FACULTAD DE INGENIERÍA EN SISTEMAS

Departamento de Informática y Ciencias de la Computación

PRÁCTICA 4 DE FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA PARA

COMPUTACIÓN
TEMA: Transistores BJT
Nombre: Josue Delgado, Mateo Aguirre, Eduardo Castro, Jorge Oviedo.
Carrera: Software
Grupo: E
Fecha: 12/12/2024

Índice de Contenidos
1. OBJETIVOS ............................................................................................................................ 2
2. INFORME ................................................................................................................................ 2
2.1. Implementar el circuito de la Figura 1. Utilizar un vaso con tierra húmeda. ...................... 2
2.2 Determinar en el datasheet del transistor que posea, la ganancia de corriente DC β. ............ 3
3. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES ........................................................................... 5
4. BIBLIOGRAFÍA........................................................................................................................ 6

Figura 1. Sensor de humedad. ........................................................................................................ 2

Figura 2. Circuito empleado a partir de la Figura 1 con el LED encendido....................................... 2
Figura 3. Conexión de transistor BJT .............................................................................................. 3
Figura 4. Circuito empleado a partir de la Figura 3 con RB variable. ............................................... 3
Figura 5. Grafica de curvas del transistor de IB e IC, con respecto a las 5 resistencias diferentes. . 5
Índice de Figuras
Tabla 1. Valores experimentales de corriente y voltaje obtenidos del circuito. ................................ 4
Índice de Tablas
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1. OBJETIVOS
• Analizar el comportamiento eléctrico de un transistor BJT bajo diferentes
configuraciones de polarización, identificando su funcionamiento en las regiones de
corte, saturación y activa.

• Determinar el efecto de un potenciómetro en la regulación de corriente o voltaje en

un circuito con un transistor BJT, evaluando su impacto en las características del
dispositivo.

• Diseñar y ajustar un circuito práctico que integre un transistor BJT y un

potenciómetro, asegurando su correcta operación y documentando las variaciones
obtenidas en las mediciones experimentales.

2. INFORME
2.1. Implementar el circuito de la Figura 1. Utilizar un vaso con tierra húmeda.

Figura 1. Sensor de humedad.

Figura 2. Circuito empleado a partir de la

Figura 1 con el LED encendido.

• Contestar: ¿Por qué el LED enciende?

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El LED se enciende debido a que además de recibir el voltaje necesario, la tierra mojada
funciona como un camino de retorno de la corriente. Esto se debe a la conductividad
que posee la tierra mojada, ya que esta contiene agua e impurezas las cuales son
conductores de la electricidad. También como pudimos ver, si en ves de la tierra nos
usamos a nosotros mismos, el LED también se encenderá, debido a que nuestro
cuerpo también es conductor de electricidad. Con estas dos demostraciones el
circuito se cierra y permite su correcto funcionamiento para que le LED se encienda.

2.2 Determinar en el datasheet del transistor que posea, la ganancia de corriente DC

β.
Ganancia Máxima (hFE): 300 [1].

Figura 3. Conexión de transistor BJT

• Armar el circuito en la protoboard como la Figura 2.

Figura 4. Circuito empleado a partir de la

Figura 3 con RB variable.
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1. Conectar a la base del transistor una resistencia variable RB (potenciómetro).

2. Conectar el emisor del transistor a tierra.
3. Conectar el colector del transistor a través de una resistencia de carga RC=1.5k.
4. Conectar el colector a una fuente de alimentación VCC=9V y la base VBB=9V. Con 5
niveles diferentes de resistencia RB: (Esto deben borrar cuando desarrollen la respuesta. Solo
es para la estructura de la misma d.)
a. Medir la corriente de base IB, la corriente de colector IC y la corriente de emisor IE
utilizando un amperímetro. Anotar los valores obtenidos.
b. Medir el voltaje entre la base y el emisor VBE y el voltaje entre el colector y el emisor
VCE utilizando el voltímetro. Anotar los valores obtenidos.
Nivel de Corriente de Corriente de Corriente de Voltaje Base- Voltaje Colector-
Resistencia Base (𝐼𝐵 ) Colector (𝐼𝐶 ) Emisor (𝐼𝐸 ) Emisor (𝑉𝐵𝐸 ) Emisor (𝑉𝐶𝐸 ) [V]
(𝑅𝐵 ) [mA] [mA] [mA] [V]
932Ω 4,28mA 2,93mA 6,71mA 0,61V 0,035V
2078Ω 1,92mA 2,44mA 4,80mA 0,63V 0,084V
3403Ω 1,17mA 2,20mA 4,09mA 0,68V 0,129V
4156Ω 0,96mA 2,11mA 3,22mA 0,72V 0,205V
4898Ω 0,82mA 2,06mA 2,98mA 0,76V 0,233V
Tabla 1. Valores experimentales de corriente y voltaje obtenidos del circuito.

