor, demodularla en el receptor) a
frecuencias bajas lo que siempre resulta más sencillo, antes de subir a la frecuencia de
transmisión. En la Figura 2.1 se muestra el diagrama de bloques de un receptor
heterodino. Se ve en ella que, tras el mezclador, se realiza el filtrado de la frecuencia
intermedia, para atenuar de esta forma las frecuencias espurias que se hayan generado
en el proceso de mezcla.

Figura 2.1 Diagrama de bloques de un receptor heterodino

Un mezclador es fundamentalmente un multiplicador. Un mezclador ideal multiplica

una señal por una sinusoide, desplazándola de este modo a una frecuencia superior y a
otra inferior. Después se deja pasar, mediante filtrado, sólo una de las bandas laterales.
Una señal modulada de banda estrecha, generalmente llamada señal de RF, y
representada por:

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Capítulo 2. Mezcladores de microondas Introducción

S RF (t ) = a(t ) sen(ω s t ) + b(t ) cos(ω s t ) (2.1)

se multiplica por la señal que se obtiene de un oscilador, denominado oscilador local

(OL):

f LO (t ) = cos(ω p t ) (2.2)

De esta forma se obtiene una señal de frecuencia intermedia (FI), que viene dada por la
siguiente ecuación:

1
S IF (t ) = a (t )( sen((ω s + ω p )t ) + sen((ω s − ω p )t )) +
2 (2.3)
1
b(t )(cos((ω s + ω p )t ) + cos((ω s − ω p )t ))
2

En el mezclador ideal, dos componentes sinusoidales de FI, llamadas productos de

mezcla, resultan de cada sinusoide en la señal de RF. En los receptores generalmente se
usa la componente cuya frecuencia es la diferencia entre la frecuencia de la señal de RF
y la del OL. La componente suma se rechaza mediante filtros. Este proceso se
esquematiza en la Figura 2.2.

Figura 2.2 Funcionamiento de un mezclador ideal.

Desafortunadamente, los mezcladores reales no son tan simples. Para realizar el

producto de dos señales se necesita un circuito que presente una característica variante
en el tiempo, modulada mediante una señal externa (oscilador local), típicamente, se
trata de un parámetro de pequeña señal correspondiente a un dispositivo no lineal.
Incluso cuando la tensión aplicada a la puerta del oscilador local es una sinusoide pura,
las no linealidades que introduce el dispositivo mezclador la distorsionan, dando lugar a
armónicos de RF. La señal de salida, o señal FI es, en general, la combinación de todos
los posibles productos de mezcla de los armónicos de RF y de OL. Para seleccionar la
respuesta deseada se usan filtros, eliminando las señales indeseadas, también llamadas
espurias.

Cualquier mezclador, incluso uno que sea ideal, tiene una frecuencia de RF que puede
crear una señal que cae justo a la frecuencia de FI. Esta respuesta espuria se llama
imagen y ocurre a la frecuencia fIM = fOL – fFI.

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Capítulo 2. Mezcladores de microondas Introducción

Es importante reseñar que el proceso de desplazamiento de frecuencia, que es el

fundamento de un mezclador, es un proceso lineal. Aunque son dispositivos no lineales
los que se vienen usando en la realización de mezcladores, no hay nada en el proceso de
desplazar la frecuencia que requiera una no linealidad.

La señal de salida de un elemento no lineal se puede expresar como sigue:

v0 (t ) = a0 + a1vi (t ) + a2 vi2 (t ) + a3vi3 (t ) + ... (2.4)

Si introducimos una señal de entrada del tipo:

vi (t ) = cos(ω1t ) + cos(ω2t ) (2.5)

entonces la señal de salida tendrá la siguiente expresión (sólo hemos considerado las
tres primeras componentes de la salida, ésta es una aproximación muy usada dado que
las constantes aj disminuyen a medida que j > 2):

vo (t ) = a0 + a1[cos(ω1t ) + cos(ω2t )] + a2 [cos(ω1t ) + cos(ω2t )]2 =

(2.6)
= a0 + a1[cos(ω1t ) + cos(ω2t )] + a2 [cos 2 (ω1t ) + cos 2 (ω2t ) + 2 cos(ω1t ) cos(ω2t )]

Podemos observar cómo hemos conseguido el término multiplicación de ambas señales.

Dado que el circuito no es ideal, nos encontramos con múltiples señales accesorias que
no nos interesan. Sin embargo, estas señales se encuentran a frecuencias tales que son
fácilmente eliminables mediante un filtrado apropiado de la señal resultante.

2.2 Características de los mezcladores

Dado que existen múltiples tipos de mezcladores, es necesario definir un conjunto de

características que nos permitan establecer una comparación entre los distintos tipos que
se pueden diseñar.

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Capítulo 2. Mezcladores de microondas Características de los mezcladores

De las características que se van a describir a continuación, las cuales se detallan en [8],
a las que se ha puesto más atención en el marco de este proyecto son, sobre todo: una
baja intermodulación y unas bajas pérdidas de conversión.

2.2.1 Ganancia de conversión

La ganancia de conversión de un mezclador se define como:

GC (dB) = PIF (dBm) − PRF (dBm) (2.7)

siendo PIF la potencia de la señal de salida del mezclador y PRF la potencia de la señal
de entrada (ambas medidas en dBm).

Como veremos en este mismo capítulo, existen múltiples dispositivos físicos que se
pueden utilizar para configurar un mezclador. Los diodos Schottky, son uno de ellos.
Este es un tipo de componente pasivo. Por ello, los mezcladores que usan diodos de
barrera Schottky tendrán pérdidas de conversión en lugar de ganancia. Es decir, el
parámetro que hemos definido será negativo. Estas pérdidas tienen una serie de
consecuencias: mientras mayores sean las pérdidas de conversión, mayor será el ruido
del sistema y más amplificación se necesitará. Unas perdidas altas contribuyen
indirectamente a aumentar la distorsión, debido a los altos niveles de señal que resultan
de una preamplificación adicional que se hace necesaria para compensar esas pérdidas.
Además, también conlleva un aumento en el coste del sistema, dado que las etapas de
preamplificación de bajo ruido suelen ser caras.

