“Año del Bicentenario, de la consolidación de nuestra Independencia, y de la

conmemoración de las heroicas batallas de Junín y Ayacucho”

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y

ELÉCTRICA

INFORME DE LABORATORIO N° 1 :
Diodo semiconductor

DOCENTE:
Mg. Luis Ponce Martínez

INTEGRANTES:
Oscco Apolaya Carlos Alejandro (23190265)
Pachauri Huancapaza Gian Carlos Alberto
(23190067) Suca Mariño Patrick Raul (23190284)
Pahuacho Mendoza Renato Ronlad
(23190069) Cueva Valverde Ronald Jesus
(23190238) Gutierrez Condori Wilmer
(23190055)

Lima,
Perú 2024
 I. OBJETIVOS

Comprender la estructura de los semiconductores:

● Describir la estructura atómica y la disposición de los electrones en

los semiconductores.
● Explicar las diferencias entre conductores, semiconductores y aislantes
en términos de bandas de energía.

Estudiar las propiedades de los semiconductores de silicio y germanio:

● Analizar las características intrínsecas y extrínsecas de estos materiales.

● Evaluar cómo la dopación afecta sus propiedades eléctricas.

Investigar el comportamiento de los diodos de silicio y germanio:

● Determinar la resistencia dinámica en diferentes condiciones de polarización.

● Medir la corriente de polarización directa e inversa.
● Identificar la tensión de pico inverso y su relevancia en aplicaciones prácticas

II. MARCO TEÓRICO

Estructura de los Semiconductores:

Los semiconductores son materiales cuya conductividad eléctrica se sitúa entre la de
los conductores y los aislantes. La estructura atómica de los semiconductores, como
el silicio (Si) y el germanio (Ge), presenta una red cristalina donde cada átomo está
unido a cuatro vecinos mediante enlaces covalentes. La capacidad de estos
materiales para conducir electricidad aumenta con la temperatura, lo que es contrario
al comportamiento de los metales.

Bandas de Energía:
En los semiconductores, los electrones ocupan bandas de energía. La banda de
valencia es la banda más alta ocupada por electrones en condiciones normales, y la
banda de conducción es la banda inmediatamente superior, que puede ser ocupada
por electrones libres. La brecha de energía (gap) entre estas bandas determina las
propiedades de conducción del material:
● Conductores: Sin brecha de energía significativa.
● Semiconductores: Pequeña brecha de energía.
● Aislantes: Gran brecha de energía.

Dopación de Semiconductores:
La dopación es el proceso mediante el cual se introducen impurezas en un semiconductor
intrínseco para modificar sus propiedades eléctricas:
 ● Tipo n: Se añade un elemento con más electrones de valencia que el
semiconductor base, lo que introduce electrones libres en la estructura.
● Tipo p: Se añade un elemento con menos electrones de valencia, creando
"huecos" que actúan como portadores de carga positiva.

Diodos de Silicio y Germanio:

Un diodo es un dispositivo semiconductor que permite el flujo de corriente en una sola
dirección. Se compone de una unión p-n:
● Diodos de Silicio (Si): Tienen una tensión umbral de aproximadamente 0.7V
en polarización directa.
● Diodos de Germanio (Ge):Tienen una tensión umbral de aproximadamente
0.3V en polarización directa.

Resistencia Dinámica:
La resistencia dinámica de un diodo se define como la derivada de la tensión respecto a la
corriente (dV/dI) Es una medida de la variación de la tensión a través del diodo con
respecto a la variación de la corriente.

Corriente de Polarización Directa e Inversa:

● Corriente de Polarización Directa: Cuando la unión p-n se polariza

directamente, los portadores de carga superan la barrera de potencial,
permitiendo el flujo de corriente.
● Corriente de Polarización Inversa: En polarización inversa, la corriente es
mínima hasta alcanzar la tensión de ruptura.

Tensión de Pico Inverso:

La tensión de pico inverso es la máxima tensión inversa que puede aplicarse a un diodo sin
causar una conducción significativa ni daño permanente.

III. MATERIALES

- Fuente de poder DC
- Multímetro
- Miliamperimetro
- Microamperímetro
- Voltímetro
- Diodo semiconductor de silicio
- Diodo semiconductor de germanio
- Resistencia de 100 Ω
- Cables y conectores

IV. INFORME PREVIO

1. Explicar las características de los diodos de silicio y germanio

- Diodo de Germanio

Los diodos de germanio presentan una tensión umbral de aproximadamente 0.3V, lo

que es significativamente menor en comparación con los diodos de silicio. Su tensión
de ruptura varía entre 20V y 100V. En polarización inversa, los diodos de germanio
muestran una corriente de fuga mayor, que puede estar en el rango de microamperios
(µA) a miliamperios (mA). Además, son más sensibles a altas temperaturas debido a
su menor resistencia térmica, lo que puede llevar a una degradación más rápida del
rendimiento a temperaturas elevadas. El tiempo de recuperación inversa de los diodos
de germanio es generalmente mayor, lo que afecta su capacidad para dejar de
conducir rápidamente cuando se cambia de polarización directa a inversa. También
poseen una capacitancia de unión más alta, lo que puede influir en su rendimiento en
aplicaciones de alta frecuencia. Debido a su baja tensión umbral, son preferidos en la
detección de señales de baja tensión y alta frecuencia, como en receptores de radio.

- Diodo de Silicio

Los diodos de silicio tienen una tensión umbral de aproximadamente 0.7V, mayor que
la de los diodos de germanio. Su tensión de ruptura suele ser mucho más alta,
típicamente en el rango de 50V a 1000V, lo que los hace más adecuados para
aplicaciones que requieren soportar altos voltajes inversos. En polarización inversa,
presentan una corriente de fuga muy baja, generalmente en el rango de nanoamperios
(nA) a microamperios (µA), lo que los hace más eficientes en términos de pérdida de
energía. Los diodos de silicio también poseen una mejor resistencia térmica,
permitiéndoles operar de manera más efectiva a altas temperaturas. Su tiempo de
recuperación inversa es menor, lo que los hace más adecuados para aplicaciones de
conmutación rápida. Además, la capacitancia de unión es más baja, mejorando su
rendimiento en aplicaciones de alta frecuencia. Estas características hacen que los
diodos de silicio sean más versátiles y ampliamente utilizados en una variedad de
aplicaciones electrónicas.

2. Explicar los conceptos de resistencia dinámica, corriente de polarización directa

e indirecta y tensión de pico inverso.

- Resistencia dinámica
La resistencia dinámica de un diodo es la medida de cómo varía su tensión con
pequeños cambios en la corriente que lo atraviesa. Es una representación de la
pendiente de la curva voltaje-corriente cerca de su punto de funcionamiento normal,
típicamente en la región de polarización directa. Esta resistencia es útil para entender
cómo el diodo responde a variaciones en la corriente en aplicaciones como
amplificación y detección de señales.
 - Corriente de polarización directa e indirecta
La corriente de polarización directa es la corriente que fluye a través de un dispositivo
semiconductor, como un diodo, cuando se aplica una polarización directa, es decir,
cuando el ánodo se conecta al voltaje positivo y el cátodo al voltaje negativo. En esta
configuración, el diodo permite el flujo de corriente eléctrica a través de él.

Por otro lado, la corriente de polarización inversa es la corriente que fluye a través del
diodo cuando se aplica una polarización inversa, con el ánodo conectado al voltaje
negativo y el cátodo al positivo. En esta configuración, el diodo debería estar
"apagado" y solo debería dejar pasar una pequeña corriente de fuga, en el rango de
nanoamperios (nA) a microamperios (µA). La corriente de polarización inversa es
importante ya que permite evaluar las características de aislamiento y la integridad de
un diodo en aplicaciones de rectificación y protección de circuitos.

- Tensión de pico inverso

La tensión de pico inverso, también conocida como tensión de pico inversa o VRM
(Voltage Reverse Maximum), es el voltaje máximo que un dispositivo semiconductor,
como un diodo, puede soportar en polarización inversa sin sufrir daños permanentes o
una ruptura dieléctrica. En otras palabras, es el máximo voltaje que se puede aplicar
en sentido inverso a través del diodo sin que se produzca una corriente significativa
de conducción en la dirección opuesta.

Esta especificación es crítica en el diseño de circuitos, especialmente en aplicaciones

de rectificación y protección, donde es necesario asegurar que el diodo no se dañe por
sobre voltajes inversos. La tensión de pico inverso es una de las características
principales que determinan la durabilidad y la fiabilidad de un diodo en aplicaciones
reales.

