UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉXICO

FACULTAD DE INGENIERÍA

Laboratorio de fundamentos de sistemas electrónicos

analógicos

2025-1

Práctica 3

AMPLIFICADORES EN SEÑAL PEQUEÑA

Prof. Salvador Emilio Sierra Benavidez

Santander López Oscar Aldair

Sánchez Castillo Javier
Cedillo Nava Mariano Mikael

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Índice
1. Objetivos 3

2. Material 3

3. Trabajo Previo 3
3.1. Primera sesión . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
3.2. Segunda sesión . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
3.3. Tercera sesión . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

4. Desarrollo 20
4.1. Primera sesión . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
4.2. Segunda sesión . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
4.3. Tercera sesión . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

5. Resultados 23
5.1. Primera sesión . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
5.2. Segunda sesión . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
5.3. Tercera sesión . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

6. Conclusiones 24

7. Referencias 25

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1. Objetivos
Analizar, diseñar e implementar configuraciones básicas de circuitos amplificadores de una etapa,
con transistores bipolares de juntura y transistores de efecto de campo.
Analizar, diseñar e implementar las siguientes configuraciones: par Darlington, Cascodo y Par dife-
rencial.

2. Material
Tableta de pruebas (protoboard)
Transistores FET, TBJ
Resistencias de diferentes valores
Multímetro
Fuente de poder
Osciloscopio
Cables (banana-caimán, caimán-caimán, BNC-caimán)

3. Trabajo Previo
3.1. Primera sesión
Investigar las principales características del amplificador en configuración Emisor Común y
del amplificador en Fuente Común.
Amplificador en Configuración de Emisor Común (TBJ):
1. Ganancia de Voltaje: Proporciona una alta ganancia de voltaje y depende de las resistencias en el
circuito y de las características del transistor. Puede alcanzar valores significativos, dependiendo de
cómo se polarice el transistor.
2. Inversión de Fase: El amplificador invierte la señal de entrada, esto significa que si la señal de entrada
tiene una fase positiva, la señal de salida tendrá una fase negativa, y viceversa.
3. Impedancia de Entrada: La impedancia de entrada es moderada, generalmente en el rango de kilo-
ohms. Está determinada principalmente por la resistencia de base RB y la ganancia en corriente beta
del transistor.
4. Impedancia de Salida: La impedancia de salida es relativamente baja, lo que lo hace adecuado para
acoplar con otras etapas o para cargar dispositivos con una impedancia de entrada baja.
5. Aplicaciones: Es ampliamente utilizado en aplicaciones de amplificación de señales de pequeña señal,
como en preamplificadores de audio, circuitos de radiofrecuencia, entre otros.
Amplificador en Configuración de Fuente Común (FET):
1. Ganancia de Voltaje: También proporciona una alta ganancia de voltaje, similar a la configuración
de emisor común, sin embargo depende de la transconductancia gm del transistor FET y de las
resistencias en el circuito.
2. Inversión de Fase: Al igual que el emisor común, el amplificador en configuración de fuente común
invierte la fase de la señal de entrada en la salida.

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 3. Impedancia de Entrada: La impedancia de entrada es alta, en el rango de megaohms, esto lo hace
funcional para amplificar señales provenientes de fuentes de alta impedancia.
4. Impedancia de Salida: La impedancia de salida es moderada, generalmente más alta que en la
configuración de emisor común, lo que puede requerir un circuito adaptador de impedancia en algunas
aplicaciones.
5. Aplicaciones: Se utiliza en aplicaciones donde se requiere una alta impedancia de entrada, como en
amplificadores de instrumentos, preamplificadores de audio, y circuitos de alta frecuencia.
Ambos amplificadores tienen un comportamiento muy similar en cuanto a inversión de fase y ganancia de
voltaje. Por lo que la elección entre un amplificador en emisor común o fuente común se basa en el tipo
de transistor disponible (TBJ o FET) y las especificaciones del circuito, como la impedancia de entrada
requerida y las características de la señal a amplificar

¿A qué se le llama señal pequeña? ¿Cuál es la condición en TBJ y FET?

