TABLA 4.

1
Configuración de polarización del BJT

Tipo Configuración Ecuaciones correspondientes

Polarización fija VCC

VCC - VBE
IB =
RC RB
RB
IC = bIB, IE = (b + 1)IB

 VCE = VCC - IC RC

Polarización VCC
de emisor
VCC - VBE
RC IB =
RB RB + (b + 1)RE
IC = bIB, IE = (b + 1)IB
 Ri = (b + 1)RE
VCE = VCC - IC (RC + RE)
RE

Polarización por VCC

medio del divisor
de voltaje RC R2VCC APROXIMADA: bRE Ú 10R2
R1 EXACTA: RTh = R1||R2, ETh =
R1 + R2 R2VCC
ETh - VBE VB = , V = VB - VBE
IB = R1 + R2 E
 RTh + (b + 1)RE VE IE
IC = bIB, IE = (b + 1)IB IE = ,I =
RE B b + 1
R2 VCE = VCC - IC (RC + RE) VCE = VCC - IC (RC + RE)
RE

VCC
Realimentación
de colector RC
RB VCC - VBE
IB =
RB + b(RC + RE)
IC = bIB, IE = (b + 1)IB

VCE = VCC - IC (RC + RE)

RE

Emisor seguidor
VEE - VBE
IB =
RB + (b + 1)
IC = bIB, IE = (b + 1)IB
RB
RE VCE = VEE - IE RE

–VEE
Base común VEE - VBE
IE =
RE
RE RC IE
IB = , I = bIB
b + 1 C
VEE VCC
VCE = VEE + VCC - IE (RC + RE)
VCB = VCC - IC RC
195
 TABLA 5.1
Amplificadores con transistor BJT sin carga

Configuración Zi Zo Av Ai
Polarización fija: Media (1 k) Media (2 k) Alta (200) Alta (100)

VCC RB 7 bre RC 7 ro 1RC 7 ro2 bRBro

1ro + RC21RB + bre2
= = =
Io RC = -
RB re
Ii
+  bre  RC
Vo RC  b
+ Zo 1RB Ú 10bre2 1ro Ú 10RC2 
1ro Ú 10RC,
Vi
– -
re
Zi
– RB Ú 10bre2
1ro Ú 10RC 2

Polarización Media (1 k) Media (2 k) Alta (200) Alta (50)

VCC
RC 7 ro b1R1 7 R22ro
por medio del
R1 7 R2 7 bre RC 7 ro
Io RC
divisor de voltaje:
1ro + RC21R1 7 R2 + bre2
= =
R1 = - =
Ii re
+  RC
b1R1 7 R22
+ Zo
1ro Ú 10RC2
Vo RC

R1 7 R2 + bre
Vi Zi R2 - 
RE CE re

1ro Ú 10RC 2
– –
1ro Ú 10RC2

Polarización de emisor Alta (100 k) Media (2 k) Baja (5) Alta (50)
VCC
sin puentear:
RB
Io RC = RB 7 Zb = RC RC
 -
bRB
= - RB + Zb
re + RE
Zb  b1re + RE2
Ii
+ (cualquier
+ Zo nivel de ro)
Vo  RB 7 bRE 
RC
Vi -
Zi RE RE
– – 1RE W re2
1RE W re2
Emisor seguidor: Alta (100 k) Baja (20 k) Baja ( 1) Alta (50)
VCC

Ii RB = RB 7 Zb = RE 7 re RE
 -
bRB
= RB + Zb
Zb  b1re + RE2
RE + re
+  re
+  RB 7 bRE 
1RE W re2
Vi Io RE 1
Zi Vo
1RE W re2
– Zo
–
Base común: Baja (20 ) Media (2 k) Alta (200) Baja (1)

RE 7 re
Ii  -1
= = RC RC

+ RC + re
RE Io
Vi Zi Zo Vo  re
VEE VCC
– – 1RE W re2
Realimentación del colector: Media (1 k) Media (2 k) Alta (200) Alta (50)
VCC
RC 7 RF
Io re bRF
RC  RC
RF =
1 RC  - =
RF + bRC
re
1ro Ú 10RC2
+ +
Ii b RF
1ro Ú 10RC2
1ro Ú 10RC2 1RF W RC2
Zo Vo RF
+ 
Vi Z RC
o
– –

287
 TABLA 5.2
Amplificadores con transistor BJT incluido el efecto de Rs y RL

Configuración AvL  Vo Vi Zi Zo

- 1RL 7 RC2
RB 7 bre RC
re

Vo ro incluida:
1RL 7 RC 7 ro2
Vi Zo
- RB 7 bre RC 7 ro
re
Zi

- 1RL 7 RC2
R1 7 R2 7 bre RC
re

Vo
Vi
ro incluida:
Zo
- 1RL 7 RC 7 ro2
R1 7 R2 7 bre RC 7 ro
Zi re

R¿E = RL 7 RE R¿s = Rs 7 R1 7 R2

R1 7 R2 7 b 1re + R¿E2 RE 7 a + re b
R¿s
 1
b
Vi
ro incluida:

