EL AMPLIFICADOR CC

Juan Ernesto Palo Tejada

8 de julio de 2024

1. Competencia
Al terminar la practica el estudiante debe ser capas de realizar los cálculos de ganacia de
tencion ganacia de corriente en amplificadores con transistores BJT ademas podrá comprobar los
resultados mediante simulaciones y mediciones experimentales.

2. Fundamento teórico
Cuando se utilizan los parámetros h para describir una red de transistores figura (1), de las leyes
de Kirchhoff, el par de ecuaciones se escribe como sigue:

v1 = hi i1 + hr v2 (1)

i2 = hf i1 + ho v2 (2)
donde los parámetros h se definen como:
hi = h11 resistencia de entrada del transistor
hr = h12 ganancia de tensión inversa del transistor
hf = h21 ganancia directa de corriente del transistor β
ho = h22 conductancia de salida del transistor

Fig 1: Modelo de transistor parametros hibridos

Cuando los parámetros de entrada y de salida se igualan en forma individual a cero, cada parámetro
hibrido representa ya sea una resistencia, una conductancia, una razón de dos tensiones o una razón
de dos corrientes. Las siguientes ecuaciones se derivan de las ecuaciones (3) y (4). Después de cada
ecuación están las unidades relacionadas con el parámetro y el nombre que se da a éste.
resistencia de entrada en cortocircuito con v2 en cortocircuito en ohms

v1
Ren = hi =
i1 v2 =0

ganancia directa de corriente con v2 en cortocircuito adimensional

i2
hf =
i1 v2 =0

1
 ganancia inversa de tensión con i1 en circuito abierto adimensional
v1
hr =
v2 i1 =0

conductancia de salida con i1 en circuito abierto en siemens (antes mhos)

i2
ho =
v2 i1=0

Estos parámetros son idealmente constantes, aunque los valores numéricos dependen de la confi-
guración del transistor.

2.1. Resistencia de entrada, Ren

El circuito ES (emisor-seguidor) se muestra en la figura 2. Como antes, C1 y C2 se consideran
cortocircuitos para frecuencias medias. Si se escribe la ecuación de LTK alrededor del lazo de
entrada y se resuelve para la resistencia de entrada, se obtiene (suponiendo 1 + β = β)

Ren = RB ∥ (hie + β(RE ∥ RL ))

RB [hie + β(RE ∥ RL )]
Ren =
RB + hie + β(RE ∥ RL )
Esta es la forma larga de la ecuación para Ren . Al comparar con la expresión en la tabla 3.1
recuérdese que hie = βhib . Si RB ≪ β(RE ||RL ), entonces RB se puede eliminar del denominador,
obteniéndose la ecuación en forma corta (3.19):

Ren = RB

2.2. Ganancia de tensión, Av

La ganancia de tensión está dada por
vo vo
Av = =
vi ien Ren
Así, la ganancia es
βib (RE ∥ RL )
Av =
ien Ren
Ahora se aplica división de corriente en el circuito de entrada para obtener
RB
ib = ien
RB + hie + β(RE ∥ RL )
En seguida, se sustituye la expresión para ib , en la ecuación de Av , para obtener

2
 βien (RE ∥ RL )RB
Av
RB + hie + β(RE ∥ RL )ien Ren
Por último, sustituyendo la ecuación para Ren y cancelando ien , se obtiene la expresión en
forma larga de la ecuación (3.21).
β(RE ∥ RL ) RE ∥ RL
Av = = f
hie + β(RE ∥ RL ) hib + (RE RL )
f
Si hib es pequeña comparada con RE RL , como es común, se obtiene la expresión en forma
corta

Av = 1

Nótese que la ganancia es positiva ya que Ven está en fase con vo .

2.3. Ganancia de corriente, Ai

Como
ib βRE
io = iL =
RE + RL
e invirtiendo la ecuación (3.20), se obtiene
f
ib [RB + hie + β(RE RL )]
ien =
RB
entonces la forma larga para A; es como se muestra en la ecuación (3.22).
io βib RE RB 1
Ai = =
ien (RE + RL )ib RB + hie + β(RE ∥ RL )

RB RE
Ai =
RB /β + hib + (RE ∥ RL ) (RE + RL )
Si hib y RB /β son mucho más pequeñas que la combinación en paralelo de RE y RL , resulta
la siguiente ecuación en forma corta:
RB
Ai =
RL
Nótese que la ganancia de corriente es positiva para el amplificador ES.

