Tema 2

Física de Materiales

Bandas de energía y
densidad de estados
 Índice

Esquema. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

Ideas clave . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

2.1 Introducción y objetivos . . . . . . . . . . . . . 3

2.2 Bandas de energía. . . . . . . . . . . . . . . . 4

2.3 Banda de energía para electrones libres . . . . . . . 6

2.4 Velocidad para electrones libres . . . . . . . . . . 7

2.5 Densidad de estados. . . . . . . . . . . . . . . 9

2.6 Función de distribución de Fermi‐Dirac . . . . . . . 11

2.7 Energía de Fermi . . . . . . . . . . . . . . . . 11

2.8 Masa efectiva en semiconductores . . . . . . . . . 12

2.9 Bandas de energía en semiconductores . . . . . . . 13

2.10 Densidad de estados en semiconductores . . . . . . 14

2.11 Distribución de Fermi‐Dirac . . . . . . . . . . . 15

2.12 Vídeo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

2.13 Referencias bibliográficas . . . . . . . . . . . . 17

2.14 Cuaderno de ejercicios . . . . . . . . . . . . . 18

 Esquema

Bandas de Energía y
Densidad de Estados

Modelo para
Bandas de Modelo para
electrones
Energía semiconductores
libres

Distribución Densidad de Densidad de

Valencia Conducción Masa efectiva
Fermi-Dirac estados estados

Física de MaterialesTema 2. Esquema 2

 Ideas clave

2.1 Introducción y objetivos

En este tema veremos qué son las bandas de energía y qué tipos de bandas existen.
Para un modelo de electrones libres, los cuales pueden moverse sin ligaduras (como
por ejemplo en un metal) hallaremos la densidad de estados y expondremos qué es
el nivel de Fermi. Finalmente adaptaremos dicho modelo a electrones que se mueven
en una red de forma no tan libre. Dicha adaptación la haremos a través de la masa
efectiva. Veremos entonces como se aplica también a la densidad de estados y niveles
de Fermi de un semiconductor.

Con más detalle, los objetivos del tema son:

▸ Saber qué es una banda de energía existen: de valencia y de conducción.

▸ Saber qué tipos existen: banda de valencia y banda de conducción.

▸ Hallar las bandas de energía en un modelo de electrones libres.

▸ Hallar las bandas de energía en diferentes dimensionalidades.

▸ Conocer y entender la distribución de Fermi‐Dirac.

▸ Aplicar todo lo aprendido en modelos de electrones cuasi libres (semiconduc‐

tores).

▸ Conocer el concepto de masa efectiva.

▸ Calcular los niveles de Fermi en semiconductores.

Física de MaterialesTema 2. Ideas clave 3

2.2 Bandas de energía
En esta sección vamos a hacer una introducción sencilla al modelo de bandas. Dicho
modelo es muy útil para estudiar la dinámica y el transporte de electrones y huecos
en el material semiconductor. Las bandas de energía nos relacionan el momento que
tiene un portador (electrones o huecos) con la energía de dicho portador.

Los electrones ligados se representan en la banda de valencia, mientras que los elec‐
trones libres se representan en la banda de conducción, tal como vemos en la Figura 1.
La distancia mínima energética entre estas dos bandas es llamada gap (𝐸𝑔 ) (Ashcroft
& Mermin, 1976):
𝐸𝑔 = 𝐸𝑐 − 𝐸𝑣 , (1)

▸ En un metal, la banda de valencia está completamente llena y los electrones

de la nube electrónica se sitúan en la de conducción, la cuál no está llena y los
electrones pueden moverse libremente por ella. De esta forma pueden conducir
la electricidad.

▸ En un aislante, la banda de valencia está llena y la banda de conducción vacía.

Por tanto, los electrones no pueden moverse por ninguna de ellas y no existe el
transporte electrónico. Dicho gap es muy grande en los aislantes y los electrones
de la banda de valencia no pueden saltar a la de conducción.

▸ En un semiconductor, la situación es parecida a la del caso de los aislantes. Sin

embargo, el gap es relativamente pequeño y con la excitación térmica (𝐸th ) elec‐
trones ligados situados en la banda de valencia pueden saltar a la banda de con‐
ducción, creando de esta forma un electrón par hueco (el electrón se crea en la
banda de conducción mientras que el hueco se crea en la banda de valencia).

