Los primeros transistores bipolares de unión se fabricaron con germanio (Ge).
Los transistores de Silicio (Si) actualmente predominan, pero ciertas versiones
avanzadas de microondas y de alto rendimiento ahora emplean el compuesto
semiconductor de arseniuro de galio (GaAs) y la aleación semiconductora de
silicio-germanio (SiGe).
La densidad de los portadores móviles en el canal de un MOSFET es una función
del campo eléctrico que forma el canal y de varios otros fenómenos tales como el
nivel de impurezas en el canal. Algunas impurezas, llamadas dopantes, se
introducen deliberadamente en la fabricación de un MOSFET, para controlar su
comportamiento eléctrico.
Los datos de la fila Al-Si de la tabla se refieren a los diodos de barrera de metal-
semiconductor de alta velocidad (de aluminio-silicio), conocidos comúnmente
como diodos Schottky.
La tensión directa de unión es la tensión aplicada a la unión emisor-base de un
transistor bipolar de unión con el fin de hacer que la base conduzca a una
corriente específica.
La corriente aumenta de manera exponencial a medida que aumenta la tensión en
directa de la unión. Los valores indicados en la tabla son las típicos para una
corriente de 1 mA (los mismos valores se aplican a los diodos semiconductores).
Cuanto más bajo es la tensión de la unión en directa, mejor, ya que esto significa
que se requiere menos energía para colocar en conducción al transistor. La
tensión de unión en directa para una corriente dada disminuye con el aumento de
la temperatura. Para una unión de silicio típica, el cambio es de –2.1 mV/°C. En
algunos circuitos deben usarse elementos compensadores especiales
(sensistores) para compensar tales cambios.
Movilidad
Las columnas de movilidad de electrones y movilidad de huecos de la tabla
muestran la velocidad media con que los electrones y los huecos se difunden a
través del material semiconductor con un campo eléctrico de 1 voltio por metro,
aplicado a través del material. En general, mientras más alta sea la movilidad
electrónica, el transistor puede funcionar más rápido.
Debido a que la movilidad de los electrones es más alta que la movilidad de los
huecos para todos los materiales semiconductores, un transistor bipolar n-p-n
dado tiende a ser más rápido que un transistor equivalente p-n-p.
El arseniuro de galio tiene el valor más alto de movilidad de electrones de los tres
semiconductores. Es por esta razón que se utiliza en aplicaciones de alta
frecuencia.
Un transistor FET de desarrollo relativamente reciente, el transistor de alta
movilidad de electrones (HEMT), tiene una heteroestructura (unión entre diferentes
materiales semiconductores) de arseniuro de galio-aluminio (AlGaAs)-arseniuro de
galio (GaAs), que tiene el doble de la movilidad de los electrones que una unión de
barrera GaAs-metal.
Debido a su alta velocidad y bajo nivel de ruido, los HEMT se utilizan en los
receptores de satélite que trabajan a frecuencias en torno a los 12 GHz. Los
HEMT basados en nitruro de galio y nitruro de galio aluminio (AlGaN/GaN HEMT)
proporcionan una movilidad de los electrones aún mayor y se están desarrollando
para diversas aplicaciones.
Estructura:
emisor: es la región
del transistor que
emite los electrones.
El emisor está dopado
con un
tipo de material
semiconductor que
tiene una gran
cantidad de electrones
libres.
La base: es la región
del transistor que
controla el flujo de
corriente entre el
emisor y el
colector. La base está
dopada con un tipo de
material
semiconductor que
tiene una pequeña
cantidad de electrones
libres.
El colector: es la
región del transistor
que recibe los
electrones emitidos
por el emisor. El
colector está dopado
con un tipo de
material
semiconductor que
tiene una gran
cantidad de
electrones libres
emisor: es la región
del transistor que
emite los electrones.
El emisor está dopado
con un
tipo de material
semiconductor que
tiene una gran
cantidad de electrones
libres.
La base: es la región
del transistor que
controla el flujo de
corriente entre el
emisor y el
colector. La base está
dopada con un tipo de
material
semiconductor que
tiene una pequeña
cantidad de electrones
libres.
El colector: es la
región del transistor
que recibe los
electrones emitidos
por el emisor. El
colector está dopado
con un tipo de
material
semiconductor que
tiene una gran
cantidad de
electrones libres
emisor: es la región del transistor que emite los electrones. El emisor está dopado
con un tipo de material semiconductor que tiene una gran cantidad de electrones
libres.
La base: es la región del transistor que controla el flujo de corriente entre el emisor
y el colector. La base está dopada con un tipo de material semiconductor que tiene
una pequeña cantidad de electrones libres.
El colector: es la región del transistor que recibe los electrones emitidos por el
emisor. El colector está dopado con un tipo de material semiconductor que tiene
una gran cantidad de electrones libres