V. PROCEDIMIENTO

1. Usando el ohmímetro, medir

R. DIRECTA R, INVERSA
las resistencias directas e inversas del
diodo de Silicio. Registrar los datos en 186 kΩ 457 kΩ
la tabla 1.1

2. Implementar el circuito de la Figura 1.1.

a. Ajustando la tensión de salida de la fuente de
tensión (empezando de 0 V), observar y medir la
corriente y la tensión directa del diodo. Llene la tabla
1.2.
 Vcc (V) 0.61 0.62 0.64 0.73 0.81 0.90 1.20 1.70 2.20 2.70
Id(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 10.0 15.0 20.0
Vd(V) 0.6 0.6 0.6 0.6 0.65 0.65 0.65 0.7 0.7 0.7

b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos,

proceder como en a), registrando los datos en la tabla 1.3.

Vcc (V) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Id(mA) 0 0.02 0.05 0.07 0.10 0.13 0.15 0.19 0.25
Vd(V) 0 2 4 6 8 10 12 15 20

3. Usando el ohmímetro, medir

R. DIRECTA R. INVERSA
la resistencia directa e inversa del diodo
de germanio. Registrar los datos en la 500 Ω 5 MΩ
tabla 1.4

4. Repetir el circuito de la figura 1 .1 para el diodo de germanio de manera similar

al paso 2. Proceda a llenar las tablas 1.5 y 1.6.

Vcc 0.15 0.20 0.2.5 0.35 0.50 0.65 1.10 1.75 2.50 3.05
(V)
Id(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 10.0 15.0 20.0
Vd(V) 0.14 0.19 0.24 0.34 0.49 0.64 1.06 1.75 2.44 3

Vcc (V) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Id(mA) 0 6µ 7µ 9µ 11µ 14µ 17µ 23µ 38µ
Vd(V) 0 2 4 6 8 10 12 15 20
VI. CUESTIONARIO

1. Construir el gráfico Id = F(Vd) con los datos de las tablas 1.2 y 1.3 (Si).Calcular
la resistencia dinámica del diodo.

Gráfico de la tabla 1.2

Vd Idc (mA) Resistencia

dinamica(mΩ)
0.61 0.1 6.1
0.62 0.2 3.1
0.64 0.4 1.6
0.73 0.8 0.9125
0.81 1.6 0.50625
0.9 2.5 0.36
Tabla 1.2
 Gráfico de la tabla 1.3

Vd Idc (mA) Resistencia

dinamica(mΩ)
0 0 0
2 0.02 100
4 0.05 80
6 0.07 85.71
8 0.1 80
10 0.13 76.92
12 0.15 80
15 0.19 78.94
20 0.25 80

Tabla 1.3

2. Construir el gráfico Id = F(Vd) con los datos de la tabla 1.5 y 1.6 (Ge).Calcular
la resistencia dinámica del diodo.
Vd Idc Resistencia dinamica(mΩ)
0.14 0.1 1400
0.19 0.2 950
0.24 0.4 600
0.34 0.8 425
0.49 1.6 306.25
0.64 2.5 256
1.06 5 212
1.75 10 175
2.44 15 162.6
3 20 150
Tabla 1.5

Gráfica tabla 1.5

Vd Idc (uA) Resistencia dinamica(KΩ)
0 0 0
2 6 333.33
4 7 571.42
6 9 666.66
8 11 727.27
10 14 714.28
12 17 705.88
15 23 652.17
20 38 526.31

Tabla 1.6

Gráfica 1.6
 3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas.

Comportamiento de los Diodos de Silicio y Germanio:

Los diodos de silicio y germanio muestran una resistencia dinámica que varía con las
condiciones de polarización. En polarización directa, la corriente aumenta
exponencialmente con el voltaje aplicado. En polarización inversa, la corriente es
muy baja hasta que se alcanza la tensión de pico inverso, momento en el cual el
diodo conduce fuertemente en sentido inverso. La tensión de pico inverso es crucial
para aplicaciones que requieren protección contra sobretensiones.

4. Exponer sus conclusiones en el experimento.

El silicio y el germanio presentan propiedades intrínsecas y extrínsecas.

Intrínsecamente, tienen una conductividad limitada a temperatura ambiente. La
dopación, o la introducción de impurezas, mejora su conductividad al proporcionar
electrones adicionales (tipo n) o huecos (tipo p). La dopación afecta
significativamente las propiedades eléctricas, permitiendo el diseño de dispositivos
con características específicas.

VII. BIBLIOGRAFIA

Vega, G. R. (2020). Diodo Zener, LED y diodos infra rojo.

[Link]
“Año del Bicentenario, de la consolidación de nuestra Independencia, y de la
conmemoración de las heroicas batallas de Junín y Ayacucho”
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y

ELÉCTRICA

INFORME DE LABORATORIO N° 2 :
Diodo zenner

DOCENTE:
Mg. Luis Ponce Martínez

INTEGRANTES:
Carlos Alejandro Oscco Apolaya (23190265)
Pachauri Huancapaza Gian Carlos Alberto
(23190067) Suca Mariño Patrick Raul (23190284)
Pahuacho Mendoza Renato Ronald
(23190069) Cueva Valverde Ronald Jesus
(23190238) Gutierrez Condori Wilmer
(23190055)

Lima,
Perú 2024
 I. OBJETIVOS
Se utiliza principalmente como regulador de voltaje en circuitos electrónicos. A
diferencia de un diodo común, que se polariza en la dirección directa y conduce
corriente, el diodo Zener se polariza en la dirección inversa y se diseñado para operar
en su zona de ruptura controlada, lo que le permite mantener un voltaje constante a
través de sus terminales incluso cuando la corriente varía. Explicaremos más a fondo
el funcionamiento, las características y las aplicaciones del diodo Zener, destacando
su importancia en el ámbito de la electrónica y su papel fundamental en la
estabilización de voltajes.

II. MARCO TEÓRICO

III. MATERIALES

• Fuente de poder DC
• Multímetro
• 02 miliamperímetros
• 01 diodo Zener
• Voltímetro DC
• Resistencia de
100Ω, 330Ω y 4.7KΩ
• Cables y conectores

IV. PROCEDIMIENTO

1. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directas e inversas del diodo Zener.
Registrar los datos en la tabla 1
tabla 1
𝑅 𝑅
𝑑𝑖𝑟𝑒𝑐𝑡𝑎 𝑖𝑛𝑣𝑒𝑟𝑠𝑎

1Ω 1MΩ

2. Armar el circuito de la figura 1

Figura 1
2. Aumentar lentamente la tensión de la fuente a fin de observar y medir los
datos registrados por los instrumentos. Llene la siguiente tabla:

𝑉 (V) 0
𝑐𝑐
0 0 3.32 3.42 3.52 3.8 4.31 4.82 5.34

Iz(mA 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5 10 15 20

)
Vd(V) 0 0 0 3.24 3.26 3.28 3.30 3.32 3.33 3.34
Tabla 2

𝑉 (V) 0.6
𝑐𝑐
0.64 0.69 0.75 0.88 1.0 1.3 1.9 2.4 3

Iz(mA 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5 10 15 20

)
Vd(V) 0.58 0.61 0.64 0.67 0.7 0.72 0.75 0.77 0.78 0.8
Tabla 3
 3. Implementar el circuito de la figura 2

𝑉𝐴𝐴 Con Sin carga

carga
Vz (V) Iz(mA) It(mA) Vz (V) Iz(mA) It(mA)
2.5V 2.34V 0.00mA 0.50mA 1.989V 1.540mA 1.550mA
4.0V 3.26V 1.54mA 2.23mA 2.337V 5.06mA 5.08mA
5.0V 3.29V 4.47mA 5.17mA 2.470V 7.70mA 7.72mA
7.5V 3.32V 12.0mA 12.7mA 2.550V 9.20mA 9.25mA

Figura 2
I. Cuestionario
1. Usando los datos de las tablas 2 y 3 construir la curva
característica del diodo Zener. Identificar el diodo
Zener y también la corriente nominal.
2. Verificar el porcentaje de regulación usando
los resultados de la tabla 4.

