R.

Moreno Electrónica de Potencia EE 80

4.- Tiristor
-Dispositivos de potencia de estado sólido más antiguos (1957) desarrollado en los laboratorios
de General Electric.

-Único dispositivo que puede entrar en conducción por medio de una señal de control aplicada al
electrodo de puerta, pero sin señal de control para la desconexión.

-Por las características del tiristor este tiene importantes aplicación en la electrónica de potencia
por su capacidad de manejo de gran potencia.

4.1.- Estructura básica del tiristor

Gate Cathodo

n+ 1019 cm-3 n+ 1019 cm-3 10 um

J3 p 17
10 cm -3
30 – 100 um
J2
n- 1013 – 5x1014 cm-3 50 – 1000 um

J1 p 1017 cm-3 30 -50 um

P+ 1019 cm-3

Anode

iA vAK
+ -
Anodo iG Cátodo
Gate

Figura 4.1.- Sección transversal del tiristor y símbolo

En general, el layout o estructura de gate-cátodo de los tiristores varia ampliamente dependiendo

del diámetro del tiristor, de la capacidad di/dt proyectada y del rango de velocidad de
conmutación.

1
R. Moreno Electrónica de Potencia EE 80

Gate
Cathode
Distribute
Gate

Wafer
Cathode area
Wafer
Figura 4.2.- Tipos de gate – cátodo.

La estructura vertical del tiristor se muestra en la figura 4.1, así como el espesor aproximado de
cada capa indicándose el nivel de dopado. La estructura de gate distribuido es usada en tiristores
de gran diámetro (10cm) y la de gate localizada en tiristores de pequeño diámetro.

La región n- absorbe la capa de deflexión, juntura que bloquea el voltaje aplicado cuando el tiristor
esta desconectado o en estado de “off”.

4.1.-Característica V-I
iA

Forware on state

iG > 0
IL iG = 0
IBO
-VRWM IH
vAK
VH VBO
Forware
blocking state
Figura 4.3.- Característica V-I del tiristor.

En polarización inversa el comportamiento del tiristor es similar al de un diodo de potencia

inversamente polarizado, que conduce una pequeña corriente hasta que alcanza la tensión de
breakdown y se produce el proceso de avalancha. En la zona de polarización positiva se presenta
dos modos estables de operación conectados por una zona inestable que se presenta como
resistencia negativa. La región de baja corriente y alta tensión corresponde a la de bloqueo directo
o estado de off y la región de bajo voltaje y alta corriente que corresponde al estado de conducción
o estado de on.

La corriente de sostenimiento (Holding) IH representa la corriente más baja posible en la porción

del estado de “on” en la característica V-I que mantiene al tiristor en conducción.
La corriente mínima de enganche (Latching) IL de ánodo requerida para el tiristor entre en
conducción (ON) inmediatamente después que la señal de gate o puerta haya sido retirada.

2
R. Moreno Electrónica de Potencia EE 80

4.2.- Operación del dispositivo

La vista en corte vertical tiene una apariencia similar al BJT. La región n- del tiristor absorbe la
capa de deflexión de la unión que bloquea la tensión aplicada cuando el tiristor se encuentra en
OFF
A (Anode) A
IE1
IA
J1 + VAK
IB1 -
p1 Q1 iA
J1 K
n1(n-) IC2
IC1 J2 A
ig
J2 iG
p2 G Q2 G
G (Gate) J3 IG IB2
n2(n+) J3
IE2

IK K

K (Cathode)
Figura 4.4.- Modelo simplificado del tiristor (a) Modelo unidimensional, (b) Circuito equivalente de dos
transistores

Generalmente los tiristores son proyectados para que su capacidad de bloqueo directo sea igual a
su capacidad de bloqueo inverso. Estos límites caen con el incremento de temperatura, por encima
de 150oC

En base a las condiciones de polarización de las junturas J1 y J3 estas están en estado de bloqueo
directo y J2 en bloqueo inverso se concluye que los transistores Q1 y Q2 están en la región activa

El proceso de encendido del tiristor se basa en como el coeficiente de transporte α de los

transistores bipolares (BJT) puede ser incrementado desde valores pequeños, necesarios para el
estado de bloqueo, hasta el punto donde estos coeficientes sumados se acercan a la unidad.