En lugar de usar componentes pasivos como los anteriores podríamos pensar en utilizar
dispositivos activos como MOSFET’s, MESFET’s o HEMT’s, que serán los que se
usen en este Proyecto Fin de Carrera. Los mezcladores diseñados con este tipo de
componentes generalmente tienen ganancia de conversión cuando se utilizan como
mezcladores de transconductancia, o sea, el parámetro definido antes es positivo; sin
embargo para nosotros será negativo ya que el mezclador que se presenta en este
proyecto es resistivo, es decir, la conductancia es variante en el tiempo.

2.2.2Intermodulación
Hay que decir que todo, en mayor o menor medida, es en cierto grado no lineal y genera
distorsión. Sin embargo, a diferencia de los amplificadores o de los componentes
pasivos, los mezcladores a menudo usan dispositivos fuertemente no lineales para
realizar el proceso de mezcla. A causa de estas fuertes no linealidades, los mezcladores
pueden generar altos niveles de distorsión. En los receptores, generalmente es el
mezclador el que da lugar a mayor distorsión.

La distorsión en mezcladores se pone de manifiesto como una distorsión de

intermodulación, producida por la mezcla entre múltiples tonos de RF y los armónicos
de esos tonos. No deben olvidarse tampoco las respuestas espurias a los distintos

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Capítulo 2. Mezcladores de microondas Características de los mezcladores

armónicos de RF y OL, si bien éstos son menos críticos porque al caer fuera de banda
su filtrado no entraña gran dificultad.

Es común trabajar con dos tonos: muchas de las características que se describen con
señales de manifiesto con señales de comunicaciones (espectro continuo) se pueden
modelar mediante un espectro discreto (más fácil si son dos tonos). Si dos tonos de RF,
de frecuencias f1 y f2, se aplican a un dispositivo no lineal, las no linealidades en el
mismo generarán una serie de nuevas frecuencias, dando lugar a un espectro de salida
tal y como se muestra en la Figura 2.3. Estas distorsiones estarán en 2f1±f2 y en 2f2±f1.
En ella se muestran los productos de intermodulación hasta de tercer orden, entendiendo
por orden n todas las posibles n-combinaciones que se pueden hacer entre los armónicos
de los dos tonos (sin incluir la frecuencia del OL). En general, una no linealidad de
orden n da lugar a productos de distorsión de orden n (y también de órdenes menores).

Además, cuando se trabaja con señales de comunicaciones (el caso de dos tonos sería
una reducción) la intermodulación provoca: recrecimiento del espectro debido a la
intermodulación entre las (infinitas) componentes espectrales, puede no cumplirse la
máscara de emisiones espurias, impacto en la BER, etc.

Figura 2.3 Productos de intermodulación.

Una propiedad importante de la distorsión de intermodulación es que el nivel de

producto de intermodulación (IM) de enésimo orden varía n decibelios por cada
decibelio que varía el nivel de la excitación de RF. Estudiando la ecuación (2.6) cuando
la entrada consta de dos tonos y haciendo el desarrollo en series de potencia podemos
ver dónde cae la salida a f1 – fOL y 2f1 – f2 – fOL, si se considera que la no-linealidad
predominante es de orden 3, entonces en un caso se tienen, respectivamente, rectas de
pendiente 1 y 3 (aproximaciones), el punto de corte entre ambas rectas se denomina
punto de intercepto de orden n, que denotaremos como IPn. En la Figura 2.4 se muestra
un ejemplo de cómo puede crecer la distorsión de intermodulación a medida que
aumenta el nivel de señal de entrada. El punto de intercepto se obtiene extrapolando las
características de salida de la señal lineal (la deseada) y de la intermodulación de que se
trate. En la mayoría de componentes el punto de intercepto se define como potencia de
salida sin embargo, en mezcladores es tradición definirlo como potencia de entrada.

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Capítulo 2. Mezcladores de microondas Características de los mezcladores

Figura 2.4 Punto de Intercepto.

La intermodulación que se suele tener más en cuenta a la hora de realizar un mezclador

es la de dos tonos, y de tercer orden, que es especialmente molesta porque los tonos de
intermodulación caen en la banda de la señal, siendo difíciles de eliminar mediante
filtrado. Nuestro diseño se ha optimizado para hacer lo más pequeña posible esta
distorsión, como se verá más adelante.

Dando el punto de intercepto de orden n, IPn, y el nivel de la señal de entrada, el nivel

de la intermodulación PIM se puede calcular en dBm, como:

PIM = nPlin − (n − 1) IPn (2.8)

donde Plin es el nivel de cada uno de los tonos (se supone que los dos tienen el mismo
nivel). Por convenio Plin y PIM son las potencias de una sola componente de frecuencia,
no la potencia total de todos los componentes.

2.2.3 Punto de compresión

Como hemos visto en el punto anterior, la potencia de salida no guarda una relación
lineal con la entrada, sino que para potencias de entrada altas existe una distorsión. Para
medir y comparar esa distorsión se usa un parámetro llamado punto de compresión de 1
dB. Este punto se define como aquella potencia para la que la señal real se diferencia de
la señal ideal (que será una recta de pendiente 1) en 1 dB. Nuevamente, se trata de un

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Capítulo 2. Mezcladores de microondas Características de los mezcladores

concepto propio de amplificadores que se pude extender a mezcladores (salida

correspondiente a la mezcla de interés).

Figura 2.5 Punto de compresión de 1 dB.

