10/3/25, 3:58 p.m.
Tarea 2 Ambar Forero
Unidad 2 – Introducción a los dispositivos semiconductores
Ambar Daiana Forero Pineda – Código 1110557988
Física Electrónica 100414 – 1701
Grupo 200
Director-Tutor
Elvis Rodríguez / Alejandro Ferrero
Universidad Nacional Abierta y a Distancia - UNAD
Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería
2024
about:blank 1/16
10/3/25, 3:58 p.m. Tarea 2 Ambar Forero
Introducción
En el ámbito de la ingeniería eléctrica y electrónica, el estudio y la comprensión del
comportamiento de componentes fundamentales como los diodos y los transistores son esenciales
para el diseño y la implementación de circuitos electrónicos en una amplia variedad de aplicaciones
industriales. Los diodos, con su capacidad para permitir el flujo de corriente en una dirección y
bloquearlo en la dirección opuesta, son elementos básicos en la rectificación de señales y la
protección de circuitos. Por otro lado, los transistores, especialmente los de unión bipolar y los
MOSFET, ofrecen un control preciso sobre la corriente y el voltaje en los circuitos, permitiendo
amplificación, conmutación y regulación de señales eléctricas.
En este informe, se presentan varios ejercicios prácticos que abordan el uso de diodos y
transistores en circuitos eléctricos, así como su aplicación en escenarios industriales. Se exploran
conceptos como la determinación de corrientes y voltajes en circuitos con diodos y transistores, el
cálculo de potencia y energía consumida por elementos del circuito, y la verificación del estado de
operación de los transistores en diferentes configuraciones. Estos ejercicios proporcionan una visión
detallada de cómo estos componentes se utilizan en la práctica y cómo sus características afectan el
rendimiento de los circuitos en aplicaciones industriales.
A través del análisis y la resolución de estos ejercicios, se pretende fortalecer la comprensión
de los principios fundamentales de los diodos y los transistores, así como su aplicación en la
ingeniería eléctrica. Además, se destacará la importancia de considerar cuidadosamente las
especificaciones y características de estos componentes para garantizar un diseño óptimo y una
operación eficiente en diversas aplicaciones industriales.
about:blank 2/16
10/3/25, 3:58 p.m. Tarea 2 Ambar Forero
about:blank 3/16
10/3/25, 3:58 p.m. Tarea 2 Ambar Forero
Ejercicio 1: Infografía sobre pregunta orientadora
about:blank 4/16
10/3/25, 3:58 p.m. Tarea 2 Ambar Forero
Enlace vídeo explicativo Ejercicio 1: https://youtu.be/BGZPnxjeqQ8
about:blank 5/16
10/3/25, 3:58 p.m. Tarea 2 Ambar Forero
Ejercicio 2: Uso de diodos en circuitos eléctricos
5) Hallar 𝑉0
about:blank 6/16
10/3/25, 3:58 p.m. Tarea 2 Ambar Forero
about:blank 7/16
10/3/25, 3:58 p.m. Tarea 2 Ambar Forero
Ejercicio 3: Transistor de unión bipolar
5) Hallar 𝑉𝑐
A partir del esquema seleccionado calcular:
𝐼𝐵 , 𝐼𝐶 , 𝐼𝐸 para cada esquema.
Variables requeridas en el enunciado de voltaje y resistencia según el caso.
𝑆𝑒 𝑡𝑜𝑚𝑎 𝛽 = 120
𝑉𝐸 − (−𝑉𝐸𝐸 )
𝐼𝐸 =
𝑅𝐸
𝑉𝐸 + 𝑉𝐸𝐸
𝐼𝐸 =
𝑅𝐸
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸 → 𝑉𝐵𝐸 = −𝑉𝐸
𝑉𝐸 = −𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐸𝐸 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐸 =
𝑅𝐸
9𝑉 − 0,7𝑉
𝐼𝐸 = = 1,76𝑚𝐴
4.7𝐾
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵
about:blank 8/16
10/3/25, 3:58 p.m. Tarea 2 Ambar Forero
𝐼𝐶
𝛽= → 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
𝐼𝐵
𝐼𝐸
𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵 → 𝐼𝐵 =
(𝛽 + 1)
1,76𝑚𝐴
𝐼𝐵 = = 14,59𝜇𝐴
(120 + 1)
𝐼𝐶 = 𝛽(𝐼𝐵 )
𝐼𝐶 = (120)( 14,59𝜇𝐴) = 1,751𝑚𝐴
𝑉𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐶
𝑉𝐶 = 1,751𝑚𝐴 ∗ 2,2𝐾
𝑉𝐶 = 3,852𝑉
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐸𝐸 + 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐸 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
𝑉𝐶𝐸 = −9 + 15 − 1,76𝑚𝐴(2,2𝑘 + 4,7𝑘)
𝑉𝐶𝐸 = −80,59𝑉
Ejercicio 4: Aplicaciones industriales
Descripción del ejercicio:
Se tiene un esquema para un transistor MOSFET que tiene umbral 𝑉𝑇 = 5𝑉 y los elementos que se
muestran a continuación:
about:blank 9/16
10/3/25, 3:58 p.m. Tarea 2 Ambar Forero
about:blank 10/16
10/3/25, 3:58 p.m. Tarea 2 Ambar Forero
10
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉1 − 𝑉𝑅3
𝑉𝐷𝑆 = 20𝑉 − (0.0625𝐴)(100Ω)
𝑉𝐷𝑆 = 6,25𝑉
Estado del transistor
𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑇
10𝑉 > 5𝑉
𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐼𝑇
6,25𝑉 > 10𝑉 − 5𝑉
A partir de la información suministrada responder las siguientes preguntas:
a) Con la configuración planteada, ¿el transistor permite el paso de corriente? Explicar.
