Universidad Nacional Autónoma De México FES Aragón

Ingeniería Mecánica Eléctrica Diseño Lógico

INTRODUCCIÓN

Las computadoras y otros tipos de sistemas requieren el almacenamiento permanente o

semipermanente de un gran número de datos binarios. Los sistemas basados en
microprocesadores necesitan de la memoria para almacenar los programas y datos
generados durante el procesamiento y disponer de ellos cuando sea necesario.

Las modernas técnicas de circuitos integrados permiten combinar miles e incluso millones
de puertas dentro de un solo encapsulado. Esto ha llevado a la fabricación de diseños más
complejos como los dispositivos lógicos programables, memorias y microprocesadores, que
proporcionan dentro de un solo chip circuitos que requieren gran cantidad de componentes
discretos.

Las memorias son dispositivos de almacenamiento de datos binarios de largo o corto

plazo .La memoria es un componente fundamental de las computadoras digitales y está
presente en gran parte de los sistemas digitales. La memoria de acceso aleatorio (RAM,
random access memory) almacena datos temporalmente, la memoria de sólo lectura (ROM,
Read only memory) los guarda de manera permanente. La ROM forma parte del grupo de
componentes llamados dispositivos lógicos programables (PLD, programmable logic
devices), que emplean la información almacenada para definir circuitos lógicos.
Dispositivos que son capaces de proveer el medio físico para almacenar esta información.
Y aunque esta es su tarea fundamental (más del 90 % de las memorias se dedican a este fin)
también se pueden utilizar para la implementación de circuitos combinacionales y pueden
sustituir la mayor parte de la lógica de un sistema.

Los chips LSI pueden programarse para realizar funciones específicas. Un dispositivo
lógico programable (PLD) es un chip LSI que contiene una estructura de circuito "regular",
pero que permite al diseñador adecuarlo para una aplicación específica. Cuando un PLD
típico deja la fábrica de IC, aún no está listo para una función específica, sino que debe ser
programado por el usuario para que realice la función requerida en una aplicación
particular. Los chips con la mayor funcionalidad por unidad de área han sido los chips de
memoria, que contienen arreglos rectangulares de celdas de memoria. Uno de los PLD es el
chip "de memoria de sólo lectura".

En una primera clasificación, se puede distinguir entre memorias de almacenamiento

masivo, caracterizadas por ser memorias baratas y lentas, y memorias semiconductoras o
memorias de estado sólido, más caras y rápidas. En las primeras, la prioridad es disponer de
una gran capacidad de almacenamiento, como ocurre en los discos duros, en tanto que en
las segundas, la prioridad es disponer de velocidades de acceso rápidas compatibles con la
mayor capacidad de almacenamiento posible Que son las habitualmente utilizadas como
memorias de almacenamiento de programa y de datos en la mayoría de las aplicaciones.
Que ofrece cada tipo de memoria así como las tecnologías de fabricación, que han
permitido un espectacular avance en las velocidades y escalas de integración en los últimos
años.

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Podemos considerar una memoria como un conjunto de M registros de N bits cada uno de
ellos. Estos registros ocupan las posiciones desde el valor 0 hasta M-1. Para acceder a cada
registro es necesaria una lógica de selección. En general, para cada registro se pueden
realizar procesos de lectura y de escritura. Para realizar todas estas operaciones son
Terminales de datos (de entrada y de salida necesarios los siguientes terminales salida).
En nuestro caso son necesarios N terminales:
Terminales de direcciones, son necesarios m, de tal forma de 2m = M
Terminales de control. Son los que permiten especificar si se desea realizar una operación
de escritura o de lectura, seleccionar el dispositivo.
/CS (Chip select): Es el terminal de selección de chip (habitualmente es activo con nivel
bajo.

1 Las primeras son las relacionadas con nuestros conocidos discos de ordenador, y las
últimas están abriendo en la actualidad un atractivo abanico de posibilidades: desde los
discos magnetoópticos hasta las memorias holográficas.
R/W (Read/Write): Selecciona el modo de operación (lectura o escritura) sobre la
memoria. habitualmente con valor bajo es activo el modo de escritura.
OE (Output Enable). Controla el estado de alta impedancia de los terminales de salida del
dispositivo.

MEMORIAS PROGRAMABLES
MEMORIA ROM (READ ONLY MEMORY)

Es una memoria de sólo lectura que se programan mediante máscaras. Es decir, el

contenido de las celdas de memoria se almacena durante el proceso de fabricación para
mantenerse después de forma irrevocable. Desde el instante en que el fabricante grabo las
instrucciones en el Chip, por lo tanto la escritura de este tipo de memorias ocurre una sola
vez y queda grabado su contenido aunque se le retire la energía.

Se usa para almacenar información vital para el funcionamiento del sistema: en la gestión
del proceso de arranque, el chequeo inicial del sistema, carga del sistema operativo y
diversas rutinas de control de dispositivos de entrada/salida suelen ser las tareas
encargadas a los programas grabados en ROM. Estos programas forman la llamada BIOS
(Basic Input Output System). Junto a la BIOS se encuentra el chip de CMOS donde se
almacenan los valores que determinan la configuración hardware del sistema, como tipos
de unidades, parámetros de los discos duros, fecha y hora del sistema... esta información
no se pierde al apagar la computadora. Estos valores se pueden modificar por medio del
SETUP.

La memoria ROM constituye lo que se ha venido llamando Firmware, es decir, el software

metido físicamente en hardware. De cara a los fines del usuario es una memoria que no
sirve para la operación de su programa, sólo le aporta mayores funcionalidades
(información) del equipo.

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Si tenemos idea de cómo se fabrican los circuitos integrados, sabremos de donde viene el
nombre. Estos se fabrican en obleas (placas de silicio) que contienen varias decenas de
chips. Estas obleas se fabrican a partir de procesos fotoquímicos, donde se impregnan capas
de silicio y oxido de silicio, y según convenga, se erosionan al exponerlos a la luz. Como
no todos los puntos han de ser erosionados, se sitúa entre la luz y la oblea una mascara con
agujeros, de manera que donde deba incidir la luz, esta pasará. Con varios procesos
similares pero más complicados se consigue fabricar los transistores y diodos
micrométricos que componen un chip. El elevado coste del diseño de la máscara sólo hace
aconsejable el empleo de los microcontroladores con este tipo de memoria cuando se
precisan cantidades superiores a varios miles de unidades.

Los PCs vienen con una cantidad de ROM, donde se encuentras los programas de BIOS
(Basic Input Output System), que contienen los programas y los datos necesarios para
activar y hacer funcionar el computador y sus periféricos.

La ventaja de tener los programas fundamentales del computador almacenados en la ROM

es que están allí implementados en el interior del computador y no hay necesidad de
cargarlos en la memoria desde el disco de la misma forma en que se carga el DOS. Debido
a que están siempre residentes, los programas en ROM son muy a menudo los cimientos
sobre los que se construye el resto de los programas (incluyendo el DOS).

Estas memorias, cuyo nombre procede de las iniciales de Read Only Memory son solo de
lectura. Dentro de un proceso de elaboración de datos de una computadora, no es posible
grabar ningún dato en las memorias ROM. Son memorias perfectas para guardar
microprogramas, sistemas operativos, tablas de conversión, generación de caracteres etc.
Las características fundamentales de las memorias ROM son:
1. Alta densidad: la estructura de la celda básica es muy sencilla y permite altas
integraciones.
2. No volátiles: el contenido de la memoria permanece si se quita la alimentación.
3. Coste: dado que la programación se realiza a nivel de máscaras durante el proceso de
fabricación, resultan baratas en grandes tiradas, de modo que el coste de fabricación se
reparte en muchas unidades y el coste unitario es baja.
4. Sólo lectura: únicamente son programables a nivel de máscara durante su fabricación.
Su contenido, una vez fabricada, no se puede modificar.

