Anexo 2 – Ejercicios a resolver Tarea 1
Apreciado Estudiante
A continuación, se presentan los ejercicios asignados para el desarrollo de
Tarea 1 – Introducción a los Dispositivos Semiconductores. Debe
seleccionar una temática para el desarrollo de los ejercicios de la guía: 1,
2, 3, 4, o, 5 y enunciarlo en el Foro de discusión - Tarea 1 –
Introducción a los Dispositivos Semiconductores. Tenga en cuenta
que ningún miembro del grupo podrá seleccionar la misma asignación.
Usted debe diligenciar la siguiente tabla en el foro (copie y pegue desde
aquí), si ya sus compañeros hicieron elecciones con anterioridad, debe
registrarlos en cada numeral. Recuerde agregar las ecuaciones que
representen el modelo en cada caso, y seguir todos los lineamientos
expresados por la rúbrica.
Tabla 1.
Distribución Ejercicios Tarea 1
Nombre del estudiante Grupo de ejercicios a
desarrollar
El estudiante desarrolla la temática
de estudiante 1 en todos los
ejercicios.
El estudiante desarrolla la temática
de estudiante 2 en todos los
ejercicios.
El estudiante desarrolla la temática
de estudiante 3 en todos los
ejercicios.
El estudiante desarrolla la temática
de estudiante 4 en todos los
ejercicios.
El estudiante desarrolla la temática
de estudiante 5 en todos los
ejercicios.
Nota: Selección de grupo de ejercicios Tarea 1. Fuente autor.
1
Información adicional
A continuación, encontrará información que le servirá para el desarrollo
de los ejercicios 1, 2, 3 y 4:
Tabla 2.
Fórmulas y criterios Tarea 1
Descripción Fórmula o criterio
Ley de Ohm 𝑉 =𝐼∗𝑅
Potencia eléctrica 𝑃 =𝑉∗𝐼
Energía eléctrica 𝐸 = 𝑃 ∗ 𝑡 | 𝑡0 = 0
Energía eléctrica (J) 1 𝑊ℎ = 3600 𝐽
VD (GaAs) 𝑉𝐷 = 1,2 𝑉
VD (Si) 𝑉𝐷 = 0,7 𝑉
VD (Ge) 𝑉𝐷 = 0,3 𝑉
Cálculo de α 𝛼 = 𝛽/(𝛽 + 1)
Cálculo de β 𝛽 = 𝛼/(1 − 𝛼)
Corriente de colector y emisor 𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶
Relación de corrientes BJT 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 /𝛼; 𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 /𝛽
Corriente en D (MOSFET) 𝐼𝐷 = (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2 ∙ 𝐾/2
Magnitud Unidad
Voltaje Voltio (V)
Corriente Amperio (A)
Resistencia Ohmio (Ω)
Potencia Vatio (W)
Energía Joule (J) / Vatio − hora (Wh)
Tiempo Hora (h) / Minuto (min) / Segundo (s)
Nota: Fórmulas y criterios para el desarrollo de la Tarea. Fuente autor.
Ejercicio 1: Ley de Ohm / Potencia y energía eléctrica
Descripción del ejercicio:
A continuación, encontrará los elementos para el desarrollo del ejercicio
1:
Encontrar los valores de corriente y voltaje mediante el método que
considere según el esquema presentado:
2
Tabla 3.
Ejercicio 1 Tarea 1
Enunciado Esquema
1. Encontrar los valores
faltantes y la energía
consumida en el tiempo
𝒕 = 𝟔𝟎𝟎𝟎 𝒔
2. Encontrar los valores
faltantes y la energía
consumida en el tiempo
𝒕=𝟓𝒉
3. Encontrar los valores
faltantes y la energía
consumida en el tiempo
𝒕 = 𝟏𝟐𝟎 𝒎𝒊𝒏
3
4. Encontrar los valores
faltantes y la energía
consumida en el tiempo 𝒕 =
𝟑𝟔𝟎 𝒎𝒊𝒏:
5. Encontrar los valores
faltantes y la energía
consumida en el tiempo 𝒕 =
𝟑𝟎𝟎𝟎 𝒔:
Nota: Actividades Ejercicio 1 Tarea 1. Fuente autor.
