MOSFET

 BJT: Dispositivo controlado por corriente, requiriendo I para que pase corriente al
B
colector. Como la corriente del colector es independiente de la corriente de entrada
(o base), la ganancia de corriente depende de la temperatura de unión.
 MOSFET de potencia: Dispositivo controlado por voltaje, y solo requiere una
pequeña corriente de entrada. Tiempos de conmutación son muy rápidos.
Información General del MOSFET

 El nombre se refiere a su estructura interna: Transistor de Efecto de Campo de

Metal- Óxido-Semiconductor
 Es un dispositivo unipolar: la conducción sólo es debida a un tipo de portador.
Las tres terminales son compuerta (G), drenaje (D) y fuente (S).

Los más utilizados son los de Canal N

Precauciones en el uso de transistores MOSFET

 La terminal compuerta o Gate al aire, es muy sensible a los ruidos
 El óxido se puede llegar a perforar por la electricidad estática de los dedos.
A veces se integran diodos Zener para su protección.

Características principales de los MOSFET de potencia

1. Máxima tensión dren-fuente
2. Máxima corriente de dren
3. Resistencia de conducción
4. Tensiones umbral y máximas de Gate
5. Velocidad de conmutación

1.- Máxima tensión dren-fuente

 Corresponde a la tensión de ruptura de la unión que forman el substrato (unido a
la fuente) y el dren.
 Se especifica a qué pequeña circulación de corriente corresponde.
 La máxima tensión dren-fuente se representa como VDSS o V(BR)DSS

 Ayuda a clasificar a los transistores MOSFET de potencia de la siguiente forma:

2.- Máxima corriente de dren
 El fabricante suministra al menos dos valores
 Corriente continua máxima ID
 Corriente máxima pulsada IDM

3.- Resistencia de conducción

 Es uno de los parámetros más importantes en un MOSFET de potencia. Cuanto
menor sea, mejor es el dispositivo.
 Se representa por las letras RDS(on)
 Para un dispositivo particular, crece con la temperatura.
 Para un dispositivo particular, decrece con la tensión de compuerta. Este
decremento tiene un límite.
4.- Tensiones umbral y máximas de Gate
 La tensión gate-fuente debe alcanzar un valor umbral para que comience a haber
conducción entre dren y fuente.
 Los fabricantes definen la tensión umbral VGS(TO o TH) como la tensión gate-
fuente a la que la corriente de dren es de 0.25 mA o 1 mA.
 Las tensiones umbrales suelen estar en el margen de 2-4 V
 La tensión umbral cambia con la temperatura


 La máxima tensión soportable entre gate-fuente es típicamente de ±20 V
5.- Velocidad de conmutación
 La velocidad de conmutación es de nanosegundos.
 Los MOSFET de potencia son más rápidos que otros dispositivos usados en
electrónica de potencia (tiristores, transistores bipolares, IGBT).
  La limitación en la rapidez está asociada a la carga de las capacidades parásitas del
dispositivo.
Aplicaciones
 Los transistores MOSFET son utilizados masivamente como conmutadores gracias a
sus características
 de tamaño,
 facilidad de uso y
 bajo consumo de energía,
lo cual los convierte en el ladrillo constructor de los circuitos integrados digitales de
hoy en día, estando presentes en prácticamente todos los dispositivos electrónicos.
 Dichas características también los hacen idóneos para aplicaciones de potencia, en
que se requiere
 gran capacidad de corriente y
 conmutaciones veloces.
 Los MOSFET de potencia están encontrando aplicaciones cada vez más numerosas
en convertidores
 STMicroelectronics, uno de los mayores fabricantes de semiconductores para
sistemas de automoción, ha ampliado su gama STripFET™ VI DeepGATE™ de
MOSFET de potencia con la introducción de nueve dispositivos de “grado-
automoción” que dotan de beneficios en eficiencia energética, tamaño y costo.
• La eficiencia de los sistemas eléctricos está incrementando su importancia para los
fabricantes de automóviles, ya que controlan una gran cantidad de partes del
vehículo, desde limpiaparabrisas hasta dispositivos de recuperación de energía.
Además, los vehículos híbridos y eléctricos necesitan una gestión de energía todavía
más efectiva.
• Los nuevos MOSFET de ST minimizan la cantidad de energía perdida en controles
eléctricos, contribuyendo así a incrementar la eficiencia y, simultáneamente, reducir
la generación de calor, logrando equipos con menor tamaño y peso.
Comparación entre BJT y MOSFET

