0% encontró este documento útil (0 votos)
24 vistas3 páginas

Formulario FES

El documento aborda conceptos fundamentales de la física de materiales, incluyendo enlaces químicos, estructuras cristalinas y propiedades de fonones. Se discuten diferentes tipos de enlaces, como el covalente y el iónico, así como la teoría de redes cristalinas y su relación con la difracción de rayos X. Además, se presentan ecuaciones relevantes y principios como la ley de Bragg y la compresibilidad en materiales.
Derechos de autor
© © All Rights Reserved
Nos tomamos en serio los derechos de los contenidos. Si sospechas que se trata de tu contenido, reclámalo aquí.
Formatos disponibles
Descarga como PDF, TXT o lee en línea desde Scribd
0% encontró este documento útil (0 votos)
24 vistas3 páginas

Formulario FES

El documento aborda conceptos fundamentales de la física de materiales, incluyendo enlaces químicos, estructuras cristalinas y propiedades de fonones. Se discuten diferentes tipos de enlaces, como el covalente y el iónico, así como la teoría de redes cristalinas y su relación con la difracción de rayos X. Además, se presentan ecuaciones relevantes y principios como la ley de Bragg y la compresibilidad en materiales.
Derechos de autor
© © All Rights Reserved
Nos tomamos en serio los derechos de los contenidos. Si sospechas que se trata de tu contenido, reclámalo aquí.
Formatos disponibles
Descarga como PDF, TXT o lee en línea desde Scribd