α 2 I G + I CO1 + I CO 2
IA =
1 − (α 1 + α 2 )
El mecanismo que hace que el coeficiente α pnp aumente, es el aumento de la zona de deflexión
de la unión J1 dentro de la capa n1 cuando la tensión ánodo-cátodo aumenta, esto causa la
extensión de la base del transistor (BJT) p1-n1-p2 y por lo tanto de un incremento del coeficiente.
La extensión de la capa de deflexión J2 en la región p2 de la misma forma causará un incremento
en α npn

4.2.1.-Principio de Operación

Si una corriente positiva de suficiente magnitud es aplicada al gate del tiristor, una significativa
cantidad de electrones serán inyectados a través de la juntura J3 polarizada directamente hacia p2
que es la base del transistor npn. Los electrones se difunden a través de la base y serán barridos a
través de J2 (inversamente polarizada) hacia la base n1 del transistor pnp.

La inyección extra de electrones en la capa n1 tendrá dos efectos simultáneos. Primero, el aumento
de la capa de deflexión de la juntura J2 debido a las cargas positivas adicional de donadores
ionizados absorbida para compensar parcialmente la carga negativa de electrones. Este aumento

3
R. Moreno Electrónica de Potencia EE 80

de la capa de deflexión en n1 reduce el espesor de la base efectiva del transistor pnp y así causa
que α pnp aumente. Segundo, la inyección de electrones en la base del transistor pnp causa la
inyección de huecos en esta base desde la juntura B-E del transistor pnp.

La inyección de huecos se difundirá a través de la base y serán barridos por la región de deflexión
de J2 hacia la región de la base del transistor npn. Estos huecos causarán un adicional incremento
en la inyección de electrones.

4.2.2.-Bloqueo inverso

Con el ánodo polarizado negativamente respecto al cátodo, las uniones J1 y J3 están inversamente
polarizados y J2 está directamente polarizado. J1 debe soportar la tensión inversa debido a la capa
n1 está poco dopada mientras que J3 tiene baja capacidad de bloqueo como consecuencia del alto
dopaje en ambos lados de la unión. La capacidad de bloqueo de J1 está limitada por la longitud
de la capa n1 determinada por la tensión inversa de ruptura que debe soportar.

4.2.3.-Bloqueo Directo

Con el ánodo polarizado positivamente respecto al cátodo, las uniones J1 y J3 están polarizados
directamente y J2 esta inversamente polarizado. La densidad de dopaje en cada una de las capas
es tal que en n1 es donde se encuentra la región de deflexión de la juntura J2 inversamente
polarizada. Así, esta región nuevamente determina la capacidad de bloqueo de tensión directa.
A A
+ -
p1 p1

n1(n )
- J1 J1

-
n1(n )
J2 J2
G p2
p2
J3 G
J3
+
+ n2(n )
n2(n )

- +
K K

Polarización Polarización
(a) (b) Inversa
Directa
Figura 4.5.- Tiristor con polarización ánodo-cátodo (a) directa, donde J1 y J3 están polarizados
directamente y J2 esta inversamente (b) inversa, J1 y J3 están inversamente polarizados y J2 está
directamente polarizado.

4.3.-Características en la conmutación

4
R. Moreno Electrónica de Potencia EE 80

4.3.1.-Transitorio en la conexión

Se asume que el tiristor está en un circuito como el mostrado en la figura 4.10 que es un diagrama
simplificado de un circuito rectificador polifásico. El encendido está acompañado de un pulso de
corriente de gate de magnitud y duración especificado y aplicado en t = 0 que corresponde al
instante en que la tensión de la fase A es la mayor que las otras dos fases. Las formas de ondas
resultantes de tensión y corriente son mostradas en la figura 4.6.

Figura 4.6.- Formas de onda de voltaje y corriente en la entrada en conducción (turn-on)

La corriente de ánodo se incrementa a una tasa fija diF/dt impuesta por el circuito externo debido
al tiempo de conmutación de los otros dispositivos o debido a la inductancia parásita del circuito.