Física de MaterialesTema 2. Ideas clave 4

 Banda de conducción
Banda de conducción

Banda de conducción Eg

Banda de valencia
Banda de valencia

a) b) c)
Figura 1: Estructura de bandas para a) conductores b) aislantes c) semiconductores.

En la siguiente tabla podemos ver varios materiales con su correspondiente gap.

Material Si Ge GaAs

Gap (eV) 1,14 0,67 1,43

Para saber si dichos materiales se comportan como semiconductores debemos com‐

pararlos con la energía térmica 𝐸th :

𝑘𝐵 𝑇
𝐸th = ≈ 0.025 eV, (2)
𝑞

donde 𝑘𝐵 es la constante de Boltzmann, 𝑇 es la temperatura a la que nos encontremos

y 𝑞 el valor de la carga de un electrón en valor absoluto. A temperatura ambiente (300
K) el valor de dicha energía térmica es el valor indicado en la Ecuación (2). General‐
mente consideramos semiconductores a materiales cuyo gap se encuentra alrededor
de 1 eV.

Física de MaterialesTema 2. Ideas clave 5

2.3 Banda de energía para electrones libres
Tal como nos dicen las leyes de la mecánica cuántica, la función de onda de los elec‐
trones libres responde a la ecuación de Schrödinger dependiente del tiempo (Ashcroft
& Mermin, 1976).

ℏ2 𝜕 2 𝜕 2 𝜕 2 𝜕𝜓
− + + + 𝑉 𝜓 = 𝑖ℏ , (3)
(
2𝑚 𝜕𝑥 2 𝜕𝑦 2 𝜕𝑧 2 ) 𝜕𝑡

donde ℏ es la constante de Planck, 𝑚 la masa del electrón, 𝑉 el potencial aplicado y

𝜓 la función de onda del electrón (recordemos que el cuadrado de la función de onda
representa la probabilidad de encontrar un electrón).

En el caso de electrones libre podemos considerar que el potencial es cero (𝑉 = 0) y

podemos entonces considerar la ecuación de Schrödinger independiente del tiempo.
Por tanto la Ecuación (4) se convierte en:

ℏ2 𝜕 2 𝜕 2 𝜕 2
− + + + 𝑉 𝜓 = 𝐸𝜓 , (4)
2𝑚 ( 𝜕𝑥2 𝜕𝑦2 𝜕𝑧2 )

donde 𝐸 es el valor de energía de los autoestados. Si solucionamos dicho problema

en tres dimensiones en una caja de dimensiones 𝐿𝑥 𝑥𝐿𝑦 𝑥𝐿𝑧 para electrones libres (es
decir cuando el potencial 𝑉 = 0), el resultado final es (Jacoboni, 2010):

23 𝑛𝑥 𝜋𝑥 𝑛𝑦 𝜋𝑦 𝑛𝑧 𝜋𝑧
𝜓= sin sin sin , (5)
√ 𝐿𝑥 𝐿𝑦 𝐿𝑧 ( 𝐿𝑥 ) ( 𝐿𝑦 ) ( 𝐿𝑧 )

donde 𝑛𝑥 , 𝑛𝑦 y 𝑛𝑧 son números enteros positivos (el cero no está incluido). La energía
(asumiendo esta vez por simplicidad un cubo de lado 𝐿:

𝜋 2 ℏ2 2 2 2 ℏ2 2
𝐸= (𝑛𝑥 + 𝑛 𝑦 + 𝑛𝑧 ) = (𝑘 + 𝑘2𝑦 + 𝑘2𝑧 ) , (6)
2𝑚𝐿2 2𝑚 𝑥

si definimos el número de onda en cada uno de los ejes del espacio de momentos
𝑛𝑖 𝜋
como 𝑘𝑖 = 𝐿𝑖
, podemos reescribir Ecuación (6) como:

ℏ2 2 ℏ2 |𝑘|2
𝐸= (𝑘𝑥 + 𝑘2𝑦 + 𝑘2𝑧 ) = . (7)
2𝑚 2𝑚

Física de MaterialesTema 2. Ideas clave 6

Por tanto, la banda de energía por la que nos podemos mover en un modelo de elec‐
trones libres corresponde al resultado obtenido en la Ecuación (7).

