Universidad Autónoma De Ciudad Juárez.
Instituto De Ingeniería Y Tecnología.
PRÁCTICA#6: TRANSISTOR
BJT EN CONFIGURACIÓN DE
EMISOR COMUN.
.
1. Nombre de la carrera: Ingeniería Mecatrónica.
2. Nombre de la asignatura: Electrónica 1.
3. Nombre y matricula de los integrantes de equipo:
Antonio De Jesus Olguin Olguin. 227658.
Sebastian Zubiate López 228500.
Pilar Dayana Molina Castro 219462.
Mariana Soto Ortiz 225345.
4. Fecha (9/04/2025).
0
Indice
Introducción ...............................................................................................................2
Desarrollo ...................................................................................................................3
Resultados y procedimiento .......................................................................................4
Análisis De Resultados ..............................................................................................9
Conclusión ...............................................................................................................10
Cuestionario. ............................................................................................................10
Referencias. .............................................................................................................. 11
1
Introducción
Un transistor BJT en un dispositivo electrónico capas de entregar una señal eléctrica de salida
proporcional a una señal de entrada. Un transistor es un dispositivo semiconductor que consta de
tres capas de semiconductor. Las capas de semiconductor se dopan de acuerdo con la estructura de
este. El transistor de unión bipolar o transistor BJT, puede configurarse como NPN o PNP de
acuerdo con el orden de sus capas.
Las terminales de un transistor BJT son E de emisor, B de base y C de colector. El termino bipolar
hace referencia a que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyección hacia el
material opuestamente polarizado. Se puede modelar como la unión de 2 diodos.
(Torres, 2021)
El transistor en emisor común: en esta configuración el transistor tiene el emisor conectado a masa.
La señal de entrada llega por la base del transistor y la señal amplificada sale por el colector del
transistor. Esta configuración permite amplificar tanto la tensión de entrada como la corriente de
entrada. Esto es útil en etapas amplificadoras de entrada e intermedias, donde es necesario elevar
tanto la tensión como la corriente de la señal de entrada. (7. El Transistor En Emisor Común -
Electrónica Analógica - Picuino, s. f.)
Esta configuración se utiliza para amplificadores de corriente y voltaje a bajas frecuencias, debido
a que tiene una alta ganancia en las dos variables. Una de sus características no tan favorables es
que el voltaje de la señal queda invertido en su salida (la corriente no se invierte), es decir las
señales quedan como si fueran un espejo. Una forma sencilla de identificar esta configuración es
porque la señal de entrada está en la base y la de salida en el colector. Esta configuración se puede
utilizar con todos los tipos de polarizaciones. (Mecafenix, 2023)
2
Desarrollo
6.1 Objetivo
En esta práctica el alumno realiza la caracterización de un transistor BJT en configuración de
emisor común. De esta manera, obtiene de manera experimental la curva del colector del transistor.
6.2 Material
• Protoboard y cables.
• 1 Transistor NPN 2N2222 (Nota: el encapsulado en plástico es más
económico).
• 1 Resistencias de 1 kΩ, ¼ W, 5 %.
• 1 Resistencias de 10 kΩ, ¼ W, 5 %.
• 2 Pares de puntas para fuente de alimentación.
• 2 Pares de puntas para multímetro.
6.3 Equipo
• Fuente de alimentación.
• Multímetro digital de banco
• Multímetro digital de mano.
3
Resultados y procedimiento
6.4 Procedimiento
1. En la hoja de datos, localice los valores de los siguientes parámetros:
a. Tensión máxima de colector-emisor (VCE(max)):
b. Corriente de colector máxima (IC(max)):
c. Ganancia del transistor (b):
d. Tensión de saturación de base-emisor (VBE(sat)):
e. Tensión de saturación de colector-emisor (VCE(sat)):
2. En un protoboard, realice el circuito mostrado en la Figura 1.
3. Configure la tensión VBB a 0.5 V y la tensión VCC a 0.5 V.
4. Utilizando el multímetro de banco, mida la corriente de base del transistor y utilice el
multímetro de mano para medir la tensión de colector.
4
5. A continuación, utilizando el multímetro de banco, mida la corriente de colector y
registre sus datos en la Tabla 1.
Tabla 1: Resultados obtenidos con VBB = 0.5 V.
492.81 mv
Tensión VBB (V):
39.95 nA
Corriente de base (A):
VCC (V) VCE (V) IC (A)
292.84 mv 43.5 nA
0.3
492.81 mv 39.9 nA
0.5
792.7 mv 39.9nA
0.8
992.77 mv 39.9 nA
1
1.99 v 39.9 nA
2
2.99 v 39.9 nA
3
3.99 v 39.9 nA
4
4.99 v 39.9 nA
5
9.9 v 39.9 nA
10
14.9 v 39.9 nA
15
19.9 v 39.9 nA
20
6. Repita el proceso anterior, ajustando el valor de la tensión VBB a 0.8 V, 1.0 V, 1.5 V,
2.0 V y 3.0 V. Registre sus resultados en la Tabla 2.
5
Tabla 2: Resultados obtenidos con VBB = 0.8 V, 1.0 V, 1.5 V, 2.0 V y 3.0 V.
