ENERGÍA SOLAR FOTOVOLTAICA

Tema 2. Teoría de semiconductores: el efecto

13/12/2024 fotovoltaico
Eduardo Collado Fernández Madrid, 2025
 CONTENIDOS PROFESOR EDUARDO COLLADO

Introducción. Presentación General, estado del arte

Unidad 1. Caracterización de la radiación solar

Tema 1. Conceptos básicos de la radiación y medición y estimación del recurso solar
Tema 2. Teoría de semiconductores: el efecto fotovoltaico
Tema 3. La célula fotovoltaica

Unidad 2. Descripción de las tecnologías de células solares

Tema 4. Descripción de tecnologías de células solares y procesos de fabricación
Tema 5. Células solares de segunda y tercera generación

Unidad 3. Descripción del generador fotovoltaico y la tecnología de concentración

Tema 6. El generador fotovoltaico
Tema 7. Tecnología fotovoltaica de concentración

Eduardo Collado Fernández Madrid, 2025 13/12/2024

Tema 2. Teoría de semiconductores: el efecto fotovoltaico

Eduardo Collado Fernández Madrid, 2025 13/12/2024

Unidad 1
Tema 2. Teoría de semiconductores: el efecto fotovoltaico

13/12/2024
NOMBRE PROGRAMA / Nombre profesor www.eoi.es
PRESENTACIÓN

La energía solar fotovoltaica convierte la energía que procede del Sol directamente en energía eléctrica.
Esta conversión se realiza en las células solares, con base en una propiedad física de los elementos semiconductores conocida
como efecto fotovoltaico.
Para convertir la energía del Sol en energía eléctrica y poder utilizarla de la forma más eficiente posible se diseñan los sistemas
fotovoltaicos.
Estos sistemas constan de diferentes elementos (receptores, inversores, baterías, células solares ...) con los que el alumno se irá
familiarizando a lo largo de este módulo.

El efecto fotovoltaico, descubierto en 1839 por el físico francés Alexandre-Edmond Becquerel, consiste en la transformación directa
de la radiación solar en energía eléctrica.

• En primer lugar, se introducen conceptos básicos de la teoría de semiconductores, comenzando por el modelo atómico como punto
de apoyo para explicar la unión p-n en semiconductores partiendo de su estructura atómica como fuente de la fuerza electromotriz
que crea un movimiento de cargas eléctricas (intensidad de corriente eléctrica) a lo largo de un conductor realizando un trabajo
(denominado diferencia de potencial).
• Seguidamente, se explican los principios físicos según los cuales funciona una célula solar fotovoltaica, así como su curva
característica I-V y los factores que influyen en su eficiencia.

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ANTECEDENTES DEL EFECTO FOTOVOLTAICO

Los hitos más importantes para el desarrollo de las células fotovoltaicas fueron los siguientes:

• El efecto fotovoltaico fue reconocido por primera vez en 1839 por el físico francés Alexandre-Edmond Becquerel (1820-1891). Sus
estudios sobre el espectro solar, magnetismo, electricidad y óptica son el pilar científico de la energía fotovoltaica.
• En 1883 el inventor norteamericano Charles Fritts construye la primera celda solar con una eficiencia del 1 %. La primera célula
solar fue construida utilizando como semiconductor el selenio con una muy delgada capa de oro. Debido al alto coste de esta célula,
se utilizó para usos diferentes a la generación de electricidad.
• En 1905 Albert Einstein consigue explicar el efecto fotovoltaico y en 1921 recibe el Premio Nobel de Física por sus servicios “a la
teoría de la física y en especial su descubrimiento de las leyes del efecto fotovoltaico”.
• La célula de silicio que hoy día utilizan proviene de la patente del inventor norteamericano Russell Ohl (1898-1987). Fue construida
en 1940 y patentada en 1946.
• La época moderna de la célula de silicio llega en 1954 en los Laboratorios Bell Telephone. Experimentando con semiconductores,
se encontró de forma accidental que el silicio con algunas impurezas era muy sensible a la luz.
• En 1958, Estados Unidos lanzó al espacio el satélite Vanguard I que integraba el primer sistema fotovoltaico operado con éxito,
constituido por seis paneles montados sobre superficie exterior de cuerpo esférico. Cada panel alojaba 18 células de silicio
policristalino. La potencia que suministró fue de 50-100 W durante seis años.