2 √ √

Formulario FES EM (1− Rρ0 ), con EM =−N α 4πε e 1


0 R0
la energı́a R1 +R2 ≤ 4
3
a, 2R2 ≤ 2
2
a, R
R1
2
≤√ 1
. BCC
Shkl =f [1+(−1)h+k+l ]=2f si h+k+
3/2−1 Diamante FCC
Página 1 de 3. de Madelung. l es par, 0 si no, Shkl =Shkl [1+ih+k+l ].
Electronegatividad. Mullikan: χ= 12 [I +A]≈ Red recı́proca. red base
h i En general: Shkl =Shkl Shkl .
1. Tema 1: Enlaces. ∂E ~
Definición: son los vectores {G:exp ~ R
iG· ~ =
− ∂N =−µ, Pauling: χP =0.187(I +A)+0.17, 3. Tema 3: Fonones.
Enlace molecular.
Interacción de Van der Waals. Para dos
con I y A la energı́a de ionización y afinidad 1}, con R=n ~ i ~
ai . Base de {G}:
~ ~
G=m ~i
i b con Método de la matriz dinámica.
electrónica. i i ×~ Notación: n,m el número de celda, i,j el átomo
dipolos-osciladores alineados con cargas po- ~b ·~ ~
a
aj =2πδji , una base es ~b =2π ~a1 ·(~j a k
con
sitivas separadas R y longitud propia xi : Enalce covalente. a2 ×~a3 ) dentro de la celda, α,β la dimensión espacial,
p2 p2 Enlace H2 : Hamiltoniano para dos átomos de H (i,j,k)=P (1,2,3). Volumen red recı́proca: V 0 = sniα desplazamiento del átomo i en la celda
H =HHO +Hint , HHO = 2m 1
+ 12 Cx21 + 2m
2
+ 12 Cx22 , (con núcleos fijos) en estados base con energı́a E0 , 1 2 3 3 ~ ~ ni =R ~ n +~r i .
2 2 2 2 2 |~b ·(~b ×~b )|= (2π) . El conjunto {eiG·~r } forma n de la posición de equilibrio R
Hint = eR − R+x
e e
− R−x + R+xe1 −x2 ≈− 2e Rx31 x2 , con autofunciones |1i y |2i y con un solo electrón: V
~ Soluciones de la forma sniα (t)= √m 1
ũ niα e
iωt
,
1 2
p2 e2
una base ortogonal y completa tal que ψ(~r +R)= i
coords. propias: xs,a = √12 (x1 ±x2 ), H= H= 2m +V1 +V2 , con Vi = 4πε k~ , con ~r la po- ~
h 2   i h 2   i ~
0 r −Ri k ψ(~r ). ũniα =uiα ei~q·Rn (en general combinación lineal
ps 1 2e2 2 pa 1
+ 2 C− R3 xs + 2m + 2 C+ R3 xa , 2e2 2 − ~
sición del e y Ri la de cada núcleo. Soluciones Planos de red: conjunto de planos que tienen to- de ~q ).
2m dos los ptos de la red cristalina que tienen aso- u=ω 2 u
h 2
i1
3 2
h i LCAO: P |ψi=φ1 |1i+φ2 |φ2 i, sistema de ecuacio- ciados un vector perpendicular que pertenece a Matriz dinámica: D(~q )~ ~ , con D(~q )
2e2 1 2e2 2 nes: j Hij φj =Eφi , con H11 =E0 +Vcross , H22 =
ωs,a = C±2em /R ≈ω0 1± 12 ( CR 3 )− 8 ( CR3 ) , ~ ~n
q ·R
i~
P
∗ la red recı́proca, están dados por G ~ 0 ·R=2πm
~ una matriz Diαjβ = R ~ n D̃iαjβ (Rn )e =
q E0 +Vcross (iguales solo para el H2 ), H12 =H21 = 2π ~n
q ·R
i~ 1 ∂2V
(m=0,±1,···) y están separados por d= G ~ 0 con
P
ω0 = m C
, ∆U = 12 ~(ωs +ωa )−2 12 ~ω0 =− RA6 ,A= −t, con Vcross =h1|V2 |1i=h2|V1 |2i y t=h1|V1 |2i. ~
Rn e √
mi mj ∂sniα ∂smjβ
.
4 Orbitales moleculares (autoestados): E± =E0 + G~ 0 el vector más corto en la dirección ê ~ . Propiedades de D: hermı́tica, autovalores ω 2
− 12 ~ ωc02e . G
Vcross ±|t|, ψbonding = √12 (φ1 ±ψ2 ), ψanti-bonding = Índices de Miller. Caso 1: dados cortes del plano reales, autovectores ortonormales. Simetrı́a
Interacción repulsiva: Urep =B/R12 (Lennard-
  1
√ (φ1 ∓ψ2 ). con ejes, calculamos el inverso del pto. de cor- puntual: ~
D(~q +G)=D(~ q ), ~
ω(~q +G)=ω(~ q ),
Jones), Urep =λexp − R
ρ
(Born-Mayer), 2 te y escogemos los menores enteros que conser-
u(~q + ~
G)=u(~ q ). Simetrı́a de inversión tem-
2. Tema 2: Red cristalina. van proporciones (que son (hkl)) y el vector es
Urep =BR−n (Born-Landé). ~ 0 =h~b1 +k~b2 +l~b3 . Caso 2: dado el vector G
poral: ω(−~q )=ω(~q ), u(−~q )=u(~q ). Es suficiente
~ 0 resolver para una celda.
Potencial de Lennard-Jones. Redes cristalinas: punto en la red: [uvw]≡ G
h 
σ 12 σ 6
 i
ua1 +va2 +wa3 , R=n ~ i
~
ai , con ~ ai vectores ba- hacemos G ~ 0 ·R=2πm
~ para obtener los ptos de la Potencial: interacciones siem-
Dos partı́culas: U (R)=4ε R − , con ε y red variando m según las restricciones. pre armónicas. En 2D: V =
R se de la red. Volumen celda primitiva: V =
1 2 2
P 
σ parámetros, Rmin =2 σ, A=4εσ , B=4εσ 12 .
1/6 6 k(a1 ×a2 )·a3 k cte para toda celda primitiva. 0 (C r −C θ )[ê ij ·(~
s j −~s i )] +C θ (~
s j −~
s i )
1 Red cúbica simple (SC): ~ci =aei , con ei un vec- Difracción: suponemos k~kk=k~k k. 2 {i,j}
N partı́culas:  UTOT = 2 N 4ε· Ley de Bragg: 2dsinθ=nλ, con θ el ángulo entre con la suma por cada par {i,j} que interacciona
tor cartesiano y a el parámetro de red. Un átomo y Cr y Cθ constantes elásticas de estiramiento y