2.4 Velocidad para electrones libres

La velocidad de los electrones en cada una de las direcciones se calcula como (Jaco‐
boni, 2010):
1 𝑑𝐸
𝑣𝑖 = . (8)
ℏ 𝑑𝑘𝑖
donde 𝑖 = 𝑥, 𝑦, 𝑧 es cada una de las direcciones. En el caso de bandas parabólicas
unidimensionales donde solamente hay una dirección:

ℏ𝑘 1
𝑣𝑖 = = √2𝑚𝐸 . (9)
𝑚 𝑚

Podemos ver quem para electrones con mayor energía, su velocidad también es ma‐
yor.

Ejemplo 1. Cálculo del mínimo de energía para un cubo sin potencial aplicado
Tomando la Ecuación (6)y teniendo en cuenta que 𝑛𝑥 , 𝑛𝑦 , 𝑛𝑧 no pueden ser cero,
el mínimo de energía ocurrirá cuando 𝑛𝑥 = 𝑛𝑦 = 𝑛𝑧 = 1. Por tanto, el mínimo de
energía valdrá:
3𝜋 2 ℏ2
𝐸= .
2𝑚𝐿2

Ejemplo 2. Cálculo del número de estados con número de onda menor o igual a
|𝑘| en tres dimensiones en función de la energía
Primero tenemos en cuenta que en tres dimensiones y en el espacio de momen‐
tos, los estados con número de onda menor a |𝑘| corresponde a un octavo de
esfera de radio |𝑘| (las opciones con número de onda negativos no son posibles,
por tanto nos quedamos con el octante positivo).

𝜋
Nos damos cuenta que cada estado 𝑘 ocupa un cubo de lado igual a 𝐿estado = 𝐿𝑖

Física de MaterialesTema 2. Ideas clave 7

 𝜋3
y por tanto el volumen de un estado en tres dimensiones es 𝑉estado = . Por
𝐿3𝑖
tanto, el número total de estados será el siguiente:

1 1 1 𝐿3 4 𝐿3
𝑁(𝑘) = 𝑛spin 𝑉total = 2 3 𝜋𝑘3 = 2 𝑘3 . (10)
8 𝑉estado 8 𝜋 3 3𝜋

1
El término 8
aparece porque estamos interesados en un octante de la esfera,
𝑛spin = 2 aparece porque en cada estado puede haber dos electrones con signo
espín distinto (spin down y spin up) y finalmente 𝑉total es el volumen de la esfera
de radio |𝑘| en el espacio de momentos.

Para poner en función de la energía la Ecuación (10) usamos la Ecuación (7) y

obtenemos:

𝐿3 2𝑚 3/2 3/2 𝐿3 2𝑚 3/2 3/2

𝑁(𝐸) = 𝐸 = 𝐸 . (11)
3𝜋 2 ( ℏ2 ) 3𝜋 2 ( ℏ2 )

Ejemplo 3. Cálculo del número de estados con número de onda menor o igual a
|𝑘| en dos dimensiones en función de la energía.
Vamos a proceder de forma similar al Ejemplo 2. Para dos dimensiones existe
alguna diferencia a nivel cuantitativo, aunque la física implicada es la misma. La
función de estado para dos dimensiones tiene 2 componentes y no 3 como en la
Ecuación (5). Dicha función de estado es ahora de la forma:

22 𝑛𝑥 𝜋𝑥 𝑛𝑦 𝜋𝑦
𝜓= sin sin .
√ 𝐿𝑥 𝐿𝑦 ( 𝐿𝑥 ) ( 𝐿𝑦 )

La ecuación de la energía (Ecuación (6)) queda ahora:

𝜋 2 ℏ2 2 2 ℏ2 2
𝐸= (𝑛 + 𝑛 ) = (𝑘 + 𝑘2𝑦 ) ,
2𝑚𝐿2 𝑥 𝑦 2𝑚 𝑥

por tanto en dos dimensiones el espacio de momentos es un plano. Los estados

con número de onda menor a |𝑘| corresponde a un cuarto de círculo de radio |𝑘|
(recordemos que 𝑛𝑥 y 𝑛𝑦 deben ser enteros positivos, por lo que nos quedamos
con el cuadrante positivo).