Durante el tiempo de retardo, el tiristor se mantiene en estado de bloqueo. Sin embargo, la

corriente de gate durante este tiempo inyecta portadores en exceso en la capa p2 (base del transistor
npn) en la vecindad del contacto de gate. Este incremento en el exceso de portadores causa que,
el término α1 + α 2 se incremente hasta la unidad. En este punto una inyección de electrones se
produce de n2 a p2 y de huecos de p1 a n1, como resultado de esto la corriente de ánodo comienza
a incrementarse y esto marca el final del tiempo de retardo (tdon) y el inicio del intervalo de tiempo
de incremento de la corriente o rise time.

Durante el intervalo de crecimiento de la corriente, una gran densidad de portadores en exceso o

plasma se produce en la vecindad de la región de puerta o gate, la que después se distribuye
lateralmente a través de la superficie del cátodo hasta que toda la sección transversal del tiristor
es ocupada por la densidad de portadores en exceso.

La taza de crecimiento de la corriente es suficientemente rápida para que la corriente alcance su

valor constante en conducción (on-state value) la que marca el final de este intervalo (rise time).

El tiempo tps es el requerido por el plasma desde la distribución inicial alrededor de la puerta o
gate hasta ocupar toda la sección transversal, el valor típico del tiempo "tps" se encuentra entre
20-200 um/us. Para dispositivos con áreas grandes de diámetros en centímetros, el tiempo para

5
R. Moreno Electrónica de Potencia EE 80

completar el encendido puede llegar a ser de algunos centenas de microsegundos (spreading time
tps).

Es importante que la velocidad de crecimiento de la corriente de ánodo se mantenga por

debajo del máximo indicado en la hoja de especificaciones técnica. Si este valor es excedido el
dispositivo puede quedar dañado o puede fallar. Grandes valores de corriente de gate durante los
intervalos de tiempo td(on) y tr incrementan al tamaño del área de encendido, la que a su vez reduce
el pico instantáneo de disipación de potencia. Es por esta razón, la corriente de gate aplicada es
frecuentemente grande en el inicio del intervalo de encendido y gradualmente reducida con el
transcurrir el tiempo como se muestra en la figura 4.7.
iG(t)

0 t
Figura 4.7.- Corriente de gate con valor inicial alto y luego reducido a un pequeño valor y por un periodo
de tiempo suficiente que garantice el encendido del dispositivo.

Figura 4.8.- Proceso de conmutación en el tiristor

6
R. Moreno Electrónica de Potencia EE 80

Figura 4.9.- Circuito de prueba de encendido

4.3.2.-Transitorio en la desconexión

La desconexión del tiristor requiere que sea polarizado inversamente por un circuito externo y por
un periodo de tiempo mínimo requerido. El tiristor TA de la figura inicia su desconexión cuando
TB inicia su conexión mediante un pulso de disparo, que se produce cuando el voltaje da la fase
B se hace mayor que el de la fase A. Con un valor alto de la tensión en B, se polarizará
inversamente TA tan rápido como demore la conducción de TB.
TA
vA

TB
vB

TC
vC IO

Control

Figura 4.10.- Rectificador controlado usando tiristores

V an V bn V cn

t
i Ga

iGb
i Gc
iTa t
IO

i Tb
IO

7
R. Moreno Electrónica de Potencia EE 80

La conmutación de corriente de TA a TB no es instantánea como se muestra en la figura 4.10b. La

corriente a través de TA inicia su decrecimiento en t = 0 con una tasa fija diR/dt que es gobernada
por el circuito externo. El proceso total de desconexión es similar al del diodo de potencia.

Con la disminución de la corriente se reduce los portadores en exceso de las capas, desde sus
valores en estado estacionario y producido por un proceso de recombinación interna y por barrido.

Cuando la corriente cruza por cero y se invierte, la tensión en el tiristor se mantiene reducida hasta
que J1 y J3 empiezan a quedar inversamente polarizadas y termina cuando el exceso de portadores
queda reducido a cero. Usualmente J3 es el primero en quedar inversamente polarizado lo que se
produce en t2 como se indica en la figura 4.11 y muy rápidamente se incrementa la tensión
negativamente entre ánodo y cátodo. Debido al alto dopado de las capas n2 y p2 la juntura presenta
baja capacidad de bloque inverso (20-30V)