P  σ 12 P  σ 6
− j6=i pij R . Constan- por red, 6 primeros el vector de onda ~k y el plano. torsión.
j6=i pij R √ vecinos (pv) √ a distancia a, 12 Ley de Laue: la diferencia entre vectores de onda Propiedades fı́sicas: velocidad de grupo: vg = dω ,
tes (FCC (gases nobles); HCP):P A12 = sv a distancia 2a y 8 tv a 3a. dk
−12 Red BCC: puntos de red del cubo ~ci =ani ei , 2 incidentes y salientes cumple R·( ~ ~k−~k0 )=2πm y de fase: vp = ωk . Ondas sonoras si λa y
A6 = j p6ij =
P
p ={12.13188,12.13229}, √
~k−~k0 ∈{G}.
j ij
q q
3
átomos por cubo, 8 pv a 2 a, 6 sv a a y 12 ~ vs = B = ρβ 1
≈ dω con B el bulk mo-
{14.45392,14.45489}. Ucoh =U (Rmin ) √ 2
ρ dk k→0
dp
Compresibilidad. En gral.: κ=−V dV , a T =0: tv a 2a. Vectores primitivos: ~ a1 = 12 a(~ex −~ey − Ley de los planos de Bragg: ~k·G= ~ 1
k ~ .
Gk 1 1 ∂V
T 1 1
2 dulus y β= B =− V ∂p la compresibilidad
2 ~ez ), ~
a2 = 2 a(~ex +~ey +~ez ), ~ a3 = 2 a(−~ex −~ey +~ez ). Formalismo general: cada punto del material T,S=0
κ=v ddvu2 . Para FCC: κ= 75ε
σ3
. 1 ∂L 1
BCC como SC si se tiene base compuesta de dos emite ondas esféricas hacia un punto B según adiabática (en 1D: β=− L ∂F T,S = CL ).
Enlace iónico. átomos en [n1 ,n2 ,n3 ] y [n1 ,n2 ,n3 ]+ 12 [1,1,1]. ~ ~
exp[ik(R −~
0
r )] o
Balance energético. Ionización: A+Eion →A+ + AB =AP (~r ,t)ρ(~r ) ~ 0 −~ . Si R0 r y ê~k Número de modos: n modos=D·N ·Na =
Red FCC: puntos de red del cubo ~ci =ani ei , 4 kR rk grados de lib., con D las dimensiones, N y
1e− , afinidad electrónica: B+1e− →B− +EEA , átomos por cubo, 12 pv a √12 a, 6 sv a a y 24 ~ N el número de celdas y átomos en cada celda.
cte. la intensidad I ∝ V d3 reiK·~r ρ(~r ) , con Ena cada dimensión siempre un modo acústico
R
energı́a electrostática: A+ +B− →AB+Eelec ,
∆E=|Eion |−|EEA |−|Eelec |<0. tv. Vectores primitivos: ~ a1 =[ 12 , 21 ,0], ~
a2 =[ 12 ,0, 21 ], ~ ~k0 −~k.
K= (con ω(k=0)=0 y si k→0 movimiento en fase de
1 1
Interacción iónica. ~
a3 =[0, 2 , 2 ]. FCC como SC si se tiene base con P ~ r
iG·~ los átomos), el resto ópticos (con ω(k=0)6=0 y si
  Si ρ(~r ) es periódico, ρ(~r )= G ~ ρG ~e y k→0 movimiento en contrafase de los átomos de
r
Interacción entre pares: Uij =λexp − ρij ± cuatro átomos en [0,0,0], [ 12 , 12 ,0], [ 12 ,0, 12 ], [0, 12 , 12 ] 2
IG~ =Ihkl ∝kρhkl k , con ρhkl los coeficientes de la celda).
(más traslaciones [n1 .n2 ,n3 ]).
e2 1
4πε0 rij
, con rij =Rpij y R distancia de p.v. Red NaCl: red FCC con base compuesta por Na la serie de Fourier, ρhkl = V1c Shkl , Ihkl ∝|Shkl |2 , Condiciones de contorno de Von Kar-
~ man: mismos desplazamientos δ~r n =δ~r n+N ,
en [000] y Cl en [ 12 12 21 ]. Si se consideran los áto- con Shkl = α fα eiGhkl ·~rα el factor de estruc- ei~k·~req
P
Iteracción total (suponiendo repulsión solo ~ r eq +R
n =eik·(~
~ N)
 n y da cuantización de los
en p.v.): UT =N Ui =N [Zλexp − R e
−α 4πε 1
],
2 mos como esferas duras de√radios R1 y R2 se tura, {α} los elementos de la base de la celda, modos (N valores de k en la 1ZB).
ρ 0 R
o cumple R1 +R2 ≤ 12 a, 2R2 ≤ 22 a, R 2 1
≤ √2−1 . R 3 0 iG
fα = α d r e
~ hkl ·r~0
ρα (r~0 ) el factor de scattering Cadenas unidimensionales.
conPN el n de moléculas, Z la coordinación, R1

