Presentación
Nombres y matriculas:
Kendrick Santana (2022-1899)
Asignatura:
Electrónica General
Sección:
ELE-211-1
Tema:
Preguntas unidad 1
Maestro:
Danilo Martínez
Fecha:
17/9/2024
Cuestionario
1) ¿Cuál es el material semiconductor más utilizado?
El silicio es el material semiconductor más utilizado.
2) ¿Por qué un semiconductor tiene menos electrones libres que un conductor?
Un semiconductor tiene menos electrones libres que un conductor porque sus electrones de valencia
están fuertemente enlazados en enlaces covalentes, y solo unos pocos adquieren suficiente energía
para escapar y convertirse en electrones libres.
3) ¿Cuántos enlaces covalentes se forman?
En un cristal de silicio, cada átomo de silicio forma cuatro enlaces covalentes con sus átomos
vecinos.
4) ¿Qué significa el término intrínseco?
Un semiconductor intrínseco es un material puro, sin impurezas, donde la conducción de
electricidad depende únicamente de los electrones y huecos generados térmicamente.
5) ¿Hay electrones libres en la banda de valencia o en la banda de conducción?
Los electrones libres están en la banda de conducción. Los electrones en la banda de valencia están
enlazados y no pueden moverse libremente.
6) ¿Cuáles electrones son responsables de la corriente de electrón en el silicio?
Los electrones de conducción, que han adquirido suficiente energía para escapar de sus átomos,
son responsables de la corriente de electrón en el silicio.
7) ¿Qué es un hueco?
Un hueco es la ausencia de un electrón en la banda de valencia. Es como una "vacante" que puede
moverse cuando un electrón vecino se desplaza para ocupar ese espacio.
8) ¿A qué nivel de energía ocurre un hueco?
Un hueco ocurre en la banda de valencia, donde los electrones tienen menos energía que los de la
banda de conducción.
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9) Defina dopado.
El dopado es el proceso de agregar impurezas (átomos pentavalentes o trivalentes) a un
semiconductor para alterar sus propiedades eléctricas, aumentando la cantidad de electrones o
huecos.
10) ¿Cuál es la diferencia entre un átomo pentavalente y un átomo trivalente? ¿Cuáles otros
nombres reciben estos átomos?
Un átomo pentavalente tiene cinco electrones de valencia y añade electrones libres (se le llama
donante). Un átomo trivalente tiene tres electrones de valencia y crea huecos (se le llama aceptor).
11) ¿Cómo se forma un semiconductor tipo n?
Un semiconductor tipo n se forma dopando silicio con átomos pentavalentes (como fósforo), que
añaden electrones libres al material.
12) ¿Cómo se forma un semiconductor tipo p?
Un semiconductor tipo p se forma dopando silicio con átomos trivalentes (como boro), que crean
huecos en el material.
13) ¿Cuál es el portador mayoritario en un semiconductor tipo n?
Los electrones libres son los portadores mayoritarios en un semiconductor tipo n.
14) ¿Cuál es el portador mayoritario en un semiconductor tipo p?
Los huecos son los portadores mayoritarios en un semiconductor tipo p.
15) ¿Mediante qué proceso se producen los portadores mayoritarios?
Los portadores mayoritarios se producen mediante el proceso de dopado.
16) ¿Mediante qué proceso se producen los portadores minoritarios?
Los portadores minoritarios se producen mediante la generación térmica de pares electrón-hueco.
17) ¿Cuál es la diferencia entre semiconductores intrínsecos y extrínsecos?
Un semiconductor intrínseco es puro y su conductividad depende solo de la temperatura. Un
semiconductor extrínseco ha sido dopado con impurezas para mejorar su conductividad.
18) ¿Qué es una unión pn?
Una unión pn es una región en un semiconductor donde se encuentran una parte dopada tipo p y
otra parte dopada tipo n, creando una región de empobrecimiento entre ellas.
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19) Explique qué es la difusión.
La difusión es el movimiento de portadores de carga (electrones y huecos) desde regiones de alta
concentración a regiones de baja concentración, lo que ocurre en una unión pn.
20) Describa la región de empobrecimiento.
La región de empobrecimiento es una zona cercana a la unión pn que queda desprovista de
portadores mayoritarios debido a la recombinación de electrones y huecos. Esta región actúa como
un aislante.
21) Explique qué es el potencial de barrera y cómo se crea.
El potencial de barrera es la diferencia de voltaje que se forma en la unión pn debido a la separación
de cargas positivas y negativas. Se crea cuando los electrones del material tipo n se combinan con
los huecos del material tipo p.
22) ¿Cuál es el valor típico del potencial de barrera para un diodo de silicio?
El valor típico del potencial de barrera para un diodo de silicio es de 0.7 V.
23) ¿Cuál es el valor típico del potencial de barrera para un diodo de germanio?
El valor típico del potencial de barrera para un diodo de germanio es de 0.3 V.
24) Describa la polarización en inversa de un diodo.
En polarización inversa, el material tipo p se conecta al terminal negativo y el material tipo n al
terminal positivo, lo que ensancha la región de empobrecimiento y bloquea la corriente.
25) Explique cómo se polariza en directa un diodo.
En polarización directa, el material tipo p se conecta al terminal positivo y el material tipo n al
terminal negativo, lo que reduce la región de empobrecimiento y permite que fluya corriente.
26) Explique cómo se polariza en inversa un diodo.
En polarización inversa, se aplica un voltaje que amplía la región de empobrecimiento y restringe
el flujo de corriente, excepto cuando el voltaje alcanza el punto de ruptura y se produce avalancha.