Física de MaterialesTema 2. Ideas clave 8

 𝜋
Cada estado 𝑘 ocupa un cuadrado de lado igual a 𝐿estado = 𝐿𝑖
y por tanto el área
3
𝜋
de un estado en dos dimensiones es 𝐴estado = . Por tanto, el número total de
𝐿2𝑖
estados será:

1 1 1 𝐿2 𝐿2 2
𝑁(𝑘) = 𝑛spin 𝐴total = 2 2 𝜋𝑘2 = 𝑘 .
4 𝐴estado 4 𝜋 2𝜋

El término 14 aparece porque estamos interesados en un cuarto del círculo, 𝑛spin =

2 aparece porque en cada estado puede haber dos electrones con signo espín
distinto (spin down y spin up) y finalmente 𝐴total es el volumen del círculo de
radio |𝑘| en el espacio de momentos. Para poner en función de la energía usamos
la Ecuación (7) en dos dimensiones y obtenemos:

𝐿2 2𝑚 𝐿2 𝑚
𝑁(𝐸) = 𝐸 = 𝐸. (12)
2𝜋 ℏ2 𝜋 ℏ2

2.5 Densidad de estados

Muchas veces no estamos interesados en el número de partículas en cada estado, sino
en el número 𝑑𝑁 con energías en un intervalo de energías (Jacoboni, 2010; Datta,
1997):
𝑑𝑁 = 𝑛(𝐸)𝑑𝐸 = 𝑓 (𝐸)𝑔(𝐸)𝑑𝐸 , (13)

donde 𝑛(𝐸) es el número de electrones por unidad de volumen, 𝑓 (𝐸) la probabili‐

dad de que un estado 𝐸 de energía se encuentre ocupado (función de distribución
Fermi‐Dirac), 𝑔(𝐸) la densidad de estados (número de estados cuánticos permitidos
por unidad de energía y 𝑑𝐸 el intervalo de energías del que queremos saber el número
de estados.

La densidad de estados que se obtiene en tres dimensiones es:

𝐿3 2𝑚 3/2 1/2
𝑔(𝐸) = 𝐸 . (14)
2𝜋 2 ( ℏ2 )

Podemos observar que la densidad de estados en tres dimensiones aumenta con la raíz

Física de MaterialesTema 2. Ideas clave 9

cuadrada de la energía. Por tanto, para altas energías hay más estados disponibles que
para bajas energías.

Ejemplo 4. Cálculo densidad de estados en 3 dimensiones

Vamos ahora a obtener analíticamente el resultado expuesto en la Ecuación (14).
La densidad de estados a temperatura cero (es decir la ecuación de Fermi‐Dirac
es una delta) es la siguiente:
𝑑𝑁
𝑔(𝐸) = . (15)
𝑑𝐸
Usando la ecuación Ecuación (11) obtenemos:

𝑑𝑁 𝜋𝐿3 2𝑚 3/2 𝑑 3/2 𝐿3 2𝑚 3/2 1/2

𝑔(𝐸) = = 𝐸 = 𝐸 . (16)
𝑑𝐸 3𝜋 3 ( ℏ2 ) 𝑑𝐸 2𝜋 2 ( ℏ2 )

Ejemplo 5. Cálculo densidad de estados en 2 dimensiones

Esta vez vamos a calcular la densidad de estados para materiales bidimensionales
en bandas parabólicas, este tipo de sistemas se llaman pozos cuánticos (quantum
well). Para ello procederemos de forma semejante al Ejemplo 4.

La densidad de estados a temperatura cero es:

𝑑𝑁
𝑔(𝐸) = . (17)
𝑑𝐸

Usando la ecuación Ecuación (12) obtenemos

𝑑𝑁 𝐿2 𝑚 𝑑 𝐿2 𝑚
𝑔(𝐸) = = 𝐸 = . (18)
𝑑𝐸 𝜋 ℏ2 𝑑𝐸 𝜋 ℏ2

Podemos ver que la densidad de estados es constante e independiente de la ener‐

gía.

Física de MaterialesTema 2. Ideas clave 10

2.6 Función de distribución de Fermi‐Dirac
Cuando tenemos varios electrones (como en un gas de electrones), debido al principio
de Pauli (interacción de canje) no se pueden encontrar dos electrones con el mismo
estado (mismos números cuánticos). La energía de Fermi (𝐸𝐹 ) es la energía del último
electrón que ocupamos. Es decir la energía máxima ocupada en nuestro gas.