α= i6=j ± p1ij la cte. de Madelung (cadena iónica: Red CsCl: red SC con base compuesta por Cs √
en ~0 Monoatómica: masa m, cte. elástica C, posi-
y ~r =~r α +r , con ~r α el vector hasta el elemento ciones de equilibrio xeq =na, desplazamientos
α=2log2, NaCl: α=1.747565, CsCl: α=1.762675, [000] y Cl en [ 12 12 12 ]. Esferas duras: R1 +R2 ≤ 23 a, ~0 n
R2 1 α y r un vector centrado en α. δxn =xn −xeq n . EOM: mδ ẍn =C(δxn+1 +δxn−1 −
ZnS: 1.6381). 2R2 ≤a, R ≤ √3−1 . Ejemplos de factores de estructura:
  1 2δxnq ). Soluciones del tipo δxn =Aei(ωt−kna) :
Distancia de equilibrio R0 : R02 exp − R = Red ZnS o C: red FCC con base compuesta por FCC
Shkl =f [1+e iπ(h+k)
+e iπ(k+l)
+e iπ(l+h)
]= C
sin 12 ka .
ρ

2 Zn/C en [000] y S/C en [ 14 14 14 ]. Esferas duras: 4f si h,k,l misma paridad, 0 si mezclados, ω=2 m
αρ 4πεe0 Zλ . Energı́a de cohesión: Uc =UT (R0 )= Diatómica con C1 y C2 : dos átomos en
2 2 1
Formulario FES g(ω)=3 ωω3 , con ωD =vs ( 6πV N ) 3 =vs kD la fre- pF =~kF , vF = m 1
pF , TF = E F
kB
, con m la masa Tight binding.
D
Página 2 de 3. ~
cuencia de Debye. La integral de hEi se corta de los portadores (e ), recorrido libre medio: Notación: sean φl (~r −ti ) las fdo del átomo con