2.2.4 Ruido
La figura de ruido es la relación entre la SNR a la salida y a la entrada. En un mezclador
pasivo en el que la frecuencia imagen ha sido eliminada mediante filtrado, la figura de
ruido es casi igual a las pérdidas de conversión. En este sentido, el mezclador se
comporta como si fuese un atenuador con una temperatura igual o superior a la
temperatura del ambiente.

En mezcladores activos, la figura de ruido no se puede relacionar de forma fácil con las
pérdidas de conversión, sino que depende fuertemente de las características del diseño.

2.2.5 Ancho de banda

Se define como el rango de frecuencias en las que el mezclador funciona
adecuadamente. En un mezclador a diodos el ancho de banda se encuentra limitado por
los circuitos externos, especialmente por los híbridos o baluns que se usan para acoplar
las señales RF y OL a los diodos. En los mezcladores activos, el ancho de banda puede
estar limitado por el propio dispositivo activo que se utilice, además de por los híbridos
o circuitos acopladores que se usen como circuitos externos.

2.2.6 Rango dinámico

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Capítulo 2. Mezcladores de microondas Características de los mezcladores

Es el rango de potencias a las que se puede trabajar a la entrada del mezclador. La

potencia inferior estará limitada por la figura de ruido, y la potencia superior lo estará
por el punto de intercepto.

2.2.7 Aislamiento
En un mezclador tenemos dos señales de entrada, la señal RF y la señal OL. A la salida
no sólo encontraremos la señal mezclada, sino que también aparecerán componentes a
la frecuencia de OL y RF. El aislamiento se define como la atenuación que sufre la
señal de una de las dos entradas en la otra entrada o a la salida. Esta atenuación deberá
ser lo mayor posible.

2.2.8 Consumo de potencia DC

Cualquier circuito debe realizarse considerando que un consumo excesivo de potencia
DC implica un incremento en el gasto de utilización y disminuye la vida útil de la
batería que proporciona dicha potencia DC. Por ejemplo, los mezcladores pasivos a
diodos o con FET’s no consumen potencia DC, pero sus pérdidas hacen necesarias unas
etapas amplificadoras que sí consumen potencia. Por otro lado, los mezcladores activos
requieren un consumo de potencia DC para polarizar el dispositivo no lineal en una
zona de trabajo adecuada para realizar la mezcla con unas características de ganancia
apropiadas. En definitiva, el consumo de potencia DC debe limitarse todo lo que sea
posible.

2.2.9 Respuestas espurias

Un mezclador convierte una señal de RF en una señal de FI. La transformación más
común es fFI = fRF – fOL, aunque también existen otras. Ya se ha comentado que en el
proceso de mezcla los armónicos de las señales de RF y OL pueden generar nuevos
productos, dando lugar a un conjunto de frecuencias fFI = mfRF +nfOL, con m y n
enteros. Si una señal de RF (que puede o no estar dentro de la banda de trabajo de RF)
crea una respuesta no deseada dentro de la banda de interés en FI, se dice que esa
respuesta es espuria. Normalmente las frecuencias de trabajo de RF, OL y FI se
seleccionan cuidadosamente para evitar respuestas espurias, y se usan filtros que
rechazan señales RF que caen fuera del rango de funcionamiento para que éstas no
generen espurios en FI. Los filtros en FI sólo se usan para seleccionar la respuesta
deseada.

2.2.10 Señales espurias

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Capítulo 2. Mezcladores de microondas Características de los mezcladores

Es importante distinguir entre lo que son señales espurias y lo que ya hemos definido
como respuestas espurias. Las señales espurias resultan generalmente de componentes
de frecuencia indeseadas en la señal del OL que son convertidas a la frecuencia de FI o
que simplemente pasan a través del mezclador hacia la parte de FI. Los mezcladores no
suelen generar señales espurias; lo que sí crean habitualmente son respuestas espurias.
Los sintetizadores de frecuencia y los osciladores generan normalmente ese tipo de
señales espurias. Es competencia del diseñador de la fuente del OL eliminar, en la
medida de lo posible estas señales.

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Capítulo 2. Mezcladores de microondas Dispositivos no lineales para mezcladores

2.3 Dispositivos no lineales para mezcladores

Como se ha explicado, el funcionamiento de un mezclador está basado en el
comportamiento no lineal de uno de sus componentes, que permite la obtención del
término multiplicación de las dos señales de entrada. Es, por tanto, fundamental conocer
y estudiar los dispositivos no lineales. En este apartado vamos a conocer los principales
elementos que se han usado y se usan para la conformación de mezcladores, así como
sus ventajas e inconvenientes en relación unos con otros.

Los principales dispositivos usados en mezcladores son los diodos Schottky y los FET’s.
Los transistores de unión bipolar (BJT’s) también se usan ocasionalmente sobre todo en
circuitos multiplicadores con la configuración de célula de Gilbert; pero debido a sus
mejores características de gran señal, a rangos de frecuencia más altos y a su menor
ruido, los dispositivos FET’s son los que se prefieren habitualmente. Los diodos
Schottky tienen la ventaja de un bajo coste, amén de que no necesitan polarización DC,
pero su uso implica la aparición de pérdidas de conversión, por lo que se llegó al uso de
componentes activos, como son los transistores. A diferencia de los FET’s y de los
BJT’s, los diodos son dispositivos de dos terminales, por lo que pueden ser invertidos;
esto permite usarlos en configuraciones en las que es imposible utilizar dispositivos de
tres terminales. Actualmente predomina el uso de transistores de alta movilidad
(HEMT), que dada su buena respuesta frecuencial, se permite su uso en aplicaciones
anteriormente impensables, como frecuencias superiores, incluso, a 100 GHz.

A continuación vamos a explicar con más detalle cada uno de estos dispositivos.