Sí, el transistor permite el paso de corriente debido a que el voltaje entre la compuerta y la
fuente (VGS) es mayor que el umbral de voltaje (VT). Si VGS fuera menor que VT, entonces
no permitiría el paso de corriente.
b) En caso contrario, ¿qué valor mínimo de R3 se debería garantizar para que el transistor
permita el paso de corriente entre D y S?
Basándonos en los cálculos efectuados, el valor mínimo de R3 sería de 166,67Ω
c) Calcular el valor de 𝑉𝐺𝑆 , 𝐼𝐷 𝑦 𝑉𝐷𝑆
𝑉𝐺𝑆 = 10𝑉
𝐼𝐷 = 0.0625𝐴
𝑉𝐷𝑆 = 6,25𝑉
d) ¿El transistor opera en la región de corte, lineal o saturación?
about:blank 11/16
10/3/25, 3:58 p.m. Tarea 2 Ambar Forero
11
El transistor opera en la región de conducción porque al verificar su estado utilizando R3n,
observamos lo siguiente:
VGS es mayor que VT:
10𝑉 > 5𝑉
También se encuentra en la región de saturación debido a que:
VDS es mayor que VGS - VT:
6,25𝑉 > 10𝑉 − 5𝑉
about:blank 12/16
10/3/25, 3:58 p.m. Tarea 2 Ambar Forero
about:blank 13/16
10/3/25, 3:58 p.m. Tarea 2 Ambar Forero
13
Conclusiones
Uso de diodos en circuitos eléctricos: En el ejercicio relacionado con el uso de diodos en
circuitos eléctricos, se pudo determinar la corriente y el voltaje a través del diodo, así como la
potencia y energía consumida por la resistencia asociada.
Transistor de unión bipolar: Se realizaron cálculos para determinar las corrientes de base,
colector y emisor, así como el voltaje en el colector. Además, se verificó el estado del transistor en
base a los valores calculados, concluyendo que opera en la región de conducción y saturación.
Aplicaciones industriales (Transistor MOSFET): Se analizó un circuito con un transistor
MOSFET, determinando el estado del transistor y calculando valores como VGS, ID y VDS. Se
concluyó que el transistor permite el paso de corriente y opera en la región de conducción y
saturación.
about:blank 14/16
10/3/25, 3:58 p.m. Tarea 2 Ambar Forero
14
Referencias Bibliográficas
Señal eléctrica ac Hayt, J., Kemmerly, J. E., Phillips, J. D., Durbin, S. M.(2019). Análisis
de Circuitos en Ingeniería Plus. McGrawHill – Plus (capítulo 10). https://www-ebooks7-24-
com.bibliotecavirtual.unad.edu.co/?il=31218
Diodo semiconductor Leñero Bardallo, J. A. (2018). Fundamentos de la electrónica y los
semiconductores. Servicio de Publicaciones de la Universidad de Cádiz. (pp. 30 a la 38):
https://elibro-net.bibliotecavirtual.unad.edu.co/es/ereader/unad/106562
Mijarez Castro, R. (2015). Electrónica. Grupo Editorial Patria. (pp. 45 a la 69):
https://elibro-net.bibliotecavirtual.unad.edu.co/es/ereader/unad/39440
Transistor Bipolar y de efecto de campo Mijarez Castro, R. (2015). Electrónica. Grupo
Editorial Patria. (pp. 74 a la 91): https://elibro-
net.bibliotecavirtual.unad.edu.co/es/ereader/unad/39440
Ruiz Robredo, G. A. (2020). Electrónica básica para ingenieros: ( ed.). Editorial de la
Universidad de Cantabria. Disponible en: https://elibro-
net.bibliotecavirtual.unad.edu.co/es/ereader/unad/159962?page=49.
Boylestad, R. L., Nashelsky, L.(2018). Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos. Pearson Educación.(pp.402 a la 420): https://www-ebooks7-24-
com.bibliotecavirtual.unad.edu.co/?il=7293&pg=5
about:blank 15/16
10/3/25, 3:58 p.m. Tarea 2 Ambar Forero
about:blank 16/16