2.4. Resistencia de salida, Ro

En la figura 2 se muestra un circuito equivalente alterno para un amplificador ES. Aquí se utiliza
el modelo BC del transistor en vez del EC empleado en la figura 1. La resistencia de la fuente de
tensión de entrada se muestra como Rs . El equivalente reducido de la figura 3.11(b) se encuentra de
manera similar a la utilizada en la figura 3.5(c). La corriente en hib , es aproximadamente β veces
la corriente del circuito a la izquierda de hib . Por tanto, cuando se quita la fuente de corriente
controlada, Rs , y Rg tienen corrientes a través de ellas que son β veces las corrientes reales. Para
mantener las mismas tensiones, el valor de los resistores se debe dividir entre β. La resistencia de
salida de este circuito se obtiene como sigue:
 
Rs ∥ RB
R0 = hib + ∥ RE
β
La resistencia de salida depende de los parámetros de entrada Rs , y RB , a diferencia del
resultado para el amplificador EC, donde Ro ; depende sólo de Rc (véase Sec. 3.3.4).

3
3. Método operativo
Diseñe un amplificador CC npn de una sola etapa (Fig) con β = 60, VBE = 0,7V, Rs = 1k,
y VCC = 12V . Determínese el valor de los elementos del circuito para la etapa a fin de conseguir
Ai = 10 con un resistor de carga de 100Ω .

Se deben seleccionar R1 , R2 y RE , pero otra vez se tienen solo dos ecuaciones. Estas dos
ecuaciones están especificadas por la ganancia de corriente y la ubicación del punto Q. Por tanto,
para empezar, RE debe limitarse a ser igual que RL . Esto proporciona una tercera ecuación. En
consecuencia,

RE = RL = 100Ω

Ahora se encuentran las pendientes de las líneas de carga,

Rca = RL ∥ RE = 50Ω

Rcd = RE = 100Ω

Como no se especifica la amplitud de la señal de entrada, se elige la corriente estacionaria para

colocar el punto Q en el centro de la línea de ca.
VCC
ICQ = = 80mA
Rca + Rcd

VCEQ = ICQ Rca = 4V

Ahora se verá si se debe utilizar la ecuación en forma corta o larga para encontrar RB ; hib se
encuentra de
26mV 26mV
hib = = = 0,33Ω
|ICQ | 80mA
Como hib es insignificante comparada con RE ||RL , se puede ignorar. Puesto que ésta es una de
las condiciones para la utilización de las ecuaciones de forma corta, primero se encuentra RB de la
ecuación de ganancia de corriente en forma corta.

4
 RB RB
Ai = = = 10
RL 100

RB = 100Ω

Una segunda condición para usar esta forma corta es

RB ≪ β(RE ∥ RL )

Ahora que RB se encontró de la ecuación en forma corta, se puede verificar esta suposición.

0,1β(RE ∥ RL ) = 0,1(60)(50) = 300Ω

Como 1000Ω es mayor que 300Ω , se debe retroceder y utilizar la ecuación en forma larga.
(Antes de continuar, el lector debe convencerse de que entendió lo que se hizo. Esto es similar a la
técnica de suposición y verificación utilizada a menudo en cálculo integral.) La ecuación en forma
larga da
βRE RB
Ai =
(RE + RL ) [RB + (RE ∥ RL )β]
donde se desprecia hib . Se despeja RB de esta ecuación, lo que da como resultado

RB = 1500Ω

VBB se encuentra como

1,5 × 103
 
VBB = 0,7 + 0,08 + 100 = 10,7
60

R1 = 13,8kΩ

R2 = 1,68kΩ

La ganancia de tensión es aproximadamente unitaria. La resistencia de entrada se encuentra

de

Ren = RB ∥ β(RE ∥ RL ) = 1,5kΩ ∥ 3kΩ = 1kΩ

La resistencia de salida se calcula de la ecuación

 
1000 ∥ 1500
Ro = 0,33 + ∥ 100 = 9,36Ω
60
La máxima excursión simétrica pico a pico en la salida está dada por la ecuación (3.16), donde la
máxima excursión se interpreta como la más grande sin distorsión significativa (es decir, eliminando
el 5 % de cada extremo del intervalo característico). Recuérdese que la distorsión se produce cuando
la operación del circuito se aproxima a corte o saturación.

vo(p−p) = 1,8 |ICQ | (RE ∥ RL ) = 7,2V

La potencia disipada en la carga, PL , y la máxima potencia requerida por el transistor, PT , son

2
(0,9ICQ /2) RL
PL = = 64,8mW
2

PT = ICQ VCEQ = 320mW

5
3.1. Simulación

3,18mA
Ai = = 10,2
310uA

4. Practica
Diseñe un amplificador BC utilizando un transistor npn con β = 100, VCC = 24 VL = 2kΩ,
RE = 400Ω y V BE = 0,7V. Diseñe el amplificador para una ganancia de tensión de 20.

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5. Bibliografía