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HISTORIA FOTOVOLTAICA

Del punto de partida a la primera célula de silicio

1839 Como punto de partida se considera a Edmund Becquerel, un físico francés que descubrió el efecto
fotovoltaico cuando experimentaba con dos electrodos metálicos en una solución conductora, y
apreció un aumento de la generación eléctrica con la luz.

1873 Willoughby Smith descubre el efecto fotovoltaico en sólidos, en el selenio.

1877 W.G.Adams y R.E.Day producen la primera célula fotovoltaica de selenio.

1904 Albert Einstein publica un artículo sobre el efecto fotovoltaico, al mismo tiempo que otro sobre la
teoría de la relatividad.

1921 Einstein gana el premio Nobel por sus teorías de 1904 sobre el efecto fotovoltaico. Curiosamente,
no recibió el premio ni leyó el discurso en Gotemburgo (Suecia) hasta 1923.

1954 Los investigadores D.M.Chaplin, C.S. Fuller y G.L.Pearson de los Laboratorios Bell en Murray Hill,
New Jersey, producen la primera célula de silicio, publican en el artículo “A New Silicon p-n junction
Photocell for converting Solar Radiation into Electrical Power”, y hacen su presentación oficial en
Washington (26 abril).

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La historia FV 7
HISTORIA FOTOVOLTAICA

De las aplicaciones espaciales hasta la producción industrial

1955 Se le asigna a la industria americana la tarea de producir elementos solares fotovoltaicos para
aplicaciones espaciales. Hoffman Electronic, empresa de Illinois (EE.UU.) ofrece células del 3% de
14mW a 1.500 $/Wp).
1957 Hoffman Electronic alcanza el 8 % de rendimiento en sus células.
1958 El 17 de marzo se lanza el Vanguard I, el primer satélite alimentado con energía solar fotovoltaica.
El satélite lleva 0,1W superficie aproximada de 100 cm2, para alimentar un transmisor de respaldo
de 5 mW, que estuvo operativo 8 años. La Unión Soviética, muestra en la exposición Universal de
Bruselas sus células con tecnología de silicio.
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1959 Hoffman Electronic alcanza el 10 % de rendimiento en sus células comerciales.
1962 Se lanza el primer satélite comercial de telecomunicaciones, el Telstar, con una potencia
fotovoltaica de 14W.
1963 Sharp consigue una forma práctica de producir módulos de silicio; en Japón se instala un sistema
de 242W en un faro, el mas grande en aquellos tiempos.
1964 El navío espacial Nimbus se lanza con 470W de paneles fotovoltaicos.
1966 El observatorio astronómico espacial lleva 1kW de paneles solares.
1977 La producción de paneles solares fotovoltaicos en el mundo es de 500 kW.
1980 ARCO Solar (después Siemens, después Shell Solar) es la primera empresa con una producción
industrial de 1 MW de módulos al año.
2012 La cantidad de producción acumulada mundial en 2012 llego a los 100 GW.
2020 La cantidad de producción acumulada mundial en 2020 llego a 760 GW.
2022 La cantidad de producción acumulada mundial en 2022 llego a 1.185 GW.
2023 La cantidad de producción acumulada mundial en 2023 rozará los 1.600 GW.

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La historia FV
LA CÉLULA SOLAR – PRINCIPIOS FUNDAMENTALES

EL ÁTOMO: En esencia la constitución del átomo, refiriéndonos a su aspecto eléctrico, consta de un determinado número de
protones con carga positiva en el núcleo y una cantidad igual de electrones, con carga negativa, girando en diferentes órbitas del
espacio, denominada envoluta.