Para realizar el cálculo hay que conocer la probabilidad de que un electrón ocupe cada
estado. Dicha probabilidad nos la da la distribución de Fermi‐Dirac (Jacoboni, 2010;
Landau & Lifshitz, 1980):
1
𝑓 (𝐸, 𝑇 ) = 𝐸−𝐸𝑓
. (19)
1+𝑒 𝐾𝐵 𝑇

Para realizar unos cálculos más sencillos, vamos a considerar temperatura 0 K. La fun‐
ción de Fermi‐Dirac se convierte en una función delta y no hay electrones a energías
mayores de la de Fermi (𝐸 > 𝐸𝐹 ) y todos los estados para energías menores están
ocupadas (𝐸 < 𝐸𝐹 ).

Como hemos comentado, en este caso la función de Fermi es una función delta:

⎧1 𝐸 < 𝐸
⎪ 𝐹
𝑓 (𝐸, 𝑇 = 0) = ⎨ . (20)
⎪0 𝐸 > 𝐸𝐹
⎩

2.7 Energía de Fermi

Por tanto, para hallar la energía de Fermi a temperatura 0 K y sabiendo el número de
portadores, podríamos usar directamente la Ecuación (11):

2/3
ℏ2 3𝜋 2 𝑁(𝐸)
𝐸𝐹 = . (21)
2𝑚 ( 𝐿3 )

Física de MaterialesTema 2. Ideas clave 11

A veces nos pueden proporcionar o pedir también la temperatura de Fermi, la cual se
halla de la siguiente forma:
𝐸𝐹
𝑇𝐹 = . (22)
𝑘𝐵

Ejemplo 6. Cálculo de la energía de Fermi y su temperatura asociada

Tenemos cobre con una densidad de portadores de 𝑛 = 8𝑥1019 electrones por
centímetro cúbico. Cálculo de la energía de Fermi y su temperatura asociada. En
este caso nos dan la densidad de portadores. Hemos de darnos cuenta que 𝑛 =
𝑁(𝐸)/𝐿3 y por tanto, podemos reescribir la Ecuación (21) como:

ℏ2 2/3
𝐸𝐹 = (3𝜋 2 𝑛) . (23)
2𝑚

y por tanto hallamos directamente (pasando la densidad de portadoras a elec‐

trones por metro cúbico para tener todo en unidades del sistema internacional)
que:

(1, 05 ⋅ 10−34 )2 2 28 2/3 −19

𝐸𝐹 = −31 (3𝜋 8 ⋅ 10 ) = 10.81 ⋅ 10 J = 6.76 eV.
2 ⋅ 9, 11 ⋅ 10

La temperatura de Fermi se halla fácilmente usando la Ecuación (22):

𝐸𝐹 2, 47 ⋅ 10−19 J
𝑇𝐹 = = −23
= 7.83 ⋅ 104 K.
𝑘𝐵 10, 81 ⋅ 10

2.8 Masa efectiva en semiconductores

Cuando tratamos con semiconductores todo cambia desde el principio, ya que en la
ecuación de Schrödinger Ecuación (4) ya no podemos asumir que el potencial es cero,
𝑉 ≠ 0, sino que debido al sólido cristalino aparece un potencia periódico.

Pareciese que tuviésemos que rehacer todos los cálculos anteriores añadiendo un po‐
tencial coulombiano que haría muy difícil de resolver la ecuación de Schrödinger (de

Física de MaterialesTema 2. Ideas clave 12

hecho resolverla exactamente es imposible debido al problema many‐body).

Sin embargo podemos hacer una primera aproximación y recuperar todas las expre‐
siones halladas anteriormente siempre y cuando variemos la masa del electrón por
una masa efectiva (Jacoboni, 2010; Datta, 1997) que denotaremos por 𝑚∗ .

Esta masa efectiva va a sustituir a la masa del electrón en las ecuaciones halladas an‐
teriormente. Por tanto, el electrón en un semiconductor se comporta como si fuese
libre, pero con una masa distinta. Lo mismo ocurrirá con el hueco, solo que se mueve
en la banda de valencia. Cabe resaltar que la masa efectiva varía para cada material,
y que generalmente es distinta para electrones y huecos. Si tenemos la expresión de
las bandas de energía, la masa efectiva se puede calcular como:

1 1 𝑑 2 𝐸(𝑘)
= . (24)
𝑚∗ ℏ2 𝑑𝑘2 |𝑘=0

Es decir, el inverso de la masa efectiva representa la curvatura de la estructura de

bandas. En el caso de la banda de valencia ya podemos observar que dicha curvatura
es negativa y por tanto la masa efectiva será negativa también.