3. Desarrollar sus conclusiones acerca del experimento.

El diodo Zener es un componente electrónico especializado que se destaca por su

capacidad para operar en la región de ruptura inversa sin dañarse. A diferencia de los
diodos estándar que se dañan al exceder su voltaje inverso máximo, el diodo Zener
está diseñado para mantener un voltaje constante cuando se polariza inversamente,
siempre que se encuentre dentro de sus especificaciones. Esta característica lo hace
ideal para aplicaciones donde se requiere una referencia de voltaje precisa y estable.
Los diodos Zener están disponibles en diferentes valores de voltaje, lo que permite su
uso en una variedad de configuraciones de circuito.

Para polarizar un diodo Zener de manera correcta, se debe aplicar un voltaje inverso
superior a su voltaje Zener especificado. En esta condición, el diodo permite el paso
de corriente manteniendo un voltaje casi constante a través de él. En polarización
directa, el diodo Zener se comporta como un diodo estándar, permitiendo el paso de
 corriente cuando el voltaje aplicado excede su voltaje de umbral típico de alrededor
de 0.7 voltios para diodos de silicio. La capacidad del diodo Zener para mantener un
voltaje constante en la región de ruptura inversa es esencial para su función como
regulador de voltaje.

Los diodos Zener se utilizan en una amplia gama de aplicaciones electrónicas

debido a su capacidad para estabilizar voltajes y proteger contra sobretensiones. En
fuentes de alimentación, actúan como reguladores de voltaje, garantizando que los
componentes sensibles reciban un voltaje constante. También se emplean en circuitos
de protección, limitando el voltaje máximo que puede alcanzar un circuito para evitar
daños. Además, se utilizan en circuitos de clamping para limitar la amplitud de las
señales y en circuitos de referencia de voltaje para proporcionar una referencia estable
y precisa. La versatilidad y confiabilidad del diodo Zener lo convierte en un
componente crucial en el diseño de circuitos electrónicos.

V. BIBLIOGRAFIA

Vega, G. R. (2020). Diodo Zener, LED y diodos infra rojo.

[Link]
“Año del Bicentenario, de la consolidación de nuestra Independencia, y de la
conmemoración de las heroicas batallas de Junín y Ayacucho”
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y

ELÉCTRICA

INFORME DE LABORATORIO N° 3 :
Diodo rectificador de media onda y onda completa

DOCENTE:
Mg. Luis Ponce Martínez

INTEGRANTES:
Carlos Alejandro Oscco Apolaya (23190265)
Pachauri Huancapaza Gian Carlos Alberto
(23190067) Suca Mariño Patrick Raul (23190284)
Pahuacho Mendoza Renato Ronald
(23190069) Cueva Valverde Ronald Jesus
(23190238) Gutierrez Condori Wilmer
(23190055)

Lima,
Perú 2024
 I. INTRODUCCIÓN

La demanda de dispositivos eléctricos y electrónicos, cuya fuente de alimentación se

basa mayormente en la corriente directa (DC), contrasta con el hecho de que la red
eléctrica global opera con corriente alterna (AC) debido a su facilidad de
manipulación y transporte. Para abordar esta discrepancia, se utilizan rectificadores,
que convierten la corriente alterna en corriente directa. Entre los rectificadores más
comunes se encuentran los de media onda y de onda completa, cuya eficiencia puede
mejorarse con el uso de filtros pasivos.

El voltaje alterno fluctúa en semiciclos positivos y negativos, mientras que la

corriente continua mantiene una polaridad constante. Rectificar una señal implica
convertir una tensión alterna en una corriente continua, manteniendo siempre la
misma polaridad. El rectificador de media onda facilita este objetivo y, en
combinación con elementos pasivos como capacitores, perfecciona el proceso.

El rectificador de media onda elimina la parte negativa o positiva de una señal AC

mediante la polarización directa de los diodos en el circuito. Este rectificador se
compone de un diodo, un capacitor y una resistencia de carga, la cual recibe la
corriente y tensión rectificada. El capacitor filtra la señal, creando un pequeño
componente de rizado, que es la parte de AC residual tras la rectificación. La
corriente en el circuito se distribuye entre la resistencia y el capacitor, lo que se
expresa como:

𝐼 =𝐼 +𝐼
𝐷 𝐶 𝐿

Por otro lado, un rectificador de onda completa con filtro capacitivo convierte una
señal AC en DC en dos fases: rectificación y filtrado. Utiliza un puente de diodos para
la rectificación y un capacitor para el filtrado. Este diseño, similar al del rectificador
de media onda, pero con un capacitor en paralelo con la resistencia de carga, mejora
la estabilidad de la señal, eliminando el rizado y proporcionando una corriente más
uniforme y estable.

II. OBJETIVOS

● Analizar la importancia de los rectificadores: Comprender la necesidad de

convertir corriente alterna (AC) en corriente directa (DC) para el
funcionamiento de dispositivos eléctricos y electrónicos.
● Estudiar los tipos de rectificadores: Explorar las diferencias y aplicaciones de
los rectificadores de media onda y de onda completa.
● Evaluar el uso de filtros pasivos: Examinar cómo los filtros pasivos, como
capacitores, mejoran el rendimiento de los rectificadores.
● Describir el funcionamiento de los rectificadores: Detallar los principios de
operación de los rectificadores y su impacto en la señal de salida.
 ● Implementar y analizar circuitos rectificadores: Construir circuitos
rectificadores de media onda y de onda completa, y evaluar su rendimiento
mediante mediciones prácticas.

III. MARCO TEÓRICO

Un rectificador de onda es un dispositivo electrónico utilizado para convertir corriente
alterna (CA) en corriente continua (CC). Este proceso se denomina "rectificación".
Los rectificadores son componentes fundamentales en los sistemas de
alimentación, ya que la mayoría de los dispositivos electrónicos requieren CC para
funcionar correctamente.

Existen varios tipos de rectificadores de onda, los cuales se clasifican principalmente

según la porción de la onda de CA que convierten en CC:

1. Rectificador de media onda:

- Descripción: Este tipo de rectificador utiliza solo una mitad de la onda de CA
(ya sea la positiva o la negativa), bloqueando la otra mitad.
- Funcionamiento: En un rectificador de media onda, solo se permite el paso de
una mitad del ciclo de la onda de entrada, mientras que la otra mitad se bloquea.
- Ventajas: Diseño simple y económico.
- Desventajas: Baja eficiencia ya que solo se utiliza la mitad de la onda de CA.
Esto resulta en una mayor ondulación en la salida.

2. Rectificador de onda completa:

- Descripción: Este tipo de rectificador utiliza ambas mitades de la onda de
CA, invirtiendo la polaridad de una de ellas para que ambas mitades sean
positivas.
- Funcionamiento: Hay dos configuraciones principales para un rectificador de
onda completa:
- Rectificador de onda completa con transformador de derivación central: Utiliza
un transformador con un devanado secundario con derivación central y dos diodos.
Cada mitad del devanado alimenta a un diodo que rectifica su correspondiente
mitad de la onda.
- Rectificador de puente (o puente de diodos): Utiliza cuatro diodos dispuestos en
una configuración de puente. Este diseño no requiere un transformador de
derivación central.
- Ventajas: Mayor eficiencia ya que se utiliza toda la onda de CA, lo que resulta
en una menor ondulación en la salida.
- Desventajas: Diseño más complejo y costoso que el rectificador de media onda.

3. Rectificador de onda completa en puente (Puente de Graetz):

- Descripción: Este tipo de rectificador es una configuración específica de
rectificador de onda completa que utiliza cuatro diodos en una disposición de puente.
 - Funcionamiento: Durante cada ciclo de la onda de CA, dos de los diodos
conducen permitiendo el paso de la corriente mientras los otros dos diodos bloquean,
garantizando que la salida sea siempre positiva.
- Ventajas: No requiere un transformador con derivación central, lo que simplifica
el diseño en algunos casos y permite un uso eficiente de ambos ciclos de la onda de
CA.
- Desventajas: Pérdidas de voltaje debido a la caída de voltaje a través de los cuatro
diodos.

Comparación de los tipos de rectificadores:

- Eficiencia: Los rectificadores de onda completa son más eficientes que los de media
onda porque utilizan toda la señal de entrada de CA.
- Ondulación (ripple): Los rectificadores de onda completa producen menos
ondulación en la salida comparado con los de media onda, lo que resulta en una señal
de CC más suave.
- Complejidad y costo: Los rectificadores de media onda son más simples y baratos,
pero los rectificadores de onda completa (especialmente los de puente) son más
complejos y costosos.

Aplicaciones comunes:
- Rectificadores de media onda: Se utilizan en aplicaciones donde la eficiencia no es
crucial y se requiere un diseño sencillo y económico, como en algunos circuitos de
baja potencia.
- Rectificadores de onda completa: Son comunes en fuentes de alimentación de
dispositivos electrónicos, donde se requiere una conversión eficiente y una salida de
CC estable y suave.