V ωD3 l=vF τ . L=l en la posición ~ti en la celda unidad. Sea


celda y dos ramas ω 2 =[ m
1
(C1 +C2 )± en ωD , frecuencia que cumple 3N = 2π2 v3 . R∞ 2 x
~0
1
p s Capacidad calorı́fica: cV ≈g(EF )kB 2
T −∞ (exx +1) e
2 dx=
χ~kli = √1N R
P
~ 0e
i~
k·R
φl (~r −~ti −R ~ 0 ) una fdo de
2 2
C1 +C2 +2C1 C2 cos(ka)]. T 3 xD x3
R
m Energı́a: U =9N kB T ( θD ) 0 ex −1 dx con π2 2 π2 T (n) (n)
g(EF )kB T = 2 nkB TF .
P
Fonones: energı́a de un fonón de no cuánti- Bloch y ψ~k (~r )= l,i C~kli χ~kli (~r ) la fdo total
θD :kB θD =~ω y xD =β~ωD . Capacidad calorı́fi- 3 2 nk2 τ
1 π SP (n) (n)
co n: En =(n+ 12 )~ω, teorema del virial: ca: CV =9N kB ( θTD )3 0 D (exx −1)
x 4 x
e Conductividad térmica: κe = 3 cvF l= 3 mB T , tal que H ψ~k =E~k ψ~k .
R
2 dx, si T θD
−8
hTn i=hUn i= 12 En . Momento cristalino: se con- L=2.443×10 WΩ/K2 . SP
P
CV =3N kB (ley de Dulong-Petit), si T θD Ecuación secular: l,i C~ kli [hχ~kmj |H |χ~kli i−
serva k mód( 2π )=resto( 2π/a k
), solo tiene sen- 12π 4 T 3 Teorema de Bloch: sea un potencial periódico (n)
hχ |χ i]=0, hχ |χ
CV = 5 N kB ( θD ) . E con kli i=
a ~ ~ ~ ~
~ ~ kmj kli kmj
~ V (~r )=V (~r +R), ~ entonces ψn (~r +R)=e ~ q ·R
i~
ψn (~r ) Pk i~k·R
tido k∈1ZB. Scattering inelástico: parte de ~
~
hφm (~r −tj )|φl (~r −ti −R)i ~ ~
Efectos anarmónicos. ~
q ·R ~ e
la energı́a del fotón se convierte en cuasi- Expansión térmica: si U (x)=cx2 −gx3 −f x4 , o, equivalentemente, ψn~q (~ro)=e
i~
un~q (~r ), con ~q R
P i~k·R ~
partı́culas (fonones) o viceversa, conservación un vector en la 1ZB, n el n cuántico de banda y y hχ~kmj |HSP |χ~kli i= R ~ e ·
dxe−βU x
R
0 3g
de E: E(~k)=E(~k )+E(~kf ), conservación de ~k: hxi= R dxe−βU ≈ 4c2 kB T (depende de g y ~ ~r ~ SP ~ ~ o
i G~
una función periódica. hφo m (~r −tj )|H |φl (~r −ti −R)i. N o de bandas =o
P
0
un~q (~r )= G ~ Cn~ q (G)e
~k=~k +~kf +G ~ (en elástico E(~kf )=0, ~kf =~0). hxi∝T ). Propiedades: ψn,~q+G ~ (~r )=ψn~q (~r ), En,~q+G ~ (~r )= n orbitales en celda unidad = n átomos · n
Estadı́stica: son bosones que siguen la estadı́stica Conductividad térmica por fonones: flujo de ~ r
orbitales/átomo.
P
~ V(G)e
~ iG·~
y V(−G)=V ~ ∗ ~
de Bose-Einstein. fonones en sentido x: jfon,x = 12 nh|vx |i, flujo de En~q , V (~r )= G (G). Aproximaciones: hφm (~r −~tj )|φl (~r −~ti −R)i≈ ~
Función de partición para un bosón: Ecuación central: tomando V( ~
G= ~0)=0 (término ~ y hφm (~r −~tj )|H |φl (~r −~ti −R)i≈
SP ~
calor: jQ =−κT dT . La conductividad es un δlm δij δ(R)
zB = ∞ n
= 1−e1−βE ,
P dx
(exp[−βE]) ocupación
n=0 proceso aleatorio, fonones recorren distancia cte.) y desarrollando en ondas planas,
E δ
l lm ij δ δ( ~
R) (energı́a de sitio) o
promedio de un bosón: hnα i=fBE (Eα )= ~2 ~ 2 −En (~q )]Cn~q (G)+ ~ ~
P
(camino libre medio) l=vτ entre colisiones, [ 2m (~q +G) ~ 0 6=G~ V(G− ~ SP ~ ~ ~
1
G hφ m (~
r − t j )|H |φ l (~
r − t i − R)i≈V lm,ij δ[( tj −
eβEα −1
con β= kB1 T y Eα =~ω(k) pa- llevan energı́a c∆T con ∆T = dT l . Flujo de G ~ 0 )Cn~q (G ~ 0 )=0.
dx x ~
~ti −R)− ~d] (elementos de hopping)
ra un fonón. Valores promedios: hAi= 1
calor: jQ =−2( 2 nhvx i)(c∆T ) y se obtiene que Aproximación