2.9 Bandas de energía en semiconductores

En la Figura 2 vemos como resultarían las bandas
Banda de
de conducción y valencia para electrones y hue‐ conducción

cos:

En dicha figura vemos dos bandas parabólicas (tal

e-
como predice Ecuación (7)), pero cuya curvatura E=EC

puede variar (dependiendo de la masa efectiva de E=0

electrones y huecos) y cuyo vértice no se encuen‐ E=EV

tra a un nivel de energía cero, sino que tienen h+

cierto offset (la diferencia entre ambos vértices Banda

de
será la energía gap). valencia

Figura 2: Estructura de bandas pa‐

ra las bandas de valencia y de con‐
Físicaducción.
de MaterialesTema
Elaboración2.propia.
Ideas clave 13
El valor de dicha bandas vale respectivamente:

ℏ2 |𝑘|2
𝐸 = 𝐸𝐶 + , (25)
2𝑚∗𝑒

ℏ2 |𝑘|2
𝐸 = 𝐸𝑣 − , (26)
2𝑚∗ℎ

donde 𝑚∗𝑒 y 𝑚∗ℎ denotan las masas efectivas de electrones y huecos respectivamente.

2.10 Densidad de estados en semiconductores

Densidad de estados 3D
De la misma forma, la densidad de estados tiene la misma forma que en la Ecua‐
ción (16), solo que:
∗ 3/2
𝐿3 2𝑚𝑒
𝑔𝐶 (𝐸) = 2 √𝐸 − 𝐸𝐶 , (27)
2𝜋 ( ℏ2 )
∗ 3/2
𝐿3 2𝑚ℎ
𝑔𝑉 (𝐸) = 2 √𝐸𝑉 − 𝐸 , (28)
2𝜋 ( ℏ2 )

donde 𝑔𝐶 y 𝑔𝑉 es la densidad de estados para la banda de conducción y valencia res‐

pectivamente. La representación en función de la energía es la siguiente:
Densidad de estados

EG

EV EC

Energía

Figura 3: Densidad de estados en tres dimensiones. Elaboración propia.

Física de MaterialesTema 2. Ideas clave 14

Densidad de estados 2D
De la misma forma, la densidad de estados en dos dimen‐
siones (pozos cuánticos) para semiconductores es de la

Densidad de estados
forma de la Ecuación (18), solo que: EG

∗
𝐿2 𝑚𝑒
𝑔𝐶 (𝐸) = , (29)
𝜋 ℏ2
EV EC
∗
𝐿2 𝑚ℎ Energía
𝑔𝑉 (𝐸) = . (30)
𝜋 ℏ2
Figura 4: Densidad de es‐
Nuevamente, la representación en función de la energía tados en tres dimensio‐
es la siguiente: nes. Elaboración propia.

2.11 Distribución de Fermi‐Dirac

Distribución para huecos y electrones

Vamos a comentar la función de distribución de Fermi‐Dirac. Recordemos que dicha
expresión nos señala la probabilidad de encontrar un electrón a cierta temperatura y
a cierto nivel de energía. Dicha expresión es (Ashcroft & Mermin, 1976):

1
𝑓𝑒 (𝐸, 𝑇 ) = 𝐸−𝐸𝑓
.
1+𝑒 𝐾𝐵 𝑇

La primera característica es que cuando la ener‐

gía coincide con la energía de Fermi, 𝑓 (𝐸𝐹 , 𝑇 ) = T2>T1>T0 T0=0
1
1/2, independientemente de la temperatura. Otra
apreciación es que dicha función es simétrica res‐ T2
pecto a 𝐸𝐹 , tal como podemos ver en la siguiente 1/2
T1
f(E,T)

gráfica. Finalmente, y para cálculos posteriores, la

EF E
probabilidad de encontrar un hueco es la de no 0

encontrar un electrón por lo que dicha probabili‐ Figura 5: Función de distribución

Fermi‐Dirac.

Física de MaterialesTema 2. Ideas clave 15

dad es: 𝐸−𝐸𝑓
1 𝑒 𝐾𝐵 𝑇
𝑓ℎ (𝐸, 𝑇 ) = 1 − 𝑓𝑒 (𝐸, 𝑇 ) = 1 − 𝐸−𝐸𝑓
= 𝐸−𝐸𝑓
. (31)
1+𝑒 𝐾𝐵 𝑇 1+𝑒 𝐾𝐵 𝑇

Caso degenerado y no degenerado (estadística de Boltzmann)

Operar analíticamente con la distribución de Fermi‐Dirac es muy complejo. Es por ello
que se suelen tomar aproximaciones de ella dependiendo de donde está el nivel de
Fermi con respecto a las bandas de conducción y valencia.