Tensión VBB 0.8 V 1.0 V 1.5 V 2.0 V 3.0 V
(V):
Corriente de 19.4 𝜇𝐴 39.1 𝜇𝐴 88.5 𝜇𝐴 138.1 𝜇𝐴 237.4 𝜇𝐴
base (A):
VCC (V) VCE IC VCE IC VCE IC VCE IC VCE IC
(V) (A) (V) (A) (V) (A) (V) (A) (V) (A)
0.3 85.5 20.87 65.26 40.3 46.2 89.5 37.5 138.9 28.9 238
mV mV mV mV m,V
𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴
0.5 101.9 19.4 79.6 39.1 56.8 88.5 46.1 138.1 35.2 237.4
mV mV mV mV mV
𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴
0.8 120.8 18.1 94.21 37.9 68 87.5 55.7 137.2 42.7 236.7
mV mV mV mV Mv
𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴
1 130.7 17.5 101.6 37.2 73.8 87 60 136.7 46.9 236
mV mV mV mV mV
𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴
2 173.3 15.6 127 35.5 93.7 85.3 78.4 135.1 61.8 234.9
Mv mV mV mV mV
𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴
3 245.8 14.5 147.2 34.4 106.9 84.2 90 134 72 234
mV mV mV mV mV
𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴
4 1.02 14.3 165.8 33.6 117.3 83.5 99.1 133.4 79 233.3
V mV mV mV mV
𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴
6
5 1.99 14.3 187.2 33 126.3 82.9 106.6 133.4 86.4 232.7
V mV mV mV mV
𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴
10 6.8 V 14.3 3.2 V 32.1 165.8 81 135.3 132.8 109.8 230.9
mV mV mV
𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴
15 11.7 14.3 7.8V 32.1 230.5 79.8 160.2 130.9 127 229.7
V mV mV mV
𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴
20 16.5 14.3 12.5 32.1 3.3 V 79.5 190.9 129.8 142.3 228.9
V V mV mV
𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴 𝜇𝐴
7. En un mismo sistema de coordenadas, grafique la curva del colector del transistor.
Tome como EJEMPLO la Figura 2.
Figura 2: Ejemplo De La Curva De Colector
7
Figura 3: Curva De Colector
8. A continuación, tome los valores de IB, Ic para una tensión de Vcc = 10 V y grafique
IB vs IC. Tome como ejemplo la Figura 4.
8
Figura 5: Curva IB VS IC
Análisis De Resultados
La figura 3 podemos observar que la beta disminuye en medida que IB aumenta, como
consecuencia IC aumenta, debido a la saturación y limitación del transistor esto es un
comportamiento normal, el comportamiento del transistor es lineal al principio pero cuando se
acerca a la saturación ya no se cumple la proporcionalidad, esto en relación con IB e IC
La figura 5, muestra la gráfica que ilustra una relación lineal entre IB e IC, confirmando el
comportamiento del transistor en región activa.
9
Conclusión
La práctica del estudio del transistor BJT en configuración de emisor común permitió comprender
de manera experimental el comportamiento de este componente fundamental en los circuitos
electrónicos. A través de la medición de la curva de colector y el análisis de parámetros clave como
corrientes, tensiones y ganancia, se fortalecieron los conocimientos teóricos adquiridos en clase.
Además, el uso de instrumental adecuado fomentó el desarrollo de habilidades prácticas esenciales
para el análisis y diseño de circuitos electrónicos en aplicaciones reales.
Cuestionario.
• Describa las distintas zonas de operación del transistor.
Zona de corte: Aquí el transistor está "apagado." La corriente de base es
insuficiente para que fluya corriente entre el colector y el emisor.
Zona activa: En esta región, el transistor funciona como un amplificador.
Zona de saturación: Aquí el transistor está completamente "encendido." Tanto
la unión base-emisor como la unión base-colector están polarizadas
directamente.
• ¿Es posible utilizar un transistor BJT con fines de conmutación
para la elaboración de circuitos digitales? ¿Qué es necesario
garantizar para este proceso?
Sí, es posible usar un transistor BJT con fines de conmutación en circuitos
digitales. Para lograr esto, es necesario asegurarse que la corriente de base sea
suficiente para saturar el transistor, pero sin exceder los límites del
dispositivo.
10
• ¿Cómo es posible saber si un transistor se encuentra saturado?
Esto ocurre porque el transistor recibe una corriente de base (Ib) mayor a la
mínima necesaria, lo que asegura la saturación.
Referencias
• Torres, H. (2021, 7 marzo). Transistor BJT corte y saturación en
emisor común. HeTPro-Tutoriales. [Link]
[Link]/TUTORIALES/transistor-bjt/#google_vignette
• 7. El transistor en emisor común - Electrónica analógica - Picuino.
(s. f.). [Link]
• Mecafenix, I. (2023, 22 noviembre). Que configuraciones y
polarizaciones tienen los transistores. Ingeniería Mecafenix.
[Link]
nes-y-polarizaciones-de-los-transistores/
11