El diodo de barrera Schottky es posiblemente, el dispositivo que más se ha utilizado en

la realización de mezcladores. Debido a que esto diodos son capaces de conmutar muy
rápidamente y tienen unos parásitos muy pequeños, pueden ser utilizados en
mezcladores de banda ancha. Los mezcladores basados en diodos Schottky no suelen
requerir circuitos de adaptación, de manera que no se necesita sintonizarlos o ajustarlos.
Sin embargo, utilizarlos acarrea pérdidas de conversión. Asimismo, la necesidad de
unos mejores resultados en la distorsión y en la intermodulación haría aconsejable el
uso de transistores.

Para la realización de mezcladores se usa una gran cantidad de tipos de transistores. Sin
embargo, los que mejor resultado aportan son los transistores de efecto de campo (FET),
mientras que los transistores bipolares (BJT) son menos utilizados por su peor
comportamiento en rango de frecuencia y ruido.

La forma más común de usar los transistores FET en mezcladores es aprovechar la

variación de la transconductancia que resulta de la variación de la tensión aplicada a la
puerta modulada por la señal del oscilador local. La aplicación en la puerta de una
tensión variable da lugar a la aparición de una no linealidad, la cual se puede usar para
realizar la mezcla.

La utilización de los FET’s en un mezclador mejora, como ya se ha dicho, las

características de ganancia y distorsión con respecto a los diodos. Por el contrario,
requieren el uso de tensiones de polarización, lo que conlleva un incremento del
consumo.

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Capítulo 2. Mezcladores de microondas Dispositivos no lineales para mezcladores

Dentro de los FET vamos a destacar 3 tipos, que son los más utilizados en mezcladores.

En primer lugar se encuentran los transistores MOSFET de silicio. Aunque son peores
que otros tipos de transistores, esto sólo ocurre para valores altos de frecuencia. Para
frecuencias inferiores a 1 GHz, el comportamiento de los MOSFET’s de silicio es
similar al de cualquier FET, por lo que el uso de un material barato en el substrato,
como es el silicio, abarata el coste total del circuito. No obstante, para frecuencias
elevadas su comportamiento empeora notablemente.

En segundo lugar tenemos los MESFET’s de GaAs. Un MESFET no es más que un

FET con una unión metal-semiconductor en la puerta. La fabricación de MESFET se
realiza hoy en día completamente con GaAs, y el silicio ha quedado obsoleto. La alta
movilidad de este material y la posibilidad de diseñar puertas de longitud muy corta
hacen que este dispositivo posea muy buenas características frecuenciales y muy bajo
ruido.

En último lugar tenemos los HEMT’s, o transistores de alta movilidad electrónica. Este
tipo de transistor emplea una heterounión, es decir, la unión de dos semiconductores
distintos, en el canal (normalmente AlGaAs o InGaAs). Esta discontinuidad crea una
región cargada en la unión, que posee una gran movilidad electrónica, permitiendo
aplicaciones a frecuencias superiores incluso a 100 GHz. Sin embargo, al ser un
elemento de una mayor no-linealidad, su distorsión es mayor que la de los transistores
anteriores.

59
Capítulo 2. Mezcladores de microondas Clasificación de los mezcladores

2.4 Clasificación de los mezcladores

En este apartado vamos a realizar una clasificación de los mezcladores atendiendo a su
estructura y modo de funcionamiento, con independencia del dispositivo concreto que
utilicen, Después, para cada tipo de mezclador, mostraremos ejemplos concretos de
mezcladores con distintos dispositivos. Así pues, podemos clasificar a los mezcladores
en 3 grupos principales:

2.4.1 Mezcladores simples

Un mezclador simple es aquel que utiliza un único componente de mezcla, lo que hace
necesario separar las puertas RF, OL y FI mediante filtrado. Por ello, se usan sólo para
aplicaciones de banda estrecha. Es, por tanto, el mezclador menos complejo.

El uso normal de estos mezcladores es en aplicaciones de bajo precio o en circuitos de

frecuencias muy altas (dada su sencillez estructural).

Las ventajas principales son la simplicidad y la facilidad del diseño. Permiten obtener la
máxima ganancia de conversión y el mínimo nivel de ruido.

Como inconvenientes podemos destacar la necesidad del filtrado para separar puertas y
la limitación a aplicaciones de banda estrecha.

2.4.2 Mezcladores simplemente balanceados

Los mezcladores balanceados se componen de dos o más dispositivos mezcladores,
conectados por redes pasivas de forma que las componentes de señal deseadas se sumen
en fase, y las no deseadas se cancelen.

Como ventajas podemos mencionar el rechazo de la señal OL y sus armónicos, rechazo

de todos los armónicos pares de la señal RF, y el rechazo de todas las combinaciones de
los anteriores armónicos. Otra ventaja es el aislamiento que se consigue entre las puertas
de RF y OL debido a la simetría del circuito, lo que evita tener que usar circuitos de
filtrado.

Como inconvenientes destaca, sobre todo, que tiene unas mayores pérdidas de
conversión con respecto a los mezcladores simples. Otra desventaja es que necesita una
mayor potencia de OL.

60
Capítulo 2. Mezcladores de microondas Clasificación de los mezcladores

2.4.3 Mezcladores doblemente balanceados

Están compuestos de cuatro componentes de mezcla debidamente conectados, de forma
que así se consigue un mayor rechazo de los armónicos de orden par (de RF y de OL), y
una mejor intermodulación, por consiguiente.

Entre las ventajas destacamos el rechazo a todos los armónicos de orden par de RF y de
OL, lo que resulta en una mejora de la intermodulación. Todos los puertos están
aislados entre sí. Otra ventaja es que se consigue un mayor ancho de banda.

Como inconvenientes sobresale su complejidad, ya que son necesarios al menos cuatro

dispositivos. Otras desventajas son que tienen mayores pérdidas de conversión y que
necesitan una potencia del OL mayor.

