INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL
ESCUELA SUPERIOR DE
INGENIERIA MECANICA Y
ELECTRICA
DISPOSITIVOS
20 PREGUNTAS Y 20 EJERCICIOS
PROFESOR:
EMANUEL
GRUPO: 4CV8
SANCHEZ ALVAREZ IRVING
CIRCUITOS SIN FILTROS CAPACITIVOS
1.
2.
3.
¿Qué son los diodos?
El diodo es un semiconductor cuya principal función es dejar pasar la
corriente solo en una dirección, es decir, en un solo sentido y bloquear la
corriente en el otro sentido. De esta manera, el diodo se encuentra formado químicamente
por una unión llamada PN y, generalmente, estos son fabricados con metal compuesto de
Silicio.
Se usa el Silicio con el objetivo de hacerlo un elemento activo, lo cual, para lograr eso,
deberá doparse. Es decir, se añadirán impurezas a los materiales de fabricación del diodo
y es aquí donde ocurre la unión tipo PN.
En un material tipo P encontramos escasez de electrones. También estará presente
un material tipo N que tiene un exceso de ellos. Teniendo en cuenta que esos
elementos tienen faltantes, ambos se unen para generar un comportamiento electrónico.
Los diodos se clasifican en las siguientes categorías
Detector o de baja señal
Rectificador
Zener
Varactor
Emisor de luz
Láser
Estabilizador
Túnel
Pin
Backward
Schottky
Fotodiodos.
Recta de Carga
¿Qué es?
La recta de carga es una representación gráfica que muestra las posibles combinaciones de
corriente (I) y voltaje (V) en un circuito en función de las condiciones del suministro y las
características del dispositivo semiconductor. Es una línea que se traza en el gráfico I-V
(corriente-voltage) del dispositivo.
¿Cómo se obtiene?
1. Definición del Circuito: Considera un circuito simple que incluye una fuente de voltaje
(V_s) y un dispositivo semiconductor (por ejemplo, un diodo).
2. Ecuación de la Carga: Para un circuito en serie, la relación entre la corriente y el voltaje se
puede expresar como: Vs=Vd+I⋅RV_s = V_d + I \cdot RVs=Vd+I⋅R donde VdV_dVd es la
caída de voltaje en el diodo, III es la corriente a través del circuito y RRR es la resistencia
de carga.
3. Recta de Carga: Reorganizando la ecuación: I=Vs−VdRI = \frac{V_s - V_d}{R}I=RVs−Vd Esto
muestra que para cada valor de VdV_dVd, hay un valor correspondiente de III, formando
así una línea recta en el gráfico I-V.
Punto de Operación
¿Qué es?
El punto de operación (también conocido como punto Q) es el punto en el que la recta de
carga intersecta la curva característica del dispositivo semiconductor (como la curva I-V de
un diodo). Este punto representa las condiciones de voltaje y corriente en el estado
estacionario del circuito.
¿Cómo se obtiene?
1. Curva Característica: Se traza la curva característica del dispositivo semiconductor, que
muestra cómo varía la corriente en función del voltaje aplicado.
2. Intersección: Se traza la recta de carga en el mismo gráfico. El punto donde esta recta
intersecta la curva característica del dispositivo es el punto de operación.
3. Condiciones Estacionarias: Este punto indica las condiciones bajo las cuales el dispositivo
está funcionando de manera estable. Cualquier cambio en la fuente de voltaje o
resistencia de carga moverá la recta de carga y, por lo tanto, cambiará el punto de
operación.
Resistencia Estática
¿Qué es?
La resistencia estática es la resistencia efectiva de un dispositivo semiconductor en un
punto específico de su curva I-V (corriente-voltage). Se refiere a la relación entre el voltaje
y la corriente cuando el dispositivo está en un estado estable y se utiliza para caracterizar el
comportamiento del dispositivo en condiciones de operación.
¿Cómo se calcula?
La resistencia estática (RsR_sRs) se puede calcular utilizando la ley de Ohm en el punto de
operación (Punto Q). La fórmula es:
Rs=VIR_s = \frac{V}{I}Rs=IV
donde:
VVV es el voltaje a través del dispositivo (por ejemplo, la caída de voltaje en un
diodo).
III es la corriente que pasa a través del dispositivo en ese punto específico.