BJT MOSFET
- Controlado por - Controlado por voltaje
corriente - Muy pequeña corriente de
- Mayor corriente de entrada
entrada - Frecuencia de conmutación que
- Frecuencia de alcanza los Mega Hertz.
conmutación en Kilo - *Problemas con la descarga
Hertz electrostática (cuidados
- Problemas de especiales con su manejo)
segunda avalancha - Alta impedancia de entrada
- Impedancia de entrada - Tamaño muy inferior al BJT (del
no tan alta orden de ½ micra)
 o Desventaja: Maneja reducida potencia porque se calienta mucho.
o Ventaja: Son los transistores más rápidos que existen.
Existen dos tipos de MOSFET:
 A).- MOSFET Decremental
 B).- MOSFET Incremental
MOSFET DECREMENTAL

 Un MOSFET de tipo decremental con canal n se forma sobre un substrato de

silicio tipo p, con dos regiones de n+ muy dopado, con la finalidad de formar
conexiones de baja resistencia. La compuerta esta aislada del canal por una
capa muy delgada de óxido.
 Las tres terminales son compuerta (G), drenaje (D) y fuente (S).
 Normalmente, el substrato se conecta a la fuente.
 El voltaje de compuerta a fuente es VGS , y puede ser positivo o negativo. Si
VGS es negativo, algunos de los electrones en el área del canal n son repelidos,
creándose una región de agotamiento debajo de la capa de óxido, dando como
resultado un canal efectivo más angosto y una alta resistencia de drenaje a la
fuente RDS.
 Si se hace que VGS sea suficientemente negativo, el canal se decrementa
hasta desaparecer, “se agota” por completo, y presenta un valor muy alto de
RDS, y no pasa corriente del drenaje a la fuente: IDS=0. El valor de VGS,
cuando esto sucede, se llama voltaje de estrechamiento VP.
 Por otra parte si VGS se hace positivo, el canal se incrementa haciéndose más
ancho y aumenta IDS, debido a la reducción de RDS.
MOSFET INCREMENTAL

 Un MOSFET de canal n, tipo incremental no tiene canal físico, como se observa

en la figura. Si VGS es positivo, un voltaje inducido atrae a los electrones del
substrato p y los acumula en la superficie, bajo la capa de óxido. Si VGS es mayor
o igual a un valor del voltaje umbral, VTH, se acumula una cantidad suficiente
de electrones para formar un canal n virtual, y la corriente circula del drenaje a
la fuente.
NOTA sobre aplicación
 Ya que un MOSFET de tipo decremental permanece activo con cero voltaje de
compuerta, mientras que un MOSFET tipo incremental permanece apagado con
cero voltaje de compuerta, en general los MOSFET de tipo incremental se usan
como dispositivos de conmutación en la electrónica de potencia.

Segunda avalancha o Second breakdown

SB o Avalancha Secundaria.- Es un fenómeno destructivo, se debe al flujo de corriente por
una pequeña porción de la base, que produce puntos calientes localizados. Si la energía de
los puntos calientes es suficiente, el calentamiento excesivo puede dañar al transistor. El
efecto de la avalancha secundaria se debe a una avalancha térmica, esta avalancha térmica
es producida por las altas concentraciones de corriente. Este fenómeno es dependiente de
la energía.
Características de salida de un MOSFET de canal n- incremental
Hay tres regiones de operación:

 Región de corte en donde 𝑽𝑮𝑺 ≤ 𝑽𝑻𝑯 . Comportamiento como interruptor

abierto.
 Región de estrechamiento o saturación
donde 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻
 Región lineal u óhmica
donde 𝑉𝐷𝑆 ≤ 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻

En la región lineal u óhmica, la corriente de drenaje ID varía en proporción con el voltaje de

drenaje, los MOSFET se operan en la región lineal, para las acciones de conmutación.
En la región de saturación la corriente de drenaje permanece casi constante para cualquier
aumento en el valor de VDS, y en esta región los transistores se usan para amplificar
voltaje…Nota: El concepto de saturación en MOSFET tiene significado opuesto en los BJT.

La resistencia de salida 𝑟0 = 𝑅𝐷𝑆 , se define como:

∆𝑉𝐷𝑆
𝑅𝐷𝑆 =
∆𝐼𝐷
Saturación megaohms, Lineal miliohms

Problemas vistos en clase

Efecto de cargas inductivas

 Cuando se usan cargas inductivas en los transistores, ya sean BJT o MOSFET, se

debe tener cuidado con el efecto de las diferencias de corriente con respecto al
 tiempo (d /d ), ya que las cargas inductivas almacenan energía y esta debe ser
i t
eliminada por un diodo.

