BENEMERITA UNIVERSIDAD AUTONOMA
DE PUEBLA.
FACULTAD: CIENCIAS DE LA
ELECTRONICA.
ING. ENERGIAS RENOVABLES.
Dispositivos Electrónicos
NRC: 25172
Practica No.5
POLARIZACION
DEL JFET
INTEGRANTES:
Fernando Ángeles Alburquerque
Jimena Mariam Garcia Quino
Fecha de realización: 15/11/2024
Fecha de entrega: 26/11/2024
Resumen
Las prácticas sobre transistores JFET (Junction Field-Effect Transistors) se enfocaron en
su polarización y aplicación como amplificadores de señal. Inicialmente, se exploró la
configuración de autopolarización, destacando cómo esta técnica permite establecer el
punto de operación adecuado del transistor para garantizar su correcto funcionamiento. A
través del análisis matemático y simulaciones, se observaron parámetros clave como la
corriente de drenaje, la tensión puerta-fuente y el impacto de la resistencia de drenaje en el
comportamiento del dispositivo.
Posteriormente, se utilizó el JFET como amplificador de señal, analizando su
respuesta ante diferentes frecuencias y señales de entrada. Se comprobó su alta
impedancia de entrada, baja distorsión y bajo ruido, características que lo hacen ideal para
aplicaciones de alta fidelidad. Sin embargo, su ganancia de corriente relativamente baja y
la dependencia de la tensión aplicada limitan su uso en ciertas aplicaciones comparado con
transistores BJT.
Introducción
El transistor JFET (Junction Field-Effect Transistor) es un dispositivo semiconductor que
opera controlando el flujo de corriente a través de un canal por medio de un campo eléctrico
aplicado entre sus terminales de puerta (gate) y fuente (source). A diferencia de los
transistores bipolares (BJT), los JFET son dispositivos controlados por voltaje y presentan
una alta impedancia de entrada, lo que los hace ideales para aplicaciones que requieren un
bajo impacto en las señales de entrada, como amplificadores de audio y radiofrecuencia.
La operación de un JFET depende de su configuración y polarización, lo cual establece su
punto de operación y determina si el dispositivo trabaja en la región de corte, saturación o
linealidad. Este principio es fundamental para su uso en circuitos de amplificación y
conmutación.
En la práctica, se busca analizar el comportamiento del JFET en dos escenarios
principales: como dispositivo autopolarizado y como amplificador de señal. En primer lugar,
se realiza la autopolarización, que consiste en ajustar el punto de operación mediante
resistencias y tensiones específicas. Este proceso implica determinar parámetros como las
resistencias de fuente y drenaje (RS y RD), y verificar cómo la corriente de drenaje (ID) y la
tensión puerta-fuente (VGS) responden ante diferentes configuraciones. Para ello, se
emplea un simulador como Multisim, donde se diseñan y evalúan los circuitos antes de su
implementación física.
En la segunda etapa de la práctica, se utiliza el JFET como amplificador, conectando
una señal alterna a través de un generador. Aquí se estudian características como la
ganancia de señal, la distorsión y la respuesta en frecuencia, variando componentes del
circuito y observando el efecto sobre la señal de salida. Este análisis permite comprender
las aplicaciones prácticas del JFET en la electrónica moderna, comparando su desempeño
con otros tipos de transistores y evaluando sus ventajas, como el bajo ruido y la alta
estabilidad en circuitos de alta impedancia.
Objetivo
El objetivo general de la práctica fue analizar y comprender el funcionamiento del transistor
JFET (Junction Field-Effect Transistor) en diferentes configuraciones, evaluando su
capacidad de polarización y su desempeño como amplificador de señal. Este análisis
permitió explorar cómo la aplicación de tensiones y resistencias adecuadas garantiza el
funcionamiento óptimo del dispositivo, asegurando su operación en la región lineal o de
amplificación según sea necesario.