Estructura del Átomo

El número máximo de electrones que se pueden alojar en cada órbita es de 2n^2, siendo "n" el número de órbitas. Los electrones
giran en órbitas casi elípticas, en cada una de las cuales y según su proximidad al núcleo, solo pueden existir un número máximo de
electrones.
Atendiendo a la carga eléctrica como inicialmente mencionábamos, los átomos, se pueden clasificar en positivos, negativos y
neutros.

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LA CÉLULA SOLAR – PRINCIPIOS FUNDAMENTALES

Los átomos de elementos simples, cuando están completas sus órbitas son neutros, hay igual cantidad de electrones que de
protones; pero dado que los electrones de la última órbita son los más alejados del núcleo y por tanto, perciben menos su fuerza de
atracción, pueden salirse de dicha órbita denominada de valencia, dejando al átomo cargado positivamente por contener más
protones que electrones, si por el contrario en el último orbital del átomo hubiese alojado un electrón libre exterior al átomo habría
adquirido carga negativa, a estas dos situaciones se les denomina iones.

Estructura del Átomo

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LA CÉLULA SOLAR – PRINCIPIOS FUNDAMENTALES

ÁTOMOS ESTABLES E INESTABLES: Se llama átomo estable al que tiene completos los electrones de su última órbita, o al menos
dispone en ella de ocho electrones. Los átomos inestables, que son los que no tienen llena su órbita de valencia ni tampoco ocho
electrones en ella, tienen una gran propensión a convertirse en estables, bien desprendiéndose de los electrones de valencia o bien
absorbiendo del exterior electrones libres hasta completar la última órbita; en cada caso realizaran lo que menos energía suponga.

Estructura cristalina del Si

Cortesía de [email protected]
(c) Copyright C.R.Wie

1997-1998.

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LA CÉLULA SOLAR – PRINCIPIOS FUNDAMENTALES

CUERPOS CONDUCTORES Y AISLANTES: Los cuerpos conductores son aquellos cuyos átomos permiten fácilmente el paso de
electrones a su través. Un buen ejemplo de conductor es el Cobre (Cu) que dispone de un electrón inestable en su cuarta órbita con
una gran tendencia a desprenderse.
CUERPOS SEMICONDUCTORES INTRINSECOS: Mientras que los cuerpos buenos conductores ofrecen escasa resistencia al paso
de electrones, los aislantes la ofrecen elevadísima, y entre ambos extremos, se encuentran los semiconductores que presentan una
resistencia intermedia.
Un ejemplo de elemento semiconductor es el Silicio (Si), la característica fundamental de los cuerpos semiconductores es la de
poseer cuatro electrones en su órbita de valencia. Con esta estructura el átomo es inestable, pero para hacerse estable se le
presenta un dilema: y es que le cuesta lo mismo desprenderse de cuatro electrones y quedarse sin una órbita, que absorber otros
cuatro electrones para hacerse estable al pasar a tener ocho electrones. En estas especiales circunstancias, ciertos elementos como
el Silicio y el Germanio (Ge) agrupan sus átomos de manera muy particular, formando una estructura reticular en la que cada átomo
queda rodeado por otros cuatro iguales, propiciando la formación de los llamados enlaces covalentes. En estas circunstancias, la
estructura de los cuerpos semiconductores, al estabilizarse, debería trabajar como buen aislante, pero no es así a causa de la
temperatura. Cuanto mayor es la temperatura aumenta la agitación de los electrones y por consiguiente enlaces covalentes rotos,
dando lugar a electrones libres y huecos (falta de electrón).

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LA CÉLULA SOLAR – PRINCIPIOS FUNDAMENTALES

SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS: Como quiera que las corrientes que se producen en el seno de un semiconductor intrínseco
a la temperara ambiente son insignificantes, dado el bajo valor de portadores libres, para aumentarlos se les añaden otros cuerpos,
que se denominan impurezas. De esta forma es como se obtienen los semiconductores extrínsecos tan importantes en la energía
solar fotovoltaica.