P R ∞ de electrones cuasi- con ~d la posición de los p.v.
R ∞α Aα fBE = 0 dEg(E)fBE (Eα )A(E)= κT = 13 Cvlx , con C=nc la capacidad calorı́fica. libres: suponemos V ∼O(ε) y desarrolla- Red cúbica monoatómica con un orbital l:
dωg(ω)fBE (ωα )A(ω). (0)
mos En (~q )=En (~q )+En (~q )+···, Cn~q (G)=
(1) ~ E~k =El +2tl [cos(kx a)+cos(ky a)+cos(kz a)].
0 4. Tema 4: Estructura electrónica.
Densidad de estados (g(E)): g(E)= ∂Ω 0
, dt (0) ~ (1) ~
Semiconductores.
∂E Modelo de Drude: probabilidad de colisión τ , Cn~q (G)+Cn~q (G)+···.
con Ω0 los µE cumulativos hasta la 2 Ley de acción de masas. Densidad de electro-
d~
p ~ ~ 1
ecuación de movimiento: dt =−e(E+~v ×B)− τ ~p. Orden cero: En~q (~q )= 2m k~q k , Cn~q (G)=δG, (0) ~ 2 (0) ~
energı́a E.R Caso clásico D dimensiones: 0 y
~ ~ R∞
nes en CB: n= Ec dEgc (E)f (E,t) con gc (E)=
Ω0 (E)= h1D H≤E d~ p. Caso cuántico: g(E)=
q d~ ~ ~
Flujo de carga: j=−ne~v =σ E, con σ la conduc- ψ (~r )= √ e (0) 1 i~q ·~
r (0)
Cn~q (0). √
2m∗
P tividad. n~ q V 1
( ~2n )3/2 E−Ec (E>Ec ) y Ec el mı́ni-
α δ(E−Eα ); en el continuo: si tenemos ~ ~0): ~v =− eτ E ~ y σ= e τ . 2
Orden uno:
(1)
En (~q )=0 y
(1) ~ 2π 2
Cn~q (G)= mo de energı́a de la CB. Densidad de
n1 ,···,nN no cuánticos con diferencias discretas Caso DC (B= m m R Ev
V(G) ~
constantes P ∆n1 ,···,∆nN y H=H(n1 ,···,nN ), ~ ~ ~ 2m elect. en VB: p= −∞ dEgv (E)[1−f (E,t)] con
Cason AC (B=o 0): magnitudes del tipo A(t)= − ~2 ~ G ~2
.
Ω0 (E)= {n1 ,···,nN }:H(n1 ,···,nN )≤E 1≈ 2~q ·G+
2m ∗ √
~
Re A(ω)e −iωt σ DV
, σAC = 1−iωτ . Orden dos. Primeras correcciones energéti- gv (E)= 2π2 ( ~2 ) 1 v 3/2
Ev −E (E<Ev ) y Ev el
1
R
dn1 ···dnN , con (2) P ~ 0 (1) ~ 0
máximo de energı́a de la VB. Si f (E,T )≈
vol(∆~n) H(n1 ,···,nN )≤E ~ 1 ~ ~ m ~
Efecto Hall: E= ne j×B+ ne2 τ j=ρ̃j con ρ̃ el ten- ~ cas: E n (~q )= 0
~ 6=~
G 0
V(− G )C n~q (G )=
{n1 ,···,nN } los µE tales que H≤E y |V( G~ 0 )|2 e −β(E−µ)
, n=N c e−β(Ec −µ)
y p=Nv eβ(Ev −µ) con
~ 2m
P
vol(∆~ n) el volumen asociado al variar sor de resistividad. Si B=B êz , ρxx =ρyy =ρzz = − ~2 G ~ 0 6=~ . ∗ 3/2
m B
0 2~q ~ 0 +G
G ~ 02 N c,v =2( 1
h2
2πm n,p B k T ) . Se cumple: np=I 2 =
ni →ni +1 en cada número cuántico (para ne2 τ
y ρxy =−ρyx = ne . Coeficiente Hall: RH = ~ ~ ~ 2 −βEg
3 ρyx 1 Degeneración: si ∃Gm tales que 2~q Gm +Gm ≈0 Nc Nv e con Eg =Ec −Ev el gap.
fonones en 3D vol(∆~k)= (2π) V
); otra forma: BZ
=− ne .
(q cerca de bordes de la 1ZB) es necesa- Intrı́nsecos: sin impurezas.1 Se cumple ni =pi =
1 N −1 Conductividad térmica: como fonones, κe =
nS k∇1n Ek ,
R
g(E)= vol(∆~n) S(E=cte.) d pa- (0) ~ 2( 2πk B T 3/2
) (m∗n m∗p )3/4 e− 2 βEg y el potencial
ra unaR relación de dispersión ω(k): g(ω)=
1
3
ncV hvil= 2m 3
nkB 2
τ T , con cV = 32 kB T y v 2 = rio considerar los Cn~q (Gm ) y tendremos h2
1 1 Nv 1
~ G ~ m , quı́mico es µ=2 (Ev+Ec )+ 2 kB T log Nc = 2 (Ec +
1
d2 kS k∇1k ωk . Microestados tota-
3kB T
m
. Cte. de Wiedemann-Franz: L= σT κe
= m ecuaciones (0) ~
sustituyendo los G→
(0) m ∗
vol(∆~k) S(ω=cte.) ~
Cn~q (G)→C y En (~q )→En (~q ) (or- Ev )+ 34 kB T log m∗p .
1.11×10−8 WΩK−2 . n~q (Gm )
les: Ω0 =Ωotros Ω0 , con Ωotros degeneraciones no n