Una ROM puede estar fabricada tanto en tecnología bipolar como MOS.
La figura muestra celdas ROM bipolar. La presencia de una unión desde una línea de fila a
la base de un transistor representa un ‘1’ en esa posición. En las uniones
fila/columna en las que no existe conexión de base, las líneas de la columna
permanecerán a nivel bajo (‘0’) cuando se direccione la fila.

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La figura 5.15 muestra celdas ROM con transistores MOS. Básicamente son iguales que
las anteriores, excepto que están fabricadas con MOSFETs.

MEMORIA PROM (PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORIES)

Una alternativa para proyectos pequeños es el uso de una de las memorias de sólo lectura
programables o PROM (programmable read only memories), memoria basada en
semiconductores que contiene instrucciones o datos. Éstas existen en muchas variantes,
pero todas permiten que el usuario programe el dispositivo por si mismo, ahorrándose el
alto costo de la producción de la máscara. En la PROM (programable ROM), o memoria
programable de sólo lectura los contenidos pueden ser leídos pero no modificados por un
programa de usuario. Sus contenidos no se construyen, como la ROM, directamente en el
procesador cuando éste se fabrica, sino que se crean por medio de un tipo especial
"programación", ya sea por el fabricante, o por especialistas técnicos de programación del
usuario. El proceso de programación es destructivo: una vez grabada, es como si fuese una
ROM normal.

Las operaciones muy importantes o largas que se habían estado ejecutando mediante
programas, se pueden convertir en microprogramas y grabarse permanentemente en una
pastilla de memoria programable sólo de lectura. Una vez que están en forma de circuitos
electrónicos, estas tareas se pueden realizar casi siempre en una fracción del tiempo que
requerían antes. La flexibilidad adicional que se obtiene con la PROM puede convertirse en
una desventaja si en la unidad PROM se programa un error que no se puede corregir. Para
superar esta desventaja, se desarrolló la EPROM, o memoria de solo lectura reprográmale.
Las prestaciones de las memorias PROM son similares a las anteriores, con la única
salvedad del proceso de programación. La escritura de la memoria PROM tiene lugar
fundiendo los fusibles necesarios por lo que la memoria PROM solo puede ser programada
una vez. Ahora la hace el usuario usando un equipo programador y, además, se rompe con
la dependencia de la fábrica y los enormes costes de las máscaras.

MÉTODO DE PROGRAMACIÓN DE LA MEMORIA PROM

Para conseguir que la información que se desea grabar sea inalterable, se utilizan dos
técnicas: por destrucción de fusible o por destrucción de unión.
La idea es básicamente la misma que las ideas ROM convencionales, pero en este caso
todas las celdas tienen diodos, por lo cual la memoria viene programada de fábrica con

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todos 1. Cada diodo tiene conectado un fusible, cuya funcionalidad es similar a la que
podemos ver en fuentes de alimentación o estabilizadores de tensión: cuando se produce
una sobretensión, el fusible se quema y, por lo tanto, el circuito se abre. De esta manera, el
diodo pierde contacto con el mundo exterior y el lector de memoria nunca sabe de su
existencia, así que a esa celda la interpreta como un cero. Por lo tanto para programar un
chip de memoria PROM; con un dispositivo llamado programador (por cierto, un nombre
muy original xD), se les aplica a las celdas correspondientes una tensión superior a la que
son capaces de soportar los fusibles, y así quedan definidos todos los bits de la memoria en
cuestión. Como podemos ver, este tipo de memorias tiene una falencia: no pueden ser
reprogramadas.

La pastilla es insertada en un dispositivo que genera en las salidas de la ROM (usadas como
entradas) los valores lógicos de cada palabra. Para cada posición, se genera un pulso de
hasta 30V por la entrada Vpp=Vcc, que produce una circulación de corrientes que funden
delgadas conexiones fusibles en serie con diodos o transistores que se quiere desconectar.
Así se obtienen los ceros que deben resultar en las salidas, dado que el chip "virgen" viene
con todos los diodos conectados. Este proceso dura pocos minutos.

El proceso de programación de una PROM generalmente se realiza con un equipo especial

llamado quemador. Este equipo emplea un mecanismo de interruptores electrónicos
controlados por software que permiten cargar las direcciones, los datos y genera los pulsos
para fundir los fusibles del arreglo interno de la memoria. En la figura se indica de forma
esquemática la función del programador.

Programación de un PROM

Un dispositivo programable por el usuario es aquel que contiene una arquitectura general
pre-definida en la que el usuario puede programar el diseño final del dispositivo empleando
un conjunto de herramientas de desarrollo. Las arquitecturas generales pueden variar pero
normalmente consisten en una o más matrices de puertas AND y OR para implementar
funciones lógicas. Muchos dispositivos también contienen combinaciones de flip-flops y
latches que pueden usarse como elementos de almacenaje para entrada y salida de un
dispositivo. Los dispositivos más complejos contienen macrocélulas. Las macrocélulas
permiten al usuario configurar el tipo de entradas y salidas necesarias en el diseño

Las PROM son memorias programables de sólo lectura. Aunque el nombre no implica la
lógica programable, las PROM, son de hecho lógicas. La arquitectura de la mayoría de las
PROM consiste generalmente en un número fijo de términos AND que alimenta una matriz
programable OR. Se usan principalmente para decodificar las combinaciones de entrada en
funciones de salida.

MEMORIA EPROM

Las EPROM, o Memorias sólo de Lectura Reprogramables, se programan mediante

impulsos eléctricos y su contenido se borra exponiéndolas a la luz ultravioleta (de ahí la
ventanita que suelen incorporar este tipo de circuitos), de manera tal que estos rayos atraen
los elementos fotosensibles, modificando su estado.
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PROGRAMACIÓN DE UNA MEMORIA EPROM

Las EPROM se programan insertando el chip en un programador de EPROM. y aplicando

en un pin especial de la memoria una tensión entre 10 y 25 Voltios durante
aproximadamente 50 ms, según el dispositivo, al mismo tiempo se direcciona la posición de
memoria y se pone la información a las entradas de datos. Este proceso puede tardar varios
minutos dependiendo de la capacidad de memoria.
La memoria EPROM, se compone de un arreglo de transistores MOSFET de Canal N de
compuerta aislada. En la figura se observa el transistor funcionando como celda de
memoria en una EPROM.

Celda de memoria de una EPROM

Cada transistor tiene una compuerta flotante de SiO 2 (sin conexión eléctrica) que en estado
normal se encuentra apagado y almacena un 1 lógico. Durante la programación, al aplicar
una tensión (10 a 25V) la región de la compuerta queda cargada eléctricamente, haciendo
que el transistor se encienda, almacenando de esta forma un 0 lógico. Este dato queda
almacenado de forma permanente, sin necesidad de mantener la tensión en la compuerta ya
que la carga eléctrica en la compuerta puede permanecer por un período aproximado de 10
años.

Las EPROMs también emplean transistores de puerta dual o FAMOS (Floating Gate
Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) de cargas almacenadas.
Estos transistores son similares a los transistores de efecto de campo (FETs) canal-P, pero
tienen dos compuertas. La compuerta interior o flotante esta completamente rodeada por
una capa aislante de dióxido de silicio; la compuerta superior o compuerta de control es la
efectivamente conectada a la circuitería externa.