R1 7 R2 7 b1re + R¿E2 RE 7 a + re b
Vo R¿s
Zo  1
Zi b

- 1RL 7 RC2
 RE 7 re RC
Vi re
Vo

ro incluida:
- 1RL 7 RC 7 ro2
Zi Zo
 RE 7 re RC 7 ro
re

- 1RL 7 RC2
R1 7 R2 7 b 1re + RE2
VCC
RC
RE
RC
R1
Vo
ro incluida:
Rs Vi
-1RL 7 RC2
R1 7 R2 7 b1re + Re2
Zo
 RC
+ RL RE
Vs Zi R2
RE
–

288
 TABLA 5.2 (Continuación)
Amplificadores con transistor BJT incluido el efecto de Rs y RL

Configuración AvL  Vo Vi Zi Zo

- 1RL 7 RC2
VCC
RB 7 b(re + RE12 RC
RE1
RC
RB
Vo
Rs Vi ro incluida:

- 1RL 7 RC2
Zo

+
Zi
RE1 RL RB 7 b 1re + RE2  RC
Vs REt
–
RE2 CE

- 1RL 7 RC2
bre 7
VCC RF
RC
re ƒ Av ƒ
RC
RF
Vo
ro incluida:
- 1RL 7 RC 7 ro2
Rs Vi
bre 7 RC 7 RF 7 ro
Zo RF
+ RL
re
Vs ƒ Av ƒ
Zi
–

- 1RL 7 RC2
bRE 7  RC 7 RF
VCC RF
RE ƒ Av ƒ
RC
RF
Vo
ro incluida:

- 1RL 7 RC2
Rs Vi

 bRE 7  RC 7 RF
Zo RF

+ RL RE ƒ Av ƒ
Vs
Zi RE
L
–

Vo
AvNL =
Vi
Vo = AvNLVi

ETh = AvNLVi
 TABLA 7.1
Configuraciones de polarización del FET

Tipo Configuración Ecuaciones pertinentes Solución gráfica

VDD ID
RD IDSS
Polarización fija VGSQ = - VGG
del JFET VDS = VDD - ID RS Punto Q
RG
VGG –
+ VP VGG 0 VGS

VDD ID
IDSS
RD
Autopolarización VGS = - ID RS
del JFET VDS = VDD - ID1RD + RS2 Punto Q
I'D
RG RS
VP V' 0 VGS
GS

VDD ID
R2VDD IDSS
Polarización por R1 RD VG =
R1 + R2 VG
medio del divisor
VGS = VG - ID RS Punto Q RS
= VDD - ID1RD + RS2
de voltaje del JFET R2 RS VDS
VP 0 VG VGS

VDD ID
RD IDSS
Compuerta común VGS = VSS - ID RS VSS
del JFET VDS = VDD + VSS - ID1RD + RS2 Punto Q RS
RS
–VSS VP 0 VSS VGS
ID
VDD VGS = - ID RS IDSS
RD
JFET VD = VDD
1RD = 0 Æ2 VS = ID RS Punto Q
I'D

VDS = VDD - IS RS VP V'GS 0 VGS

VDD ID
RD Punto Q IDSS
JFET VGSQ = 0 V
VGS = 0 V
caso especial IDQ = IDSS Q

1VGSQ = 0 V2
RG
VGG
VP 0 VGS
ID
VDD
Punto Q
Polarización fija VGSQ = + VGG
IDSS
de MOSFET tipo VDS = VDD - ID RS
empobrecimiento RG RS
(y MESFET)
VP 0 VGG VGS

Polarización por VG ID
VDD
RD
R2VDD RS
medio del divisor de R1 VG = Punto Q
R1 + R2 IDSS
voltaje del MOSFET
VGS = VG - IS RS
= VDD - ID1RD + RS2
tipo empobrecimiento R2 RS
(y MESFET)
VDS
VP 0 VG VGS
Configuración por VDD ID
VDD
realimentación del RD
RG RD
MOSFET tipo VGS = VDS ID(encendido)
VGS = VDD - ID RD Punto Q
enriquecimiento
(y MESFET) 0 VGS(Th) VDD VGS
VGS(encendido)

Polarización por VDD VG ID

medio del divisor de RD R2VDD RS
R1 VG =
voltaje del MOSFET R1 + R2
Punto Q
tipo enriquecimiento R2 RS VGS = VG - ID RS
(y MESFET) 0 VGS(Th) VG VGS