61
Capítulo 2. Mezcladores de microondas Estructuras clásicas

2.5 Estructuras clásicas

2.5.1 Mezcladores con diodos

Los mezcladores a diodos se han venido usando desde hace muchos años y se siguen
usando hoy en día. No son especialmente buenos, sobre todo, comparados con modelos
más avanzados, pero se siguen usando debido a su simplicidad y robustez. En este
apartado vamos a describir algunos tipos de mezcladores realizados con diodos, tal y
como aparecen en [8] y [10].

2.5.1.1 Mezcladores simples con diodos

Pese a que los mezcladores a diodo simples tienen serias limitaciones, hay dos buenas
razones por las que, al menos debemos nombrarlos aquí. En primer lugar estos
mezcladores se pueden usar en algunas ocasiones, e incluso en algunas tecnologías
(como aplicaciones sub-milimétricas) son utilizados exclusivamente. Por otro lado,
todos los mezcladores a diodo balanceados se pueden reducir a un circuito equivalente
con un solo diodo, por lo que los mezcladores simples pueden servir como prototipo
para mezcladores más complejos.

La Figura 2.6 muestra un circuito sencillo de un mezclador simple a diodo. Es un caso

ideal donde se ilustran los requisitos para el diseño de mezcladores prácticos. En primer
lugar, los circuitos de entrada y salida no deben interactuar, o sea, deben presentar o
bien un cortocircuito o bien un circuito abierto (dependiendo de la configuración), a los
otros puertos. En la figura anterior, los resonadores L-C paralelo son ideales: son
circuitos abiertos a sus frecuencias de resonancia y cortocircuitos en todo el resto de
frecuencias. A causa de esta propiedad, a cada frecuencia (RF, FI y OL) el diodo está
conectado al respectivo puerto, y está aislado de los demás. Así a la frecuencia de RF,
los puertos de FI y OL están desconectados. De igual forma, a las frecuencias de FI y
OL, los puertos RF/LO y RF/FI respectivamente, están desconectados.

62
Capítulo 2. Mezcladores de microondas Estructuras clásicas

Figura 2.6 Mezclador a diodo simple ideal

Un segundo requisito es que el diodo esté adaptado a todas las frecuencias importantes.
Siempre que las terminaciones a todas las frecuencias de mezcla no sean reactivas, la
impedancia del diodo será resistiva. Así, la impedancia del puerto se podrá seleccionar
para adaptar el diodo (normalmente se toma una impedancia estándar, como 50
ohmios).

Por último, el diodo debe presentar o bien un cortocircuito o un circuito abierto a todas
las frecuencias de mezcla indeseadas. En este caso, el diodo está cortocircuitado a todas
las frecuencias excepto a las de RF, FI y OL. En general se prefiere el cortocircuito al
circuito abierto dado que genera menos distorsión de intermodulación.

2.5.1.2 Mezcladores simplemente balanceados con diodos

Un mezclador a diodo simplemente balanceado consiste de dos diodos interconectados

por un balun o híbrido. Existen principalmente dos realizaciones: el que usa un híbrido
de 90º o el que usa uno de 180º.

En la Figura 2.7 se muestran ambos tipos de mezcladores. Cada uno de ellos consiste de
dos diodos, un híbrido y un filtro FI paso de baja. Los diodos están conectados a puertos
aislados de los híbridos y, la RF y el OL se aplican al otro par de puertos aislados.
Debido a que no hay un aislamiento inherente entre los puertos de RF y OL con el
puerto de FI, se necesita un filtro en este último. De estos dos mezcladores,
normalmente se prefiere el que utiliza el híbrido de 180º debido a que presenta mejores
características (los híbridos de 180º son de banda más ancha, el mezclador rechaza un
mayor número de espurios y tiene un comportamiento menos crítico frente a posibles
desadaptaciones).

63
Capítulo 2. Mezcladores de microondas Estructuras clásicas

Figura 2.7 Mezcladores a diodo simplemente balanceados con híbridos de 180º (a) y 90º (b)

2.5.1.3 Mezcladores doblemente balanceados con diodos

Los mezcladores doblemente balanceados usan al menos cuatro diodos, la mayoría en
una configuración en anillo, pero también pueden aparecer en una configuración en
estrella. Los mezcladores doblemente balanceados tienen una serie de ventajas sobre los
simplemente balanceados:

• Los mezcladores doblemente balanceados rechazan todos los espurios (m, n)

donde m y/o n sean pares.
• Los puertos de RF, FI y OL están mutuamente aislados en todos los mezcladores
doblemente balanceados. Por tanto, con el diseño de baluns, adecuados,
podremos operar con bandas en RF, FI y OL superpuestas.

A causa de que estos mezcladores usan el doble de diodos que los simplemente
balanceados, también requerirán el doble de potencia de OL.

En la Figura 2.8 aparece la configuración más común para un mezclador a diodo

doblemente balanceado, que es la configuración en anillo.

64
Capítulo 2. Mezcladores de microondas Estructuras clásicas

Figura 2.8 Mezclador con diodos doblemente balanceado en anillo.

2.5.2 Mezcladores con FET’s

Los mezcladores activos realizados con FET’s tienen una serie de ventajas y también
algunos inconvenientes respecto a los mezcladores de diodo, dichas ventjas y
desventajas se describen en [8], [9] y [10]. La ventaja más significativa es que un
mezclador activo de este tipo puede tener ganancia de conversión mientras que los
mezcladores a diodo y otros mezcladores pasivos siempre presentan pérdidas de
conversión. Esto permite reducir las etapas amplificadoras a utilizar en un sistema (lo
que tiene especial importancia en aplicaciones donde es necesario un bajo coste y un
tamaño reducido). Por otro lado, una comparación precisa en cuanto a distorsión entre
estos mezcladores y los fabricados con diodos es complicada, dado que depende de los
detalles del sistema. Sin embargo, se puede decir que un mezclador activo con FET’s,
bien diseñado, tiene unos niveles de distorsión comparables a los que se pueden
conseguir con mezcladores a diodo.