IV. MATERIALES

- Osciloscopio
- Multímetro digital
- Transformador
- Resistencias de 100k, 1 k y 10k ohm
- Condensadores de 10, 470, 1000 y 2200 uf
- Cuatro diodos 1N40004

V. PROCEDIMIENTO

● Medimos los valores de los materiales para el experimento

Ω R1 R2 R3 μF C1 C2 C3 C4
Teórico 1k 10k 100k 10μF 470μF 1000μF 2200μF
Medido 0,996 9,75 97.4k 9,8μF 470μF 945μF 2180μF
 Diodo D1 D2 D3 D4
Directo (Ω) 54.8 kΩ 54.7 kΩ 54,8 kΩ 52,5 kΩ
Inverso (Ω) 1,057 MΩ 1MΩ 1,1 MΩ 1MΩ

● Armar el circuito de la Figura 1 , considerar un transformador: de 220v a

6v-0v-6v o también de 9v-0v-9v que son de toma central o cualquier
otro
transformador a su mejor parecer sin toma central y LLENAR LAS TABLAS.

RL 1 KΩ 10 KΩ
C SIN 100 μF 2200 μF Sin C 100 μF 2200 μF
Vop-p 16.6 2.6 0.6 16.8 0.6 0.6
Vorms 6.77 0.664 0.072 6.85 0.074 0.018
Vodc 6.74 15.4 16.06 5.45 16.63 16.65
Iocd 5.4 16 16.5 0.6 1.7 1.8

● Colocar el condensador de 100 y 2200 μF

en paralelo a RL y llenar el cuadro anterior. Anotar
las observaciones.
● Para el rectificador de onda completa de la
figura 2 medir:
 RL 1 KΩ 10 KΩ
C SIN 100 μF 2200 μF Sin C 100 μF 2200 μF
Vop-p 12.6 1.4 0.4 12.8 0.6 0.4-0.6
Vorms 4.45 12.08 12.47 4.5 12.74 12.79
Vodc 17.24 17.19 17.21 17.36 17.36 17.36
Iocd 8 12 12.5 0.8 1.3 1.3

● Colocar el condensador de 100 y 2200 μF

en paralelo a RL y llenar el cuadro anterior. Anotar
las observaciones. Dibujar las formas de onda
obtenidas.

● Armar el circuito de la figura 3, procediendo

como en los casos anteriores:

RL 1 KΩ 10 KΩ
C SIN C 100 μF 2200 μF Sin C 100 μF 2200 μF
Vop-p 25.2 3.2 1.6-2.4 25.2 1.6 1.2
Vorms 8.49 5.75 10 8.55 78.3 125
Vodc 16.03 23.83 24.4 16.4 25.54 22.6
Iocd 16 30 40 1.6 2.6 100
VI. Bibliografía

Olmos Sanchis, J. J., & Pinci Ferrer, A. (2019). Diodo rectificador. Circuito rectificador de
media onda y rectificador de onda completa.
[Link]

Miyara, F. (2002). Rectificación. Argentina, Rosario: Universidad Nacional de

Rosario. [Link]
“Año del Bicentenario, de la consolidación de nuestra Independencia, y de la
conmemoración de las heroicas batallas de Junín y Ayacucho”
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y

ELÉCTRICA

INFORME DE LABORATORIO N° 4 :
Diodo led

DOCENTE:
Mg. Luis Ponce Martínez

INTEGRANTES:
Carlos Alejandro Oscco Apolaya
(23190265) Cueva Valverde Ronald Jesus
(23190238) Suca Mariño Patrick Raul
(23190284)
Pachauri Huancapaza Gian Carlos Alberto
(23190067) Pahuacho Mendoza Renato Ronald
(23190069) Gutierrez Condori Wilmer (23190055)

Lima,
Perú 2024
 I. MARCO TEÓRICO

Light-Emitting Diode: Diodo Emisor de Luz es un dispositivo

semiconductor que emite luz incoherente de espectro reducido cuando se
polariza de forma directa la unión PN en la cual circula por él una
corriente eléctrica . Este fenómeno es una forma de electroluminiscencia,
el LED es un tipo especial de diodo que trabaja como un diodo común,
pero que al ser atravesado por la corriente eléctrica, emite luz . Este
dispositivo semiconductor está comúnmente encapsulado en una cubierta
de plástico de mayor resistencia que las de vidrio que usualmente se
emplean en las lámparas incandescentes. Aunque el plástico puede estar
coloreado, es sólo por razones estéticas, ya que ello no influye en el color
de la luz emitida.

ESTRUCTURA DEL DIODO LED

INTENSIDAD LUMINOSA DEL DIODO LED

II. OBJETIVOS

Proporcionar los conocimientos

necesarios a fin de comprender
correctamente el funcionamiento y las
prácticas de los LEDs
III. MATERIALES

● Fuente de poder DC
● Multímetro digital
● 1 LED tipo TIL 203
● LEDs de color rojo y azul
● Voltímetro DC 5V
● Resistencias: 100Ω, 220Ω (2 unidades), 470Ω, 1kΩ (2 unidades)
● Cables y conectores
● 1 pila de 9V

IV. INFORME PREVIO

En el experimento se utilizarán varios componentes electrónicos y equipos de

medición para estudiar el comportamiento de LEDs y resistencias en circuitos
eléctricos. Los componentes incluyen una fuente de poder DC, un multímetro digital,
LEDs (rojo, azul y TIL 203), resistencias (100Ω, 220Ω, 470Ω, 1kΩ), un voltímetro
DC y una pila de 9V.

El objetivo es observar cómo diferentes valores de resistencia afectan el brillo y la

corriente de los LEDs, y medir las caídas de tensión y corriente en el circuito
utilizando el multímetro y el voltímetro. Se utilizará la fuente de poder DC para
proporcionar un voltaje controlado y la pila de 9V como una fuente de energía
alternativa.

V. PROCEDIMIENTO

1. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directas e inversas del diodo

Zener. Registrar los datos en la tabla 1

R directa R inversa
200 Ω 2 MΩ

2. REALIZAR EL SIGUIENTE CIRCUITO

3. VARIANDO EL VOLTAJE DE ALIMENTACIÓN, OBTENGA EL
VOLTAJE DE ACUERDO CON LOS VALORES DEL CUADRO N 1, MIDA Y
ANOTE EL VALOR DE LA CORRIENTE DEL DIODO.

Vd(v) 0.5 1.0 1.4 1.59 1.67 1.75 1.8

Id(mA) 0.14 0.32 0.44 0.47 0.5 0.53 0.56

4. CON LOS DATOS OBTENIDOS EN EL CUADRO N1,

TRACE LA CURVA CORRESPONDIENTE CONSIDERANDO
ID=F(ID.)

5. DISMINUYA EL VOLTAJE DE ALIMENTACIÓN A 0V. LUEGO INVIERTA

EL LED Y REPITA LAS MEDIDAS ANTERIORES DE ACUERDO CON EL
CUADRO N2

Vd(v) 0.5 1.07 1.46 1.58 1.68 1.7

Id(A) 0 0 0 0 0 0

6. QUE NOTA EN EL LED, ¿SE ILUMINA?

El LED no se ilumina en las primeras mediciones, pero a medida que se incrementa
la corriente y el voltaje en las siguientes mediciones, comienza a encenderse. La
iluminación se vuelve más intensa y notoria en las últimas mediciones, aumentando
de manera ascendente. Esto indica que el LED requiere una corriente mínima para
superar el umbral de encendido, después de lo cual su brillo aumenta
proporcionalmente con la corriente aplicada.
 7. ¿CUÁNDO TRABAJA CORRECTAMENTE EL LED?

El LED trabaja correctamente cuando está polarizado en directa y recibe una corriente
adecuada, generalmente entre 10 y 20 mA, con un voltaje de caída típico entre 1.8 y
3.3 V dependiendo del tipo de LED. Bajo estas condiciones, el LED emitirá luz de
manera eficiente y estable.

1. MONTAR EL CIRCUITO DE LA FIGURA

EL DIODO ES EL DIODO LED ROJO. LA
RESISTENCIA LIMITADORA LA
CONSEGUIREMOS COMBINANDO LAS
RESISTENCIAS DE LA CAJA PARA QUE
NOS DE UN VALOR APROXIMADO DE
500Ω (POR EJEMPLO: 2 DE 200 EN
SERIE
= 400, 2 DE 1000 EN PARALELO =500).