Figura 4.11.- Formas de onda de tensión y corriente del tiristor durante la desconexión. La aplicación de
una tensión positiva no deberá ser hecha hasta que se cumpla el tiempo de recuperación tq haya transcurrido.
La tasa de crecimiento de la tensión aplicada dvf/dt deberá mantenerse por debajo del valor especificado

Poco tiempo después de t2, los portadores en exceso no son suficientes para mantener el
crecimiento continuo de la corriente negativa, de manera que la corriente alcanza un valor pico
Irr y comienza a decrecer. Casi al mismo tiempo la densidad de portadores en exceso de J1 se
hace cero y J1 empieza a quedar inversamente polarizado. El crecimiento de la tensión inversa
entre ánodo y cátodo, que se inicia en t2, continua con una sobre tensión que es impuesto sobre el
tiristor TA por el circuito externo. La sobre tensión producida se debe a la inductancia del circuito
y está gobernada por la rapidez con que la corriente cae de su valor inverso pico Irr a cero.

Para el caso del diodo, en el tiempo t3 indicado en la figura 4.11 se puede considerar que el
dispositivo esta desconectado pero para el caso del tiristor esto no es cierto, ya que en t3 aún
existen portadores en exceso en las capas n1 y p2 del tiristor. Si una tensión positiva nuevamente
es aplicada puede colocar al tiristor en conducción aún cuando no haya recibido la señal de puerta
para conducir.

8
R. Moreno Electrónica de Potencia EE 80

Para prevenir esta posibilidad, primero se debe mantener al tiristor en bloqueo inverso un tiempo
mayor que t3, los fabricantes especifican un tiempo de apagado "tq" para sus tiristores, que
representa el mínimo tiempo que debe mantenerse en bloqueo inverso antes de volver a aplicarse
una tensión positiva; segundo, la velocidad de crecimiento dvF/dt de la tensión positiva aplicada
no debe exceder el máximo especificado por los fabricantes.

4.12.-Proceso de conexión y limitación del di/dt

El máximo dvF/dt se calcula sobre la base de que tan grande puede llegar a ser la corriente de
desplazamiento dada por dvF/dt a través de la juntura J2 (figura 4.13).

Si la corriente Cj2 dvF/dt excede la corriente de Breakdown IBO, puede resultar en el encendido
del tiristor, entonces:
dv F / dt | máx < I BO / C j 2
Para dispositivos lentos en aplicaciones de baja frecuencia este valor puede ser de 100V/us

4.4.- Limitaciones del dvF/dt

Bajo condiciones transitorias, las capacidades de la unión influenciarán las características del
tiristor. Si la velocidad de elevación de la tensión entre ánodo y cátodo es muy grande (ij2 será
grande) puede dar como resultado que las corrientes de fuga se incrementen a valores
suficientemente altos como para que puedan hacer que el tiristor entre en conducción sin la
aplicación de una señal de control.

9
R. Moreno Electrónica de Potencia EE 80

Q1 CJ1
CS

iJ2 VJ2 RS
CJ2
G
IG
Q2
CJ3

K
Figura 4.13.- Capacitancias parásitas en el tiristor

4.5.-Circuito de ayuda a la conmutación (Snubber Circuit)

CS

T1 RS T3
Ld
Id

T4 T2

Figura 4.14.- Circuito de ayuda a la conmutación para los tiristor en el circuito rectificador monofásico
controlado.

La corriente de recuperación inversa generada en el tiristor cuando estos son inversamente

polarizados puede dar origen a sobre tensiones inaceptables debido a las inductancias del sistema
(Ld) si no es usado un circuito de ayuda a la conmutación o snubber. En el circuito rectificador de
la figura 4.14 la inductancia del lado AC se debe a la reactancia de la línea y/o reactancia de
dispersión del transformador. Se asume que T1 y T2 están conduciendo, cuando T3 y T4 son
disparados con un ángulo de atraso y se considera el peor caso cuando α = 90. La corriente de T1
se reduce en tanto que la corriente por T3 se incrementa hasta que se hace igual a la corriente de
la carga Id. La corriente por T1 se hace cero y continua haciéndose negativa correspondiente con
la corriente de recuperación reversa de T1 cuya trayectoria es mostrada en la figura 4.14. Cuando
la corriente llaga al valor pico Irr se reduce súbitamente a cero por T1 tomando Irr un camino
alternativo a través del circuito Rs y Cs que son diseñados para mantener la sobre tensión
producida entre ánodo y cátodo en los límites aceptables.