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CONDUCTORES, AISLANTES Y SEMICONDUCTORES

Los cuerpos conductores son aquellos cuyos átomos permiten fácilmente el paso de electrones a través de ellos (tienen una EG = 0),
por ejemplo, el cobre, que dispone de un electrón inestable en su cuarta órbita con una gran tendencia a desprenderse. En cambio,
los aislantes ofrecen elevadísima resistencia al paso de electrones (EG > 4 eV muy elevado) y los semiconductores, que presentan
una resistencia intermedia.
A temperatura ambiente, un semiconductor tiene suficientes electrones libres para conducir la corriente. Cerca del cero absoluto un
semiconductor se comporta como un aislante. Podría parecer que la única diferencia entre un semiconductor, un conductor y un
aislante radica en que la conductividad eléctrica del primero se sitúa en un término medio. Desde luego, esa es una de sus
propiedades, pero hay más que resumimos aquí:
• En un conductor, la conducción de la corriente se puede explicar únicamente con base en electrones (partículas negativas), sin
embargo, para explicar los mecanismos de conducción de la corriente eléctrica en un semiconductor hay que recurrir a las partículas
positivas (huecos) y negativas (electrones).
• En un conductor, su resistencia aumenta con la temperatura, en un semiconductor intrínseco disminuye. En estos, la conductividad
está relacionada con la concentración intrínseca y como este número aumenta exponencialmente con la temperatura, la
conductividad también aumenta. Esta propiedad puede ocasionar algunos problemas en los dispositivos electrónicos prácticos, pero
se puede controlar si se introducen dopantes en el semiconductor de forma que el semiconductor se convierta en extrínseco.
• Cuando un semiconductor se ilumina con fotones con una energía mayor que la energía del gap, su conductividad aumenta. Esto es
debido a que la luz aumenta el número de partículas capaces de conducir la corriente.

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IMPUREZAS Y DOPANTES

Las impurezas o dopantes que se añaden a los semiconductores extrínsecos pueden ser de dos tipos:
• Donadoras: en su último nivel energético tienen un electrón más que los átomos que constituyen la red cristalina.
• Aceptadoras: de manera equivalente a las anteriores, son aquellas que poseen un electrón de menos.

Cuando en el semiconductor se introducen impurezas donadoras, estos átomos pueden perder un electrón fácilmente.
Introduciendo un número adecuado de impurezas se puede conseguir que el número de electrones en el semiconductor venga
determinado por este número de impurezas y no por la concentración intrínseca, dando origen a un semiconductor extrínseco tipo n
(por ejemplo, dopaje del silicio con elementos del grupo V, tipo fósforo o antimonio, cuyos átomos tienen 5 electrones de valencia).
Sin embargo, si en el semiconductor introducimos impurezas aceptadoras, estas capturan un electrón fácilmente dando lugar a un
hueco en la red cristalina.
Si se introduce en el semiconductor un número lo suficientemente elevado de impurezas de este tipo se puede obtener que el número
de huecos venga determinado por el número de impurezas y se tiene así un semiconductor extrínseco de tipo p (por ejemplo, dopaje
del silicio con elementos del grupo III, tipo boro, aluminio, indio o galio).

Dada la dependencia exponencial que tiene la concentración intrínseca respecto a la temperatura, si esta aumenta lo suficiente, el
semiconductor extrínseco puede pasar a intrínseco.
No obstante, en los semiconductores habituales de la industria electrónica no se presenta este problema, ya que en el entorno de 80
°C se sigue manteniendo el carácter extrínseco.

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TEORÍA DE SEMICONDUCTORES EL EFECTO FOTOVOLTAICO

Semiconductores tipo n: ejemplo, silicio dopado con antimonio

En la figura se presenta la estructura cristalina del silicio (Si) dopado con antimonio (Sb).