440
 TABLA 8.1
Zi, Zo y Av para varias configuraciones del FET

Vo
Configuración Zi Zo Av =
Vi

Polarización fija
(JFET o D-MOSFET)

Fixed-bias +VDD
[JFET or D-MOSFET] Mediana 12 kÆ2 Mediana 1 - 102
Alta 110 MÆ2
RD
C2
Vo = RD ƒƒ rd = -gm1rd ƒƒ RD2
C1
Vi = RG
Zo  RD  -gm RD
1rd Ú 10 RD2 1rd Ú 10 RD2
Zi RG
–V
GG
+

Autopolarización
con RS evitada
(JFET o D-MOSFET)
Self-bias +VDD Mediana 12 kÆ2 Mediana 1 - 102
bypassed RS
Alta 110 MÆ2
- gm1rd 7 RD2
JFET or D-MOSFET] RD
C2 = RD ƒƒ rd =
Vo
C1 = RG
 RD  - gm RD
Vi 1rd Ú 10 RD2 1rd Ú 10 RD2
Zo
Zi
RG
RS CS

Autopolarización

Baja 1-22
con RS no evitada
(JFET o D-MOSFET)
+VDD
c 1 + gmRS + dR
Self-bias RS
Alta 110 MÆ2
unbypassed RS gm RD
rd D =
RD + RS
[JFET or D-MOSFET] RD =
C2 1 + gm RS +
c 1 + gmRS + d
RS RD rd
Vo = RG +
C1 rd rd
Vi
Zo gm RD
= RD rd Ú 10 RD o rd = q Æ  -
Zi 1 + gm RS
RG 3rd Ú 10 1RD + RS24
RS

Polarización por medio del divisor de voltaje

(JFET o D-MOSFET)
Voltage-divider bias +VDD
Mediana 12 kÆ2 Mediana 1-102
Alta 110 MÆ2
JFET or D-MOSFET]
RD
RD 7 rd - gm1rd ƒƒ RD2
C2
R1 = =
Vo
C1 = R1 ƒƒ R2
Vi
Zo
 RD 1rd Ú 10 RD2
 - gm RD 1rd Ú 10 RD2
Zi
R2
RS CS

506
 TABLA 8.1
(continuación)

Vo
Configuración Zi Zo Av =
Vi

Compuerta común

Mediana 1+102
(JFET o D-MOSFET)
+VDD Baja 11 kÆ2
Common-gate Mediana (2 k)
[JFET or D-MOSFET]
RD
RS 7 c
rd + RD
d
Q1
RD
RD ƒƒ rd gmRD +
C1 C2 = = rd
1 + gmrd =
Vi Vo RD
1 +
 RD
 RS 7
rd
1 1rd Ú 10 RD2
Zi RS Zo gm
RG CS 1rd Ú 10 RD2  gmRD
1rd Ú 10 RD2

Fuente-seguidor
(JFET o D-MOSFET)
Baja 1100 kÆ2 Baja 16 12
Source-follower
+VDD gm 1rd ƒƒ RS2
Alta 110 MÆ2
[JFET or D-MOSFET]
= rd ƒƒ RS ƒƒ 1>gm
1 + gm1rd ƒƒ RS2
=
C1
Vi
C2 = RG  RS ƒƒ 1 ƒƒ gm
Zi Vo 1rd Ú 10 RS2 gm RS
RG
RS

1 + gm RS
Zo 1rd Ú 10 RS2

Polarización por realimentación de drenaje

Mediana 11 MÆ2
(E-MOSFET)
Mediana 12 kÆ2
+VDD Mediana 1-102
Drain-Feedback bias
E-MOSFET RF + rd 7 RD
- gm1RF ƒƒ rd ƒƒ RD2
= RF ƒƒ rd ƒƒ RD
1 + gm1rd 7 RD2
RD = =
RF C2
Vo
 RD
C1 1RF, rd Ú 10 RD2  - gmRD
RF 1RF, rd Ú 10 RD2
Vi
Zo 
1 + gmRD
1rd Ú 10 RD2
Zi

Polarización por medio del divisor de voltaje

(E-MOSFET)
+VDD Mediana (2 k) Mediana (10)
oltage-divider bias
Mediana 11 MÆ2
-MOSFET
= RD ƒƒ rd = -gm 1rd ƒƒ RD2
RD
C2
R1 D Vo = R1 ƒƒ R2
C1  RD  -gmRD
G 1Rd Ú 10 RD2 1rd Ú 10 RD2
Vi
Zo
S
Zi R2 RS

507
 TABLA 8.2

Configuración AvL = Vo ƒƒ Vi Zi Zo

V0 - gm 1RD ƒƒ RL2 RG RD
Vi
Z0
+ Con rd:
Vss
- gm 1RD ƒƒ RL ƒƒ rd2
Zi
– RG RD ƒƒ rd