2. Medir la intensidad de circula, anotar en

la tabla

R I V
RL 500 13,8 mA 6,9 V
Diodo 1,5 k 1.4 mA 2,1 V
Total 2k 15,2 mA 9V

VI. BIBLIOGRAFÍA

Vega, G. R. (2020). Diodo Zener, LED y diodos infra rojo.

[Link]
“Año del Bicentenario, de la consolidación de nuestra Independencia, y de la
conmemoración de las heroicas batallas de Junín y Ayacucho”
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y

ELÉCTRICA

INFORME DE LABORATORIO N° 5 :
CONFIGURACIÓN BASE COMÚN

DOCENTE:
Mg. Luis Ponce Martínez

INTEGRANTES:
Carlos Alejandro Oscco Apolaya (23190265)
Pachauri Huancapaza Gian Carlos Alberto
(23190067) Suca Mariño Patrick Raul (23190284)
Pahuacho Mendoza Renato Ronald
(23190069) Cueva Valverde Ronald Jesus
(23190238) Gutierrez Condori Wilmer
(23190055)

Lima,
Perú 2024
 I. INTRODUCCIÓN:

Un transistor puede conectarse en tres distintas configuraciones de circuito: base

común, emisor común y colector común. Cada configuración permite observar diferentes
características del transistor; en la configuración de base común, la señal de entrada se aplica
entre el emisor y la base y la de salida se toma entre el colector y la base, la base es por
tanto, común a los circuitos de entrada y de salida. En esta configuración en la zona activa, la
unión emisor-base está polarizada directamente (resistencia baja) y la unión base-colector,
inversamente (resistencia alta). La impedancia de entrada es baja (20-1000Ω) y la de salida
es alta (100KΩ-10MΩ).
La señal de salida está en fase con la de entrada, de modo que no ocurre inversión de señal.

II. OBJETIVOS:

a. Evaluar las corrientes de polarización y los voltajes de operación de c.d. que se

encuentran en un circuito típico de base común. Observe sus curvas características y
la recta de carga.

III. MATERIALES:
● 1 Fuente Regulada Múltiple
● 1 Multímetro Digital
● 1 Transistor PNP - 2N3906
● 2 Resistencias: 100Ω, 270Ω
● 2 Potenciómetros: 1KΩ y 500Ω
● 1 Tablero de Conexión
● 1 Alicate

IV. PROCEDIMIENTO:
1. Implemente el circuito de la Figura 5-1. Varíe el potenciómetro P2 a un valor de 500Ω.

Figura 5-1
2. Ajuste la tensión de polarización de emisor VEE = 5V, asimismo varíe el potenciómetro
P1 hasta obtener una corriente de emisor IE = 1mA; y luego ajustar la tensión colector-
base VCB = 1V, variando la tensión VCC.

3. Anote la corriente de base IB en la Tabla 1, cuando VCB = 1V. TABLA 1

IB (µA)

VCB = 1V VCB = 10V

IE 1 4.88 uA 4.45 uA
(mA) 2 6.12 uA 5.56 uA

3 7.37 uA 6.67 uA

4 8.60 uA 7.79 uA

5 9.83 uA 8.90 uA

6 11.08 uA 10.11 uA

7 12.31 uA 11,10 uA

4. Anote la corriente de base IB resultante para cada una de las corrientes de emisor IE
indicados, manteniendo siempre VCB = 1V.

5. Repita los pasos 3 y 4, pero ahora teniendo la tensión la tensión colector base, VCB =
10V y anote los resultados en la Tabla 1.

NOTA. Tenga presente que cuando anote las mediciones de la corriente de base IB
será necesario ajustar tanto P1 (para mantener la corriente IE indicada), como la fuente
VCC (para mantener la tensión indicada entre colector y base, VCB).

6. En la configuración de base común tenemos que:

I=I−I
CEB

La corriente de colector (IC) puede determinarse, restando la corriente de base, IB

(registrada a VCB = 1V, en la Tabla 1), de la corriente de emisor (IE) indicado.
Efectúe estas restas para los dos niveles de tensión y corrientes de emisor indicados.
Anote todas las corrientes de colector calculadas (IC) en la Tabla 2.
Por ejemplo, reste el valor registrado de IB en el nivel VCB = 1V, de la corriente de
emisor (IE) de 1mA, en la Tabla 1, y anote la corriente de colector resultante (IC) en la
Tabla 2. Recuerde que debe convertir todas las corrientes a mA.
TABLA 2
IC (mA)

VCB = 1V VCB = 10V

IE 1 2,11 mA 2,35 mA
(mA) 2 1,89 mA 2,13 mA

3 1,66 mA 1,90 mA

4 1,43 mA 1,48 mA
 5 1,20 mA 1,21 mA

6 0,96 mA 1 mA

7. Tomando los valores obtenidos en la Tabla 2, dibuje la familia de curvas IC -VCB, para
los valores indicados de la corriente de base IB en la Gráfica 1, marcando cada curva
de acuerdo con el valor correspondiente de IE.

V. CUESTIONARIO:

1. Dibuje de memoria y sólo de memoria, la configuración del transistor BJT de base común
(para ambos tipos NPN y PNP) e indique la orientación de la polaridad aplicada y las
direcciones de las corrientes resultantes.

TRANSISTOR BJT (TIPO NPN):En un transistor NPN de base común, el emisor se

conecta a un voltaje negativo, la base a tierra y el colector a un voltaje positivo. La
corriente del emisor (IE) fluye hacia la base, mientras que la corriente del colector (IC)
fluye hacia la base también, resultando en una corriente de base (IB) muy pequeña que
fluye hacia el emisor.
 TRANSISTOR BJT (TIPO PNP) : En un transistor PNP de base común, el emisor se
conecta a un voltaje positivo, la base a tierra y el colector a un voltaje negativo. La
corriente del emisor (IE) fluye desde la base hacia el emisor, mientras que la corriente del
colector (IC) fluye desde la base hacia el colector, resultando en una corriente de
base (IB) muy pequeña que fluye desde el emisor hacia la base.

2. Describa, cómo deben polarizarse las dos uniones del transistor para la adecuada
operación del mismo? Fundamente su respuesta.

La unión base-emisor debe estar polarizada directamente:

Esto significa que el terminal positivo de la fuente de alimentación se conecta a la

 base, y el terminal negativo se conecta al emisor.

La polarización directa de esta unión permite que los portadores de carga (electrones
o huecos) fluyen desde el emisor hacia la base, dando lugar a la corriente de base
(IB).

La unión base-colector debe estar polarizada inversamente:

Esto significa que el terminal negativo de la fuente de alimentación se conecta a la

base, y el terminal positivo se conecta al colector.

La polarización inversa de esta unión crea un campo eléctrico que permite que los
portadores de carga (electrones o huecos) fluyan desde el colector hacia la base,
dando lugar a la corriente de colector (IC).

3. ¿Cuál de las corrientes del transistor es siempre la mayor? Cuál es siempre la menor? ¿Qué
par de corrientes están relativamente cerca una de otra, en magnitud? ¿Cuál de las corrientes
del transistor es siempre la mayor?

La corriente de colector (IC) es siempre la mayor de las tres corrientes del transistor
(IC, IB, IE).

¿Cuál es siempre la menor?

La corriente de base (IB) es siempre la menor de las tres corrientes del transistor.

¿Qué par de corrientes están relativamente cerca una de otra, en magnitud?

Las corrientes de emisor (IE) y de colector (IC) están relativamente cerca una de otra
en magnitud.

Esto se puede explicar de la siguiente manera:

La corriente de colector (IC) es la mayor porque es la corriente principal que fluye a

través del transistor y es amplificada respecto a la corriente de base (IB).

La corriente de base (IB) es la menor porque se encarga de controlar y modular la

corriente de colector (IC).

Las corrientes de emisor (IE) y de colector (IC) están relativamente cerca en

magnitud porque la relación entre ellas está dada por el factor de ganancia en
corriente del transistor (β o hFE), el cual suele estar en el rango de 50 a 500 para
transistores de propósito general.
 Por lo tanto, la relación entre las corrientes es:

IC > IE > IB

Siendo IC y IE las más cercanas en magnitud.

4. Supongamos que la corriente de emisor (IE) de un transistor es de 8 mA. y la corriente de

base (IB) es de 1/100 de IC. Determine los niveles de IC e IE.