El átomo de antimonio (Sb) tiene 5 electrones de valencia, por lo que, al formar los cuatro enlaces covalentes, le sobra un electrón,
que se ioniza fácilmente (con una alta probabilidad) a temperatura ambiente, es decir, ese electrón se convierte en un portador de
carga libre. Por cada átomo de impurezas añadido aparece un electrón libre en la estructura. Aunque se añadan impurezas en
relación de uno a un millón, en la estructura del Si, además de los 1010 electrones y los 1010 huecos libres que existen por cm3, a la
temperatura ambiente, hay ahora que sumar una cantidad de electrones libres equivalente a la de átomos de impurezas. En estas
condiciones, el Si con impurezas de Sb alcanza 1016 electrones libres y 1010 huecos libres por cm3, siendo en consecuencia el
número de portadores de carga negativos mucho mayor que el de los positivos y, por el mismo motivo, se le asigna a este tipo de
semiconductores extrínsecos la clasificación de semiconductor tipo n. 13/12/2024
TEORÍA DE SEMICONDUCTORES EL EFECTO FOTOVOLTAICO

Semiconductores tipo p: ejemplo, silicio dopado con aluminio

La figura muestra la estructura cristalina del silicio (Si) dopado con aluminio (Al). Por cada átomo de impurezas que se añade al
semiconductor intrínseco aparece en la estructura un hueco, o, lo que es lo mismo, la falta de un electrón. Añadiendo un átomo de
impurezas por cada millón de átomos de semiconductor, existen 1016 huecos libres y 1010 electrones libres por cm3, a la temperatura
ambiente. Como hay mayor número de cargas positivas o huecos, el semiconductor extrínseco así formado recibe el nombre de
tipo p.

Al colocar parte del semiconductor tipo p junto a otra parte del semiconductor tipo n, debido a la ley de difusión los electrones de la
zona n, donde hay alta concentración de estos, tienden a dirigirse a la zona p, que apenas los tiene, sucediendo lo contrario con los
huecos, que tratan de dirigirse de la zona p, donde hay alta concentración de huecos, a la zona n. Eso ocasiona su encuentro y
neutralización en la zona de unión. Al encontrarse un electrón con un hueco desaparece el electrón libre, que pasa ocupar el lugar del
hueco, y por lo tanto también desaparece este último, formándose en dicha zona de la unión una estructura estable y neutra. 13/12/2024
TEORÍA DE SEMICONDUCTORES EL EFECTO FOTOVOLTAICO

Efecto fotovoltaico
El efecto fotovoltaico consiste en la transformación directa de la radiación solar en electricidad cuando esta incide sobre
determinados materiales denominados semiconductores, los cuales en determinadas circunstancias son capaces de producir una
fuerza electromotriz que origina un movimiento de cargas eléctricas a lo largo de un conductor realizando un trabajo (denominado
diferencia de potencial) (ver figura).

Al ponerse en contacto un material semiconductor tipo n con otro tipo p, se crea una unión p-n. Los electrones en exceso del material
de tipo n y los huecos del material de tipo p tienden a difundirse a través de la superficie común de separación, de forma que el
semiconductor de tipo n se carga positivamente y el tipo p negativamente, estableciéndose así una diferencia de potencial, la cual da
lugar a un campo eléctrico.
Al incidir la radiación solar sobre el semiconductor, si el fotón tiene mayor energía que la de la banda prohibida y, por lo tanto, es
absorbido, tendrá la posibilidad de excitar un electrón de la banda de valencia a la banda de conducción y, al mismo tiempo, dejará un
hueco en su lugar. Estos pares electrón-hueco, por efecto del campo eléctrico, adquieren movimiento y pueden ser recogidos
mediante un conductor, apareciendo una corriente eléctrica.