La señal pequeña son aquellas variaciones de voltaje o corriente que son lo suficientemente pequeñas
como para que el comportamiento del dispositivo amplificador (como un transistor BJT o FET) se pueda
considerar lineal. Esto permite aplicar técnicas de análisis lineal para estudiar el comportamiento del
amplificador sin tener en cuenta la distorsión que podría surgir en señales más grandes.
Condiciones para TBJ:
Para que un BJT opere en la región de pequeña señal, debe cumplir con las siguientes condiciones:
Punto de operación (Q): El transistor debe estar polarizado en la región activa, donde su comporta-
miento es lineal. Esto se logra seleccionando un punto de reposo adecuado en la línea de carga.
Variaciones pequeñas: Las variaciones de la señal de entrada deben ser pequeñas en comparación
con las corrientes y voltajes de polarización. Esto asegura que el transistor no entre en saturación o
corte, lo que causaría distorsión.
Modelo lineal: En el análisis de pequeña señal, se utiliza un modelo lineal que representa el transistor
como un circuito equivalente, permitiendo simplificar el análisis de amplificación.
Para que el análisis de señal pequeña sea válido, la señal de entrada Vbe se debe cumplir Vbe ´ VT , donde
este último es el voltaje térmico. Si esta condición se cumple, se puede linealizar la relación exponencial
entre IC y Vbe mediante una aproximación lineal iC = ICQ + (ICQ /VT ) * Vbe. Transistor de Efecto de
Campo (FET):

Para los FET, las condiciones son similares pero adaptadas a su funcionamiento:
Punto de operación: Al igual que en los BJT, el FET debe estar polarizado en su región activa. Esto
se logra mediante una correcta elección de la tensión de puerta (Vgs).
Variaciones pequeñas: Las señales de entrada deben ser pequeñas en relación a la tensión de polari-
zación para que el FET mantenga un comportamiento lineal y no entre en la región de saturación.
Modelo lineal: Se utiliza un modelo de pequeña señal que permite representar el FET como un
circuito lineal, facilitando el análisis de su ganancia y comportamiento.
Para un FET, la señal Vgs debe ser pequeña con la diferencia entre VGSQ y el voltaje de umbral Vth , por
lo que debe complir Vgs ´ (VGSQ - Vth ). Bajo esa condición, la corriente de drenaje se puede expresar
linealmente con la expresión id = IDQ + gm * Vgs .

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Analizar, diseñar y simular un amplificador emisor común con las siguientes especificaciones:
VCC = 12[V ] ; ICQ = 2[mA] ; VCEQ = 6[V ] ; AV 0 = −100, vs = 10sen(ωt)[mV ], f = 1[KHz] y
RL = 1[KΩ]

Figura 1: Simulación del circuito a implementar

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 Figura 2: Punto de operación

Figura 3: Demostración de la ganancia aproximadamente de 80

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Analizar, diseñar y simular un amplificador fuente común con las siguientes especificaciones:
VDD = 12[V ] ; IDQ = 2[mA] ; VCEQ = 6[V ] ; AV 0 = −10, vs = 10sen(ωt)[mV ], f = 1[KHz]

7
 Figura 4: Circuito a implementar

Figura 5: Punto de operación

Figura 6: Demostración de la ganancia aproximadamente de 9.5

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3.2. Segunda sesión
Analizar y simular el siguiente circuito
Ajuste los valores de la beta de transistores para tener la respuesta lo “más real” posible.
Mida la Av0 y Av , Ai con las siguientes resistencias: RL = 10[KΩ]; RL = 1[KΩ]; RL = 100[Ω] ,
RL = 10[Ω]

Figura 7: Circuito a caracterizar

Figura 8: Circuito a caracterizar

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Figura 9: Punto de operación

Figura 10: AV = 78.9

10
Figura 11: RL = 10K; AV = 65.99

11
Figura 12: RL = 1K; AV = 26.06

12
Figura 13: RL = 100; AV = 3.5

13
Figura 14: RL = 10; AV = 0.4

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3.3. Tercera sesión
Analizar y simular el siguiente circuito

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16
Figura 15: Punto de operación de los transistores

17
Figura 16: Mediciones sin carga

Figura 17: Mediciones con carga

18
Analizar y simular el siguiente circuito

Al momento de realizar esta parte, no se tenían los conceptos suficientes como para analizar lo que se
solicitaba

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4. Desarrollo
4.1. Primera sesión

Figura 18: Circuito armado para transistor JFET

Figura 19: Ganancia del circuito JFET

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 Figura 20: Circuito armado para transistor MOSFET

Figura 21: Ganancia del circuito MODSFET

4.2. Segunda sesión

Puntos de operación para Q1 y Q2: VCEq1 = 6.44 V VCEq2 = 7.23 V

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 Figura 22: Ganancia sin corriente

Figura 23: Ganancia con resistencia de 10 kilo ohms

Figura 24: Ganancia con resistencia de 1 kilo ohm

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 Figura 25: Ganancia con resistencia de 100 ohms