Por ejemplo, si en un diodo la caída de voltaje es de 0.7 V y la corriente es de 10 mA, la
resistencia estática sería:
Rs=0.7 V0.01 A=70 ΩR_s = \frac{0.7 \, \text{V}}{0.01 \, \text{A}} = 70 \, \OmegaRs
=0.01A0.7V=70Ω
Resistencia Dinámica
¿Qué es?
La resistencia dinámica es una medida de la variación de la corriente en respuesta a un
cambio en el voltaje alrededor de un punto específico de la curva I-V. Es útil para entender
cómo un dispositivo responde a pequeñas variaciones en la señal, siendo especialmente
importante en aplicaciones de alta frecuencia y en circuitos amplificadores.
¿Cómo se calcula?
La resistencia dinámica (RdR_dRd) se calcula utilizando la derivada de la corriente con
respecto al voltaje, en el punto de operación:
Rd=dVdIR_d = \frac{dV}{dI}Rd=dIdV
Esto se puede calcular de manera aproximada utilizando dos puntos cercanos en la curva I-
V:
Rd≈V2−V1I2−I1R_d \approx \frac{V_2 - V_1}{I_2 - I_1}Rd≈I2−I1V2−V1
donde:
V1V_1V1 y V2V_2V2 son voltajes en dos puntos diferentes de la curva.
I1I_1I1 y I2I_2I2 son las corrientes correspondientes.
Por ejemplo, si al variar el voltaje de 0.6 V a 0.7 V la corriente cambia de 5 mA a 10 mA,
la resistencia dinámica sería:
Rd≈0.7−0.60.01−0.005=0.1 V0.005 A=20 ΩR_d \approx \frac{0.7 - 0.6}{0.01 - 0.005} = \
frac{0.1 \, \text{V}}{0.005 \, \text{A}} = 20 \, \OmegaRd≈0.01−0.0050.7−0.6
=0.005A0.1V=20Ω
Cálculo de la Potencia Promedio
La potencia promedio PPP en un dispositivo semiconductor se puede calcular utilizando la
siguiente fórmula general:
P=V⋅IP = V \cdot IP=V⋅I
Donde:
VVV es la tensión (voltaje) en los terminales del dispositivo.
III es la corriente que fluye a través del dispositivo.
Consideraciones Específicas
1. Transistores Bipolares (BJT):
o En un transistor, la potencia disipada se calcula como: P=VCE⋅ICP = V_{CE} \cdot
I_CP=VCE⋅IC
o Donde VCEV_{CE}VCE es la tensión entre el colector y el emisor, y ICI_CIC es la
corriente de colector.
2. Transistores de Efecto de Campo (FET):
o Para un FET, la potencia disipada puede ser calculada como: P=VDS⋅IDP = V_{DS} \
cdot I_DP=VDS⋅ID
o Aquí VDSV_{DS}VDS es la tensión entre el drenador y la fuente, y IDI_DID es la
corriente de drenaje.
3. Diodos:
o Para un diodo, la potencia disipada es: P=VD⋅IDP = V_D \cdot I_DP=VD⋅ID
o Donde VDV_DVD es la caída de tensión en el diodo y IDI_DID es la corriente que
pasa a través de él.
Ejemplo de Cálculo
Supongamos que tenemos un transistor BJT con un voltaje VCEV_{CE}VCE de 2V y una
corriente de colector ICI_CIC de 0.5A. La potencia disipada sería:
P=VCE⋅IC=2 V⋅0.5 A=1 WP = V_{CE} \cdot I_C = 2 \, \text{V} \cdot 0.5 \, \text{A} = 1 \, \
text{W}P=VCE⋅IC=2V⋅0.5A=1W
Esto significa que el transistor disipa 1 vatio de potencia en forma de calor.
Importancia de la Potencia Promedio
1. Manejo del Calor: Conocer la potencia disipada es esencial para seleccionar
adecuadamente los dispositivos de refrigeración, como disipadores de calor o
ventiladores.
2. Selección de Componentes: Permite a los diseñadores seleccionar dispositivos que
operen dentro de límites seguros de temperatura y potencia.
3. Fiabilidad del Circuito: Un manejo adecuado de la potencia puede mejorar la vida
útil del dispositivo y la fiabilidad del circuito en general.