energéticas (ej.: spin Ωsp =2S+1, polarización Modelo de Sommerfeld: como el de Dru- den cero) en la ecuación central. Determinante Extrı́nsecos: dopados con átomos que dan un
Ωp =2 para ondas EM y Ωp =3 para fonones 3D). de, pero con estadı́stica de Fermi. Energı́a de da energı́as (gaps).qSi m=2 (G ~ 0 =~0 y G ~ 1 ): electrón de más para llenar capa (donores, tipo
electrones libres en un pozo infinito cúbi- 2 n) o uno de menos (aceptores, tipo p).
Capacidad calorı́fica.  2 2/3 En (~q )(0) = 12 [ξ0 +ξ1 ± (ξ0 −ξ1 )2 −4|V(G ~ 1 )| ] El elect. o hueco de más forma un átomo hidrogeo-
Modelo de Einstein (1D): N osciladores no aco- ~2 3π N (E)
co: E= 2m , densidad de es- ~2 2 ~2 ~ 2 1 ~ m ∗ e4 1
V
con ξ 0 = q y ξ 1 = (~q + G 1 ) , y si ~
q = G 1 , noide, En = 2(4πε 2 2 con εr la permitividad
plados de frecuencia ω0 , g(ω)=N δ(ω−ω0 ), V 2m 3/2 1/2
 q
E
2m
2
2m 2 r ε0 ~) n
N ~ω0 tados: g(E)= 2π2 ~2 E =g(EF ) EF , En (~q )= ~ ±|V(G
(0) ~ 1 )|. del material.
U =N hn(ω0 )i~ω0 = eβ~ω , CV = ∂U = 2m No de donores/aceptores: ND,A =
Masa efectiva: la ec. de fuerzas es F = Estadı́stica.
−1 ∂T V
3V n
0 2 e β~ω0 g(EF )= 2E . Movimiento de la esfera de Fer- 0 ±
N kB ( k~ω ) [eβ~ω , CV (T →∞)=N kB , F 2 d2 E −1 dvg 2 ND,A +ND,A (suma de neutros más ionizadas).
BT −1]2
mi: en equilibrio ~k=−eEτ =mvd , movilidad: ~ ( dk2 ) dt
, identificamos ( m1∗ )ij = ~12 ∂k∂i ∂k E
. + −
CV (T →0)∝e−β~ω0 . vd =µe E. Misma σ y RH que Drude.
j Neutralidad de cargas: n−p=ND −NA =D. Den-
Modelo de Debye (3D): N osciladores aco- 2 2 Si m∗ >0 conducción por e− ; si m∗ <0, por sidades: si D>0, {n,p}= 1 (√D2 +4I 2 ±D) (si
N 3 2 ~ kF
Valores de Fermi: n= V , kF =3π n, EF = 2m , huecos. 2
plados con ω=vs k. Densidad de estados: D<0, ±→∓).
Formulario FES
Página 3 de 3.
+
Casos lı́mite
(D=N
q D ). 1. 1 Freeze-out: si
4N
NC
D βEd
e 1, n≈ 12 ND NC e− 2 βEd , con Ed =
EC −ED . 2. Saturación: 4 N
NC
D βEd
e 1: n≈ND ,
n2i
donores ionizados, y p≈ ND .
Conductividad: ~j=σ E,
~ σ=e(nµn +pµp ) y µn,p =
eτe,h
m∗
.
n,p

También podría gustarte