Inicialmente, la puerta flotante esta descargada, y el transistor se comporta como un

transistor MOS normal. No obstante, mediante un equipo programador, se puede acumular
carga en la puerta flotante aplicando una sobre tensión a la puerta y al drenador del
transistor. Esta acumulación de electrones en la segunda puerta tiene el efecto de aumentar
la umbral del transistor a un valor tal que no conduce aunque se direccione la celda. Así
pues la cantidad de carga eléctrica almacenada sobre la compuerta flotante determina que el
bit de la celda contenga un 1 o un 0;

las celdas cargadas son leídas como un 0, mientras que las que no lo están son leídas como
un 1. Tal como las EPROMs salen de la fábrica, todas las celdas se encuentran descargadas,
por lo cual el bit asociado es un 1; de ahí que una EPROM virgen presente el valor
hexadecimal FF en todas sus direcciones.

Cuando un dado bit de una celda debe ser cambiado o programado de un 1 a un 0, se hace
pasar una corriente a través del canal de transistor desde la fuente hacia la compuerta
(obviamente, los electrones siguen el camino inverso). Al mismo tiempo se aplica una
relativamente alta tensión sobre la compuerta superior o de control del transistor, creándose
de esta manera un campo eléctrico fuerte dentro de las capas del material semiconductor.

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Ante la presencia de este campo eléctrico fuerte, algunos de los electrones que pasan el
canal fuente-compuerta ganan suficiente energía como para formar un túnel y atravesar la
capa aislante que normalmente aísla la compuerta flotante. En la medida que estos
electrones se acumulan en la compuerta flotante, dicha compuerta toma carga negativa, lo
que finalmente produce que la celda tenga un 0.

Funcionamiento de una EPROM

Recordemos que son memorias de acceso aleatorio, generalmente leídas y eventualmente

borradas y reescritas.
Una vez grabada una EPROM con la información pertinente, por medio de un dispositivo
especial que se explicará luego, la misma es instalada en el sistema correspondiente donde
efectivamente será utilizada como dispositivo de lectura solamente. Eventualmente, ante la
necesidad de realizar alguna modificación en la información contenida o bien para ser
utilizada en otra aplicación, la EPROM es retirada del sistema, borrada mediante la
exposición a luz ultravioleta con una longitud de onda de 2537 Angstroms (unidad de
longitud por la cual 1 A = 10 -10 m), programada con los nuevos datos, y vuelta a instalar
para volver a comportarse como una memoria de lectura solamente. Por esa exposición para
su borrado es que es encapsulada con una ventana transparente de cuarzo sobre la pastilla o
"die" de la EPROM.

Es atinente aclarar que una EPROM no puede ser borrada parcial o selectivamente; de ahí
que por más pequeña que fuese la eventual modificación a realizar en su contenido,
inevitablemente se deberá borrar y reprogramar en su totalidad.
Los tiempos medios de borrado de una EPROM, por exposición a la luz ultravioleta,
oscilan entre 10 y 30 minutos.

Con el advenimiento de las nuevas tecnologías para la fabricación de circuitos integrados,

se pueden emplear métodos eléctricos de borrado. Estas ROM pueden ser borradas sin
necesidad de extraerlas de la tarjeta del circuito. Además de EAPROM suelen ser
denominadas RMM (Read Mostly Memories), memorias de casi-siempre lectura, ya que no
suelen modificarse casi nunca, pues los tiempos de escritura son significativamente
mayores que los de lectura.

Las memorias de sólo lectura presentan un esquema de direccionamiento similar al de las

memorias RAM. El microprocesador no puede cambiar el contenido de la memoria ROM.
Entre las aplicaciones generales que involucran a las EPROM debemos destacar las de
manejo de sistemas microcontrolados. Todo sistema microcontrolado y/o microprocesado
(se trate de una computadora personal o de una máquina expendedora de boletos para el
autotransporte...) nos encontraremos con cierta cantidad de memoria programable por el
usuario (la RAM), usualmente en la forma de dispositivos semiconductores contenidos en
un circuito integrado (no olvidemos que un relay biestable o un flip-flop también son
medios de almacenamiento de información).

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Estos dispositivos semiconductores integrados están generalmente construidos en

tecnología MOS (Metal-Oxide Semiconductor, Semiconductor de Oxido Metálico) o -más
recientemente- CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconducto o Semiconductor de
Oxido Metálico Complementario). Lamentablemente, estos dispositivos RAM adolecen de
un ligero inconveniente, que es, como ya se ha comentado, su volatibilidad.

Dado que cualquier sistema microprocesado requiere de al menos un mínimo de memoria

no volátil donde almacenar ya sea un sistema operativo, un programa de aplicación, un
lenguaje intérprete, o una simple rutina de "upload", es necesario utilizar un dispositivo que
preserve su información de manera al menos semi-permanente. Y aquí es donde comienzan
a brillar las EPROMs.

Tal como mencionáramos anteriormente, el proceso de borrado de los datos contenidos en

una EPROM es llevado a cabo exponiendo la misma a luz ultravioleta. El punto reside en
que la misma contiene fotones (Cuantos de energía electromagnética) de energía
relativamente alta.

La familia 2700

Los dispositivos EPROM de la familia 2700 contienen celdas de almacenamiento de bits

configuradas como bytes direccionables individualmente. Habitualmente esta organización
interna suele denominarse como 2K x 8 para el caso de una 2716, 8k x 8 para una 2764, etc.
Por razones de compatibilidad (tanto con dispositivos anteriores como con dispositivos
futuros), la gran mayoría de las EPROMs se ajustan a distribuciones de terminales o "pin-
outs" estándar. Para el caso mas usual, que es el encapsulado DIP (Dual In-Line Package)
de 28 pines, el estándar utilizado es el JEDEC-28.

En cuanto a la programación de estos dispositivos (si bien conceptualmente obedece

siempre a la metodología descripta anteriormente) en realidad existe una relativamente alta
variedad de implementaciones prácticas.

Si bien en la actualidad parece haberse uniformado razonablemente, las tensiones de

programación varían en función tanto del dispositivo, como del fabricante; así nos
encontramos con tensiones de programación (Vpp) de 12,5V, 13V, 21V y 25V.

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Lo mismo sucede con otros parámetros importantes que intervienen en el proceso de

grabación de un EPROM, como es el caso de la duración de dicho pulso de programación y
los niveles lógicos que determinan distintos modos de operación.

PROGRAMADOR/ EMULADOR DE FLASH EPROM

La manera más cómoda, aunque también la más costosa de desarrollar circuitos

microcontroladores consiste en simular la parte principal del controlador con la ayuda de un
emulador. Una de opciones más baratas consiste en emplear un programa monitor junto con
un emulador de memorias EPROM. Desafortunadamente, la mayoría de los programas
monitores consumen algunos de los recursos del controlador. Esta seria desventaja se
resuelve utilizando el emulador de memorias EPROM, que se comporta básicamente igual
que una memoria RAM de un doble puerto: a un lado se encuentra la interfase, como una
memoria EPROM, mientras que al otro lado proporciona las señales necesarias para
introducir el flujo de datos a la memoria RAM.

Cuando compañías como AMD desarrollaron las memorias EPROM "Flash" con una
tensión de programación de 5V y un ciclo de vida que permitía programar la memoria hasta
100.000 veces, se abrieron las puertas a un nuevo modelo de emulador de memorias
EPROM. El diseño que se presenta no solo actúa como un emulador con una enorme
capacidad de almacenamiento, sino que también funciona como un programador de
memorias EPROM "Flash", ahorrándose comprar un sistema exclusivamente dedicado a
programar.