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TEORÍA DE SEMICONDUCTORES EL EFECTO FOTOVOLTAICO

Efecto fotovoltaico
Los fotones que llegan a un material semiconductor se pueden dividir en tres grupos en función de su energía en comparación con la
banda prohibida del semiconductor:
• Eph < EG: fotones con energía, Eph menor que la energía banda prohibida EG; interactúan solo débilmente con el semiconductor,
pasando a través de él como si fuera transparente.
• Eph = EG: tiene suficiente energía para crear un par electrón-hueco y son absorbidos eficientemente.
• Eph > EG: los fotones con energía mucho mayor que la banda prohibida son fuertemente absorbidos. Sin embargo, para
aplicaciones fotovoltaicas, la energía del fotón mayor que la banda prohibida se desperdicia cuando los electrones rápidamente
vuelven a los bordes de la banda de conducción en un proceso térmico.
Para que se produzca el efecto fotovoltaico debe cumplirse que:

Significado de las variables:

• h es la constante de Planck.
• c es la velocidad de la luz.
• λ es la longitud de onda.

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TEORÍA DE SEMICONDUCTORES EL EFECTO FOTOVOLTAICO

Efecto fotovoltaico
El efecto fotovoltaico también se puede explicar desde un punto de vista cuántico.
Según esta perspectiva, su funcionamiento se basa en la capacidad de transmitir la energía de los fotones de la radiación solar a los
electrones de valencia de los materiales semiconductores, de manera que estos electrones rompen su enlace, que anteriormente los
tenía ligados a un átomo, y pasan a la banda de conducción. Por cada enlace que se rompe se genera un par electrón y un hueco
(falta de electrón en un enlace roto) para circular dentro del semiconductor (ver figura).
El movimiento de los electrones y huecos en sentidos opuestos (inducido por los fenómenos de difusión y la existencia de un campo
eléctrico, como se verá posteriormente) genera una corriente eléctrica en el semiconductor, corriente que puede circular por un
circuito externo y liberar la energía cedida por los fotones para crear los pares electrón-hueco.
El campo eléctrico necesario al que hacíamos referencia anteriormente se consigue con la unión de dos semiconductores de
diferente dopado, como se vio al principio de esta sección: un semiconductor tipo p (exceso de huecos) y otro tipo n (exceso de
electrones), cuya unión crea el campo eléctrico E.
Las células fotovoltaicas suministran un voltaje que tiene una relación logarítmica con la intensidad de la radiación incidente. No
todas las longitudes de onda son aprovechables, sino que depende del material.
Solo son aprovechables las radiaciones incidentes que tengan una energía igual o superior al gap de energía que presenta el
material. En el silicio, por ejemplo, las longitudes de onda aprovechables de los fotones provenientes del sol están entre los 300 nm y
los 1.150 nm.

13/12/2024
LA CÉLULA SOLAR – TEORIA DE SEMICONDUCTORES

UNION DEL SEMICONDUCTOR P CON EL N: Al colocar parte del semiconductor TIPO P junto a otra parte del semiconductor TIPO
N, debido a la ley de difusión los electrones de la zona N, donde hay alta concentración de estos, tienden a dirigirse a la zona P, que
apenas los tiene, sucediendo lo contrario con los huecos, que tratan de dirigirse de la zona P, donde hay alta concentración de
huecos, a la zona N. Eso ocasiona su encuentro y neutralización en la zona de unión. Al encontrarse un electrón con un hueco
desaparece el electrón libre, que pasa ocupar el lugar del hueco, y por lo tanto también desaparece este último, formándose en dicha
zona de la unión una estructura estable y neutra.