El objetivo principal fue establecer el punto de operación del JFET mediante el
método de autopolarización, verificando sus parámetros clave como la corriente de drenaje
y la tensión puerta-fuente. Para ello, se realizaron cálculos matemáticos, simulaciones en
software como Multisim y se analizaron las variaciones en el comportamiento del transistor
ante diferentes configuraciones. Adicionalmente, se evaluó su desempeño como
amplificador de señal, observando cómo afecta la ganancia, la distorsión y la respuesta en
frecuencia del circuito, consolidando su comprensión teórica y práctica.
Marco Teórico
El transistor JFET (Junction Field-Effect Transistor) es un dispositivo semiconductor de tres
terminales: drenaje (Drain), puerta (Gate) y fuente (Source). Su funcionamiento se basa en
el control del flujo de corriente a través de un canal mediante la aplicación de un campo
eléctrico. A diferencia de los transistores bipolares (BJT), los JFET son dispositivos
controlados por voltaje, caracterizados por su alta impedancia de entrada, lo que los hace
ideales para aplicaciones que requieren bajo impacto en la señal de entrada, como
amplificación de audio y radiofrecuencia. Este transistor opera en la región de agotamiento
y puede actuar como un amplificador de señal o un interruptor en circuitos electrónicos.
La polarización del JFET es esencial para su operación. En esta práctica, se trabajó
principalmente con la autopolarización, un método que utiliza resistencias en el circuito para
generar una tensión negativa en la puerta (VGS), logrando establecer el punto de operación
del transistor en la región activa. Este punto es fundamental para que el JFET funcione de
manera lineal y estable en aplicaciones de amplificación. A través de ecuaciones como la
de Shockley, que describe la relación entre la corriente de drenaje (ID) y la tensión puerta-
fuente (VGS), es posible calcular los valores necesarios para diseñar el circuito.
Además, se evaluó el uso del JFET como amplificador, aprovechando su capacidad
para incrementar la amplitud de señales de baja intensidad. La configuración del
amplificador incluye elementos como la resistencia de drenaje (RD), que afecta la ganancia,
y el acoplamiento capacitivo, que asegura el aislamiento de la señal de entrada y evita la
polarización cruzada de circuitos. El análisis gráfico y las simulaciones en software como
Multisim permitieron visualizar y verificar el comportamiento teórico del dispositivo,
comparando la respuesta del circuito ante diferentes tensiones de entrada y
configuraciones.
Materiales:
Transistor JFET 2N4857
Protoboard
Resistencias de 300 ohm y 100 ohm
Fuente de voltaje
Procedimiento Experimental
Para comenzar con esta práctica debemos realizar los cálculos obtener los valores de RS,
RD y RG, eligiendo un modelo de transistor JFET 2N4857 y una fuente de voltaje VDD=12V,
15V o 18V.
Para esto utilizaremos los valores que vienen en la siguiente imagen y fórmula:
𝑚𝐴 𝐼𝐷𝑆𝑆 (𝑚𝐴)
𝐵𝐸𝑇𝐴 ( 2
)= 2 2
𝑉 𝑉𝑃 (𝑉 )
Imagen 1: Tabla de relación de transistores
Teniendo los valores del Datasheet de nuestro transistor sabemos que Vp=-3.05,
Beta=6.313, IDSS=58.7mA, y los parámetros establecidos ID=15mA, VDS=6V y RG=1M
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆
𝑉𝐺𝑆 = 0 − 𝑉𝑆
𝑉𝑅𝐷 = 15𝑚𝐴(𝑅𝐷)
𝑉𝐷𝑆 = 15𝑚𝐴(𝑅𝑆)
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆(1 − )
𝑉𝑃
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 58.7𝑚𝐴(1 − )
3.05
𝑉𝐺𝑆 = −2.55
Hay que recordar que VGS=-VS entonces:
𝑉𝐺𝑆 = 2.55
Para VD:
𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 + 𝑉𝑆
𝑉𝐷 = 6𝑉 + 1.5𝑉
𝑉𝐷 = 7.5𝑉
Con esto podemos encontrar RD:
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷
𝑅𝐷 =
𝐼𝐷
12𝑉 − 7.5𝑉
𝑅𝐷 = = 300𝛺
15𝑚𝐴
De la misma forma podemos obtener RS:
𝑉𝑆
𝑅𝑆 =
𝐼𝐷
1.50𝑉
𝑅𝑆 = = 100𝛺
15𝑚𝐴
Ya con estos datos procedemos a ensamblar el circuito y simularlo en Multisim para poder
obtener los valores correspondientes y de esta manera pode compararlos.