Cuando se termine de trabajar con el emulador durante la fase del diseño, se dispondrá en la
memoria EPROM "Flash" del código definitivo, que se sacará del emulador y se introducirá
en el circuito que se vaya a utilizar en la aplicación. Como los precios de las memorias
EPROM "Flash" no son mucho mayores que los de las memorias EPROM convencionales,
la ventaja adicional que se ha descrito es sin costo.

MEMORIA EEPROM (ELECTRICAL ERASABLE PROGRAMMABLE READ

ONLY MEMORY)

La memoria EEPROM es programable y borrable eléctricamente y su nombre proviene de

la sigla en inglés Electrical Erasable Programmable Read Only Memory. Actualmente
estas memorias se construyen con transistores de tecnología MOS (Metal Oxide Silice) y
MNOS (Metal Nitride-Oxide Silicon).
Las celdas de memoria en las EEPROM son similares a las celdas EPROM y la diferencia
básica se encuentra en la capa aislante alrededor de cada compuesta flotante, la cual es más
delgada y no es fotosensible.

Las memorias EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) son

memorias no volátiles y eléctricamente borrables a nivel de bytes. La posibilidad de
programar y borrar las memorias a nivel de bytes supone una gran flexibilidad, pero
también una celda de memoria más compleja. Además del transistor de puerta flotante

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anterior, es preciso un segundo transistor de selección. El tener 2 transistores por celda hace
que las memorias EEPROM sean de baja densidad y mayor coste. La programación
requiere de tiempos que oscilan entre 157 s y 625 s=byte. Frente a las memorias
EPROM, presenta la ventaja de permitir su borrado y programación en placa, aunque tienen
mayor coste debido a sus dos transistores por celda.

Estas memorias se presentan, en cuanto a la organización y asignación de patillas, como la

UVPROM cuando están organizadas en palabras de 8 bits. Se programan de forma casi
idéntica pero tienen la posibilidad de ser borradas eléctricamente. Esta característica
permite que puedan ser programadas y borradas "en el circuito".

Debido a que la célda elemental de este tipo de memorias es más complicada que sus
equivalentes en EPROM o PROM (y por ello bastante más cara), este tipo de memoria no
dispone en el mercado de una variedad tan amplia, y es habitual tener que acudir a
fabricantes especializados en las mismas (ejemplo: Xicor).
24LC256
En cuanto a la forma de referenciar los circuitos, estas memorias suelen comenzar con el
prefijo 28, de forma que la 2864 indica una memoria EEPROM de 64Kbytes, equivalente
en cuanto a patillaje y modo de operación de lectura a la UVPROM 2764.
Una ventaja adicional de este tipo de memorias radica en que no necesitan de una alta
tensión de grabado, sirven los 5 voltios de la tensión de alimentación habitual.
CE = CHIP ENABLE: Permite Activar el Circuito Integrado
OE = OUTPUT ENABLE: Permite Activar La Salida Del Bus De Datos

0
LECTURA 0 1

ESCRITURA 0 1 0

Ventajas de la EEPROM:

La programación y el borrado pueden realizarse sin la necesidad de una fuente de luz UV y

unidad programadora de PROM, además de poder hacerse en el mismo circuito gracias a
que el mecanismo de transporte de cargas mencionado en el párrafo anterior requiere
corrientes muy bajas.
Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de forma individual.
Para borra la información no se requiere luz ultravioleta.
Las memorias EEPROM no requieren programador.
De manera individual puedes borrar y reprogramar eléctricamente grupos de caracteres o
palabras en el arreglo de la memoria.

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El tiempo de borrado total se reduce a 10ms en circuito donde su antepasado inmediato

requería media hora bajo luz ultravioleta externa.
El tiempo de programación depende de un pulso por cada palabra de datos de 10 ms, versus
los 50 ms empleados por una ROM programable y borrable.
Se pueden reescribir aproximadamente unas 1000 veces sin que se observen problemas para
almacenar la información.

Para reescribir no se necesita hacer un borrado previo.

Aplicaciones de las Memorias EEPROM
Encontramos este tipo de memorias en aquellas aplicaciones en las que el usuario
necesita almacenar de forma permanente algún tipo de información; por ejemplo en los
receptores de TV o magnetoscopios para memorizar los ajustes o los canales de recepción.

EJEMPLO DE MEMORIA EEPROM - 28C64A

Esta memoria tiene una capacidad de 8K X 8 (64 KB).
EEPROM 28C64A
En la figura se indica la disposición de los pines de esta memoria la cual se encuentra
disponible en dos tipos de encapsulados (DIL y PLCC).

MEMORIA FLASH

La memoria FLASH es similar a la EEPROM, es decir que se puede programar y borrar

eléctricamente, son de alta densidad (gran capacidad de almacenamiento de bits). Alta
densidad significa que se puede empaquetar en una pequeña superficie del chip, gran
cantidad de celdas, lo que implica que cuanto mayor sea la densidad, más bits se pueden
almacenar en un chip de tamaño determinado. Sin embargo esta reúne algunas de las
propiedades de las memorias anteriormente vistas, y se caracteriza por tener alta capacidad
para almacenar información y es de fabricación sencilla, lo que permite fabricar modelos de
capacidad equivalente a las EPROM a menor costo que las EEPROM.

ESTRUCTURA DE LA MEMORIA FLASH

Aparte de que las memorias EPROM "Flash" tienen una entrada de escritura, mientras están
funcionando se comportan como las EPROM normales. La única diferencia se encuentra en
como se cargan y se borran los datos en la memoria. Mientras que durante el proceso de
programación de las memorias EPROM convencionales se necesita una tensión bien
definida durante cierto intervalo de tiempo, y para borrar el componente hay que exponerlo
a luz ultravioleta, en las E.Flash ambos procesos están controlados y se llevan a cabo
internamente. Para tal efecto la memoria recibe una secuencia de comandos predefinida
(borrar, programar) que incluye algunas precauciones especiales (determinadas por el
fabricante) destinadas a evitar que se borre cualquier dato por error.
El comando se transfiere a la memoria EPROM "Flash" mediante una serie de operaciones
de escritura. Los dos primeros comandos "Lectura/Reset" preparan la memoria para
operaciones de lectura. El comando "Autoselección" permite leer el código del fabricante y
el tipo de dispositivo. El comando "Byte" carga el programa dentro de la memoria EPROM,
mientras que "Borrar Chip" actúa durante el proceso de borrado, que no dura más de un
minuto. Desde el punto de vista lógico podemos afirmar que la memoria EPROM "Flash"
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está dividida en sectores que se pueden borrar individualmente con la ayuda del comando
"Borrar Sector".
Las memorias EPROM "Flash" disponen de otro mecanismo, basado en la división en
sectores, que las protege de acciones de escritura o lectura no deseadas. Cuando un sector
está protegido de esta forma no se puede realizar una operación de lectura o sobre escritura
con una tensión de 5V. Este hecho es muy importante y se debe tener siempre presente
cuando se utilicen estos dispositivos. Solamente se puede eliminar esta protección con la
ayuda de un programador especial.
Durante el proceso de programación o borrado se puede leer, mediante un comando de
acceso en "lectura", el estado de la memoria EPROM "Flash" en la misma posición que el
byte de programado o borrado. Mientras se borra un sector se puede leer cualquier
dirección que pertenezca al sector.