10
R. Moreno Electrónica de Potencia EE 80

4.6.-Circuito de disparo de tiristores

Un pulso de corriente en el gate es necesario para encender el tiristor y cuando entra en

conducción, el tiristor continuara en este estado sin necesidad de mantener la corriente de gate
debido a la acción regenerativa del dispositivo.

VGK Máxima disipación de

potencia en el gate

VGG Mínima RG
temperatura

VGG

Máxima
temperatura

IG
IG1 IG2 VGG /RG

Figura 4.15.- Circuito de disparo del tiristor (a) Características V-I del gate-cátodo usadas para el diseño
del circuito de disparo (b) Circuito de gate.

En el circuito de la figura 4.15 por selección de los parámetros de la línea de carga (VGG y RG) se
podrá obtener una corriente de gate (IG1 e IG2) que exceda el valor mínimo requerido. El tiempo
mínimo de duración del pulso usualmente es de algunas decenas de microsegundos, es el tiempo
durante el cual la corriente de gate debe circular y esta especificada en hoja técnica del dispositivo.

En la hoja técnica también se especifica la máxima corriente de gate y potencia disipada. La

hipérbola de la potencia máxima de gate es mostrada en la figura y es mucho mayor en relación
a la corriente de gate necesaria.

4.7.-Circuito amplificador del pulso

En tiristores de gran potencia, la corriente de disparo es alta de manera que sea inmune al ruido.
En estos tiristores la corriente de pico inicial durante el encendido puede llegar a ser tan grande
como de algunos amperios para luego caer a un pequeño valor como se indico en la figura de la
corriente de gate. En la figura 4.16, D1 es usado para prevenir corrientes negativas de gate debido
a la corriente de magnetización cuando el transistor se desconecta y D2 es usado para suministra
un camino para la corriente producida por el almacenamiento de energía en el transformador de
pulsos y disipada en la resistencia RG en serie.

11
R. Moreno Electrónica de Potencia EE 80

D1
+Vcc iG G
VG
D2

RG
K

Figura 4.16.- Circuito de amplificación y aislamiento.

Sistema de Sincronismo
Para el control de la tensión aplicada sobre la carga mediante el tiristor, es necesaria la
sincronización del ángulo de encendido del dispositivo con la tensión de la red. En la figura 4.17
se muestra las formas de onda de las tensiones y corrientes en la carga para el caso del rectificador
monofásico de media onda cuando el tiristor entra en conducción a partir del ángulo α.

Figura 4.17.- Operación de rectificador monofásico controlado de media onda con carga resistiva

En la figura 4.18a se muestra el sistema de sincronización del disparo del tiristor con la red. En
este sistema, mediante un transformador se toma una muestra de la tensión instantánea de la red
(vsynchronization), señal es pasada por un circuito generador de onda tipo rampa que resulta
sincronizada con la tensión de la red como se muestra en la figura 4.18b.

12
R. Moreno Electrónica de Potencia EE 80

(a)

(b)
Figura 4.18.- Sistema de sincronización (a) Diagrama de bloques (b) Formas de onda de la señales
generadas

La rampa de amplitud Vˆst constante es comparada, mediante un circuito comparador, con una
tensión continua de amplitud variable denominada de señal de control (vc) como se muestra en la
figura 4.18b, de forma que, cuando la señal de rampa es menor que la tensión de control, la salida
del comparador será cero voltios y cuando la rampa es mayor que la señal de control la salida de
comparador pasará a un nivel alto. La salida del comparador es aplicada luego a un circuito
monoestable para generará un pulso a partir del flanco de subida de la tensión aplicada, con una
duración del pulso programada a través de una red RC colocada en el circuito del monoestable.

Como se pude observar de la figura 4.18b variando la amplitud de la señal de control de cero
voltios hasta un máximo igual a la amplitud de la señal de rampa Vˆst la posición del pulso de
disparo será modificada desde 0 grados hasta 180 grado de la parte positiva de la tensión de la red
en donde el tiristor puede operar o conducir. El ángulo de encendido α, se calcula a partir de la
amplitud de la rampa y la amplitud de la tensión de control mediante la siguiente expresión:

13