UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DEL ESTADO DE HIDALGO

INSTITUTO DE CIENCIAS BÁSICAS E INGENIERÍA

ÁREA ACADÉMICA DE COMPUTACIÓN Y ELECTRÓNICA

INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA

CIRCUITOS INTEGRADOS Y VLSI

TRANSISTORES NMOS Y PMOS

FECHA DE ENTREGA: 06-09-2024

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Integrantes de equipo:

● Enriquez Morales Jerson - 397405

● Martínez Martínez José Octavio - 471593

● Velázquez Benítez Yair - 471404

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Contenido
-Funcionamiento.
-Ecuaciones de corte.
-Región lineal.
-Saturación.
-Conceptos .
-Longitud de canal.
-Terminales compuerta.
-Fuente.
-Drenador.
-Sustrato.
-Conclusiones.
-Referencias.

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Funcionamiento.

Los transistores MOSFET (Transistor de Efecto de Campo de Óxido de

Metal-Semiconductor) son dispositivos fundamentales en la electrónica
moderna, utilizados tanto en circuitos analógicos como digitales.

Existen dos tipos principales de MOSFET: NMOS y PMOS.

La principal diferencia entre NMOS y PMOS es el tipo de portadores

mayoritarios en el canal. NMOS utiliza electrones, mientras que PMOS usa
huecos.

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Funcionamiento.

NMOS: Consiste en un canal de tipo n (electrones como portadores de

carga) que se forma entre las regiones de fuente y drenador cuando se
aplica una tensión positiva en la compuerta con respecto a la fuente.

PMOS: En este tipo de transistor, el canal es de tipo p (huecos como

portadores), y el transistor se activa cuando se aplica una tensión negativa
a la compuerta con respecto a la fuente.

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REGIONES DE OPERACIÓN DEL MOSFET
Los transistores MOSFET tienen tres regiones principales de operación, tanto en NMOS como
en PMOS:

● Región de corte (off): El transistor no conduce. Esto ocurre cuando la tensión de

compuerta (V_GS) no es lo suficientemente alta (en NMOS) o baja (en PMOS) para
formar un canal.
● Región lineal (resistiva o de triode): Aquí el transistor actúa como un resistor controlado
por voltaje. En NMOS, la tensión V_GS es mayor que el umbral, pero V_DS es bajo.
● Región de saturación (activa): El transistor está encendido y actúa como una corriente
controlada por voltaje. En NMOS, V_GS es mayor que el umbral y V_DS es
suficientemente alto para que el transistor esté saturado.

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Funcionamiento Básico.
● En un NMOS, cuando se aplica una tensión positiva
suficiente en la compuerta respecto a la fuente, se forma
un canal n y el transistor comienza a conducir corriente
del drenador a la fuente.

● En un PMOS, ocurre lo contrario: la corriente fluye del

drenador a la fuente cuando se aplica una tensión
negativa en la compuerta con respecto a la fuente.

- S: **Source* (Fuente).
- B: **Body* o *Bulk* (Cuerpo o Sustrato).
- D: **Drain* (Drenador).
- G: **Gate* (Puerta).

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Regiones de operación del NMOS.

Región de corte (Apagado).

Condición: VGS < Vth , donde VGS es la tensión entre Gate y Source, y Vth es
el voltaje de umbral del transistor.

Si la tensión entre Gate y Source no alcanza el valor de V th, no se forma

un canal de conducción entre el drenado (D) y la Fuente (S), por lo tanto,
no hay flujo de corriente.

Figura . Transistor NMOS en

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corte.
Región lineal.
-
Condición: VGS >Vth y VDS<VDS<VGS−Vth, donde VDS es la tensión entre Drain y
Source Vth es el voltaje umbral del transistor.

Cuando VGS es mayor que Vth, se forma un canal entre Drain y Source. Si
VDS es pequeño, la corriente entre Drain y Source es proporcional a VDS, y
el NMOS se comporta como un resistor cuya resistencia está controlada
por VGS.

Figura . Región lineal de un transistor NMOS.

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Saturación.
- Región de saturación (Activo).

Condición: VGS>Vth y VDS≥VGS−Vth.

Cuando VDS es suficientemente grande, la corriente entre Drain y

Source se estabiliza, independientemente de un aumento adicional en
VDS. En esta región, el transistor se usa principalmente en aplicaciones
amplificadoras, donde la corriente se controla principalmente por el
voltaje VGS . Esto lo podemos observar en la Figura.

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Regiones de operación del PMOS.
Región de Corte (Apagado).
-

● Condición: VSG< |Vth|, donde VSG es la tensión entre Source y Gate, y Vth
es el voltaje umbral del transistor.
●

● Si la tensión entre Source y Gate no alcanza la magnitud de |Vth|, no se

forma un canal de conducción entre el Drain y el Source, por lo que el
transistor permanece apagado y no conduce corriente.