Dado que:

La corriente de emisor (IE) es de 8 mA

La corriente de base (IB) es 1/100 de la corriente de colector (IC)

Podemos seguir estos pasos:

Determinar la corriente de colector (IC):

Sabemos que IB = 1/100 de IC

Por lo tanto, IC = 100 * IB

Si IB = 1/100 de IC, entonces IC = 100 * (1/100) * IE

IC = IE/100

Determinar la corriente de colector (IC):

Sustituyendo los valores conocidos:

IC = IE/100 = 8 mA / 100 = 0.08 A = 80 mA

Determinar la corriente de emisor (IE):

Sabemos que IE = 8 mA

Por lo tanto, los niveles de las corrientes son:

Corriente de colector (IC) = 80 mA

Corriente de emisor (IE) = 8 mA

La corriente de colector (IC) es 10 veces mayor que la corriente de base (IB), ya que
IB = 1/100 de IC.
5. Si se emplea un transistor NPN, qué variaciones le haría al circuito de la Figura 5-1.
¿Qué se obtendría en la Gráfica 1?. Fundamente su respuesta.

En un transistor NPN, la alimentación se conecta con el polo positivo al colector y el

polo negativo al emisor. Por el contrario, en un transistor PNP, la alimentación se
invierte, conectando el polo positivo al emisor y el polo negativo al colector.

Asimismo, con un transistor NPN, la señal de entrada se aplica a la base con

polaridad positiva, mientras que en un transistor PNP, la señal de entrada a la base
debe tener polaridad negativa.

Finalmente, en un transistor NPN, la señal de salida tiene la misma polaridad que la

alimentación, pero en un transistor PNP, la señal de salida presenta una polaridad
opuesta a la de la alimentación.

6. Anote sus conclusiones y observaciones del experimento.

La configuración de base común es una de las tres configuraciones básicas de un

transistor. Se caracteriza por tener:

Una baja impedancia de entrada: La entrada se conecta a la base del transistor, lo que
resulta en una impedancia de entrada relativamente baja.

Una alta impedancia de salida: La salida se toma entre el colector y el emisor, dando
como resultado una impedancia de salida alta.

Esta configuración es útil para la adaptación de impedancias, ya que permite acoplar

eficazmente circuitos de alta y baja impedancia.

Aunque la ganancia de voltaje en esta configuración generalmente es menor a 1, la

ganancia de corriente puede ser mayor a 1. Esto significa que la corriente de salida puede
ser mayor que la corriente de entrada.

La configuración de base común se utiliza comúnmente en aplicaciones de

radiofrecuencia, como en las etapas de entrada de amplificadores de señal débil. Esta
configuración permite mejorar y amplificar eficazmente señales de radiofrecuencia.

La configuración de base común se caracteriza por tener baja impedancia de entrada, alta
impedancia de salida y la capacidad de proporcionar ganancia de corriente mayor a 1, lo
que la hace útil en aplicaciones de adaptación de impedancias y amplificación de señales
de radiofrecuencia.
“Año del Bicentenario, de la consolidación de nuestra Independencia, y de la
conmemoración de las heroicas batallas de Junín y Ayacucho”
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y

ELÉCTRICA

INFORME DE LABORATORIO N° 6 :
Transistor DIAC

DOCENTE:
Mg. Luis Ponce Martínez

INTEGRANTES:
Carlos Alejandro Oscco Apolaya (23190265)
Pachauri Huancapaza Gian Carlos Alberto
(23190067) Cueva Valverde Ronald Jesus (23190238)
Suca Mariño Patrick Raul (23190284)
Pahuacho Mendoza Renato Ronald
(23190069) Gutierrez Condori Wilmer
(23190055)

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Perú 2024
 I. OBJETIVOS

Proporcionar experimentalmente las características del DIAC.

II. MATERIALES:

• Un DIAC tipo DA3

• Un Multítester o multímetro.

• Un Miliamperímetro

• Un Voltímetro para 100V

• Una Resistencia de 1k,3k,4.7k

• Una Fuente Variable de 0v a 60v.

III. PROCEDIMIENTO:

1. Realizar el siguiente circuito

2. Variando la tensión de alimentación partiendo de cero

y determinar los valores de V2 e I con cada valor V1.
Antes del disparo (V1 < 34 V):

● V2≈0 V.
● I≈0.

Después del disparo (V1 >= 34 V):

● V2≈14.2−14.3 V
● I aumenta proporcionalmente a V1
3. En correspondencia de largas variaciones de la intensidad I
variar esmeradamente el voltaje V1. Anotar los valores obtenidos en
la tabla correspondientes.

V1 DIRECTA INVERSA I(mA)

0 0 0 0
15 15 V -14.9 0.13 μ
30 30 V -30 1.62 μ
32 32 V -32 1.82 μ

34 14.2 V -14.2 4.20 m

36 142 V -14.2 4.63 m

38 14.3 V -14.3 5.05 m

39 14.3 V -14.3 5.26 m
40 14.3 V -14.3 5.48 m
42 14.3 V -14.3 5.90 m
44 14.3 V -14.3 6.33 m
46 14.3 V -14.3 6.75 m
48 14.3 V -14.3 7.18 m
50 14.3 V -14.3 7.60 m
4. Invierta las conexiones del DIAC y repetir las mediciones
llevando los valores a la parte correspondiente de la misma
tabla.

5. Trazar la gráfica I = F(V1) y observar el comportamiento general de la curva.

6. Tomando en consideración los valores de la tabla y la curva obtenida con estos

valores determine el comportamiento del DIAC.

El comportamiento del DIAC se caracteriza por su capacidad de permitir el paso de corriente

en ambas direcciones una vez que el voltaje aplicado supera su voltaje de ruptura. En la curva
característica, se observa que inicialmente el DIAC presenta una alta impedancia y casi no
conduce corriente. Al alcanzar el voltaje de ruptura, la impedancia disminuye abruptamente y
el dispositivo entra en conducción, permitiendo el flujo de corriente. Una vez que la corriente
disminuye por debajo de un valor umbral, el DIAC vuelve a su estado de alta impedancia,
cortando el flujo de corriente. Este ciclo se repite cada vez que el voltaje de ruptura es
superado, reflejando su capacidad de control en aplicaciones de corriente alterna.
OBSV.

El DIAC es un conductor con un comportamiento resistivo de elevado

valor y resistencia hasta un cierto valor de tensión. Más allá de este valor,
el conductor se hace anómalo bajando rápidamente su resistencia interna.
Tal comportamiento es independiente de la polaridad del alimentador.

IV. BIBLIOGRAFÍA
Lilen, H. (1973). Tiristores y triacs: Principios y aplicaciones de los tiristores, triacs, diacs,
SBS, fototiristores, etc., con esquemas de aplicaci¢ n. Marcombo.
[Link]
ac+triac&ots=fawNfTwHQR&sig=MudFdHeLGlY0eKcFJjCG0p77tSg
“Año del Bicentenario, de la consolidación de nuestra Independencia, y de la
conmemoración de las heroicas batallas de Junín y Ayacucho”
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INFORME DE LABORATORIO N° 7 :
Transistor DIAC

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 I. OBJETIVOS:

● Identificar los terminales del UJT

● Medir las resistencias características del UJT
● Implementar el circuito propuesto con el UJT
● Analizar la variación de la forma de onda con el potenciómetro

II. MATERIALES

● Resistencias
● Transistor UJT
● Potenciómetro
● Fuente de alimentación
● Osciloscopio
● Multites digitale o analogico

III. MARCO TEÓRICO

El UJT (Transistor de Unijuntura) es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se

utiliza principalmente en osciladores y circuitos de disparo. Su estructura interna consta de
una barra de silicio con dos zonas altamente dopadas (denominadas emisor y base 1) y una
zona menos dopada (llamada base 2) entre ellas. Esta disposición crea una característica
distintiva de conmutación controlada por la inyección de portadores, en lugar de una acción

de puerta convencional como en los transistores bipolares.

El funcionamiento del UJT se basa en su capacidad para conducir corriente entre el emisor y
la base 1 cuando se aplica un voltaje de disparo adecuado entre la base 2 y el emisor. Cuando
no se aplica el voltaje de disparo, el UJT permanece en estado de alta impedancia (apagado),
actuando esencialmente como un interruptor controlado por voltaje.