Figura 26: Ganancia con resistencia de 10 ohms

4.3. Tercera sesión

Por cuestiones de tiempo, no se pudo realizar esta parte en la práctica

5. Resultados
5.1. Primera sesión
Tabla 1: Comparativa del circuito de realimentación

– TEO SIM EXP % ERROR

AVBJT -100 -80 -94 6%
AVF ET -10 -9.5 -10 0%

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5.2. Segunda sesión

Tabla 2: Comparativa del circuito de realimentación

Av AVSIM Ai
0 [k ohms] 47.24137931 78.9 0
10 [k ohms] 40.25862069 65.99 104.3478261
1 [k ohms] 15.72649573 26.06 104.3478261
100 [ohms] 2.101694915 3.5 104.3478261
10 [ohms] 1.190909091 0.4 104.3478261

5.3. Tercera sesión

Para la tercera sesión, se realizaron los circuitos, sin embargo por falta de tiempo durante las prácticas, no
se pudieron llevar a cabo las mediciones pertinentes, por lo que únicamente fue posible hacer la realización
de las actividades propuestas durante el trabajo previo.

6. Conclusiones
Cedillo Nava Mariano Mikael
La señal pequeña es fundamental para analizar y diseñar amplificadores, ya que nos permite estudiar
el comportamiento del circuito ante pequeñas variaciones en la señal de entrada.
Durante las tres sesiones de prácticas, se implementaron y evaluaron diversas configuraciones de
amplificadores en señal pequeña utilizando transistores bipolares (BJT) y de efecto de campo (FET).
Este tipo de análisis permitió entender cómo afectan las diferentes topologías a la ganancia, la
impedancia de entrada y salida, y la estabilidad del circuito. Al estudiar configuraciones como el
amplificador Darlington, cascode y el par diferencial, se observó cómo cada una optimiza distintos
aspectos del rendimiento del amplificador. Sin embargo, no se cumplieron los objetivos en su totalidad
por falta de tiempo a la hora de realizar las mediciones, lo que dificultó la entrega de la práctica
y la parte experimental del curso; de cualquier forma se establece un aprendizaje teórico que es
igualmente aprovechado durante el trabajo previo.
En cualquier caso, realizar estas actividades tanto teóricas como prácticas nos sirven de aprendizaje
y para solidificar las configuraciones para amplificadores es diversas situaciones.
Santander López Oscar Aldair:
Los objetivos de la práctica no se cumplieron satisfactoriamente debido a que a pesar de analizar
e implementar los diseños solicitados, hubo bastantes variaciones tanto en la teoría como en las
simulaciones, esto se debe a que los circuitos se implementaron en sesiones diferentes por lo que
no siempre se usaron los mismos transistores para todos los casos (en el caso de las actividades de
la primera sesión). Además, los simuladores nos limitaron bastantes parámetros que es posible que
hayan influido demasiado en los resultados.
A pesar de ello, las actividades de la primera y segunda sesión fueron hechas, donde logramos la
ganancia de -100 para el amplificador emisor común; y la ganancia de -10 para el amplificador fuente
común.
En el caso de la actividad de la segunda sesión, los valores de ganancia de voltaje fueron distintos
tanto en la simulación como en la práctica, pero lo que podemos sacar de ello es que ambas disminuyen

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 a medida que la resistencia de carga disminuye su valor hasta llegar a 10.
Las actividades de la tercera sesión no se pudieron realizar por falta de tiempo en el laboratorio.
Sanchez Castillo Javier:

Para esta practica, comprobamos un echo muy importante, y es que hay dos valores que pueden afectar
mucho nuestros resultados finales en el area practica, y estos no son el armado del circuito o el escoger
correctamente los componentes, si no también que al menos en el laboratorio donde realizamos estas
practicas, la entrada de nuestro circuito es de al menos unos 30-40 mV, y al ser la condición de señal pequeña
de 10mV para transistores BJT , y 100mV para transistores Mosfet, nuestros generados de funciones tenían
una escala insuficiente para la realización de estos experimentos.
Perdimos demasiado tiempo ajustando nuestra señal de entrada y también ajustando nuestros análisis y
simulaciones del trabajo previo para que estos coincidieran con la realidad que estábamos viviendo en el
laboratorio, por ejemplo en algunos smiuladores no se puede modificar el valor de K para los Mosfet, esto
afectando gravemente el resultado de las ganancias de voltaje y corriente esperados.
Aun asi , creo que con la realización de esta practica, podemos observar como a veces incluso el ruido de
una señal a tan bajos voltajes puede provocar vibraciones en la señal de entrada y de salida de nuestro
circuito y también afectarnos.
Por ultimo quisiera mencionar que en la tercera sesión debido a falta de tiempo y ajustes de los últimos
amplificadores, no logramos completarlos, pero nuestros análisis del previo fueron correctos y parecieron
ajustar a los resultados obtenidos por otras brigadas.

7. Referencias
Boylestad R. (1997). Electrónica: Teoría de Circuitos. Estado de México. México. Pearson Education
Neamen D. (2010). Microelectronics circuit analysis and design. New York. [Link]. McGraw Hill.

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