INSTITUTO SUPERIOR UNIVERSITARIO
“CENTRAL TÉCNICO”
Integrantes: Simbaña Zapata Charly sebastian Ing. JAIME EDUARDO LEÓN ALMEIDA
Fecha: 15/06/2024 Sección: Nocturna
Asignatura: Vehículos Híbridos
Aula: 4“B”
TAREA 2
MOSFET/IGBT
Los MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor de óxido de metal) y los IGBT (transistor bipolar
de puerta aislada) son transistores de potencia que se utilizan para controlar la salida en muchos
servovariadores. Ambos transistores de potencia son dispositivos semiconductores de potencia de tres
terminales que se utilizan para conmutar y amplificar señales electrónicas.
Figura 1. MOSFET/IGBT
MOSFET
El MOSFET es un transistor de efecto de campo que consta de tres componentes: una fuente, un drenaje y
una compuerta. El MOSFET funciona variando el ancho de un canal entre los nodos de fuente y drenaje a lo
largo del cual fluyen los portadores de carga. El voltaje que se aplica a través de la compuerta controla el
tamaño del canal que determina el flujo de corriente hacia el drenaje.
Los MOSFET solo tienen 2 capas de sustrato tipo P y N, lo que reduce su capacidad de voltaje en comparación
con los IGBT, pero les permite manejar velocidades de conmutación más rápidas.
Los MOSFET más recientes han podido manejar voltajes mucho más altos, pero esto conlleva un mayor
tamaño y costo. Los MOSFET se utilizan comúnmente en electrónica y robótica automotriz debido a sus
rápidas velocidades de conmutación. Los MOSFET también se pueden utilizar para muchas aplicaciones
industriales dependiendo del voltaje y las condiciones de conmutación.
IGBT
El IGBT es un transistor bipolar, que también consta de tres componentes: un emisor, un colector y una
compuerta. Los IGBT tienen las capacidades de entrada de alta corriente y voltaje de baja saturación de los
transistores bipolares con las características de salida de MOSFET.
A diferencia de los MOSFET, los IGBT están controlados por corriente, lo que produce un campo magnético
en lugar de un campo eléctrico y una corriente dominante de portador minoritario. Los IGBT tienen múltiples
capas de sustrato P y N que les dan la ventaja de manejar altos voltajes en comparación con los MOSFET.
Estas capas adicionales tienen la desventaja de velocidades de conmutación más bajas; sin embargo, las
innovaciones en la tecnología IGBT han permitido que estos transistores tengan velocidades de conmutación
comparables a las de los MOSFET.
Los IGBT se utilizan en muchas aplicaciones industriales y automotrices y tienden a ser preferidos para
electrodomésticos como unidades de aire acondicionado y refrigeradores. Al igual que los MOSFET, las
aplicaciones específicas de los IGBT dependen del voltaje y las condiciones de conmutación.
Comparando MOSFET vs IGBT
MOSFET IGBT
Similitudes de Compuesto por sustratos tipo P y N para permitir y controlar el flujo de
construcción corriente.
Dos capas de sustrato tipo P y N Múltiples capas de sustrato de P y
Diferencias de ayudan en la alta frecuencia de N le dan al IGBT una alta
construcción conmutación, contiene diodo de conductividad, no tiene diodo de
drenaje del cuerpo drenaje del cuerpo
Dispositivos portadores Dispositivos portadores
mayoritarios impulsados por minoritarios controlados
Control
voltaje, producen un campo actualmente, producen campo
eléctrico. magnético
Se puede utilizar en unidades digitales y analógicas; ambos se utilizan en
servovariadores disponibles en el mercado y personalizados. Sus pequeños
Usos
tamaños han llevado a la posibilidad de servoaccionamientos más pequeños
como la serie µZ.
Similitudes de Transistores de tres terminales compuestos por un circuito de
interfaz accionamiento de puerta relativamente simple
Diferencias de
Fuente, Drenaje, Puerta Emisor, Colector, Puerta
interfaz
Tensión de
Normalmente <250 V Capaz de >1000V
funcionamiento
Frecuencia de
Alto +100kHz Bajo ~20kHz
cambio
Innovaciones futuras
Bantval Jayant Baliga, el inventor del IGBT, ahora pretende revolucionar y reemplazar los IGBT y MOSFET
con transistores de potencia de carburo de silicio. Mientras realizaba una investigación en la Universidad
Estatal de Carolina del Norte, Baliga descubrió que el carburo de silicio demostró ser más de 100 veces más
eficiente que el silicio que viene de serie en los MOSFET e IGBT. El carburo de silicio permite que los
transistores cambien más rápido y soporten temperaturas extremadamente altas y se espera que sea
extremadamente útil en la producción de vehículos autónomos donde la electrónica debe ser resistente y capaz
de soportar altas temperaturas. Sin embargo, los transistores de carburo de silicio tienen un precio mucho más
alto que los IGBT de silicio y no han demostrado ser económicamente sostenibles para la mayoría de los
fabricantes de productos electrónicos, incluso con su mayor eficiencia energética y robustez. Se estima que
solo los IGBT han ahorrado 25 billones de dólares debido a la mejora de la eficiencia energética; los
transistores de carburo de silicio probablemente podrían allanar el camino para reducir nuestro consumo de
energía y disminuir la necesidad de combustibles fósiles.
Bibliografías:
• Mosfet/igbt . (2017, 9 de enero). Controles de movimiento AVANZADOS.
[Link]
• (Dakota del Norte). [Link]. Recuperado el 15 de junio de 2024 de
[Link]
si-igbt
