Universidad Industrial de Santander. Pardo Juan, Mendoza Franco. Simulaciones.

LABORATORIO DE CIRCUITOS II
Practica 1- SIMULACION DE CIRCUITOS
Pardo, Juan., Mendoza, Franco.
{juan2235084, franco2222071}@[Link]
Universidad Industrial de Santander

incluya las librerías que contienen los diferentes

elementos de circuito. Para esto oprima el botón
“Add library”. Las librerías que debe incluir son:
I. INTRODUCCIÓN
ORCAD es una herramienta de software empleada [Link]: Constituida porelementos pasivos como
para el diseño de circuitos impresos y para la resistencias, bobinas, condensadores y fuentes
simulación de circuitos eléctricos y electrónicos dependientes.
analógicos. Esta herramienta está constituida por
[Link]: Librería queencierra todas las fuentes de
varios programas, entre los cuales se encuentra
alimentación, tanto de corriente como de tensión
Orcad Capture que permite realizar y simular
disponibles: continua, alterna, sinusoidal,
esquemáticos de circuitos bajo un entorno gráfico.
exponencial, etc.
II. INSTRUCCIONES Luego se debe especificar el nombre del elemento
“Part”, que se desee insertar. En la parte inferior se
NOTA: EN CADA NUMERAL SE DEBEN ADJUNTAR
escoge la librería en la cual se encuentra el
LOS ESQUEMÁTICOS DE CADA CIRCUITO CON LAS
elemento (se pueden seleccionar todas las librerías).
RESPECTIVAS GRÁFICAS RESULTANTES DE CADA
En caso en que se desconozca la librería o el
SIMULACIÓN Y LOS ANÁLISIS CORRESPONDIENTES.
nombre del elemento (Part), se puede utilizar la
A. Crer nuevo proyecto en Orcad Capture opción “Part Search” la cual muestra las librerías
Haga clic en el menú File y luego en New -> donde se encuentra el elemento de interés.
Project. Se abre una ventana de diálogo a través de
la cual se define el proyecto de trabajo, así como la R1
sesión a iniciar (Schematics, Pc Boards…). Escriba
el nombre del proyecto y escoja la opción “Analog 100
or Mixed-Signal Circuit Wizard” (Analog or V3
Mixed A/D) la cual sirve para el diseño y 6 R2 I1
64
simulación de circuitos. Escoja una locación para 0 Adc
guardar el proyecto y de click en OK. Escoja
“Create a blank Project”. A continuación,
aparecerá la ventana de trabajo del proyecto.

B. Construcción de un circuito Figura 1

Realice la construcción del circuito de la figura 1. Seleccione como elemento la resistencia R de la
Para insertar los componentes haga click en la librería [Link], una vez se pulsa OK, el
elemento aparece enganchado del puntero del ratón
opción Place Part que se encuentra en la paleta
y se suelta pulsando el botón izquierdo. Si quiere
de herramientas (Tool Palette). En la pantalla
girar el elemento, oprima la tecla r antes de soltarlo
aparecerá el cuadro de dialogo place part. Primero
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o haga clic derecho en el elemento y escoja la a) En la barra de herramientas, escoger

opción rotar. “PSpice” y luego “New Simulation Profile”. Se
a) Inserte las resistencias R1 y R2 y oprima la abre la ventana “Simulation Settings”. Escoja
tecla Esc para terminar. el tipo de análisis: “DC Sweep” y escoja la
b) Ahora inserte la fuente de voltaje continuo opción “Primary Sweep”.
“VDC” y de corriente continua “IDC” de la
b) Seleccione la variable “current source” y
librería [Link] realizando el mismo
coloque el nombre de la fuente de corriente
procedimiento anterior.
I1. Escoja como tipo barrido lineal, valor
c) Introduzca la tierra mediante el botón Place
inicial 0, valor final 50Ce-3
ground escogiendo la opción “GND”;
debe dar doble clic sobre el elemento
después de haberlo puesto en el c) Ejecute la simulación (Run).
esquemático, y cambiar el nombre GND por
0, después cierra la subventana para volver d) Visualice la tensión en la resistencia de 64
al esquemático. Ω.
d) A continuación, conecte los elementos
mediante
el botón Place wire .
e) Ajuste el valor y el nombre de cada
componente haciendo doble click con el
botón izquierdo sobre el atributo
correspondiente, con lo cual aparece una
ventana para escribir el valor o el nombre e) En otra gráfica, visualice la potencia
deseado. Fije los valores de los elementos de consumida por la resistencia de de 64 Ω.
la siguiente forma:

▪ R1= 100 Ω.
▪ R2= 64 Ω. V3= 6 V.
▪ I1 = 0 A.

f) Introduzca una recta de referencia horizontal

en 250 mW, tecleando 0.250 en la opción
“Add trace” del menú trace.

g) Si el valor de la potencia nominal del

resistor de 64 Ω es de 250 mW, encuentre a
partir de qué valor de corriente de la fuente
C. Análisis DC Sweep. I1 la potencia consumida por el resistor de
Este análisis permite hacer un barrido en torno a 64 Ω supera su valor nominal.
una serie de valores de una fuente de entrada
independiente (de corriente o de voltaje), de la
temperatura, de un parámetro interno del modelo o
de un parámetro global, calculando el punto de
trabajo para cada uno de los valores que tome la
variable en cuestión.
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Conclusiones: E. Simulación del circuito en el dominio del tiempo