APLICACIONES DE LA MEMORIA FLASH

La Memoria Flash es ideal para docenas de aplicaciones portátiles. Tomemos como

ejemplo las cámaras digitales. Insertando una tarjeta de Memoria Flash de alta capacidad
directamente en la cámara, usted puede almacenar cientos de imágenes de alta resolución.
Cuando este listo para bajarlas, simplemente retire la tarjeta y transfiérala a su computadora
de escritorio o portátil para su procesamiento. Las tarjetas de Memoria Flash se ajustan a
entradas Tipo II (con o sin adaptador, dependiendo del tipo de tarjeta Flash). Ahora esta
usted listo para cargar en segundos todas las imágenes capturadas para observarlas,
manipularlas, enviarlas por correo electrónico o imprimirlas. Ya nunca necesitara comprar
rollos para fotografía. Sea cual sea su aplicación o equipo portátil.
Actualmente, los usos de Memoria Flash se están incrementando rápidamente. Ya sean
cámaras digitales, Asistentes Digitales Portátiles, reproductores de música digital o
teléfonos celulares, todos necesitan una forma fácil y confiable de almacenar y transportar
información vital.

Se utilizan en la fabricación de BIOS para computadoras. , generalmente conocidos como

FLASH-BIOS. La ventaja de esta tecnología es que permite
actualizar el bios con un software proporcionado por el fabricante, sin necesidad de
desmontar el chip del circuito final, ni usar aparatos especiales.
Por esto la Memoria Flash se ha convertido en poco tiempo en una de las más populares
tecnologías de almacenamiento de datos. Es más flexible que un diskette y puede almacenar
hasta 160MB de información. Es más y mucho mas rápida que un disco duro, y a diferencia
de la memoria RAM, la Memoria Flash puede retener datos aun cuando el equipo se ha
apagado.

La Memoria Flash es ideal para docenas de aplicaciones portátiles. Tomemos como

ejemplo las cámaras digitales. Insertando una tarjeta de Memoria Flash de alta capacidad
directamente en la cámara, usted puede almacenar cientos de imágenes de alta resolución.
Cuando este listo para bajarlas, simplemente retire la tarjeta y transfiérala a su computadora
de escritorio o portátil para su procesamiento. Las tarjetas de Memoria Flash se ajustan a
entradas Tipo II (con o sin adaptador, dependiendo del tipo de tarjeta Flash). Ahora esta
usted listo para cargar en segundos todas las imágenes capturadas para observarlas,

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manipularlas, enviarlas por correo electrónico o imprimirlas. Ya nunca necesitara comprar

rollos para fotografía.

EJEMPLO DE MEMORIA FLASH - 27F256

La capacidad de esta memoria es de 32K X 8 y como memoria Flash tiene la característica

particular de ser borrada en un tiempo muy corto (1 seg.). El tiempo de programación por
byte es de 100 ms y el tiempo de retención de la información es de aproximadamente 10
años.

DIFERENCIA ENTRE MEMORIAS EEPROM Y EPROM FLASH

La diferencia de las memorias flash con las EEPROM reside en su velocidad: Son más
rápidas en términos de programación y borrado, aunque también necesitan de una tensión
de grabado del orden de 12 voltios.
Otra diferencia la encontramos en que en las EEPROM se puede borrar de forma
selectiva cualquier byte, mientras que en las memorias FLASH sólo admite el borrado total
de la misma.
Por otra parte esta memorias son bastante más baratas que las EEPROM, debido a que
utilizan una tecnología más sencilla y se fabrican con grandes capacidades de
almacenamiento. Un dato puede ser significativo: el tiempo de borrado de un byte es del
orden de 100 seg.
TABLA COMPARATIVA ENTRE MEMORIAS

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MEMORIAS PROGRAMABLES
MEMORIA ROM (READ ONLY MEMORY)
Es una memoria de sólo lectura que se programan mediante máscaras. Es decir, el
contenido de las celdas de memoria se almacena durante el proceso de fabricación para
mantenerse después de forma irrevocable. Desde el instante en que el fabricante grabo las
instrucciones en el Chip, por lo tanto la escritura de este tipo de memorias ocurre una sola
vez y queda grabado su contenido aunque se le retire la energía.
Se usa para almacenar información vital para el funcionamiento del sistema: en la gestión
del proceso de arranque, el chequeo inicial del sistema, carga del sistema operativo y
diversas rutinas de control de dispositivos de entrada/salida suelen ser las tareas
encargadas a los programas grabados en ROM. Estos programas forman la llamada BIOS
(Basic Input Output System). Junto a la BIOS se encuentra el chip de CMOS donde se
almacenan los valores que determinan la configuración hardware del sistema, como tipos
de unidades, parámetros de los discos duros, fecha y hora del sistema... esta información
no se pierde al apagar la computadora. Estos valores se pueden modificar por medio del
SETUP.
La ventaja de tener los programas fundamentales del computador almacenados en la ROM
es que están allí implementados en el interior del computador y no hay necesidad de
cargarlos en la memoria desde el disco de la misma forma en que se carga el DOS. Debido
a que están siempre residentes, los programas en ROM son muy a menudo los cimientos
sobre los que se construye el resto de los programas (incluyendo el DOS).
Una ROM puede estar fabricada tanto en tecnología bipolar como MOS.
MEMORIA PROM (PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORIES)
En la PROM (programable ROM), o memoria programable de sólo lectura los contenidos
pueden ser leídos pero no modificados por un programa de usuario. Sus contenidos no se
construyen, como la ROM, directamente en el procesador cuando éste se fabrica, sino que
se crean por medio de un tipo especial "programación", ya sea por el fabricante, o por
especialistas técnicos de programación del usuario. El proceso de programación es
destructivo: una vez grabada, es como si fuese una ROM normal.
Las operaciones muy importantes o largas que se habían estado ejecutando mediante
programas, se pueden convertir en microprogramas y grabarse permanentemente en una
pastilla de memoria programable sólo de lectura. Una vez que están en forma de circuitos
electrónicos, estas tareas se pueden realizar casi siempre en una fracción del tiempo que
requerían antes. La flexibilidad adicional que se obtiene con la PROM puede convertirse en
una desventaja si en la unidad PROM se programa un error que no se puede corregir. Para
superar esta desventaja, se desarrolló la EPROM, o memoria de solo lectura reprográmale.
Para conseguir que la información que se desea grabar sea inalterable, se utilizan dos
técnicas: por destrucción de fusible o por destrucción de unión.
El proceso de programación de una PROM generalmente se realiza con un equipo especial
llamado quemador. Este equipo emplea un mecanismo de interruptores electrónicos
controlados por software que permiten cargar las direcciones, los datos y genera los pulsos
para fundir los fusibles del arreglo interno de la memoria.

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MEMORIA EPROM

Las EPROM, o Memorias sólo de Lectura Reprogramables, se programan mediante

impulsos eléctricos y su contenido se borra exponiéndolas a la luz ultravioleta (de ahí la
ventanita que suelen incorporar este tipo de circuitos), de manera tal que estos rayos atraen
los elementos fotosensibles, modificando su estado.
Las EPROM se programan insertando el chip en un programador de EPROM. y aplicando
en un pin especial de la memoria una tensión entre 10 y 25 Voltios durante
aproximadamente 50 ms, según el dispositivo, al mismo tiempo se direcciona la posición de
memoria y se pone la información a las entradas de datos. Este proceso puede tardar varios
minutos dependiendo de la capacidad de memoria.