A partir del esquema seleccionado calcular:
➢ Variables faltantes en el circuito (𝑉, 𝐼 o 𝑃)
➢ Energía consumida por la resistencia en el tiempo indicado para
cada caso. El cálculo se debe expresar en Joules (𝐽) y Vatio-hora (𝑊ℎ).
Ejercicio 2: Uso de diodos en circuitos eléctricos
Descripción del ejercicio:
A continuación, encontrará los elementos para el desarrollo del ejercicio
2:
Encontrar los valores de corriente y voltaje mediante el método que
considere según el esquema presentado:
4
Tabla 4.
Ejercicio 2 Tarea 1
Enunciado Esquema
1. Hallar 𝑽𝒐
2. Hallar 𝑰𝑫𝟐
3. Hallar 𝑽𝒐
5
4. Hallar 𝑰𝑫𝟏
5. Hallar 𝑽𝒐
Nota: Actividades Ejercicio 2 Tarea 1. Fuente autor.
A partir del esquema seleccionado calcular:
➢ Variables faltantes en el circuito según lo solicitado (V, I).
➢ Potencia y energía consumida por R1 en cada esquema en un tiempo
𝑡 = 90 𝑚𝑖𝑛.
6
Ejercicio 3: Transistor de unión bipolar
Descripción del ejercicio:
A continuación, encontrará los elementos para el desarrollo del ejercicio
3:
Encontrar los valores de corriente y voltaje según el esquema
presentado:
Tabla 5.
Ejercicio 3 Tarea 1
Enunciado Esquema
1. Hallar 𝑽𝑪𝑬
7
2. Hallar 𝑽𝑬
3. Hallar 𝑽𝑪
8
4. Hallar todos los valores
de 𝑹
5. Hallar 𝑽𝑪
Nota: Actividades Ejercicio 3 Tarea 1. Fuente autor.
A partir del esquema seleccionado calcular:
➢ 𝐼𝐵 , 𝐼𝐶 , 𝐼𝐸 para cada esquema.
➢ Variables requeridas en el enunciado de voltaje y resistencia según el
caso.
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Ejercicio 4: Aplicaciones industriales
Descripción del ejercicio:
Se tiene el siguiente esquema para un transistor MOSFET que tiene un
voltaje umbral 𝑉𝑇 = 8 𝑉 y los elementos que se muestran a continuación:
Figura 1.
Esquema Ejercicio 4 Tarea 1
Nota: Esquema Ejercicio 4 Tarea 1. Fuente autor.
A partir de la información suministrada responder las siguientes
preguntas:
a) Con la configuración planteada, ¿el transistor permite el paso de
corriente? Explicar.
b) ¿Qué valor mínimo de 𝑅3 se debería garantizar para que el
transistor permita el paso de corriente entre D y S?
c) Calcular el valor de 𝑉𝐺𝑆 , 𝐼𝐷 y 𝑉𝐷𝑆 .
d) ¿El transistor opera en la región de corte, lineal o saturación?
Para tener en cuenta:
➢ El valor de ψ corresponde al numeral seleccionado por el estudiante:
Estudiante 1: ψ =1. Estudiante 4: ψ =4.
Estudiante 2: ψ =2. Estudiante 5: ψ =5.
Estudiante 3: ψ =3.
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➢ Para los grupos de estudiante 1 y 2, asumir 𝑅3 = 800 Ω para los cálculos
del literal c).
➢ En el cálculo de 𝐼𝐷 asuma una operación en la región de saturación.
Nota:
Apreciado estudiante, tenga en cuenta que la valoración máxima de esta
actividad es de 85 puntos, para aprobar deberá lograr una calificación
superior o igual a 51 puntos.
Para tener en cuenta:
Se recomienda la comprobación de los ejercicios por medio del uso de la
herramienta MATLAB para cada temática propuesta y se debe integrar los
resultados de la simulación en el entregable de la actividad.
El estudiante podrá utilizar el Anexo 1 - Plantilla Tarea 1 como
documento base para la realización del informe final o entregable de la
Tarea 1.
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