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Región lineal.

Condición:
- VSG >∣Vth∣ y VDS<VSG−∣Vth∣, donde VSD es la tensión entre Source y
Drain.

Si VSG es mayor que el valor absoluto de ∣Vth∣, se forma un canal de

huecos que permite el flujo de corriente entre el Drain y el Source. La
corriente depende deVSD, por lo que el transistor se comporta como un
resistor cuya resistencia depende de VSG.

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Región de Saturación (Activo).

Condición:
- VSG>∣Vth∣ y VSD≥VSG−∣Vth∣.

Cuando VSD es suficientemente grande, la corriente entre Drain y Source ya

no depende de VSD, sino que es controlada principalmente por VSG. El
transistor está en su estado de saturación y es utilizado para aplicaciones
amplificadoras.

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Ecuaciones..

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 Longitud de canal.
La longitud de canal es la distancia entre el drenaje y la fuente del transistor a lo
largo de la región en la que ocurre la conducción. En términos más sencillos, es la
longitud del camino por donde se mueve la corriente de electrones (en NMOS) o
huecos (en PMOS) cuando el transistor está encendido.

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Terminales compuerta.
Gate (G) o compuerta:El gate determina si el transistor está encendido o apagado.

Drain (D) o drenador:Es el terminal por donde fluye la corriente de salida, cuando el
transistor está encendido.

Source (S) o surtidor: Es el terminal por donde ingresa la corriente al transistor (en el caso
del NMOS) o sale del transistor (en el caso del PMOS).

Body (B) o substrato:Este terminal está conectado al cuerpo del transistor. En los
transistores MOS convencionales, el body normalmente está conectado a una referencia fija
(como el voltaje más bajo en el circuito para el NMOS o el voltaje más alto para el PMOS) y
se utiliza para controlar ciertas propiedades del transistor como la tensión umbral.

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17
 Fuente.
Transistor NMOS (N-type MOSFET)
La fuente es el terminal por donde los electrones (portadores mayoritarios en NMOS) entran al canal.

Transistor PMOS (P-type MOSFET)

La fuente es el terminal por donde entran los huecos (portadores mayoritarios en PMOS).

En un NMOS, la fuente suele estar conectada a tierra o al potencial más bajo.

En un PMOS, la fuente se conecta al voltaje positivo o al potencial más alto.
La corriente fluye de la fuente al drenaje en ambos casos, pero los portadores de carga son diferentes
(electrones para NMOS y huecos para PMOS).

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 Drenador.
El drenador es uno de los tres terminales fundamentales de un transistor de
efecto de campo (FET), como lo son los transistores MOSFET
(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), que incluyen los NMOS y
PMOS.

En resumen, el drenador es el terminal que recibe o envía los portadores de

carga (electrones o huecos), y está controlado por el voltaje aplicado en la puerta.

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 Sustrato.
Sustrato en NMOS:

● Los transistores NMOS están hechos en un sustrato de tipo p. Esto significa que el material base tiene
más portadores de carga positivos (huecos). Sobre este sustrato de tipo p se difunden regiones de tipo n
para formar las terminales de fuente y drenaje del transistor NMOS. El canal de tipo n se forma cuando
se aplica una tensión positiva a la puerta (Gate).

Sustrato en PMOS:

● En el caso de los transistores PMOS, el sustrato es de tipo n, lo que significa que tiene más portadores
de carga negativos (electrones). Las regiones de fuente y drenaje son de tipo p. El canal se forma cuando
se aplica una tensión negativa a la puerta (Gate).

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Conclusiones.
Los transistores NMOS y PMOS son componentes esenciales en la electrónica
moderna, utilizados tanto en aplicaciones analógicas como digitales. Su
comportamiento, basado en el control de corriente a través de un canal
semiconductor por medio de un voltaje aplicado en la compuerta, permite una
operación eficiente en diversas configuraciones de circuitos. Los NMOS, con
electrones como portadores mayoritarios, son más rápidos, mientras que los
PMOS, basados en huecos, complementan su uso en tecnología CMOS,
proporcionando balance de consumo energético. La comprensión de sus
características y regiones de operación es clave para diseñar circuitos
integrados de alta eficiencia y bajo consumo, que son fundamentales en la
industria electrónica actual.
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Referencias.
-● A. P. Malvino, Principios de Electrónica, 7ª ed., México, D.F.:
McGraw-Hill, 2007.

● D. A. Neamen, Análisis y Diseño de Circuitos Digitales, 4th

ed., Ciudad de México, México: McGraw-Hill, 2012, pp.
300-350.

● B. Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, 2nd

ed. New York, NY, USA: McGraw-Hill, 2016.

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