Resulta fácil conseguir mezcladores activos que tengan buenas ganancias de conversión
aún cuando su comportamiento en cuanto a distorsión y ruido sea muy pobre. Pero con
un adecuado diseño se puede conseguir que, además de tener una ganancia considerable,
el comportamiento en cuanto a distorsión sea también aceptable.

Debido a que los FET’s son dispositivos de tres terminales, que no se pueden invertir
tan fácilmente como se puede hacer con los diodos, los mezcladores balanceados
fabricados con FET’s requieren un híbrido extra en la FI. Esto se puede evitar utilizando
dispositivos de canal P en lugar de usar dispositivos de canal N, o viceversa. Sin

65
Capítulo 2. Mezcladores de microondas Estructuras clásicas

embargo, esto es posible solamente en circuitos de silicio, e incluso en estos casos las
características de los dispositivos de canal P y de canal N son bastante diferentes.

2.5.2.1 Mezcladores simples con FET’s

Al igual que sucedía con los mezcladores de diodos, este tipo de mezcladores es
muy poco utilizado, pero son un prototipo válido a la hora de diseñar mezcladores
balanceados. En estos mezcladores simples, debemos utilizar filtros para separar las
señales de RF, FI y OL, en contadas ocasiones es posible tener bandas superpuestas. El
aislamiento OL-FI es de especial importancia en los mezcladores con FET’s, y requiere
un diseño cuidadoso de la parte de FI.

• Mezcladores de transconductancia.

Aunque son posibles múltiples configuraciones, el mejor modo de operación de

un mezclador con FET’s es como mezclador de transconductancia. En este caso,
el OL, aplicado a la puerta del dispositivo, modula la transconductancia del FET.
En un convertidor hacia abajo convencional, la componente fundamental de la
transconductancia es la que se usa en la mezcla. Maximizando esta componente
frecuencial de la transconductancia se optimiza la ganancia, la figura de ruido y
los puntos de intercepto de intermodulación.

Cuando el pico de transconductancia está limitado, como ocurre en cualquier

FET, la componente fundamental de la transconductancia a la frecuencia del OL
se maximiza cuando la forma de onda de la misma es un tren de pulsos
rectangular con un valor de pico igual al máximo de la transconductancia y un
ciclo al 50% on y al 50% off. Para ello, es necesario que: la tensión de drenador
sea constante e igual al valor DC a lo largo de todo el ciclo y que la puerta del
FET se polarice a la tensión de pinchoff. La primera condición impone que el
drenador debe ser un cortocircuito para el OL; la segunda se satisface fácilmente
con el empleo de fuentes de polarización externas. Cuando se satisfacen estas
condiciones, la forma de onda de la transconductancia se aproxima a una
sinusoide truncada, que es lo más cercano a la forma de onda óptima (tren de
pulsos rectangulares), que se puede obtener en la práctica.

Una dificultad práctica que surge en el uso de mezcladores con FET’s es el

hecho de que un FET es, fundamentalmente, un dispositivo amplificador, Por
tanto, amplifica el OL. Para evitar que niveles altos del OL se metan en la etapa
de FI, los filtros FI utilizados en los mezcladores con FET’s deben tener unas
especificaciones más severas que los que se utilizan en los mezcladores a
diodos. También se debe tener cuidado con las posibles señales espurias de FI
que se puedan aplicar a la entrada del mezclador, debido a que serán
amplificadas también. Por ello, es necesario un diseño cuidadoso del circuito de
entrada.

• Otros tipos de mezcladores simples.

Algunas veces la señal del OL se aplica a la fuente del FET, en lugar de a la

puerta. Esto reduce ligeramente el nivel del OL que se va hacia el puerto de FI y

66
Capítulo 2. Mezcladores de microondas Estructuras clásicas

da lugar a un leve aislamiento entre el OL y la RF. También permite una mejor

adaptación del OL, especialmente a bajas frecuencias, dado que la impedancia
de entrada del OL es aproximadamente 1/<Gm>, siendo <Gm> la media en el
tiempo de la transconductancia. Esta configuración requiere un bypass
cuidadoso de la FI en la fuente o de lo contrario podría dar lugar a inestabilidad.

Otra opción es, lógicamente, aplicar la señal del OL al drenador del FET. Este es
un modo de operación totalmente distinto, dado que variando la tensión del
drenador, un FET en saturación no varía su transconductancia. Para producir la
mezcla, el nivel del OL debe ser lo suficientemente grande como para hacer que
la tensión de drenador caiga a niveles muy bajos en parte del ciclo del OL, por
debajo del codo de la característica I/V, reduciendo así tanto la
transconductancia como la resistencia drenador-fuente. El hecho de que la
resistencia drenador-fuente media se haga baja, reduce significativamente la
ganancia de conversión. Pero el utilizar altos niveles de OL e introducirlos por el
drenador hace que el aislamiento OL-FI sea muy pobre. Además el filtro FI
deberá presentar un circuito abierto en el drenador y no un cortocircuito. Esto
provoca que la distorsión de intermodulación sea mayor, además de degradar la
estabilidad. Por tanto, no es una buena forma de configurar un mezclador activo
simple con FET

En la Figura 2.9 se presenta un mezclador simple donde introducimos la señal

del OL por la puerta del FET. El diplexor RF/OL debe combinar las señales de
RF y OL y además debe adaptar la puerta del FET a los dos puertos. El filtro de
FI debe presentar una impedancia adecuada al drenador del FET a la frecuencia
de FI, y debe cortocircuitar el drenador a la frecuencia de RF y especialmente a
la del OL y sus armónicos.

Figura 2.9 Mezclador simple con FET.

