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Previo 4

El documento presenta cálculos de circuitos de transistores en configuraciones de DC y AC, incluyendo parámetros como VTH, RTH, IB, IC, y VCE. Se analizan dos transistores con diferentes valores de resistencias y corrientes, mostrando cómo se determinan las ganancias y impedancias. Además, se incluyen resultados específicos para cada transistor y sus interacciones en el circuito.

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El documento presenta cálculos de circuitos de transistores en configuraciones de DC y AC, incluyendo parámetros como VTH, RTH, IB, IC, y VCE. Se analizan dos transistores con diferentes valores de resistencias y corrientes, mostrando cómo se determinan las ganancias y impedancias. Además, se incluyen resultados específicos para cada transistor y sus interacciones en el circuito.

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En DC para transistor 1:

R2 10 K Ω
VTH = VCC= (24 V )=1.5 V =VB 1
R1+ R 2 150 K Ω+10 K Ω

R 1 R 2 150 K Ω(10 K Ω)
RTH = = =9.375 K Ω
R 1+ R 2 150 K Ω+10 K Ω
IB 1=75.3 nA

IC 1=βIB 1=100 ( 75.3 nA )=7.53 μA

IE 1= ( β+1 ) IB 1=(100+1) ( 75.3 nA )=7.60 μA

VCEQ=VCC−( RC + ℜ ) IC =24−( 10 K Ω+1 K Ω ) ( 7.53 μA )=18.8 V

VE 1=1 V

VC 1=VCE 1+VE1=18.8 V + 1V =19.8 V

VBE 1=VB1−VE1=1.5 V −1 V =0.5 V

En DC para transistor 2 :

VE 1=VB 2=1 V

VC 1=VC 2=19.8 V

VE 2=0.63 V

VCE 2=VC 2−VE 2=19.8 V −0.63 V =19.17 V

VBE 2=VB 2−VE 2=1 V −0.63 V =0.37 V

IB 2=6.04 μA
IC 2=βIB 2=100 ( 6.04 μA )=0.604 mA

IE 2=(β +1) IB 2=(100+1) ( 6.04 μA )=0.601 mA

En AC :

ICQ=IC 1+ IC 2=7.53 μA +0.604 mA =611.53 μA


IC 611.53 μA
gm2= = =0.024
VT 26 mV

Vo −gm 2 RC −0.024 (10 K Ω)


Av= = = =−9.6
Vs 1+ gm2 ℜ 1+ 0.024( 1 K Ω)

Zo=RC =10 K Ω

Zi=( R1∨¿ R 2∨¿ rπ )=10 K Ω∨¿ 1 K Ω∨¿ 9.578 K Ω=830.28 Ω

Ai=−Av
Zi
RC
=−9.54 (
830.28 Ω
10 K Ω )
=−0.792

En DC para transistor 1:
R2 220 K Ω
VTH = VCC= ( 24 V ) =7.65V =VB 1
R1+ R 2 470 K Ω+220 K Ω

R 1 R 2 470 K Ω(220 K Ω)
RTH = = =149.85 K Ω
R 1+ R 2 470 K Ω+220 K Ω
IB 1=565 nA

IC 1=βIB 1=100 ( 565 nA )=56.5 μA


IE 1= ( β+1 ) IB 1=(100+1) ( 565 nA )=5.70 μA

VCEQ=VCC−( RC + ℜ ) IC =24−( 1.2 K Ω+680 Ω )( 56.5 μA ) =5.46 V

VE 1=7.03 V

VC 1=VCE 1+VE1=5.46 V +7.03 V =12.49 V

VBE 1=VB1−VE1=7.65 V −7.03 V =0.62V

En DC para transistor 2 :

VE 1=VB 2=7.03 V

VC 1=VC 2=12.49 V

VE 2=6.52 V

VCE 2=VC 2−VE 2=12.49 V −6.52V =5.97 V

VBE 2=VB 2−VE 2=7.03 V −6.52 V =0.51V

IB 2=53.1 μA

IC 2=βIB 2=100 ( 53.1 μA )=5.31 mA

IE 2=(β +1) IB 2=(100+1) (53.1 μA )=5.36 mA

En AC :

ICQ=IC 1+ IC 2=56.5 μA +5.31 mA=5.36 mA


IC 5.36 mA
gm2= = =0.214
VT 26 mV

Vo −gm 2 RC −0.214 (1.2 K Ω)


Av= = = =−1.75
Vs 1+ gm 2 ℜ 1+0.214 (680 Ω)

Zo=RC =1.2 K Ω

Zi=( R1∨¿ R 2∨¿ rπ )=470 K Ω∨¿ 220 K Ω∨¿ 203.25 K Ω=86.2 K Ω

Ai=−Av
Zi
RC
=−1.75 (
86.2 Ω
1.2 K Ω )
=−125.7

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