Estructura unión PN

13/12/2024
LA CÉLULA SOLAR – TEORIA DE SEMICONDUCTORES

Como quiera que la zona N era en principio neutra y al colocarla junto a la zona P pierde electrones libres, hace que cada vez vaya
siendo más positiva, mientras que la zona P, al perder huecos, se hace cada vez más negativa. Así aparece una diferencia de
potencial entre las zonas N y P, separadas por la zona de unión que es neutra. La tensión que aparece entre las zonas, llamada
barrera de potencial se opone a la ley de difusión, puesto que el potencial positivo que se va creando en la zona N repele a los
huecos que se acercan de P, y el potencial negativo de la zona P repele a los electrones de la zona N. Cuando ambas zonas han
perdido cierta cantidad de portadores mayoritarios que se han recombinado, la barrera de potencial creada impide la continuación de
la difusión y por tanto la igualación de las concentraciones de ambas zonas. La barrera de potencial es del orden de 0.2V cuando el
semiconductor es de Ge y de unos 0.5V cuando es de Si.

Banda de Energía Prohibida

13/12/2024
LA CÉLULA SOLAR – EL EFECTO FOTOVOLTAICO

Las aplicaciones de la energía solar fotovoltaica están basadas en el aprovechamiento del efecto fotovoltaico que tiene mucho que
ver con lo explicado anteriormente. De forma muy resumida y desde el punto de vista eléctrico, el “efecto fotovoltaico” se produce al
incidir la radiación solar (fotones) sobre los materiales que definimos al principio como semiconductores extrínsecos. La energía que
reciben estos provenientes de los fotones, provoca un movimiento caótico de electrones en el interior del material.

El Efecto Fotovoltaico

13/12/2024
LA CÉLULA SOLAR – EL EFECTO FOTOVOLTAICO

Al unir dos regiones de un semiconductor al que artificialmente se había dotado de concentraciones diferentes de electrones,
mediante los elementos que denominábamos dopantes, se provocaba un campo electrostático constante que reconducía el
movimiento de electrones. Recordemos que este material formado por la unión de dos zonas de concentraciones diferentes de
electrones la denominábamos unión PN, pues la célula solar en definitiva es esto; una unión PN en la que la parte iluminada será el
tipo N y la no iluminada será el tipo P.

El Fotón en el Efecto Fotovoltaico

13/12/2024
LA CÉLULA SOLAR – EL EFECTO FOTOVOLTAICO

De esta forma, cuando sobre la célula solar incide la radiación, aparece en ella una tensión análoga a la que se produce entre las bornas
de una pila. Mediante la colocación de contactos metálicos en cada una de las caras puede “extraerse” la energía eléctrica, que se
utilizará para alimentar una carga.
Por otro lado, y dando una explicación desde un punto de vista cuántico, su
funcionamiento se basa en la capacidad de transmitir la energía de los fotones de
la radiación solar a los electrones de valencia de los materiales semiconductores,
de manera que estos electrones rompen su enlace que anteriormente los tenía
ligado a un átomo. Por cada enlace que se rompe queda un electrón y un hueco
(falta de electrón en un enlace roto) para circular dentro del semiconductor. El
movimiento de los electrones y huecos en sentidos opuestos (conseguido por la
existencia de un campo eléctrico como veremos posteriormente) genera una
corriente eléctrica en el semiconductor la cual puede circular por un circuito
externo y liberar la energía cedida por los fotones para crear los pares electrón-
hueco. El campo eléctrico necesario al que hacíamos referencia anteriormente se
consigue con la unión de dos semiconductores de diferente dopado, Un
semiconductor tipo P (exceso de huecos) y otro tipo N (exceso de electrones),
que al unirlos crea el campo eléctrico E.

El Efecto Fotovoltaico

13/12/2024
LA CÉLULA SOLAR – EL EFECTO FOTOVOLTAICO

Célula solar
Los componentes optoelectrónicos son aquellos cuyo funcionamiento está relacionado directamente con la luz. La optoelectrónica es la tecnología que combina la óptica y la electrónica.
Este campo incluye a muchos dispositivos basados en la acción de una unión pn. 13/12/2024
LA CÉLULA SOLAR – QUE ES LA ENERGÍA SOLAR FOTOVOLTAICA

13/12/2024
LA CÉLULA SOLAR – EL EFECTO FOTOVOLTAICO

13/12/2024
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