En Nivel 1, la resistencia fue baja, lo que permitió una corriente de base (4,28mA). Esto resultó
en una corriente de colector (2,93mA) de la misma aproximación. La corriente de emisor (𝐼𝐸 )
mostró un valor de 6,71mA. El voltaje base-emisor (𝑉𝐵𝐸 ) generó un voltaje de 0,61V en el rango
típico de funcionamiento del transistor, mientras que el voltaje colector-emisor (𝑉𝐶𝐸 ) mostró un
valor 0,035V.

En Nivel 2, al aumentar el nivel de resistencia , la corriente de base (𝐼𝐵 ) disminuyó dando un valor
de 1,92mA Esto provocó una reducción proporcional en la corriente de colector (𝐼𝐶 ) siendo de
2,44mA y, por ende, en la corriente de emisor (𝐼𝐸 ) de 4,80mA .El valor de ( 𝑉𝐵𝐸 ) fue de 0,63V
perman en un rango adecuado para mantener el transistor en la región activa, mientras que (𝑉𝐶𝐸 )
mostró un valor de 0,084V.

En Nivel 3, con un mayor valor de nivel de resistencia, se observó una disminución más
significativa en (𝐼𝐵 ) , (𝐼𝐶 ) y (𝐼𝐸 ). Siendo los valores de 1,17mA, 2,20mA y 4,09mA respectivamente,
(𝑉𝐵𝐸 ) mostró un valor de 0,68V, mientras que (𝑉𝐶𝐸 ) generó un valor de 0,129V.

En Nivel 4, la resistencia alcanzó un valor elevado, lo que redujo las corrientes (𝐼𝐵 ) mostrando un
valor de 0,96mA, (𝐼𝐶 ) en cambio aquí con un valor de 2,11mA y finalmente (𝐼𝐸 ) con un valor de
3,22mA mostrando niveles más bajos. (VBE) en cambio dió un valor de 0,72V, por otro lado (VCE)
mostró un valor de 0,205V.

En Nivel 5, con el nivel en su valor máximo, las se observó una gran disminución en las corrientes
siendo así que, (𝐼𝐵 ) mostró un valor de 0,82mA, además, (𝐼𝐶 ) con un valor de 2,06mA por otro
lado (𝐼𝐸 ) 2,98mA. Finalmente (𝑉𝐵𝐸 ) 0,76V, por concluir, (𝑉𝐶𝐸 ) mostró un valor de 0,233V.
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La tabla refleja cómo la resistencia que influye directamente en la corriente de base (𝐼𝐵 ), lo cual
afecta la corriente de colector (𝐼𝐶 ) y la corriente de emisor (𝐼𝐸 ). Este comportamiento es típico de un
transistor BJT, que actúa como un dispositivo controlado por corriente. Los valores de (𝑉𝐵𝐸 ) y
(𝑉𝐶𝐸 ) ayudan a identificar la región de operación del transistor: activa, saturación o corte.

c. Graficar las curvas del transistor con los datos obtenidos de IB e IC de forma
experimental.

Figura 5. Grafica de curvas del transistor de IB e IC, con respecto a las 5 resistencias diferentes.

3. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

Se verificó que el transistor BJT presenta tres regiones de operación (corte, saturación y activa),
dependiendo de las condiciones de polarización aplicadas, lo que confirma su comportamiento
como un interruptor o amplificador según el diseño del circuito.
Se observó que el potenciómetro permite ajustar de manera precisa el nivel de corriente o voltaje
aplicado al transistor BJT, lo que facilita la manipulación de su punto de operación.
La experimentación demostró que la interacción entre el transistor y el potenciómetro es esencial
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para controlar los parámetros del circuito, lo que resalta su importancia en aplicaciones de diseño
electrónico.
Para futuras prácticas, se sugiere realizar gráficos que representen la variación de la corriente de
colector respecto al voltaje de base, utilizando diferentes valores de resistencia del potenciómetro,
para visualizar con mayor claridad los puntos de operación del transistor.
Es importante utilizar instrumentos de medición con alta precisión para asegurar que las gráficas
obtenidas reflejen con fidelidad las características del transistor y su respuesta ante cambios en el
potenciómetro.

4. BIBLIOGRAFÍA
[1] “2N3904 Transistor BJT NPN 40V - 200mA TO-92,” Ferretrónica, 2018. Available:
[Link]