Cuando un dado bit de una celda debe ser cambiado o programado de un 1 a un 0, se hace
pasar una corriente a través del canal de transistor desde la fuente hacia la compuerta
(obviamente, los electrones siguen el camino inverso). Al mismo tiempo se aplica una
relativamente alta tensión sobre la compuerta superior o de control del transistor, creándose
de esta manera un campo eléctrico fuerte dentro de las capas del material semiconductor.
Ante la presencia de este campo eléctrico fuerte, algunos de los electrones que pasan el
canal fuente-compuerta ganan suficiente energía como para formar un túnel y atravesar la
capa aislante que normalmente aísla la compuerta flotante. En la medida que estos
electrones se acumulan en la compuerta flotante, dicha compuerta toma carga negativa, lo
que finalmente produce que la celda tenga un 0.
Los tiempos medios de borrado de una EPROM, por exposición a la luz ultravioleta,
oscilan entre 10 y 30 minutos.
Tal como mencionáramos anteriormente, el proceso de borrado de los datos contenidos en
una EPROM es llevado a cabo exponiendo la misma a luz ultravioleta. El punto reside en
que la misma contiene fotones (Cuantos de energía electromagnética) de energía
relativamente alta.

MEMORIA EEPROM (ELECTRICAL ERASABLE PROGRAMMABLE READ

ONLY MEMORY)

La memoria EEPROM es programable y borrable eléctricamente y su nombre proviene de

la sigla en inglés Electrical Erasable Programmable Read Only Memory. Actualmente
estas memorias se construyen con transistores de tecnología MOS (Metal Oxide Silice) y
MNOS (Metal Nitride-Oxide Silicon).
Las celdas de memoria en las EEPROM son similares a las celdas EPROM y la diferencia
básica se encuentra en la capa aislante alrededor de cada compuesta flotante, la cual es más
delgada y no es fotosensible.
Las memorias EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) son
memorias no volátiles y eléctricamente borrables a nivel de bytes. La posibilidad de
programar y borrar las memorias a nivel de bytes supone una gran flexibilidad, pero
también una celda de memoria más compleja. Además del transistor de puerta flotante
anterior, es preciso un segundo transistor de selección. El tener 2 transistores por celda hace
que las memorias EEPROM sean de baja densidad y mayor coste. La programación

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requiere de tiempos que oscilan entre 157 s y 625 s=byte. Frente a las memorias
EPROM, presenta la ventaja de permitir su borrado y programación en placa, aunque tienen
mayor coste debido a sus dos transistores por celda.
Una ventaja adicional de este tipo de memorias radica en que no necesitan de una alta
tensión de grabado, sirven los 5 voltios de la tensión de alimentación habitual.

0
LECTURA 0 1
ESCRITURA 0 1 0

Ventajas de la EEPROM:
Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de forma individual.
Para borra la información no se requiere luz ultravioleta.
Las memorias EEPROM no requieren programador.
De manera individual puedes borrar y reprogramar eléctricamente grupos de caracteres o
palabras en el arreglo de la memoria.
Para reescribir no se necesita hacer un borrado previo.

MEMORIA FLASH

La memoria FLASH es similar a la EEPROM, es decir que se puede programar y borrar

eléctricamente, son de alta densidad (gran capacidad de almacenamiento de bits). Alta
densidad significa que se puede empaquetar en una pequeña superficie del chip, gran
cantidad de celdas, lo que implica que cuanto mayor sea la densidad, más bits se pueden
almacenar en un chip de tamaño determinado. Sin embargo esta reúne algunas de las
propiedades de las memorias anteriormente vistas, y se caracteriza por tener alta capacidad
para almacenar información y es de fabricación sencilla, lo que permite fabricar modelos de
capacidad equivalente a las EPROM a menor costo que las EEPROM.
Aparte de que las memorias EPROM "Flash" tienen una entrada de escritura, mientras están
funcionando se comportan como las EPROM normales. La única diferencia se encuentra en
como se cargan y se borran los datos en la memoria. Mientras que durante el proceso de
programación de las memorias EPROM convencionales se necesita una tensión bien
definida durante cierto intervalo de tiempo, y para borrar el componente hay que exponerlo
a luz ultravioleta, en las E.Flash ambos procesos están controlados y se llevan a cabo
internamente. Para tal efecto la memoria recibe una secuencia de comandos predefinida
(borrar, programar) que incluye algunas precauciones especiales (determinadas por el
fabricante) destinadas a evitar que se borre cualquier dato por error.
Durante el proceso de programación o borrado se puede leer, mediante un comando de
acceso en "lectura", el estado de la memoria EPROM "Flash" en la misma posición que el
byte de programado o borrado. Mientras se borra un sector se puede leer cualquier
dirección que pertenezca al sector.

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APLICACIONES DE LA MEMORIA FLASH

La Memoria Flash es ideal para docenas de aplicaciones portátiles. Tomemos como

ejemplo las cámaras digitales. Insertando una tarjeta de Memoria Flash de alta capacidad
directamente en la cámara, usted puede almacenar cientos de imágenes de alta resolución.
Cuando este listo para bajarlas, simplemente retire la tarjeta y transfiérala a su computadora
de escritorio o portátil para su procesamiento. Las tarjetas de Memoria Flash se ajustan a
entradas Tipo II (con o sin adaptador, dependiendo del tipo de tarjeta Flash). Ahora esta
usted listo para cargar en segundos todas las imágenes capturadas para observarlas,
manipularlas, enviarlas por correo electrónico o imprimirlas. Ya nunca necesitara comprar
rollos para fotografía. Sea cual sea su aplicación o equipo portátil.
Actualmente, los usos de Memoria Flash se están incrementando rápidamente. Ya sean
cámaras digitales, Asistentes Digitales Portátiles, reproductores de música digital o
teléfonos celulares, todos necesitan una forma fácil y confiable de almacenar y transportar
información vital.

TABLA COMPARATIVA ENTRE MEMORIAS

Hay dos tipos básicos de RAM:

DRAM (Dynamic RAM), RAM dinámica
SRAM (Static RAM), RAM estática
Los dos tipos difieren en la tecnología que usan para almacenar los datos. La RAM
dinámica necesita ser refrescada cientos de veces por segundo, mientras que la RAM
estática no necesita ser refrescada tan frecuentemente, lo que la hace más rápida, pero
también más cara que la RAM dinámica. Ambos tipos son volátiles, lo que significa que
pueden perder su contenido cuando se desconecta la alimentación.
En el lenguaje común, el término RAM es sinónimo de memoria principal, la memoria
disponible para programas. En contraste, ROM (Read Only Memory) se refiere a la
memoria especial generalmente usada para almacenar programas que realizan tareas de
arranque de la máquina y de diagnósticos. La mayoría de los computadores personales
tienen una pequeña cantidad de ROM (algunos Kbytes). De hecho, ambos tipos de memoria
( ROM y RAM )permiten acceso aleatorio. Sin embargo, para ser precisos, hay que referirse
a la memoria RAM como memoria de lectura y escritura, y a la memoria ROM como
memoria de solo lectura.

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Se habla de RAM como memoria volátil, mientras que ROM es memoria no-volátil.
La mayoría de los computadores personales contienen una pequeña cantidad de ROM que
almacena programas críticos tales como aquellos que permiten arrancar la máquina (BIOS
CMOS). Además, las ROMs son usadas de forma generalizada en calculadoras y
dispositivos periféricos tales como impresoras laser, cuyas 'fonts' estan almacenadas en
ROMs.

Memoria RAM

RAM es el acrónimo inglés de Random Access Memory (memoria de

acceso aleatorio).