Se determinó que la potencia en la resistencia de 64 (Análisis Transitorio).
Ω supera su valor nominal de 250 mW cuando la Se utiliza este tipo de análisis cada vez que se
corriente de la fuente alcanza aproximadamente estudie el comportamiento del circuito en función
62.5 mA. Este resultado refuerza la relación del tiempo. Como ejemplo se simulará el circuito
cuadrática entre corriente y potencia (𝑃 = 𝐼²𝑅), RC de la figura 2.
validando teóricamente el punto crítico de
operación del componente.
a) Haga clic en el menú Pspice y escoga la
D. Carga y descarga de un capacitor opción “New Simulation Profile”.
Colóquele un nombre a la simulación.

b) A continuación aparece el cuadro de

dialogo “Simulation Settings” el cual
permite escoger el tipo de análisis
deseado. Escoja el tipo de análisis
“Time domain” y la opción “general
settings”. Luego se deben especificar
los siguientes valores:
• Run to time: Determina el intervalo
Figura 2
de tiempo para la presentación de los
Realice la construcción del circuito de la Figura 2. resultados del análisis. En este caso
Fije los valores de los elementos de la siguiente coloque 10 s.
forma: • Start saving data after: Tiempo
▪ R1= 1 KΩ. inicial para la realización del análisis.
▪ R2= 1 KΩ. Si no se especifica, el valor por
▪ C= 1 mF. (Defina como condición inicial defecto será 0. Deje el valor por
defecto.
(“IC”) Vc(0)=0)
• Maximum step size: Intervalo de
▪ Vdc= 5V
tiempo entre los cálculos del análisis.
Para incluir los interruptores adicione la librería
Si no se especifica el valor por
EVAL. (sw_tclose y sw_topen). El accionar de los
interruptores tiene un intervalo de 5 segundos. defecto será (run to time)/50. Este
tiempo variará internamente, siendo
mayor en los puntos donde el análisis
es más superficial y menor en el
intervalo donde el análisis requiere
mayor importancia. Deje el valor por
Conclusiones: defecto.
La simulación transitoria confirmó el
comportamiento exponencial del voltaje en el c) Oprima aceptar y luego en el menú
capacitor, regido por la constante de tiempo teórica Pspice, seleccione la opción Run. Se
(𝜏 = 𝑅𝐶). Los resultados validaron la dinámica de abre una ventana en la cual aparece la
carga y descarga característica de circuitos de simulación del circuito.
primer orden, destacando la relación entre los
componentes y la respuesta temporal del sistema. d) Visualice la tensión en el Capacitor
Vc(t). Para poder observarla, haga clic
en el botón “Add trace” y
seleccione las variables que quiere
visualizar. Otra forma muy útil para
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observar las variables de interés, es

colocar un
marcador en el nodo del circuito en
el cual se quiera observar la variable.
Automáticamente aparece la variable en la
ventana de simulación.

FIGURA 3
e) Mediante el botón “Toggle cursor”
Seleccione los valores de R2, L y C, tal que pueda
, tome datos de los valores del voltaje
obtener los tres tipos de respuesta (amortiguada,
en la carga y descarga del capacitor,
subamortiguada y críticamente amortiguada) para
cuando el tiempo es igual a la constante
un circuito RLC.
de tiempo del circuito RC.
Para una respuesta sobre amortiguada se
f) Introduzca otra gráfica para visualizar el seleccionaron los siguientes datos
comportamiento de la corriente en el
capacitor. Seleccione la opción “Add L=50mH
Plot to Window” en el menú plot. C=10µF
g) Compare los resultados obtenidos en la R1=1kΩ
simulación con los resultados teóricos.
R2=200Ω

Para copiar la gráfica, haga clic en el menú

Window y luego en la opción “copy to
clipboard”. Recuerde que la gráfica ocupará el
espacio de una columna en el informe, verifique
que se puedan observar los datos dentro de la
gráfica. Evite las gráficas con fondo oscuro,
estas no permiten una buena visualización. Para una respuesta sub-amortiguada se
seleccionaron los siguientes valores:
L=50mH
C=10µF
R1=1kΩ
R2=141.42Ω

F. Circuito RLC.
Construya el circuito de la Figura 3. Es el mismo
circuito de la Figura 2 con un inductor en paralelo a
R2.

Para una respuesta críticamente amortiguada se

seleccionaron los siguientes valores:
L=50mH
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C=10µF
R1=1kΩ
R2=70Ω

Conclusiones:
Al variar los valores de resistencia, se lograron las
tres respuestas características:
• Sobreamortiguada (R₂ = 200 Ω): Respuesta
lenta sin oscilaciones.
• Subamortiguada (R₂ = 141.42 Ω):
Oscilaciones decrecientes, evidenciando un
amortiguamiento bajo.
• Críticamente amortiguada (R₂ = 70 Ω):
Respuesta óptima sin oscilaciones y tiempo
de estabilización mínimo.

III. CONCLUSIONES

OrCAD demostró ser una plataforma eficaz para

predecir comportamientos de circuitos, optimizando
tiempo y recursos al evitar implementaciones físicas
preliminares. La generación de gráficas y el uso de
marcadores facilitaron el análisis comparativo entre
simulaciones y teoría.