Cuando se aplica el voltaje de disparo entre la base 2 y el emisor, se inyectan portadores en la

base 1, lo que reduce la barrera de potencial entre el emisor y la base 1 y permite que el
UJT
conduzca corriente. Esta conducción continúa hasta que la corriente de emisor cae por debajo
de un valor crítico (llamado corriente de valle), momento en el cual el UJT se apaga
automáticamente y vuelve a su estado de alta impedancia.

IV. PROCEDIMIENTO

1. Realizar la prueba estática del UJT, anotar sus valores.

2. Diga cómo podemos identificar los terminales de dicho dispositivo.

Medir con multímetro: Si no dispones del datasheet o necesitas verificar los

terminales físicamente, puedes usar un multímetro en modo de resistencia
(ohmímetro). Aquí tienes un método básico:
Ajusta el multímetro en modo de resistencia (ohmímetro).
Coloca las puntas del multímetro en dos terminales desconocidas del UJT.
Observa la lectura de resistencia. La menor resistencia indicará probablemente la
conexión directa entre dos terminales, lo que te ayudará a identificar B1 y B2.
Identificación visual: Algunos UJTs tienen marcas físicas o códigos de colores en sus
terminales que facilitan la identificación. Puedes inspeccionar físicamente el
dispositivo en busca de marcas que señalan los terminales B1, B2 y E.

3. Medir las resistencias entre los terminales del dispositivo.

Terminales Resistencia
RB1B2 500kΩ
RB2B1 450kΩ
REB1 1kΩ
R1B1E 950Ω
REB2 1,2kΩ
RB2E 1kΩ

4. Implementar el siguiente circuito.

5. Poner una resistencia de 10k en serie con el potenciómetro, luego observar y
dibujar la forma de onda de B1, B2, emisor y condensador.

Base 1

Base 2

6. Qué sucede si variamos el potenciómetro.

La amplitud del voltaje pico a pico va a variar.

7. Repetir todos los pasos cuando R1 es cero.

 8. Qué pasa si R2 aumenta.

9. Cambiar el potenciómetro por uno de 1M.

10. Qué sucede si se aumenta el capacitor.

11. Qué sucede con la forma de onda en los terminales del ujt si variamos el valor de la
fuente de alimentación Vcc.

V. CONCLUSIONES
 El transistor de unijuntura (UJT, por sus siglas en inglés) es un dispositivo
semiconductor que se caracteriza por tener una sola unión pn. A diferencia de los
transistores bipolares o MOSFETs, el UJT no se utiliza principalmente para
amplificación sino como un dispositivo de conmutación y generador de pulsos. Tiene
tres terminales: emisor (E), base 1 (B1) y base 2 (B2). La característica más destacada
del UJT es su capacidad para generar pulsos de corriente debido a su naturaleza de
disparo y comportamiento de resistencia negativa.

En términos de funcionamiento, el UJT se activa cuando el voltaje aplicado entre el

emisor y la base 1 alcanza un cierto nivel llamado "voltaje de disparo". Al alcanzar
este punto, el UJT pasa de un estado de alta resistencia a uno de baja resistencia,
permitiendo el flujo de corriente. Este comportamiento de conmutación lo hace ideal
para aplicaciones en las que se necesitan señales de disparo precisas y repetitivas. Una
vez que el voltaje cae por debajo de un nivel específico, el UJT se apaga y vuelve a su
estado de alta resistencia.

VI. BIBLIOGRAFÍA

Bishop, G. D., & Bishop, G. D. (1983). Transistors. Electronics for Technicians,

14-36. [Link]
“Año del Bicentenario, de la consolidación de nuestra Independencia, y de la
conmemoración de las heroicas batallas de Junín y Ayacucho”
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

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ELÉCTRICA

INFORME DE LABORATORIO N° 9 :
Diodo semiconductor

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Objetivos
• Verificar las características de funcionamiento
de un LED
• Verificar las características de un LDR
• Verificar las características de funcionamiento
de un fotodiodo

Materiales ()
• Fuente de poder DC
• Multímetro
• 01 miliamperímetro
• 01 micro amperímetro
• diodo LED
• diodo LDR
• FOTODIODO AZUL
• Voltímetro DC
• Resistencia de
510Ω, 1Ω y 51Ω
• Cables y conectores

Informe Previo
1. Indicar y explicar cada una de las especificaciones
de funcionamiento de un LED. ¿Qué significa LED?

Significa "Light Emitting Diode" o "Diodo Emisor de Luz", un dispositivo semiconductor

que emite luz al pasar una corriente eléctrica. Sus especificaciones incluyen tensión de
operación (1.8-3.3V), corriente de operación (10-20 mA), intensidad luminosa (medida en
mcd o cd), y longitud de onda (determina el color). Otros aspectos importantes son el ángulo
de visión, temperatura de funcionamiento, vida útil, eficiencia luminosa y resistencia
térmica, esenciales para su diseño y aplicación.

2. ¿Qué significa LDR? Indicar y explicar

sus especificaciones de funcionamiento.
Significa "Light Dependent Resistor" o "Resistor Dependiente de la Luz". Su resistencia
disminuye con mayor luz. Sus especificaciones incluyen resistencia en oscuridad (alta, en
MΩ) y en luz (baja, en ohmios o kΩ), tiempo de respuesta (cambio de resistencia ante
variaciones de luz), espectro de respuesta (sensibilidad a diferentes longitudes de onda, pico
en 550 nm), tensión de operación (máxima sin dañar el LDR) y temperatura de
funcionamiento (rango típico de -30°C a +70°C).
3. Indicar y explicar cada una de las especificaciones
de funcionamiento de un fotodiodo
Un fotodiodo convierte la luz en corriente eléctrica, esencial en detección de luz y fotometría.
Sus especificaciones incluyen sensibilidad espectral (eficiencia en diferentes longitudes de
onda), corriente oscura (ruido en ausencia de luz), tiempo de respuesta (velocidad de
reacción
 a cambios de luz), y capacitancia de la unión (afecta respuesta y ruido). Además, considera la
tensión de operación, rango de longitud de onda, área activa, factor de ruido, resistencia de
carga y factor de amplificación.
Procedimiento

1. Verificación de un LED
a. Identificar los terminales de un LED
b. Usando un ohmímetro, verificar sus resistencias directa
e inversa. Llenar la tabla 5.1
c. Ajustar la fuente de corriente continua a una tensión
comprendida entre 2 a 3V. Verificar la propiedad
luminescente del diodo (No usar un mayor valor de tensión).

R directa R inversa
440 KΩ 420 KΩ.

d. Implementar el siguiente circuito

Vcc(V) 2.58V 2.61V 2.66V 2.75V 2.86V 2.99V 3.35V 3.99V 4.00V 5.27V
IZ(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 10.0 15.0 20.0
Vd(V) 2.58V 2.61V 2.64V 2.6V 2.7V 2.7V 2.8V 2.9V 3.00V 3.00V

e. Ajustar los valores de tensión de la fuente DC, según se indica

en la tabla. Anotar los valores leídos por el miliamperímetro y el
voltímetro

2. Verificación de un LDR (fotoresistencia)

a. Usando el ohmímetro, verificar la propiedad
fotoeléctrica del LDR. Anotar su valor resistivo en
la tabla siguiente:

R oscuridad R iluminado
130 KΩ 6.20 KΩ

b. Armar el siguiente circuito:

c. Medir la tensión en los terminales del LDR y anotar los datos en la tabla

R ldr oscuridad R ldr iluminación

7.2V 0.5V

Cuestionario

1. Explicar lo que sucede con el LED al realizar

las actividades del paso 1
En el circuito con una fuente de voltaje V, una resistencia R1 de 100 ohmios, un LED, un
amperímetro y un voltímetro, se observa lo siguiente: Al encender el circuito, el amperímetro
mide la corriente y el voltímetro mide la tensión a través del LED. La corriente, calculada
por la Ley de Ohm, está limitada por R1 para evitar dañar el LED. El LED se encenderá si la
tensión aplicada supera su voltaje de operación Vf. Aumentar V incrementará la corriente
dentro de límites seguros, eliminar R1 podría dañar el LED, y disminuir V podría impedir
que el LED se encienda.
2. Explicar el funcionamiento del LDR usado en el paso
En el circuito con una fuente de 10V, una resistencia de 1 kΩ, un LED, un LDR y un
voltímetro, el LDR varía su resistencia según la luz incidente. En oscuridad, la resistencia del
LDR es alta, causando una baja tensión a través del LED, que puede no encenderse. Con luz
intensa, la resistencia del LDR disminuye, permitiendo una mayor tensión en el LED,
haciéndolo brillar más. El voltímetro mide la tensión a través del LDR, que es alta en
oscuridad y baja en luz, reflejando así la intensidad de la luz ambiente.
3. Explicar el funcionamiento del fotodiodo usado en
el paso 3 y compararlo con respecto al LDR
Los fotodiodos generan corriente al absorber luz y existen en dos tipos. El diodo fotovoltaico,
o célula solar, produce corriente directamente al ser iluminado. El fotoconductor, por su
parte, opera en polarización inversa, donde la luz disminuye su resistencia a la corriente de
polarización, permitiendo medir la intensidad de la luz incidente. En esencia, el fotodiodo
actúa como un limitador del flujo de corriente, con mayor luz que reduce esta limitación.
Generalmente, se utiliza con un amplificador, como el amplificador de transimpedancia
(TIA), para convertir la corriente generada en una señal útil.