Se trata de una memoria de semiconductor en la que se puede tanto leer

como escribir. Es una memoria volátil, es decir, pierde su contenido al
desconectar la energía eléctrica. Se utiliza normalmente como memoria
temporal para almacenar resultados intermedios y datos similares no
permanentes.
Su denominación surge en contraposición a las denominadas memorias de
acceso secuencial. Debido a que en los comienzos de la computación las
memorias principales (o primarias) de los computadores eran siempre de
tipo RAM y las memorias secundarias (o masivas) eran de acceso secuencial
(cintas o tarjetas perforadas), es frecuente que se hable de memoria RAM
para hacer referencia a la memoria principal de un computador.
En estas memorias se accede a cada celda (generalmente se direcciona a
nivel de bytes) mediante un cableado interno, es decir, cada byte tiene un
camino prefijado para entrar y salir, a diferencia de otros tipos de
almacenamiento, en las que hay una cabeza lectograbadora que tiene que
ubicarse en la posición deseada antes de leer el dato deseado.

Se dicen "de acceso aleatorio" porque los diferentes accesos son independientes entre sí.
Por ejemplo, si un disco rígido debe hacer dos accesos consecutivos a sectores alejados
físicamente entre sí, se pierde un tiempo en mover la cabeza hasta la pista deseada (o
esperar que el sector pase por debajo, si ambos están en la misma pista), tiempo que no se
pierde en la RAM.
Las RAMs se dividen en estáticas y dinámicas. Una memoria RAM estática mantiene su
contenido inalterado mientras esté alimentada. La información contenida en una memoria
RAM dinámica se degrada con el tiempo, llegando ésta a desaparecer, a pesar de estar
alimentada. Para evitarlo hay que restaurar la información contenida en sus celdas a
intervalos regulares, operación denominada refresco.
Las memorias se agrupan en módulos, que se conectan a la placa base del computador.
Según los tipos de conectores que lleven los módulos, se clasifican en Módulos SIMM
(Single In-line Memory Module), con 30 ó 72 contactos, módulos DIMM (Dual In-line
Memory Module), con 168 contactos y módulos RIMM (RAMBUS In-line Memory
Module) con 184 contactos.

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Tipos de memoria RAM

VRAM :
Siglas de Vídeo RAM, una memoria de propósito especial usada por los adaptadores de
vídeo. A diferencia de la convencional memoria RAM, la VRAM puede ser accedida por
dos diferentes dispositivos de forma simultánea. Esto permite que un monitor pueda
acceder a la VRAM para las actualizaciones de la pantalla al mismo tiempo que un
procesador gráfico suministra nuevos datos. VRAM permite mejores rendimientos gráficos
aunque es más cara que la una RAM normal.

SIMM :
Siglas de Single In line Memory Module, un tipo de encapsulado consistente en una
pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en un
zócalo SIMM en la placa madre o en la placa de memoria. Los SIMMs son más fáciles de
instalar que los antiguos chips de memoria individuales, y a diferencia de ellos son medidos
en bytes en lugar de bits.
El primer formato que se hizo popular en los computadores personales tenía 3.5" de largo y
usaba un conector de 32 pins. Un formato más largo de 4.25", que usa 72 contactos y puede
almacenar hasta 64 megabytes de RAM es actualmente el más frecuente.
Un PC usa tanto memoria de nueve bits (ocho bits y un bit de paridad, en 9 chips de
memoria RAM dinámica) como memoria de ocho bits sin paridad. En el primer caso los
ocho primeros son para datos y el noveno es para el chequeo de paridad.

DIMM :
Siglas de Dual In line Memory Module, un tipo de encapsulado, consistente en una pequeña
placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, que se inserta en un zócalo
DIMM en la placa madre y usa generalmente un conector de 168 contactos.

DIP :
Siglas de Dual In line Package, un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de
memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexión en cada lado.

RAM Disk :

Se refiere a la RAM que ha sido configurada para simular un disco duro. Se puede acceder
a los ficheros de un RAM disk de la misma forma en la que se acceden a los de un disco
duro. Sin embargo, los RAM disk son aproximadamente miles de veces más rápidos que los
discos duros, y son particularmente útiles para aplicaciones que precisan de frecuentes
accesos a disco.
Dado que están constituidos por RAM normal. los RAM disk pierden su contenido una vez
que la computadora es apagada. Para usar los RAM Disk se precisa copiar los ficheros
desde un disco duro real al inicio de la sesión y copiarlos de nuevo al disco duro antes de
apagar la máquina. Observe que en el caso de fallo de alimentación eléctrica, se perderán

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los datos que huviera en el RAM disk. El sistema operativo DOS permite convertir la
memoria extendida en un RAM Disk por medio del comando VDISK, siglas de Virtual
DISK, otro nombre de los RAM Disks.

Memoria Caché ó RAM Caché :

Un caché es un sistema especial de almacenamiento de alta velocidad. Puede ser tanto un

área reservada de la memoria principal como un dispositivo de almacenamiento de alta
velocidad independiente. Hay dos tipos de caché frecuentemente usados en las
computadoras personales: memoria caché y caché de disco. Una memoria caché, llamada
tambien a veces almacenamiento caché ó RAM caché, es una parte de memoria RAM
estática de alta velocidad (SRAM) más que la lenta y barata RAM dinámica (DRAM) usada
como memoria principal. La memoria caché es efectiva dado que los programas acceden
una y otra vez a los mismos datos o instrucciones. Guardando esta información en SRAM,
la computadora evita acceder a la lenta DRAM.
Cuando un dato es encontrado en el caché, se dice que se ha producido un impacto (hit),
siendo un caché juzgado por su tasa de impactos (hit rate). Los sistemas de memoria caché
usan una tecnología conocida por caché inteligente en el cual el sistema puede reconocer
cierto tipo de datos usados frecuentemente. Las estrategias para determinar qué información
debe de ser puesta en el caché constituyen uno de los problemas más interesantes en la
ciencia de las computadoras. Algunas memorias caché están construidas en la arquitectura
de los microprocesadores. Por ejemplo, el procesador Pentium II tiene una caché L2 de 512
Kbytes.
El caché de disco trabaja sobre los mismos principios que la memoria caché, pero en lugar
de usar SRAM de alta velocidad, usa la convencional memoria principal. Los datos más
recientes del disco duro a los que se ha accedido (así como los sectores adyacentes) se
almacenan en un buffer de memoria. Cuando el programa necesita acceder a datos del
disco, lo primero que comprueba es la caché del disco para ver si los datos ya estan ahí. La
caché de disco puede mejorar drásticamente el rendimiento de las aplicaciones, dado que
acceder a un byte de datos en RAM puede ser miles de veces más rápido que acceder a un
byte del disco duro.

SRAM

Siglas de Static Random Access Memory, es un tipo de memoria que es más rápida y fiable
que la más común DRAM (Dynamic RAM). El término estática viene derivado del hecho
que necesita ser refrescada menos veces que la RAM dinámica.
Los chips de RAM estática tienen tiempos de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos,
mientras que las RAM dinámicas están por encima de 30, y las memorias bipolares y ECL
se encuentran por debajo de 10 nanosegundos.
Un bit de RAM estática se construye con un --- como circuito flip-flop que permite que la
corriente fluya de un lado a otro basándose en cual de los dos transistores es activado. Las
RAM estáticas no precisan de circuiteria de refresco como sucede con las RAMs
dinámicas, pero precisan más espacio y usan mas energía. La SRAM, debido a su alta
velocidad, es usada como memoria caché.