67
Capítulo 2. Mezcladores de microondas Estructuras clásicas

2.5.2.2 Mezcladores simplemente balanceados con FET’s

En un mezclador simplemente balanceado con diodos, el OL y la RF se aplican a los

puertos de un híbrido que están mutuamente aislados y los diodos se conectan a los
otros puertos del híbrido. No se necesita híbrido en FI, dado que las polaridades de los
diodos están invertidas. Desafortunadamente, esta inversión de la polaridad no es
posible en la mayor parte de los FET’s, por lo que se necesita un híbrido en FI. L a
única forma de conseguir el equivalente a los mezcladores con diodos es utilizar un
dispositivo de canal P para un FET y un dispositivo de canal N para el otro. Pero
incluso en las tecnologías donde se pueden realizar dispositivos de los dos tipos (que no
son todas), esta opción no es recomendable, dado que para alcanzar los beneficios que
reporta un mezclador balanceado, los FET’s que se utilicen en el mismo deben ser
prácticamente idénticos.

La Figura 2.10 muestra un mezclador cuya topología es similar a los de un

amplificador diferencial. La RF se aplica al FET del plano inferior, y el OL se aplica a
los FET’s del plano superior a través de un balun.

Este mezclador funciona como un interruptor alternado, conectando alternativamente el

drenador del FET inferior con las entradas del balun de FI. El nodo que conecta las
fuentes de los FET’s superiores es una tierra virtual para el OL, por lo que el OL
simplemente lo que hace es poner los FET’s del plano superior a on y off en los
correspondientes semiciclos (nótese que cuando uno de los FET’s superiores conduzca,
el otro estará cortado, debido a que la señal de OL que ataca a cada uno de ellos está en
contrafase). Los FET’s del plano superior están polarizados ligeramente por encima de
pinchoff, de forma que conduzcan aproximadamente el 50% del ciclo del OL. De esta
forma, uno de los transistores superiores siempre está conduciendo, mientras que el
transistor inferior permanecerá siempre en la región de saturación a lo largo de todo el
ciclo del OL. Cuando están conduciendo, los FET’s superiores están en sus regiones
lineales. Para conseguir esto, el FET inferior debe polarizarse entre la tensión de
pinchoff y un punto de polarización de aproximadamente 0,3Idss, ya que polarizaciones
mayores pueden causar que este transistor caiga en su región lineal en algún momento a
lo largo del ciclo del OL.

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Capítulo 2. Mezcladores de microondas Estructuras clásicas

Figura 2.10 Mezclador diferencial

Es posible eliminar el balun de OL con la configuración mostrada en la Figura 2.11. En

este circuito, el nodo de fuente de los FET’s superiores no es una tierra virtual, de forma
que, para evitar que el circuito pierda su característica de balanceado, el FET inferior
debe tener una resistencia drenador-fuente alta. Este no es el caso habitual en FET’s de
GaAs, pero sí en MOSFET’s y FET’s de unión de silicio.

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Capítulo 2. Mezcladores de microondas Estructuras clásicas

Figura 2.11 Mezclador diferencial sin balun de OL.

2.5.2.3 Mezcladores doblemente balanceados con FET’s

Como ejemplo de este tipo de mezcladores tenemos la conocida célula de Gilbert. Este
circuito apareció hace aproximadamente 30 años y tuvo un éxito repentino en
aplicaciones de radio, puesto que fue el primer circuito multiplicador a cuatro
cuadrantes. La célula de Gilbert clásica usa BJT’s y se aprovecha de la cancelación
entre la característica I/V exponencial y la característica logarítmica V/I de los
transistores bipolares para producir el producto de señales. Al usar BJT’s, se hace
necesaria una etapa previa, denominada circuito de predistorsión, que corrige la
distorsión que introduce la característica exponencial de los bipolares, a expensas de
una disminución de la ganancia global. Ahora bien, cualquier circuito que tenga la
misma topología, usando BJT’s o FET’s, cancela las partes para las característica I/V de
los dispositivos y preserva las partes impares, dando lugar a la multiplicación. Cualquier
circuito con esta estructura es por tanto un mezclador balanceado.

La Figura 2.12 nos muestra un mezclador doblemente balanceado basado en el

multiplicador de Gilbert. Como otros muchos mezcladores doblemente balanceados,
este mezclador consiste de dos de los mezcladores simplemente balanceados que se
presentaban en la Figura 2.10. No obstante, la interconexión de las salidas da lugar a
que los drenadores de los FET’s superiores sean tierras virtuales para el OL y la RF, así
como para las respuestas espurias de orden par y los productos de intermodulación.

70
Capítulo 2. Mezcladores de microondas Estructuras clásicas

Figura 2.12 Mezclador doblemente balanceado basado en la célula de Gilbert.

2.5.2.4 Mezcladores resistivos con FET’s

Los mezcladores pasivos construidos con FET’s, también llamados mezcladores con
FET resistivos, tienen una serie de ventajas sobre los mezcladores a diodo y los
mezcladores activos vistos en el apartado anterior.

En un mezclador resistivo, la resistencia del canal variable con el tiempo es el

parámetro que se usa para la conversión de frecuencia. El OL se aplica a la puerta y
ninguna polarización DC es necesaria (de todos modos, la puerta se puede polarizar
cerca de pinchoff). El FET opera siempre en su región lineal, donde el canal es, a
efectos prácticos, una resistencia controlada por tensión. La señal de RF se aplica al
drenador, y las corrientes de FI se filtran del drenador o de la fuente.

La principal ventaja de un mezclador resistivo, es su bajo nivel de distorsión por

intermodulación. En los mezcladores a diodo o en los mezcladores activos con FET, la
no linealidad que produce la mezcla provoca, al mismo tiempo, la distorsión por
intermodulación. En un mezclador resistivo, dicha no linealidad no se emplea; la
resistencia del canal puede ser perfectamente lineal y la mezcla aún se sigue
produciendo. En realidad, para bajos niveles de señal, la resistencia del canal es muy
lineal, por lo que resultan bajas distorsiones. No es inusual alcanzar puntos de intercepto

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Capítulo 2. Mezcladores de microondas Estructuras clásicas

de tercer orden sobre los 30dBm para este tipo de mezcladores. Las pérdidas de
conversión y los niveles necesarios del OL son equiparables a los de los mezcladores
con diodos.