VI. BIBLIOGRAFÍA

- Schweber, B. (11 de septiembre de 2018). Cómo utilizar fotodiodos y

fototransistores con mayor eficacia . Llave digital; Editores de DigiKey de

América del Norte. [Link]

fotodiodos-y-fototransistores-de-mane ra-mas-efectiva#:~:text=Los

%20fototransistores%20y%20fotodiodos%20son

- Cómo probar los diodos . (sin fecha). [Link]. Recuperado el 8 de

julio de 2024, de

[Link]

probar-lo- diodos#:~:text=El%20mult%C3%ADmetro% 20muestra%20OL

%20cuando

- ¿Qué es y cómo funciona una LDR (resistencia dependiente de la luz) -

Tecnosalva . (sin fecha).

[Link]

%20LDR% 20o%20resistencia%20dependiente
“Año del Bicentenario, de la consolidación de nuestra Independencia, y de la
conmemoración de las heroicas batallas de Junín y Ayacucho”
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y

ELÉCTRICA

INFORME DE LABORATORIO N° 12 :
Diodo semiconductor

DOCENTE:
Mg. Luis Ponce Martínez

INTEGRANTES:
Oscco Apolaya Carlos Alejandro (23190265)
Pachauri Huancapaza Gian Carlos Alberto
(23190067) Suca Mariño Patrick Raul (23190284)
Pahuacho Mendoza Renato Ronlad
(23190069) Cueva Valverde Ronald Jesus
(23190238) Gutierrez Condori Wilmer
(23190055)

Lima,
Perú 2024
 I. OBJETIVOS

● Observar el cambio en la resistencia entre ánodo y gate antes y después de hacer

el puente
● Medir la resistencia entre gate y cátodo (K) invirtiendo polaridades
● Determinar la resistencia entre ánodo 2 y ánodo 1 al hacer el puente entre ánodo 2
y gate
● Realizar mediciones de resistencia al retirar el puente entre ánodo y gate

II. MARCO

TEÓRICO TIRISTOR:

Es un dispositivo semiconductor de potencia que actúa como un interruptor controlado. Su

funcionamiento se basa en la capacidad de mantenerse en estado de conducción una vez que
se ha disparado y hasta que se reduce la corriente por debajo de un nivel crítico (llamado
corriente de mantenimiento). Este comportamiento lo hace útil en aplicaciones de control de
potencia como reguladores de velocidad de motores, reguladores de intensidad de lámparas,
entre otros.

El funcionamiento de un tiristor implica tres estados principales: apagado, encendido y en

conducción. En estado de apagado, el tiristor
bloquea la corriente hasta que se aplica un pulso
de disparo adecuado a la compuerta (G). Cuando
se aplica este pulso, el tiristor entra en estado de
conducción y permite el paso de corriente. Una
vez que se inicia la conducción, el tiristor
permanece encendido hasta que la corriente que
lo atraviesa cae por debajo de un umbral
específico (corriente de mantenimiento),
momento en el cual se apaga automáticamente y
vuelve a su estado de apagado.

TRIAC(Triode for Alternating Current)

Es un tipo de tiristor diseñado específicamente para controlar corriente alterna (AC). Al igual
que un tiristor convencional, un TRIAC
puede conducir corriente en ambos
sentidos una vez que se activa mediante
un pulso de puerta. Esto lo hace
adecuado para aplicaciones donde se
necesita controlar la potencia en
circuitos AC, como en la regulación de
lámparas de luz regulable y controles de
velocidad para motores AC.
El funcionamiento básico de un TRIAC es similar al de un tiristor, pero con la capacidad de
conducir en ambos semiciclos de la corriente alterna. Cuando se aplica un pulso de disparo a
la compuerta del TRIAC, este se activa y permite el paso de corriente tanto en la mitad
positiva como en la negativa del ciclo de la AC. Esto se logra gracias a la estructura interna
del TRIAC, que consiste en dos tiristores conectados en antiparalelo y controlados por la
misma compuerta.

III. MATERIALES

● Multímetro analógico o digital

● Protoboard
● Jumpers
● Tiristor
● TRIAC

IV. PROCEDIMIENTO

Primera parte
1. Colocar la punta de ohms(+) al ánodo y la común (-) al cátodo.

Antes de hacer el puente Después de hacer el puente

1,162 MΩ 97 kΩ

2. Invertir las puntas del ohmimetro del paso 1 .

Antes de hacer el puente Después de hacer el puente

1,7 MΩ 1,471 MΩ

3. Colocar la punta del OHMIMETRO al gate y la punta común al cátodo:

Antes de hacer el puente Después de hacer el puente

97,6 kΩ 98 kΩ

4. Invertir las puntas del ohmímetro del paso 3.

Antes de hacer el puente Después de hacer el puente

1,35 MΩ 745 kΩ
Segunda parte

1. Colocar la punta de OHMÍMETRO (+) al ánodo 2 ( A2 ) y la punta común (-)

al ánodo 1 ( A1 ).

Medición con puente entre A2A1 1,315 kΩ

RGA1 1,324 kΩ RA1G 1,315 kΩ

RA2G1 540 kΩ RGA2 1,12 MΩ
RA2A1 226 kΩ A1A2 800 kΩ

2. INVERTIR EL OHMÍMETRO COMO SE INDICA Y ANOTAR EL

VALOR APROXIMADO DE LA RESISTENCIA.

Medición con puente entre A1A2 1,313 kΩ

V. CONCLUSIONES

Los triacs y tiristores son dispositivos semiconductores ampliamente utilizados en el control

de potencia y conmutación de corriente en aplicaciones electrónicas. Un tiristor, también
conocido como SCR (Silicon Controlled Rectifier), es un componente de cuatro capas que
permite el flujo de corriente en una sola dirección cuando se aplica una señal de disparo en la
compuerta. Por otro lado, un triac es un dispositivo similar, pero puede conducir corriente en
ambas direcciones, lo que lo hace ideal para aplicaciones de corriente alterna.

Para asegurar el correcto funcionamiento de estos dispositivos, se realiza una prueba estática
que evalúa su resistencia interna en diferentes condiciones. En el caso del tiristor, la prueba
implica medir la resistencia entre el ánodo y el cátodo sin aplicar señal a la compuerta. En
este estado, el tiristor debe mostrar una resistencia muy alta, indicando que está bloqueando
el flujo de corriente. Si la resistencia es baja, puede ser indicativo de un cortocircuito interno
o un tiristor defectuoso. Para el triac, se mide la resistencia entre las terminales MT1 y MT2
sin aplicar señal a la compuerta (gate); también debe mostrar una alta resistencia en esta
condición.

Además de medir la resistencia sin aplicar señal a la compuerta, es fundamental verificar la

respuesta del dispositivo cuando se aplica la señal de disparo. Al aplicar una pequeña
corriente en la compuerta del tiristor, la resistencia entre el ánodo y el cátodo debería
disminuir drásticamente, permitiendo el flujo de corriente. De manera similar, para el triac,
la aplicación de una señal de disparo debería reducir la resistencia entre MT1 y MT2,
permitiendo la conducción en ambas direcciones. Estas pruebas estáticas son esenciales para
garantizar la fiabilidad y el correcto funcionamiento de los tiristores y triacs en sus
respectivas aplicaciones.

VI. BIBLIOGRAFÍA

Lilen, H. (1973). Tiristores y triacs: Principios y aplicaciones de los tiristores, triacs, diacs,
SBS, fototiristores, etc., con esquemas de aplicaci¢ n. Marcombo.
[Link]
ac+triac&ots=fawNfTwHSO&sig=XevJQhBRA_PECqtqOcTQ94EvVsk