- gm 1RD ƒƒ RL2 RD
RG
1 + gm RS 1 + gm RS
V0
Vi
Z0 Con rd:

- gm1RD ƒƒ RL2
+
Vs RD
–
Zi RG 
RD + RS 1 + gm RS
1 + gm RS +
rd

V0
- gm 1RD ƒƒ RL2 R1 ƒƒ R2 RD
Vi
Z0
+
Vs Con rd:
- gm 1RD ƒƒ RL ƒƒ rd2
– Zi
R1 ƒƒ R2 RD ƒƒ rd;

gm1RS ƒƒ RL2
1 + gm 1RS ƒƒ RL2
RG RS ƒƒ 1> gm

Vi

Con rd:
+ V0
Vs
Zi gmrd1RS ƒƒ RL2 RS
–
rd + RD + gmrd 1RS ƒƒ RL2
Z0 = RG
gmrd RS
1 +
rd + RD

gm 1RD ƒƒ RL2
Vi RS
V0 RD
1 + gm RS
+
Vs Con rd:
 gm 1RD ƒƒ RL2
– Zi Z0 RS
Zi = RD ƒƒ rd
gmrd RS
1 +
rd + RD ƒƒ RL

511
 Respuesta en baja frecuencia del FET:
1
fLG = , Ri = RG
2p(Rsig + Ri)CG

Ro = RD 7 rd
1
fLC = ,
2p(Ro + RL)CC
1 RS 1
 RS " 2
1 + RS(1 + gmrd)>(rd + RD 7 RL)
fLS = , Req =
2pReqCS gm rd  q Æ
Capacitancia de efecto Miller:

CMo = a1 - b Cf
1
CMi = (1 - Av)Cf ,
Av
Respuesta en alta frecuencia del BTJ:

RThi = Rs 7 R1 7 R2 7 Ri,
1 1
1 + j( f> f2)
Av = , fHi = ,
2pRThiCi
Ci = CWi + Cbe + CMi

RTho = RC 7 RL 7 ro,
1
fHo = , Co = CWo + Cce + CMo,
2pRThoCo
hfemedia
hfe =
1 + j( f>fb)
1
fb 
2pb mediare(Cbe + Cbc)
fT  hfemedia fb
Respuesta en alta frecuencia del FET:

RThi = Rsig 7 RG,

1
fHi = , Ci = CWi + Cgs + CMi,
2pRThiCi
CMi = (1 - Av)Cgd

RTho = RD 7 RL 7 rd,
1
fHo = , Co = CWo + Cds + CMo,
2pRThoCo

CMo = a 1 - b Cgd
1
Av
Ecuaciones:
Logaritmos:
a
a = bx, x = logba, log10
= log10 a - log10 b
b
P2 V2
log10 ab = log10 a + log10 b, GdB = 10 log10 = 20 log10
P1 V1
GdBT = GdB1 + GdB2 + GdB3 + Á + GdBn
Respuesta en baja frecuencia:
1 1
1 - j( f1>f )
Av = , f1 =
2pRC
Respuesta en baja frecuencia del BJT:

Ri = R1 7R2 7 bre
1
fLs = ,
2p(Rs + Ri)Cs

Ro = RC 7ro
1
fLC = ,
2p(Ro + RL)CC

Re = RE 7 a + re b , Rs¿ = Rs 7 R1 7 R2
1 R¿s
fLE = ,
2pReCE b
588 Respuesta en baja frecuencia del FET:
1
fLG = , Ri = RG
2p(Rsig + Ri)CG

Ro = RD 7 rd
1
fLC = ,
2p(Ro + RL)CC
1 RS 1
 RS " 2
1 + RS(1 + gmrd)>(rd + RD 7 RL)
fLS = , Req =
2pReqCS gm rd  q Æ
Capacitancia de efecto Miller:

CMo = a1 - b Cf
1
CMi = (1 - Av)Cf ,
Av
Respuesta en alta frecuencia del BTJ:

RThi = Rs 7 R1 7 R2 7 Ri,
1 1
Av = , fHi = ,
1 + j( f>f2) 2pRThiCi
Ci = CWi + Cbe + CMi

RTho = RC 7 RL 7 ro,
1
fHo = , Co = CWo + Cce + CMo,
2pRThoCo
hfemedia
hfe =
1 + j( f>fb)
1
fb 
2pb mediare(Cbe + Cbc)
fT  hfemedia fb
Respuesta en alta frecuencia del FET:

RThi = Rsig 7 RG,

1
fHi = , Ci = CWi + Cgs + CMi,
2pRThiCi
CMi = (1 - Av)Cgd

RTho = RD 7 RL 7 rd,
1
fHo = , Co = CWo + Cds + CMo,
2pRThoCo

CMo = a 1 - b Cgd
1
Av