𝑑𝑖
𝑉𝐷 = 𝐿
𝑑𝑡

Problema visto en clase

Operación en serie y paralelo
 Operación en Serie
 Para aumentar su capacidad de manejo de voltaje.
 Se deben encender y apagar en forma simultánea.
 Deben estar igualados en sus distintos parámetros: ganancia,
transconductancia, voltaje de umbral, voltaje en estado activo,
tiempo de encendido y tiempo de apagado.
La transconductancia gm (relación de la corriente de drenaje ID al voltaje de compuerta VG)
define a las características de transferencia, por lo que se considera un parámetro muy
importante.
Nota: Respecto a que los transistores en serie se enciendan y apaguen en forma
simultánea:
De no ser así, el dispositivo más lento en el encendido, y el más rápido en el apagado,
pueden quedar sujetos al voltaje total del circuito de colector a emisor o drenaje a fuente,
y este dispositivo en particular se puede destruir por el alto voltaje.
 Operación en Paralelo
 Los transistores se conectan en paralelo si un dispositivo no puede
manejar la demanda de corriente de la carga.
 Para compartir corrientes iguales, los transistores deben estar
igualados en parámetros como: ganancia, transconductancia,
voltaje de saturación, tiempo de encendido y tiempo de apagado.
 En la práctica se puede lograr una partición de corriente de 45-
55% con dos transistores.
Problema
Características de conmutación
El retardo de encendido td(on) es el tiempo necesario para cargar la capacitancia de entrada
hasta el valor del voltaje umbral.
El tiempo de subida tr es el tiempo de carga de la compuerta, desde el nivel del umbral hasta
el voltaje total de la compuerta VGS, que se requiere para activar al transistor hasta la región
lineal.
El tiempo de retardo de apagado td(off) es el necesario para que la capacitancia de entrada
se descargue desde el voltaje de sobresaturación V1 hasta la región de estrechamiento.
El tiempo de caída tf es el necesario para que la capacitancia de entrada se descargue por
completo. Si 𝑉𝐺𝑆 ≤ 𝑉𝑇 , el transistor se desactiva.

El concepto de “Tiempo muerto DT” en puentes de MOSFETs

 En una conmutación ideal, los dos interruptores de una rama del puente
conmutan en el mismo instante, es decir, en el momento en que uno empieza a
conducir, el otro deja de hacerlo. Suponiendo así que el paso de conducción a
corte es instantáneo. Sin embargo la realidad es muy diferente:
 Fenómeno de no instantaneidad en el cambio

La solución a este problema son los tiempos muertos. Consiste en introducir un retraso
respecto al encendido de interruptor, pero no en el apagado. De manera que cuando
comienza el encendido, ya se habrá apagado el interruptor correspondiente como se
observa en la figura (f).
  Con la proliferación de opciones entre IGBT y MOSFET resulta cada vez más
complejo, para el actual diseñador, seleccionar el mejor producto para su
aplicación.
 La evolución de este tipo de dispositivos, nacidos para eliminar el
clásico relé de conmutación de cargas, ha llevado un lento pero continuo
proceso (y progreso) pasando, entre otros, por los Transistores Bipolares
(BJT), los MOSFET y luego los IGBT (Insulated GateBipolar Transistor).
 En la actualidad encontramos IGBT en variadores de frecuencia, en
convertidores de potencia y en grandes máquinas eléctricas. Sin embargo, no
siempre es necesaria su inclusión cuando el uso de transistores
MOSFET puede resolver nuestra necesidad.
Conociendo las características elementales de estos dispositivos semiconductores, dedicados
a la conmutación en sistemas electrónicos de potencia, podremos discernir qué componente
se ajusta a nuestras necesidades de diseño.
Si a esto lo comparamos con el contacto de un relé, el BJT no es un elemento totalmente
idóneo para trabajar como interruptor ya que si la corriente de colector es elevada, la
potencia disipada en forma de calor puede llegar a niveles destructivos para el transistor (P
= V * I).
 Cuando las corrientes son pequeñas, los BJT pueden ser una solución
económica, pero si de electrónica de potencia hablamos, su utilización es la
menos indicada.
Problema sobre selección de tipo de transistor