Tablas de Datos
Datos Cálculos Simulación Practico
𝑽𝑫 -3.05V -3.05V -3.05V
BETA 6.313 6.313 6.313
𝑰𝑫𝑺𝑺 15mA 15mA 15mA
𝑹𝑫 300 𝛺 300 𝛺 330 𝛺
𝑹𝑮 1M 𝛺 1M 𝛺 1M 𝛺
𝑹𝑺 100 𝛺 100 𝛺 100 𝛺
𝑽𝑫 7.5V 7.431V 7.28V
𝑽𝑮 0V 0V 0V
𝑽𝑺 1.5V 1.523V 1.49V
𝑽𝑹𝑫 4.5V 4.5V 4.5V
𝑽𝑹𝑮 0V 0V 0V
𝑽𝑹𝑺 1.5V 1.523V 1.49V
𝑽𝑫𝑺 6V 5.908V 5.77V
𝑽𝑮𝑺 -2.55V -2.57V -2.6V
𝑰𝑫 15mA 15.231mA 16.2mA
Procesamiento de datos experimentales
Imagen 2. Simulación de autopolarización
Imagen 3. Circuito en amplificador de señal
Imagen 4. Amplificador con 1Hz 100mV
Imagen 5. Amplificador con 10Hz 100mV
Imagen 6. Amplificador con 1kHz 100mV
Imagen 7. Amplificador con 10kHz 100mV
Análisis de resultados experimentales
Como podemos observar los resultados obtenidos en los 3 casos son similares, varían un
poco, pero esto puede ser por el valor real de algunas resistencias, siendo los más exactos
los que obtuvimos en Multisim, el cual nos ayudó a poder obtener valores más reales para
nuestra practica y de esta forma poder comparar nuestros resultados.
Conclusiones
En esta última práctica se abordó el uso adecuado de los transistores JFET, aunque
previamente se habían utilizado otros tipos, como los transistores BJT. Es fundamental
distinguir las diferencias entre ambos, ya que a lo largo del curso se trabajó principalmente
con estos dos tipos. Reconocer la principal característica de cada uno resulta esencial para
comprender su funcionamiento y determinar en qué casos utilizarlos. Por ejemplo, el
transistor BJT se controla mediante corriente, mientras que el JFET se controla a través de
tensión.
Es importante señalar que durante el desarrollo de esta práctica final se integraron diversos
temas aprendidos a lo largo del curso de dispositivos, junto con algunos conocimientos
complementarios de otras materias. Esto permitió realizar la práctica de manera exitosa,
reforzando los conceptos clave aprendidos y consolidando los últimos temas de la
asignatura.
Referencias
• https://www.areatecnologia.com. (2024). jfet. Areatecnologia.com.
https://www.areatecnologia.com/electronica/jfet.html
• Electrotec | ¿Qué es el JFET? (2024). Electrotec.pe. https://electrotec.pe/blog/jfet
• 5.2: El transistor de efecto de campo de unión (JFET) como interruptor. (2022,
October 31). LibreTexts Español.
https://espanol.libretexts.org/Vocacional/Tecnologia_Electronica/Libro%3A_Circui
tos_Electricos_III_-
_Semiconductores_(Kuphaldt)/05%3A_Transistores_de_efecto_de_campo_de_uni
%C3%B3n/5.02%3A_El_transistor_de_efecto_de_campo_de_uni%C3%B3n_(JFE
T)_como_interruptor