El ruido generado en el canal de un mezclador resistivo tiene un origen exclusivamente

térmico, lo que contrasta con los mezcladores a diodo, que tiene una importante
componente de ruido shot.

Los mezcladores resistivos con un solo FET son componentes muy prácticos,
especialmente a frecuencias por debajo de los 2Ghz. A esas frecuencias, la capacidad
puerta-canal es despreciable y los aislamientos OL-RF y OL-FI son muy buenos.
Desafortunadamente, la capacidad puerta-drenador en un FET no polarizado es tan
grande como la capacidad puerta-fuente, de forma que a altas frecuencias el aislamiento
OL-RF de un mezclador simple puede llegar a no ser conveniente. Además, el tener una
tensión a la frecuencia del OL en el drenador aumenta la distorsión del mezclador. En la
Figura 2.13 se muestra el esquema de un mezclador resistivo con un solo FET.

Figura 2.13 Mezclador resistivo con un solo FET, sin polarización DC en el drenador.

No obstante, también existen mezcladores resistivos con FET balanceados. En los

mejores diseños, tanto el drenador como la fuente de cada FET son tierras virtuales, de
manera que los problemas anteriores se resuelven.

Presentamos aquí a modo de ejemplo un mezclador resistivo doblemente balanceado. El

mezclador en anillo de la Figura 2.14 es un mezclador de conmutación que opera de
forma análoga a como lo hace el mezclador en anillo de diodos que se mostraba en la
Figura 2.8. El OL hace que pares de transistores conduzcan alternativamente,
conmutando la polaridad de la conexión de la RF a la FI. Esto provoca la mezcla entre
la señal de RF y la componente fundamental del OL, generando así la señal de salida a
la frecuencia intermedia FI.

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Capítulo 2. Mezcladores de microondas Estructuras clásicas

Figura 2.14 Mezclador resistivo con FET en anillo.

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Capítulo 2. Mezcladores de microondas Estructura elegida

2.6 Estructura elegida

Para mayor claridad, reiteramos en este punto que el objetivo de este proyecto es la
realización de un mezclador que trabaje en la banda L de microondas, para ser usado en
aplicaciones de radio digital. Vamos a diseñar un mezclador resistivo simplemente
balanceado usando como elemento no lineal un transistor comercial p-HEMT
(“pseudomorphic high electron mobility transistor”) de enriquecimiento, de GaAs
basándonos en la referencia [11].

En esta estructura, que se puede ver en la Figura 2.15, el transistor opera en su región
lineal, donde el OL se aplica a la puerta. La RF se aplica al drenador y la FI se filtra del
drenador. No es necesario aplicar un voltaje de polarización al drenador.

En nuestro mezclador, en particular, el OL se aplica a un balun para generar la

diferencia de fase de 180º a las puertas de los dos transistores. Los drenadores están
conectados a través de dos pequeños condensadores; dichos condensadores funcionan
como cortocircuitos a la frecuencia RF y como circuitos abiertos a la frecuencia IF. El
punto de conexión de los dos drenadores es una tierra virtual para el OL. Para obtener la
operación balanceada de mezcla deseada, las corrientes IF en los drenadores deben ser
combinadas usando un balun o híbrido.

El puerto RF es adaptado usando una línea de transmisión y un stub en cortocircuito.

Las puertas de los transistores también son adaptadas a 50 Ω usando un stub en
cortocircuito.

Debido a la simetría del circuito y a la diferencia de fase de 180 grados entre las líneas
IF, cualquier distorsión de baja frecuencia acoplada de la línea RF se cancelará cuando
las salidas IF se combinen en el balun.

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Capítulo 2. Mezcladores de microondas Estructura elegida

Figura 2.15 Esquemático simplificado del mezclador

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Capítulo 2. Mezcladores de microondas Comparación entre tecnologías

2.7 Comparación entre tecnologías

En este capítulo hemos empezado repasando el modo de operación básico de un
mezclador y las características que permiten definir la bondad de un dispositivo de este
tipo. A continuación hemos detallado los distintos dispositivos no-lineales que podemos
utilizar en la fabricación de mezcladores resaltando las virtudes y los defectos de cada
uno de ellos. Por último, hemos incluido un apartado extenso donde se han descrito las
diferentes configuraciones entre las que tradicionalmente podíamos escoger para la
realización de mezcladores. Por último, en la Tabla 2.1 mostramos una comparativa a
modo de resumen entre las distintas estructuras.

Estructura Aislamiento Aislamiento Aislamiento Rechazo IP3 P-1dB

Mezclador OL/RF RF/IF OL/IF a
Señales
Espurias
Simples a Pobre Pobre Pobre Ninguno Bajo Bajo
Diodos
Simples con Pobre Pobre Pobre Ninguno Bajo Bajo
FET
A diodos Pobre Depende de Depende de Bueno Medio Bajo
balanceada la calidad de la calidad de
con híbrido los filtros los filtros
de 90º
A diodos Bueno Depende de Depende de Bueno Medio Medio
balanceada la calidad de la calidad de
con híbrido los filtros los filtros
de 180º
Simplemente Bueno Bueno Bueno Bueno Medio Medio
balanceados
con FET
A diodos Bueno Bueno Bueno Bueno Alto Alto
doblemente
balanceados
Doblemente Bueno Bueno Bueno Bueno Alto Alto
balanceados
con FET
Resistivo Depende de Depende de Depende de Ninguno Alto Alto
con un solo la calidad de la calidad de la calidad de
FET los filtros los filtros los filtros

Tabla 2.1 Tabla comparativa entre las distintas estructuras para mezcladores.

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