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Practica 2: Modelos y caracterizacion de los diodos
semiconductores
1st Luis Enrique Romero Cervantes 2203028891, 2nd Alan Mauricio Rangel AlamillaUniversidad Autonoma
Metropolitana, Unidad Azcapotzalco, Ciudad de Mèxico
Abstract—This document addresses topics on the behavior of Capacitancia de Unión, la capacidad del diodo para almace-
semiconductor diodes in the presence of a potential difference, nar carga en la unión PN, importante en aplicaciones de alta
as they have two different ways of operating, either in forward frecuencia. Temperatura de Operación, dado que los diodos
bias or reverse bias. We also observe that the voltage at which
the diode begins to conduct current is when it exceeds 0.7V in pueden fallar o cambiar de caracterı́sticas a temperaturas
forward bias. However, for reverse bias, we need to reach very extremas, su resistencia térmica es importante.
high voltages to reach its breakdown region.
Index Terms—Semiconductor, Diodo, polarizacion, ruptura II. M ATERIALES
Los Materiales que se utilizaron en la realizacion de la
I. I NTRODUCTION practica fueron los siguientes:
Los semiconductores son materiales que tienen una
conductividad eléctrica intermedia entre los conductores • Placa protoboard
(como los metales) y los aislantes (como la madera o el • 4 Diodo 1N4007
vidrio). Son fundamentales en la electrónica moderna, ya que • 2 multimetros digitales
permiten fabricar componentes como transistores, diodos, • 4 Resistencias de 1kΩ
circuitos integrados y más.
En un semiconductor, los electrones pueden moverse a A. Procedimiento Experimental
través de la banda de conducción, mientras que los huecos
1. Realizar la caracterización de un diodo semiconductor,
pueden moverse en la banda de valencia. Bajo la influencia
tanto en polarización directa e inversa.
de un voltaje aplicado, los electrones y los huecos pueden
moverse, generando una corriente eléctrica.
Para este paso se conecto un diodo en serie con una
resistenca de 1kΩ a una fuente de banco del laboratorio se
Como se ha mencionado uno de los componentes que se
hizo variar el voltaje midiendo en paralelo con un multimetro
pueden fabricar con los semiconductores es el diodo, los
y con otro cerrando el circuito miediendo corriente (figura 1).
diodos son dispositivos electrónicos de dos terminales que
permiten el flujo de corriente en una sola dirección, actuando
como una especie de válvula para la electricidad. Se utilizan
ampliamente en circuitos eléctricos y electrónicos para difer-
entes propósitos, incluyendo la rectificación de corriente, la
protección de componentes, y en aplicaciones de conmutación
y señalización.
Los diodos se fabrican mediante técnicas de dopado en una
oblea de semiconductor, creando una unión P-N. El dopado
define la concentración de portadores de carga (electrones o
huecos), determinando las caracterı́sticas eléctricas del diodo.
Podemos tener las siguientes caracteristicas mas resaltables
de los diodos: Fig. 1. Esquema del circuito con diodo en polarizacion directa.
Tensión de umbral (Vf), voltaje mı́nimo necesario para
que el diodo conduzca en polarización directa (0.7 V para 2. Verificar el punto en la curva caracterı́stica en que el
silicio, 0.3 V para germanio). Corriente de Saturación Inversa diodo comienza a conducir en directa. Compare con el valor
(Is), Corriente mı́nima que fluye cuando el diodo está en que proporciona el fabricante.
polarización inversa. Es muy pequeña en diodos ideales.
Caı́da de Voltaje, el voltaje que cae a través del diodo en 3. Verificar el punto de ruptura (en polarización inversa).
polarización directa; tı́picamente 0.7 V para diodos de silicio. Compare con el valor que proporciona el fabricante (figura2)
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TABLE II
TABLA 2. DATOS EXPERIMENTALES DIODO EN POLARIZACI ÓN INVERSA
Voltaje [volts] Corriente [mA]
Voltaje Inverso (V) Corriente Inversa (µA)
-1 0.5
-5 1
-10 2
-20 3
-30 5
-40 8
-45 10
-48 12
Fig. 2. Esquema del circuito con diodo en polarizacion inversa. -49 20
-50 5000
-51 6000
-55 7000
III. R ESULTADOS OBTENIDOS -60 10000
Para la primera parte de la experimentación se hizo variar
la tension de la fuente mientras que ibamos obteniendo
valores de voltaje con el multimetro en paralelo con el diodo
segun la corriente que circulaba en nuestro circuito.
Los datos obtenidos en este paso fueron los siguientes
(tabla I):
TABLE I
TABLA 1. DATOS EXPERIMENTALES
Voltaje [volts] Corriente [mA]
0.558 0.5 Fig. 3. Corriente en funcion del voltaje de un diodo en polarización directa.
0.568 0.7
0.586 1
0.605 1.5
0.620 2 aproximadamente 0.7V para un diodo de silicio.
0.64 3
0.663 5 Por otra, también tenemos la grafica obtenida con los datos
0.679 7
0.695 10 de la tabla II que se trata de un diodo en polarizaion inversa
0.713 15 en el que buscamos ver el valor de ruptura (figura 4).
0.726 20
0.769 30
Debido a las condiciones de experimentación la compro-
bación del valor de ruptura del diodo en polarizacion inversa,
estuvo fuera de nuestro control, mas sin embargo tratamos
de simular atraves de la herramienta multisim hallando los
siguientes valores (tabla II)
A. Analisis de resultados
Una ves hecho todo el procedimiento experimental y haber
obtenido los datos, se continuo con la parte del analisis de los Fig. 4. Corriente en función del voltaje de un diodo en polarización inversa.
resultados para esto vamos a graficar cada uno de nuestros
experimentos para ver el comportamiento del diodo tanto en
polarizacion directo como en inversa,
B. Conclusiones
Para empzar tomamos los valores de la tabla ?? graficando • Luis Enrique Romero Cervantes: La gráfica 3 muestra
los valores de voltaje en el eje de las abcisas y los valores de que el diodo comienza a conducir corriente de manera
corriente en el eje de las ordenadas obteniendo la siguiente significativa a partir de aproximadamente 0.6-0.7V, lo
grafica (figura 3). cual es caracterı́stico de los diodos de silicio. Antes de
este voltaje, la corriente es prácticamente cero. Por otra
En esta configuración, el diodo empieza a conducir lado, en la grafica ?? puedes observar cómo la corriente
corriente cuando el voltaje directo supera un umbral tı́pico de inversa se mantiene relativamente baja hasta acercarse
3
al valor de ruptura (-50V). A partir de este punto, la
corriente aumenta exponencialmente, indicando que el
diodo ha entrado en una zona de ruptura.
R EFERENCES
[1] A. S. Sedra and K. C. Smith, Microelectronic Circuits, 7th ed. Oxford
University Press, 2014.
[2] R. Boylestad and L. Nashelsky, Electronic Devices and Circuit Theory,
11th ed. Pearson, 2009.
[3] A. P. Malvino and W. Brown, Principles of Electronics, 7th ed. McGraw-
Hill, 2007.
[4] T. L. Floyd, Electronic Devices, 10th ed. Pearson, 2017.