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DRAM

Siglas de Dynamic RAM, un tipo de memoria de gran capacidad pero que precisa ser
constantemente refrescada (re-energizada) o perdería su contenido. Generalmente usa un
transistor y un condensador para representar un bit Los condensadores debe de ser
energizados cientos de veces por segundo para mantener las cargas. A diferencia de los
chips firmware (ROMs, PROMs, etc.) las dos principales variaciones de RAM (dinámica y
estática) pierden su contenido cuando se desconectan de la alimentación. Contrasta con la
RAM estática.
Algunas veces en los anuncios de memorias, la RAM dinámica se indica erróneamente
como un tipo de encapsulado; por ejemplo "se venden DRAMs, SIMMs y SIPs", cuando
deberia decirse "DIPs, SIMMs y SIPs" los tres tipos de encapsulado típicos para almacenar
chips de RAM dinámica.
Tambien algunas veces el término RAM (Random Access Memory) es utilizado para
referirse a la DRAM y distinguirla de la RAM estática (SRAM) que es más rápida y más
estable que la RAM dinámica, pero que requiere más energía y es más cara

SDRAM

Siglas de Synchronous DRAM, DRAM síncrona, un tipo de memoria RAM dinámica que
es casi un 20% más rápida que la RAM EDO. SDRAM entrelaza dos o más matrices de
memoria interna de tal forma que mientras que se está accediendo a una matriz, la siguiente
se está preparando para el acceso. SDRAM-II es tecnología SDRAM más rápida esperada
para 1998. También conocido como DDR DRAM o DDR SDRAM (Double Data Rate
DRAM o SDRAM), permite leer y escribir datos a dos veces la velocidad bús.

FPM
: Siglas de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, el diseño más comun de chips de
RAM dinámica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y
columna. Antes del modo paginado, era leido pulsando la fila y la columna de las líneas
seleccionadas. Con el modo pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las
columnas (bits) dentro de la fila, dando como resultado un rápido acceso. La memoria en
modo paginado tambien es llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM
RAM, FPM DRAM. El término "fast" fué añadido cuando los más nuevos chips empezaron
a correr a 100 nanoseconds e incluso más.

EDO
Siglas de Extended Data Output, un tipo de chip de RAM dinámica que mejora el
rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Al ser un subconjunto
de Fast Page, puede ser substituida por chips de modo Fast Page.

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Sin embargo, si el controlador de memoria no está diseñado para los más rápidos chips
EDO, el rendimiento será el mismo que en el modo Fast Page.
EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que
comienza el próximo ciclo.
BEDO (Burst EDO) es un tipo más rápido de EDO que mejora la velocidad usando un
contador de dirección para las siguientes direcciones y un estado 'pipeline' que solapa las
operaciones.

PB SRAM
Siglas de Pipeline Burst SRAM. Se llama 'pipeline' a una categoría de técnicas que
proporcionan un proceso simultáneo, o en paralelo dentro de la computadora, y se refiere a
las operaciones de solapamiento moviendo datos o instrucciones en una 'tuberia' conceptual
con todas las fases del 'pipe' procesando simultáneamente. Por ejemplo, mientras una
instrucción se está ejecutándo, la computadora está decodificando la siguiente instrucción.
En procesadores vectoriales, pueden procesarse simultáneamente varios pasos de
operaciones de coma flotante
La PB SRAM trabaja de esta forma y se mueve en velocidades de entre 4 y 8
nanosegundos.

PLA

Cuando se presenta un caso en el cual se requiere u decodificador de 256 salidas, donde

solamente se ocupan 5 combinaciones mientras que la mayoría de la memoria queda sin
utilizarse, entonces se plantea el uso de los arreglos lógicos programables (PLA).

Este dispositivo constituye básicamente una especie de memoria ajustada a las necesidades
propias del problema.

1. Se reduce utilizando algún método de reducción cada una de las salidas.

2. Se comparan los términos resultantes de cada una de las salidas y se existen algunas
semejanzas en varios de ello, solo queda uno como elemento representativo
3. Se hace la tala PLA donde estén considerados las entradas y las salidas y su relación
con los términos resultantes; posteriormente se procede al alambrado.

Ejemplo. Se tiene la siguiente tabla de verdad encontrar el circuito según el procedimiento

de PLA.

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INTRODUCCION A LOS PLD – PAL – CPLD

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Los PLD (Programable Logic Devices) fueron introducidos en la década

del 70. Los PLD
son chips de propósitos generales para implementar circuitos lógicos –
Un PLD puede usarse
como una caja negra que contiene compuertas lógicas y llaves
programables, tal como se
observa en la Fig. 1
Existen varios tipos de PLDs disponibles comercialmente. El primero de
ellos fue un
Programable Logia Array (PLA), cuya estructura se observa en la Fig. 2

Basada en la idea de que una función lógica puede ser realizada como
una SUMA DE
PRODUCTOS, una PLA, comprende un conjunto (arreglo – array) de
compuertas AND que
alimentan un arreglo de compuertas OR – Un esquema circuital se
muestra en la Fig.3.
En esta figura se observa que cada entrada a la compuerta AND se
puede programar (conectar
o nó). El circuito está diseñado para que una entrada no conectada no
afecte el
funcionamiento de las compuertas. Si observamos los conexionados
realizados en la Fig. 3,
notamos que:
_ __
P1 = x1 x2 ; P2 = x1 x3 ; P3 = x1x2x3 ; P4 = x1x3 , por lo que
_ __
f 1 = P 1 + P 2 + P 3 = x 1 x2 + x 1 x3 + x 1 x2 x3

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Una PLA típica tiene 16 entradas y 8 salidas

El esquema de la PLA dado en la Fig. 3 no es aconsejable cuando se

trabaja con mayor
número de entradas/salidas . En su lugar utilizamos el esquema dado en
la Fig. 4

Figura 3

Figura 4

PAL

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Como hemos visto en las PLAs ambos arreglos (planos AND y OR) son
programables. Esto
tiene dos dificultades para el fabricante. En primer lugar es de
fabricación compleja por la
cantidad de llaves , por otro lado son poco veloces. Este problema los
llevo a mejorar el
diseño y desarrollaron un dispositivo de arreglo AND programable y OR
fijo. Esta estructura
se denomina Programmable Array Logic. La PAL ofrece menos
flexibilidad que la PLA
debido a que tiene un arreglo fijo (OR). La PLA permite hasta 4 terminos
producto por
compuerta OR, mientras que la PAL solo 2. Ello se observa en la Fig. 4

Figura 4

En muchas PAL se agregan circuitos extras a cada salida OR, para

proveer una mayor
flexibilidad. Este circuito adicional a la salida OR se la denomina
MACROCELL, se muestra
en la Fig. 5

CPLD

Las PAL y PLA son útiles para implementar una gran variedad de
pequeños/medianos circuitos
digitales (Entradas mas salidas que no superen el numero de 32).
Cuando se requiere mayor cantidad de entradas/salidas se recurre a un
CPLD (Complex
Programmable Logic Devices)

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Figura 5 - MACROCELL

Figura 6

Un CPLD comprende múltiples bloques en un único chip con recursos de

cableado interno
para conectar los bloques. Cada bloque es similar a una PLA o PAL, por lo
que en el esquema
de la Fig. 6 nos referimos a cada block como PAL – like block
En la Fig 7 se observa un ejemplo interconexionado

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Figura 7
El PAL-like block incluye 3 MACROCELLS ( CPLD reales tienen cerca de 16
MACROCELLS
en una PAL-like block), consistente en una compuerta OR de 4 entradas
(real de 5 a 20
entradas) . Cada salida de la compuerta OR se conecta a una entrada
XOR. La MACROCELL
incluye FF, Mux y Buffer de salida con tercer estado. Los cables de
interconexión
(interconexión wires) contienen llaves programables que se utilizan para
la conexión de los
PAL-like blocks. El tamaño de las CPLD va de 2 a 100 PAL-like block.

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BIBLIOGRAFÍA
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José Fernando Malváez Montiel. 099202974 29