▸ Cuando la energía de Fermi está metido en la banda prohibida de energía (gap)

y a una distancia (energética) al menos de 3𝑘𝐵 𝑇 podemos aproximar la distri‐
bución de electrones y huecos a:

𝐸−𝐸𝑓
−
𝑓𝑒 (𝐸, 𝑇 ) ≈ 𝑒 𝐾𝐵 𝑇 , (32)

𝐸−𝐸𝑓
𝑓ℎ (𝐸, 𝑇 ) ≈ 𝑒 𝐾𝐵 𝑇 . (33)

En este caso, la distribución de Fermi‐Dirac sigue la estadística de Boltzmann.

▸ Cuando el nivel de Fermi se encuentra dentro de alguna de las bandas o muy

cerca (a distancias menores de 3𝑘𝐵 𝑇 ) hablamos de un sistema degenerado. En
este caso la concentración de portadores es muy similar a la de los metales y no
podemos aplicar la estadística de Boltzmann. Este caso no lo estudiaremos en
este curso.

Física de MaterialesTema 2. Ideas clave 16

 a) Banda de b) Banda de c) Banda de
conducción conducción conducción

EF

EF
e- e- e-
E=EC E=EC E=EC
3kBT

E=EV E=EV E=EV

h+
h+ EF h+

Banda Banda Banda

de de de
valencia valencia valencia

Figura 6: Niveles de Fermi para el caso degenerado (a) y b)) y el caso no degenerado
c). Elaboración propia.

2.12 Vídeo
En la siguiente vídeo‐píldora veremos una presentación del Dr. Damiano Marian de la
Universidad de Pisa sobre materiales de últimas tecnologías para construir dispositivos
electrónicos.

Ŏ Accede al vídeo: Nuevos materiales para dispostivos electrónicos.

2.13 Referencias bibliográficas

Ashcroft, N. & Mermin, N. (1976). Solid State Physics. HRW international editions.
Holt, Rinehart and Winston.

Datta, S. (1997). Electronic Transport in Mesoscopic Systems. Cambridge Studies in

Física de MaterialesTema 2. Ideas clave 17

 Semiconductor Physi. Cambridge University Press.

Jacoboni, C. (2010). Theory of electron transport in semiconductors. A pathway from

elementary physics to nonequilibrium Green functions.

Landau, L. D. & Lifshitz, E. M. (1980). Statistical Physics Part I. Amsterdam: Elsevier,

3rd edition.

2.14 Cuaderno de ejercicios

Ejercicio 1. Sabemos que la probabilidad de ocupar un estado es 0,1 y que el
nivel de Fermi se encuentra a 7.03 eV. Si estamos a temperatura ambiente, ¿en
qué nivel de energía nos encontramos? Solución: 𝐸 = 7.09 eV.

Ejercicio 2. ¿Qué densidad de electrones tenemos si el nivel de Fermi se encuen‐

tra a 7.11 eV? Solución: 𝑛 = 4.31 ⋅ 1022 cm−3 .

Ejercicio 3. Si me encuentro en un nivel de energía 0.55 eV por encima del nivel de

Fermi a temperatura ambiente, a) ¿qué probabilidad tengo de ocupar dicho nivel?
b) ¿y a una temperatura de 393 K? Solución: a) 𝑓 = 2.79⋅10−10 , a) 𝑓 = 8.84⋅10−8 .

Ejercicio 4. Tenemos un material cuya banda de dispersión es 𝐸 = −𝑏 cos(𝑘 ⋅

𝑎), donde 𝑎 y 𝑏 son constantes. Calcular su velocidad de Fermi. Solución: 𝑣𝐹 =
𝑎⋅𝑏
ℏ
sin(𝑘𝐹 ⋅ 𝑎).

Ejercicio 5. Tenemos un material cuya banda de dispersión es 𝐸 = −𝑏 cos(𝑘 ⋅ 𝑎),

ℏ2
donde 𝑎 y 𝑏 son constantes. Calcular su masa efectiva. Solución: 𝑚∗ = 𝑎2 ⋅𝑏
.

Física de MaterialesTema 2. Ideas clave 18